一、靶材是什么材料
靶(ba)(ba)(ba)材是通過磁(ci)控濺射(she)、多弧離子鍍(du)或(huo)其他類型的(de)(de)鍍(du)膜(mo)(mo)系(xi)統在(zai)適(shi)當(dang)工藝條件下濺射(she)在(zai)基板(ban)上形成(cheng)各種功能薄膜(mo)(mo)的(de)(de)濺射(she)源。簡(jian)單說的(de)(de)話，靶(ba)(ba)(ba)材就是高(gao)速(su)荷能粒子轟擊的(de)(de)目標材料，用于高(gao)能激(ji)光(guang)(guang)武器中，不(bu)同(tong)(tong)功率密度、不(bu)同(tong)(tong)輸(shu)出(chu)波形、不(bu)同(tong)(tong)波長的(de)(de)激(ji)光(guang)(guang)與不(bu)同(tong)(tong)的(de)(de)靶(ba)(ba)(ba)材相互作用時，會(hui)產生不(bu)同(tong)(tong)的(de)(de)殺傷破壞效應。例如(ru)：蒸發磁(ci)控濺射(she)鍍(du)膜(mo)(mo)是加熱蒸發鍍(du)膜(mo)(mo)、鋁(lv)(lv)膜(mo)(mo)等。更換不(bu)同(tong)(tong)的(de)(de)靶(ba)(ba)(ba)材（如(ru)鋁(lv)(lv)、銅、不(bu)銹鋼、鈦、鎳靶(ba)(ba)(ba)等），即可(ke)得(de)到不(bu)同(tong)(tong)的(de)(de)膜(mo)(mo)系(xi)（如(ru)超硬、耐(nai)磨(mo)、防腐的(de)(de)合金(jin)膜(mo)(mo)等）。
二、靶材的用途
1、用于顯示器上
靶(ba)材目前被(bei)普(pu)遍應用(yong)(yong)于平面(mian)顯示(shi)器(qi)(qi)（FPD)上。近年(nian)來，平面(mian)顯示(shi)器(qi)(qi)在市(shi)場(chang)上的應用(yong)(yong)率逐年(nian)增高，同時也帶動了ITO靶(ba)材的技(ji)術與市(shi)場(chang)需求。ITO靶(ba)材有兩(liang)種(zhong)，一種(zhong)是(shi)采用(yong)(yong)銦錫合金靶(ba)材，另外一種(zhong)是(shi)采用(yong)(yong)納米狀態的氧(yang)化(hua)銦和氧(yang)化(hua)錫粉混合后燒結。
2、用于微電子領域
靶(ba)材也(ye)被應用于(yu)(yu)半(ban)導體產業，相對(dui)來(lai)說半(ban)導體產業對(dui)于(yu)(yu)靶(ba)材濺射薄膜的品質(zhi)要(yao)(yao)求是比較(jiao)苛刻的。現在(zai)12英寸（300衄口(kou)）的硅晶片也(ye)被制作出來(lai)，但是互連線的寬(kuan)度卻(que)在(zai)減小。目前硅片制造商對(dui)于(yu)(yu)靶(ba)材的要(yao)(yao)求都是大尺(chi)寸、高純度、低偏析以及細晶粒等，對(dui)其品質(zhi)要(yao)(yao)求比較(jiao)高，這(zhe)就要(yao)(yao)求靶(ba)材需(xu)要(yao)(yao)具(ju)有更好的微觀(guan)結(jie)構。
3、用于存儲技術上
存儲(chu)技術行業對于(yu)靶材(cai)的(de)(de)需求量很大(da)(da)，高密度、大(da)(da)容量硬盤的(de)(de)發展，離不(bu)開大(da)(da)量的(de)(de)巨(ju)磁(ci)阻(zu)薄膜材(cai)料，CoF~Cu多層復(fu)合膜是如今應(ying)用比較廣泛(fan)的(de)(de)巨(ju)磁(ci)阻(zu)薄膜結構。磁(ci)光盤需要(yao)的(de)(de)TbFeCo合金(jin)靶材(cai)還在進一步發展，用它制造出(chu)來的(de)(de)磁(ci)光盤有(you)著(zhu)使用壽命長、存儲(chu)容量大(da)(da)以及可(ke)反復(fu)無(wu)接觸擦寫(xie)的(de)(de)特點。
三、靶材的分類有哪些
1、根據不同材質劃分
（1）金屬靶材
鎳靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ni、鈦(tai)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ti、鋅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Zn、鉻靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Cr、鎂靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Mg、鈮靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Nb、錫靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Sn、鋁靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Al、銦靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)In、鐵靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Fe、鋯鋁靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)ZrAl、鈦(tai)鋁靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)TiAl、鋯靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Zr、鋁硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)AlSi、硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Si、銅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Cu、鉭靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ta、鍺靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ge、銀靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ag、鈷靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Co、金靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Au、釓(ga)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Gd、鑭(lan)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)La、釔靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Y、鈰靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ce、不銹鋼靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鎳鉻靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)NiCr、鉿(jia)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Hf、鉬(mu)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Mo、鐵鎳靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)FeNi、鎢靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、W等。
（2）陶瓷靶材
