一、靶材是什么材料
靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)是通過(guo)磁控濺射、多(duo)弧離子(zi)(zi)鍍(du)或其他類(lei)型(xing)的(de)(de)鍍(du)膜(mo)系(xi)統在適(shi)當工(gong)藝條(tiao)件下濺射在基(ji)板上(shang)形(xing)成(cheng)各(ge)種功(gong)能(neng)薄膜(mo)的(de)(de)濺射源。簡單說的(de)(de)話，靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)就是高(gao)速荷能(neng)粒子(zi)(zi)轟擊(ji)的(de)(de)目(mu)標材(cai)料，用(yong)于高(gao)能(neng)激光(guang)武器中，不同功(gong)率密度、不同輸出波(bo)形(xing)、不同波(bo)長的(de)(de)激光(guang)與不同的(de)(de)靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)相互作用(yong)時，會產生不同的(de)(de)殺(sha)傷破壞(huai)效應。例如：蒸(zheng)發磁控濺射鍍(du)膜(mo)是加(jia)熱蒸(zheng)發鍍(du)膜(mo)、鋁(lv)膜(mo)等。更(geng)換不同的(de)(de)靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)（如鋁(lv)、銅、不銹鋼、鈦(tai)、鎳靶(ba)(ba)(ba)(ba)等），即可得到不同的(de)(de)膜(mo)系(xi)（如超硬、耐磨(mo)、防(fang)腐的(de)(de)合金(jin)膜(mo)等）。
二、靶材的用途
1、用于顯示器上
靶材(cai)(cai)(cai)目前被普遍(bian)應(ying)用(yong)于平面(mian)顯示器（FPD)上。近年(nian)來，平面(mian)顯示器在市場(chang)上的(de)應(ying)用(yong)率逐年(nian)增高，同(tong)時(shi)也(ye)帶動了ITO靶材(cai)(cai)(cai)的(de)技(ji)術與市場(chang)需求(qiu)。ITO靶材(cai)(cai)(cai)有兩種，一(yi)(yi)種是采用(yong)銦錫合金靶材(cai)(cai)(cai)，另外(wai)一(yi)(yi)種是采用(yong)納(na)米狀態的(de)氧化銦和氧化錫粉混合后燒(shao)結。
2、用于微電子領域
靶材(cai)(cai)也被應用于(yu)(yu)半導(dao)體(ti)產業，相對(dui)來說半導(dao)體(ti)產業對(dui)于(yu)(yu)靶材(cai)(cai)濺(jian)射(she)薄(bo)膜的(de)(de)(de)品(pin)質要(yao)(yao)求(qiu)(qiu)(qiu)是比較苛刻的(de)(de)(de)。現(xian)在12英寸（300衄口）的(de)(de)(de)硅晶片也被制作出來，但是互連線的(de)(de)(de)寬(kuan)度(du)(du)卻在減小。目前硅片制造商對(dui)于(yu)(yu)靶材(cai)(cai)的(de)(de)(de)要(yao)(yao)求(qiu)(qiu)(qiu)都是大尺寸、高純度(du)(du)、低偏析以及細晶粒等，對(dui)其品(pin)質要(yao)(yao)求(qiu)(qiu)(qiu)比較高，這(zhe)就要(yao)(yao)求(qiu)(qiu)(qiu)靶材(cai)(cai)需要(yao)(yao)具(ju)有(you)更好的(de)(de)(de)微觀結構。
3、用于存儲技術上
存(cun)儲技術(shu)行業對于靶(ba)材的(de)(de)需(xu)求(qiu)量很大，高密度(du)、大容(rong)量硬盤(pan)的(de)(de)發(fa)展，離不開大量的(de)(de)巨磁(ci)阻薄膜材料(liao)，CoF~Cu多層復(fu)合膜是如(ru)今應用(yong)比(bi)較(jiao)廣泛的(de)(de)巨磁(ci)阻薄膜結構。磁(ci)光(guang)盤(pan)需(xu)要的(de)(de)TbFeCo合金(jin)靶(ba)材還在進一步發(fa)展，用(yong)它制(zhi)造出來的(de)(de)磁(ci)光(guang)盤(pan)有著使用(yong)壽命長、存(cun)儲容(rong)量大以及可反復(fu)無接觸擦寫的(de)(de)特點。
三、靶材的分類有哪些
1、根據不同材質劃分
（1）金屬靶材
鎳(nie)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ni、鈦(tai)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ti、鋅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Zn、鉻(ge)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Cr、鎂靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Mg、鈮靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Nb、錫靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Sn、鋁(lv)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Al、銦靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)In、鐵靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Fe、鋯(gao)鋁(lv)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)ZrAl、鈦(tai)鋁(lv)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)TiAl、鋯(gao)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Zr、鋁(lv)硅