一、靶材是什么材料
靶(ba)材(cai)(cai)(cai)是(shi)通過磁(ci)控(kong)濺(jian)(jian)射、多弧離子(zi)鍍或其他類型的(de)(de)(de)鍍膜(mo)(mo)(mo)系統在適當工藝條件下濺(jian)(jian)射在基(ji)板上形成各(ge)種功(gong)能薄膜(mo)(mo)(mo)的(de)(de)(de)濺(jian)(jian)射源。簡單說的(de)(de)(de)話，靶(ba)材(cai)(cai)(cai)就是(shi)高速荷能粒子(zi)轟擊的(de)(de)(de)目標材(cai)(cai)(cai)料，用(yong)于(yu)高能激光武器(qi)中(zhong)，不(bu)(bu)同(tong)功(gong)率(lv)密度、不(bu)(bu)同(tong)輸出波形、不(bu)(bu)同(tong)波長(chang)的(de)(de)(de)激光與不(bu)(bu)同(tong)的(de)(de)(de)靶(ba)材(cai)(cai)(cai)相互作用(yong)時，會(hui)產生(sheng)不(bu)(bu)同(tong)的(de)(de)(de)殺傷破壞效應。例如：蒸發磁(ci)控(kong)濺(jian)(jian)射鍍膜(mo)(mo)(mo)是(shi)加熱(re)蒸發鍍膜(mo)(mo)(mo)、鋁(lv)膜(mo)(mo)(mo)等(deng)。更換不(bu)(bu)同(tong)的(de)(de)(de)靶(ba)材(cai)(cai)(cai)（如鋁(lv)、銅、不(bu)(bu)銹鋼、鈦、鎳靶(ba)等(deng)），即可得到不(bu)(bu)同(tong)的(de)(de)(de)膜(mo)(mo)(mo)系（如超(chao)硬(ying)、耐磨、防腐的(de)(de)(de)合(he)金膜(mo)(mo)(mo)等(deng)）。
二、靶材的用途
1、用于顯示器上
靶(ba)材(cai)目前被普(pu)遍應(ying)用于平面(mian)顯(xian)示器（FPD)上。近年來，平面(mian)顯(xian)示器在市場上的應(ying)用率(lv)逐年增高，同(tong)時也帶(dai)動了ITO靶(ba)材(cai)的技(ji)術與市場需求。ITO靶(ba)材(cai)有兩種，一(yi)種是采(cai)用銦錫(xi)合金靶(ba)材(cai)，另外一(yi)種是采(cai)用納米(mi)狀(zhuang)態(tai)的氧(yang)化(hua)銦和(he)氧(yang)化(hua)錫(xi)粉混(hun)合后燒結。
2、用于微電子領域
靶材(cai)(cai)也(ye)被應(ying)用于(yu)(yu)半導(dao)體產(chan)業，相對(dui)來說半導(dao)體產(chan)業對(dui)于(yu)(yu)靶材(cai)(cai)濺射(she)薄膜的(de)(de)品質要(yao)求(qiu)是(shi)比較苛(ke)刻(ke)的(de)(de)。現(xian)在12英寸（300衄(nv)口）的(de)(de)硅晶(jing)片也(ye)被制(zhi)(zhi)作出(chu)來，但是(shi)互連線的(de)(de)寬度(du)卻在減小(xiao)。目前(qian)硅片制(zhi)(zhi)造商(shang)對(dui)于(yu)(yu)靶材(cai)(cai)的(de)(de)要(yao)求(qiu)都是(shi)大尺寸、高純度(du)、低偏(pian)析以及細(xi)晶(jing)粒等(deng)，對(dui)其(qi)品質要(yao)求(qiu)比較高，這就要(yao)求(qiu)靶材(cai)(cai)需(xu)要(yao)具有更(geng)好的(de)(de)微觀結構。
3、用于存儲技術上
存儲技術(shu)行(xing)業對于靶材的(de)需求量很大(da)，高(gao)密度(du)、大(da)容(rong)量硬盤的(de)發展(zhan)，離不開大(da)量的(de)巨(ju)磁(ci)(ci)阻薄膜材料，CoF~Cu多層復(fu)合(he)膜是如今應(ying)用比較廣泛的(de)巨(ju)磁(ci)(ci)阻薄膜結構。磁(ci)(ci)光盤需要(yao)的(de)TbFeCo合(he)金靶材還在進(jin)一步(bu)發展(zhan)，用它制造出(chu)來的(de)磁(ci)(ci)光盤有(you)著使用壽命(ming)長、存儲容(rong)量大(da)以及可反復(fu)無(wu)接觸擦寫的(de)特點。
三、靶材的分類有哪些
1、根據不同材質劃分
（1）金屬靶材
鎳靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ni、鈦(tai)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ti、鋅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Zn、鉻(ge)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Cr、鎂靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Mg、鈮靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Nb、錫靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Sn、鋁靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Al、銦(yin)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)In、鐵(tie)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Fe、鋯(gao)鋁靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)ZrAl、鈦(tai)鋁靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)TiAl、鋯(gao)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Zr、鋁硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)AlSi、硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Si、銅(tong)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Cu、鉭(tan)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ta、鍺靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ge、銀靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ag、鈷靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Co、金靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Au、釓(ga)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Gd、鑭靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)La、釔(yi)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Y、鈰靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ce、不銹鋼靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鎳鉻(ge)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)NiCr、鉿靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Hf、鉬靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Mo、鐵(tie)鎳靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)FeNi、鎢靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、W等。