ITO靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎂靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鐵(tie)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氮(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、碳(tan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氮(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦(tai)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鉻靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋅(xin)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、硫化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋅(xin)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二(er)(er)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、一氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈰靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二(er)(er)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋯(gao)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、五(wu)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二(er)(er)鈮(ni)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二(er)(er)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦(tai)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二(er)(er)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋯(gao)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，、二(er)(er)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鉿(jia)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，二(er)(er)硼(peng)(peng)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦(tai)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，二(er)(er)硼(peng)(peng)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋯(gao)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，三氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎢靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，三氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二(er)(er)鋁(lv)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)五(wu)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二(er)(er)鉭，五(wu)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二(er)(er)鈮(ni)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氟化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎂靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氟化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)釔靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、硒化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋅(xin)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氮(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋁(lv)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，氮(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，氮(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硼(peng)(peng)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，氮(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦(tai)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，碳(tan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，鈮(ni)酸(suan)鋰靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鈦(tai)酸(suan)鐠(pu)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鈦(tai)酸(suan)鋇靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鈦(tai)酸(suan)鑭靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎳靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、濺射靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)材等。
（3）合金靶材
鐵(tie)鈷靶(ba)(ba)(ba)FeCo、鋁硅(gui)(gui)靶(ba)(ba)(ba)AlSi、鈦(tai)(tai)(tai)硅(gui)(gui)靶(ba)(ba)(ba)TiSi、鉻(ge)硅(gui)(gui)靶(ba)(ba)(ba)CrSi、鋅鋁靶(ba)(ba)(ba)ZnAl、鈦(tai)(tai)(tai)鋅靶(ba)(ba)(ba)材(cai)TiZn、鈦(tai)(tai)(tai)鋁靶(ba)(ba)(ba)TiAl、鈦(tai)(tai)(tai)鋯靶(ba)(ba)(ba)TiZr、鈦(tai)(tai)(tai)硅(gui)(gui)靶(ba)(ba)(ba)TiSi、鈦(tai)(tai)(tai)鎳靶(ba)(ba)(ba)TiNi、鎳鉻(ge)靶(ba)(ba)(ba)NiCr、鎳鋁靶(ba)(ba)(ba)NiAl、鎳釩靶(ba)(ba)(ba)NiV、鎳鐵(tie)靶(ba)(ba)(ba)NiFe等(deng)。
2、根據不同應用方向劃分
（1）半導體關聯靶材
電極、布線(xian)薄(bo)膜：鋁靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)，銅靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)，金(jin)靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)，銀靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)，鈀靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)，鉑靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)，鋁硅合金(jin)靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)，鋁硅銅合金(jin)靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)等。