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)AlSi、硅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Si、銅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Cu、鉭靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ta、鍺靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ge、銀靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ag、鈷靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Co、金靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Au、釓靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Gd、鑭(lan)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)La、釔靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Y、鈰靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ce、不銹鋼靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鎳(nie)鉻(ge)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)NiCr、鉿靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Hf、鉬靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Mo、鐵鎳(nie)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)FeNi、鎢靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、W等。
（2）陶瓷靶材
ITO靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎂(mei)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鐵(tie)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氮(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、碳化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氮(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦(tai)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鉻靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋅(xin)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、硫化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋅(xin)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二(er)(er)(er)氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、一氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈰靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二(er)(er)(er)氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋯靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、五(wu)氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二(er)(er)(er)鈮(ni)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二(er)(er)(er)氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦(tai)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二(er)(er)(er)氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋯靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，、二(er)(er)(er)氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鉿靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，二(er)(er)(er)硼化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦(tai)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，二(er)(er)(er)硼化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋯靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，三(san)氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎢(wu)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，三(san)氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二(er)(er)(er)鋁靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)五(wu)氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二(er)(er)(er)鉭，五(wu)氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二(er)(er)(er)鈮(ni)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氟化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎂(mei)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氟化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)釔靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、硒(xi)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋅(xin)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氮(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋁靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，氮(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，氮(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硼靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，氮(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦(tai)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，碳化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，鈮(ni)酸(suan)(suan)鋰靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鈦(tai)酸(suan)(suan)鐠靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鈦(tai)酸(suan)(suan)鋇靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鈦(tai)酸(suan)(suan)鑭靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎳靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、濺射靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)等。
（3）合金靶材
鐵鈷靶(ba)(ba)FeCo、鋁(lv)硅靶(ba)(ba)AlSi、鈦硅靶(ba)(ba)TiSi、鉻硅靶(ba)(ba)CrSi、鋅鋁(lv)靶(ba)(ba)ZnAl、鈦鋅靶(ba)(ba)材(cai)TiZn、鈦鋁(lv)靶(ba)(ba)TiAl、鈦鋯靶(ba)(ba)TiZr、鈦硅靶(ba)(ba)TiSi、鈦鎳(nie)靶(ba)(ba)TiNi、鎳(nie)鉻靶(ba)(ba)NiCr、鎳(nie)鋁(lv)靶(ba)(ba)NiAl、鎳(nie)釩(fan)靶(ba)(ba)NiV、鎳(nie)鐵靶(ba)(ba)NiFe等。
2、根據不同應用方向劃分
（1）半導體關聯靶材
電極、布線薄膜：鋁靶(ba)材(cai)(cai)，銅靶(ba)材(cai)(cai)，金(jin)靶(ba)材(cai)(cai)，銀靶(ba)材(cai)(cai)，鈀靶(ba)材(cai)(cai)，鉑(bo)靶(ba)材(cai)(cai)，鋁硅合金(jin)靶(ba)材(cai)(cai)，鋁硅銅合金(jin)靶(ba)材(cai)(cai)等。
儲存器電(dian)極薄膜：鉬(mu)靶材(cai)，鎢靶材(cai)，鈦靶材(cai)等。
粘附薄膜：鎢靶材(cai)，鈦(tai)靶材(cai)等。
電(dian)容器絕緣膜薄(bo)膜：鋯鈦酸鉛靶材等。
（2）磁記錄靶材
垂(chui)直磁(ci)記錄薄膜：鈷鉻合金靶(ba)材等(deng)。
硬盤(pan)用薄膜(mo)：鈷(gu)(gu)鉻(ge)鉭(tan)合金靶(ba)(ba)(ba)材，鈷(gu)(gu)鉻(ge)鉑合金靶(ba)(ba)(ba)材，鈷(gu)(gu)鉻(ge)鉭(tan)鉑合金靶(ba)(ba)(ba)材等。
薄(bo)膜磁頭：鈷(gu)鉭鉻(ge)合(he)金(jin)靶材，鈷(gu)鉻(ge)鋯合(he)金(jin)靶材等。
人工晶(jing)體(ti)薄膜(mo)：鈷鉑(bo)合金(jin)靶材(cai)，鈷鈀合金(jin)靶材(cai)等。
（3）光記錄靶材
相變光(guang)盤記(ji)錄薄膜：硒(xi)化碲(di)靶(ba)材(cai)，硒(xi)化銻(ti)靶(ba)材(cai)，鍺(zang)銻(ti)碲(di)合金靶(ba)材(cai)，鍺(zang)碲(di)合金靶(ba)材(cai)等。
磁光盤記錄薄膜：鏑鐵鈷(gu)合金靶(ba)材(cai)(cai)(cai)，鋱(te)鏑鐵合金靶(ba)材(cai)(cai)(cai)，鋱(te)鐵鈷(gu)合金靶(ba)材(cai)(cai)(cai)，氧(yang)化鋁(lv)靶(ba)材(cai)(cai)(cai)，氧(yang)化鎂(mei)靶(ba)材(cai)(cai)(cai)，氮化硅靶(ba)材(cai)(cai)(cai)等。
四、靶材的性能和指標
靶材制約著濺鍍薄膜的物(wu)理，力(li)學(xue)性能，影響鍍膜質量，因而要求靶材的制備應滿足以下要求：