（2）陶瓷靶材
ITO靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎂(mei)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鐵靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氮化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、碳化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氮化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦(tai)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鉻靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、硫化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、一(yi)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈰(shi)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋯靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、五(wu)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)鈮(ni)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦(tai)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋯靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，、二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鉿靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)硼(peng)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦(tai)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)硼(peng)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋯靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，三(san)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎢靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，三(san)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)鋁靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)五(wu)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)鉭，五(wu)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)鈮(ni)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氟(fu)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎂(mei)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氟(fu)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)釔靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、硒(xi)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氮化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋁靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，氮化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，氮化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硼(peng)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，氮化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦(tai)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，碳化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，鈮(ni)酸(suan)(suan)鋰靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鈦(tai)酸(suan)(suan)鐠(pu)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鈦(tai)酸(suan)(suan)鋇靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鈦(tai)酸(suan)(suan)鑭靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎳靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、濺(jian)射靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)材等(deng)。
（3）合金靶材
鐵(tie)鈷(gu)靶(ba)(ba)FeCo、鋁硅(gui)(gui)靶(ba)(ba)AlSi、鈦(tai)硅(gui)(gui)靶(ba)(ba)TiSi、鉻(ge)硅(gui)(gui)靶(ba)(ba)CrSi、鋅(xin)鋁靶(ba)(ba)ZnAl、鈦(tai)鋅(xin)靶(ba)(ba)材(cai)TiZn、鈦(tai)鋁靶(ba)(ba)TiAl、鈦(tai)鋯靶(ba)(ba)TiZr、鈦(tai)硅(gui)(gui)靶(ba)(ba)TiSi、鈦(tai)鎳(nie)靶(ba)(ba)TiNi、鎳(nie)鉻(ge)靶(ba)(ba)NiCr、鎳(nie)鋁靶(ba)(ba)NiAl、鎳(nie)釩靶(ba)(ba)NiV、鎳(nie)鐵(tie)靶(ba)(ba)NiFe等。