儲存器電極薄(bo)膜：鉬靶(ba)材(cai)，鎢靶(ba)材(cai)，鈦靶(ba)材(cai)等。
粘(zhan)附薄膜：鎢靶(ba)材(cai)，鈦靶(ba)材(cai)等。
電容器絕(jue)緣(yuan)膜薄膜：鋯(gao)鈦(tai)酸鉛靶材等(deng)。
（2）磁記錄靶材
垂直磁記錄薄膜：鈷鉻合(he)金靶材(cai)等。
硬盤用薄(bo)膜：鈷鉻鉭合金(jin)靶(ba)材，鈷鉻鉑合金(jin)靶(ba)材，鈷鉻鉭鉑合金(jin)靶(ba)材等。
薄膜(mo)磁頭：鈷(gu)鉭鉻合(he)(he)金靶(ba)材，鈷(gu)鉻鋯合(he)(he)金靶(ba)材等。
人工晶體薄膜(mo)：鈷鉑(bo)合金靶材，鈷鈀合金靶材等。
（3）光記錄靶材
相變光(guang)盤記(ji)錄薄(bo)膜：硒(xi)化碲靶(ba)材，硒(xi)化銻(ti)靶(ba)材，鍺(zang)銻(ti)碲合金靶(ba)材，鍺(zang)碲合金靶(ba)材等。
磁(ci)光盤記錄薄膜：鏑鐵鈷合金靶(ba)材(cai)，鋱鏑鐵合金靶(ba)材(cai)，鋱鐵鈷合金靶(ba)材(cai)，氧化鋁靶(ba)材(cai)，氧化鎂靶(ba)材(cai)，氮化硅靶(ba)材(cai)等。
四、靶材的性能和指標
靶(ba)(ba)材(cai)制約(yue)著濺鍍(du)薄膜的物理，力學性能，影響鍍(du)膜質量，因而要(yao)求靶(ba)(ba)材(cai)的制備應滿足(zu)以下要(yao)求：
1、純度：要求雜質含量低純度高，靶材的(de)純度(du)(du)影響薄膜的(de)均勻性(xing)(xing)，以(yi)(yi)(yi)純Al靶(ba)(ba)為例，純度(du)(du)越高，濺射Al膜的(de)耐蝕性(xing)(xing)及(ji)電學、光(guang)學性(xing)(xing)能(neng)越好。不(bu)(bu)過不(bu)(bu)同(tong)用途的(de)靶(ba)(ba)材對(dui)純度(du)(du)要求(qiu)也不(bu)(bu)同(tong)，一(yi)般(ban)工業用靶(ba)(ba)材純度(du)(du)要求(qiu)不(bu)(bu)高，但就半導(dao)體、顯示器(qi)件等領(ling)域用靶(ba)(ba)材對(dui)純度(du)(du)要求(qiu)是(shi)十分嚴格的(de)，磁(ci)性(xing)(xing)薄膜用靶(ba)(ba)材對(dui)純度(du)(du)的(de)要求(qiu)一(yi)般(ban)為99.9%以(yi)(yi)(yi)上(shang)，ITO中的(de)氧(yang)化銦(yin)以(yi)(yi)(yi)及(ji)氧(yang)化錫的(de)純度(du)(du)則要求(qiu)不(bu)(bu)低于99.99%。
2、雜(za)質含(han)(han)量(liang)：靶材作為(wei)濺射中(zhong)的(de)(de)陰極源，固(gu)體中(zhong)的(de)(de)雜(za)質和(he)氣孔中(zhong)的(de)(de)O2和(he)H2O是(shi)沉積(ji)薄膜(mo)的(de)(de)主要(yao)污染源，不(bu)同(tong)用(yong)途的(de)(de)靶材對單(dan)個雜(za)質含(han)(han)量(liang)的(de)(de)要(yao)求(qiu)(qiu)也不(bu)同(tong)，如：半導(dao)體電極布線(xian)用(yong)的(de)(de)W，Mo，Ti等(deng)靶材對U，Th等(deng)放射性元素的(de)(de)含(han)(han)量(liang)要(yao)求(qiu)(qiu)低于(yu)3*10-9，光盤反射膜(mo)用(yong)的(de)(de)Al合金靶材則(ze)要(yao)求(qiu)(qiu)O2的(de)(de)含(han)(han)量(liang)低于(yu)2*10-4。
3、高致(zhi)密(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)度(du)(du)(du)(du)：為了減(jian)少(shao)靶(ba)材(cai)(cai)中的(de)氣孔(kong)，提高薄膜(mo)(mo)的(de)性(xing)能(neng)一(yi)般要求靶(ba)材(cai)(cai)具有較(jiao)高的(de)致(zhi)密(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)度(du)(du)(du)(du)，靶(ba)材(cai)(cai)的(de)致(zhi)密(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)度(du)(du)(du)(du)不僅影響(xiang)濺射時(shi)的(de)沉積速率、濺射膜(mo)(mo)粒(li)子的(de)密(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)度(du)(du)(du)(du)和放電(dian)現(xian)象(xiang)等(deng)，還影響(xiang)濺射薄膜(mo)(mo)的(de)電(dian)學(xue)和光學(xue)性(xing)能(neng)。致(zhi)密(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)性(xing)越(yue)好(hao)，濺射膜(mo)(mo)粒(li)子的(de)密(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)度(du)(du)(du)(du)越(yue)低，放電(dian)現(xian)象(xiang)越(yue)弱(ruo)。高致(zhi)密(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)度(du)(du)(du)(du)靶(ba)材(cai)(cai)具有導電(dian)、導熱(re)性(xing)好(hao)，強度(du)(du)(du)(du)高等(deng)優點，使(shi)用這(zhe)種靶(ba)材(cai)(cai)鍍膜(mo)(mo)，濺射功率小(xiao)，成膜(mo)(mo)速率高，薄膜(mo)(mo)不易(yi)開裂，靶(ba)材(cai)(cai)的(de)使(shi)用壽命(ming)長(chang)，且濺鍍薄膜(mo)(mo)的(de)電(dian)阻率低，透光率高。靶(ba)材(cai)(cai)的(de)致(zhi)密(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)度(du)(du)(du)(du)主要取決于制備工(gong)藝。一(yi)般而(er)言，鑄造靶(ba)材(cai)(cai)的(de)致(zhi)密(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)度(du)(du)(du)(du)高而(er)燒結靶(ba)材(cai)(cai)的(de)致(zhi)密(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)度(du)(du)(du)(du)相對較(jiao)低，因(yin)此提高靶(ba)材(cai)(cai)的(de)致(zhi)密(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)度(du)(du)(du)(du)是燒結制備靶(ba)材(cai)(cai)的(de)技術關(guan)鍵之一(yi)。
4、成(cheng)分與組織結構均(jun)勻，靶(ba)材成(cheng)分均(jun)勻是(shi)鍍(du)膜(mo)質量穩定的重要保證，尤(you)其(qi)是(shi)對于(yu)復相結構的合金靶(ba)材和混合靶(ba)材。如ITO，為了保證膜(mo)質量，要求靶(ba)中In2O3-SnO2組成(cheng)均(jun)勻，都為93：7或91：9（分子(zi)比(bi)）。
5、晶(jing)粒(li)尺寸細小，靶材的晶(jing)粒(li)尺寸越細小，濺(jian)鍍薄膜的厚度分布(bu)越均勻(yun)，濺(jian)射速率越快。