1、純度：要求雜質含量低純度高，靶材的(de)純度影響薄膜(mo)的(de)均勻性，以(yi)純Al靶(ba)(ba)為例，純度越(yue)高，濺射Al膜(mo)的(de)耐蝕(shi)性及(ji)電學(xue)、光學(xue)性能越(yue)好。不(bu)(bu)(bu)(bu)過不(bu)(bu)(bu)(bu)同用途的(de)靶(ba)(ba)材(cai)對(dui)純度要(yao)求也(ye)不(bu)(bu)(bu)(bu)同，一般工業用靶(ba)(ba)材(cai)純度要(yao)求不(bu)(bu)(bu)(bu)高，但就半(ban)導體、顯示(shi)器件(jian)等領域用靶(ba)(ba)材(cai)對(dui)純度要(yao)求是十分(fen)嚴格的(de)，磁(ci)性薄膜(mo)用靶(ba)(ba)材(cai)對(dui)純度的(de)要(yao)求一般為99.9%以(yi)上，ITO中的(de)氧化(hua)(hua)銦(yin)以(yi)及(ji)氧化(hua)(hua)錫的(de)純度則要(yao)求不(bu)(bu)(bu)(bu)低于99.99%。
2、雜質(zhi)含(han)(han)量：靶材作為濺射中的(de)(de)(de)陰極(ji)源，固(gu)體中的(de)(de)(de)雜質(zhi)和(he)氣孔(kong)中的(de)(de)(de)O2和(he)H2O是沉積薄膜的(de)(de)(de)主(zhu)要污(wu)染源，不同(tong)用(yong)途的(de)(de)(de)靶材對單個雜質(zhi)含(han)(han)量的(de)(de)(de)要求(qiu)(qiu)也不同(tong)，如(ru)：半導體電(dian)極(ji)布線(xian)用(yong)的(de)(de)(de)W，Mo，Ti等靶材對U，Th等放射性元素的(de)(de)(de)含(han)(han)量要求(qiu)(qiu)低于3*10-9，光盤反射膜用(yong)的(de)(de)(de)Al合金靶材則要求(qiu)(qiu)O2的(de)(de)(de)含(han)(han)量低于2*10-4。
3、高(gao)(gao)致(zhi)密(mi)(mi)(mi)(mi)度(du)(du)：為了減少(shao)靶(ba)(ba)(ba)材(cai)中的(de)(de)氣孔(kong)，提(ti)高(gao)(gao)薄膜(mo)的(de)(de)性(xing)(xing)能(neng)一(yi)般(ban)要(yao)求(qiu)靶(ba)(ba)(ba)材(cai)具有(you)較高(gao)(gao)的(de)(de)致(zhi)密(mi)(mi)(mi)(mi)度(du)(du)，靶(ba)(ba)(ba)材(cai)的(de)(de)致(zhi)密(mi)(mi)(mi)(mi)度(du)(du)不(bu)僅(jin)影(ying)(ying)響(xiang)濺(jian)射時的(de)(de)沉積速(su)率(lv)、濺(jian)射膜(mo)粒子(zi)的(de)(de)密(mi)(mi)(mi)(mi)度(du)(du)和(he)(he)放電(dian)(dian)(dian)現象(xiang)等，還(huan)影(ying)(ying)響(xiang)濺(jian)射薄膜(mo)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)學和(he)(he)光(guang)(guang)學性(xing)(xing)能(neng)。致(zhi)密(mi)(mi)(mi)(mi)性(xing)(xing)越(yue)好，濺(jian)射膜(mo)粒子(zi)的(de)(de)密(mi)(mi)(mi)(mi)度(du)(du)越(yue)低，放電(dian)(dian)(dian)現象(xiang)越(yue)弱(ruo)。高(gao)(gao)致(zhi)密(mi)(mi)(mi)(mi)度(du)(du)靶(ba)(ba)(ba)材(cai)具有(you)導(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)、導(dao)(dao)熱(re)性(xing)(xing)好，強度(du)(du)高(gao)(gao)等優點，使用這種靶(ba)(ba)(ba)材(cai)鍍膜(mo)，濺(jian)射功率(lv)小，成(cheng)膜(mo)速(su)率(lv)高(gao)(gao)，薄膜(mo)不(bu)易開裂，靶(ba)(ba)(ba)材(cai)的(de)(de)使用壽命長，且濺(jian)鍍薄膜(mo)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)阻率(lv)低，透光(guang)(guang)率(lv)高(gao)(gao)。靶(ba)(ba)(ba)材(cai)的(de)(de)致(zhi)密(mi)(mi)(mi)(mi)度(du)(du)主要(yao)取決于制(zhi)(zhi)備工藝。一(yi)般(ban)而言(yan)，鑄造靶(ba)(ba)(ba)材(cai)的(de)(de)致(zhi)密(mi)(mi)(mi)(mi)度(du)(du)高(gao)(gao)而燒結(jie)靶(ba)(ba)(ba)材(cai)的(de)(de)致(zhi)密(mi)(mi)(mi)(mi)度(du)(du)相(xiang)對(dui)較低，因此(ci)提(ti)高(gao)(gao)靶(ba)(ba)(ba)材(cai)的(de)(de)致(zhi)密(mi)(mi)(mi)(mi)度(du)(du)是燒結(jie)制(zhi)(zhi)備靶(ba)(ba)(ba)材(cai)的(de)(de)技術關鍵之(zhi)一(yi)。
4、成(cheng)分(fen)與組(zu)織結構(gou)均勻，靶(ba)(ba)材(cai)成(cheng)分(fen)均勻是(shi)(shi)鍍膜質(zhi)量穩定的重要保證，尤其是(shi)(shi)對于復(fu)相(xiang)結構(gou)的合(he)金(jin)靶(ba)(ba)材(cai)和混合(he)靶(ba)(ba)材(cai)。如(ru)ITO，為了保證膜質(zhi)量，要求(qiu)靶(ba)(ba)中(zhong)In2O3-SnO2組(zu)成(cheng)均勻，都為93：7或(huo)91：9（分(fen)子比）。
5、晶粒尺寸細(xi)小，靶(ba)材的晶粒尺寸越(yue)(yue)細(xi)小，濺鍍薄膜的厚度分布越(yue)(yue)均勻，濺射速率越(yue)(yue)快(kuai)。