2、根據不同應用方向劃分
（1）半導體關聯靶材
電極、布線薄(bo)膜：鋁靶(ba)材(cai)(cai)，銅靶(ba)材(cai)(cai)，金(jin)靶(ba)材(cai)(cai)，銀靶(ba)材(cai)(cai)，鈀靶(ba)材(cai)(cai)，鉑靶(ba)材(cai)(cai)，鋁硅合(he)金(jin)靶(ba)材(cai)(cai)，鋁硅銅合(he)金(jin)靶(ba)材(cai)(cai)等。
儲存器電極薄膜：鉬靶(ba)材(cai)，鎢靶(ba)材(cai)，鈦靶(ba)材(cai)等。
粘附薄膜：鎢靶(ba)材(cai)，鈦靶(ba)材(cai)等。
電(dian)容器絕緣膜薄膜：鋯鈦(tai)酸(suan)鉛靶(ba)材等。
（2）磁記錄靶材
垂直磁記錄(lu)薄膜(mo)：鈷鉻合金(jin)靶材等。
硬盤用薄(bo)膜：鈷鉻鉭合(he)金(jin)靶材(cai)(cai)，鈷鉻鉑合(he)金(jin)靶材(cai)(cai)，鈷鉻鉭鉑合(he)金(jin)靶材(cai)(cai)等。
薄膜磁頭：鈷(gu)鉭(tan)鉻合金靶材，鈷(gu)鉻鋯合金靶材等。
人工晶(jing)體薄膜：鈷鉑合(he)金靶材(cai)(cai)，鈷鈀(ba)合(he)金靶材(cai)(cai)等。
（3）光記錄靶材
相變光盤(pan)記錄薄膜(mo)：硒化(hua)碲(di)靶材，硒化(hua)銻(ti)靶材，鍺(zang)銻(ti)碲(di)合金靶材，鍺(zang)碲(di)合金靶材等(deng)。
磁光盤(pan)記錄薄膜：鏑(di)鐵鈷合金靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)，鋱鏑(di)鐵合金靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)，鋱鐵鈷合金靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)，氧化鋁(lv)靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)，氧化鎂(mei)靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)，氮(dan)化硅靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)等。
四、靶材的性能和指標
靶材制約著濺鍍薄膜的物理，力學性能，影響鍍膜質量，因而(er)要求靶材的制備應滿足以下要求：
1、純度：要求雜質含量低純度高，靶材的(de)(de)(de)(de)純(chun)度(du)(du)影響薄膜(mo)的(de)(de)(de)(de)均勻性(xing)，以純(chun)Al靶為例，純(chun)度(du)(du)越高，濺射Al膜(mo)的(de)(de)(de)(de)耐(nai)蝕(shi)性(xing)及電學、光學性(xing)能越好(hao)。不(bu)過不(bu)同用(yong)途的(de)(de)(de)(de)靶材對純(chun)度(du)(du)要(yao)求(qiu)(qiu)也不(bu)同，一(yi)般工業用(yong)靶材純(chun)度(du)(du)要(yao)求(qiu)(qiu)不(bu)高，但就半導體、顯示器(qi)件等領域用(yong)靶材對純(chun)度(du)(du)要(yao)求(qiu)(qiu)是十分嚴格的(de)(de)(de)(de)，磁(ci)性(xing)薄膜(mo)用(yong)靶材對純(chun)度(du)(du)的(de)(de)(de)(de)要(yao)求(qiu)(qiu)一(yi)般為99.9%以上，ITO中的(de)(de)(de)(de)氧化(hua)銦以及氧化(hua)錫的(de)(de)(de)(de)純(chun)度(du)(du)則要(yao)求(qiu)(qiu)不(bu)低于99.99%。
2、雜質含量(liang)(liang)：靶(ba)材作為濺(jian)射(she)中的(de)陰(yin)極源，固體中的(de)雜質和氣孔(kong)中的(de)O2和H2O是沉積薄膜(mo)的(de)主(zhu)要(yao)污染源，不(bu)同用途(tu)的(de)靶(ba)材對單個雜質含量(liang)(liang)的(de)要(yao)求也(ye)不(bu)同，如：半導體電(dian)極布線(xian)用的(de)W，Mo，Ti等靶(ba)材對U，Th等放射(she)性元素的(de)含量(liang)(liang)要(yao)求低(di)于3*10-9，光盤反射(she)膜(mo)用的(de)Al合金靶(ba)材則要(yao)求O2的(de)含量(liang)(liang)低(di)于2*10-4。
3、高致(zhi)密(mi)(mi)(mi)度(du)(du)(du)：為了減少(shao)靶材(cai)(cai)(cai)(cai)中(zhong)的(de)氣(qi)孔，提高薄(bo)膜(mo)(mo)的(de)性(xing)能一(yi)般(ban)要(yao)(yao)求(qiu)靶材(cai)(cai)(cai)(cai)具有(you)較高的(de)致(zhi)密(mi)(mi)(mi)度(du)(du)(du)，靶材(cai)(cai)(cai)(cai)的(de)致(zhi)密(mi)(mi)(mi)度(du)(du)(du)不僅(jin)影響濺(jian)射(she)時的(de)沉(chen)積(ji)速(su)率(lv)(lv)、濺(jian)射(she)膜(mo)(mo)粒子的(de)密(mi)(mi)(mi)度(du)(du)(du)和放電(dian)(dian)(dian)現象(xiang)等，還影響濺(jian)射(she)薄(bo)膜(mo)(mo)的(de)電(dian)(dian)(dian)學(xue)和光學(xue)性(xing)能。致(zhi)密(mi)(mi)(mi)性(xing)越好(hao)，濺(jian)射(she)膜(mo)(mo)粒子的(de)密(mi)(mi)(mi)度(du)(du)(du)越低，放電(dian)(dian)(dian)現象(xiang)越弱。高致(zhi)密(mi)(mi)(mi)度(du)(du)(du)靶材(cai)(cai)(cai)(cai)具有(you)導(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)、導(dao)(dao)熱性(xing)好(hao)，強度(du)(du)(du)高等優點(dian)，使(shi)用這種靶材(cai)(cai)(cai)(cai)鍍(du)膜(mo)(mo)，濺(jian)射(she)功率(lv)(lv)小，成膜(mo)(mo)速(su)率(lv)(lv)高，薄(bo)膜(mo)(mo)不易開(kai)裂，靶材(cai)(cai)(cai)(cai)的(de)使(shi)用壽(shou)命(ming)長，且濺(jian)鍍(du)薄(bo)膜(mo)(mo)的(de)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)率(lv)(lv)低，透光率(lv)(lv)高。靶材(cai)(cai)(cai)(cai)的(de)致(zhi)密(mi)(mi)(mi)度(du)(du)(du)主要(yao)(yao)取決于制備工藝。一(yi)般(ban)而(er)言，鑄造靶材(cai)(cai)(cai)(cai)的(de)致(zhi)密(mi)(mi)(mi)度(du)(du)(du)高而(er)燒結靶材(cai)(cai)(cai)(cai)的(de)致(zhi)密(mi)(mi)(mi)度(du)(du)(du)相對(dui)較低，因(yin)此提高靶材(cai)(cai)(cai)(cai)的(de)致(zhi)密(mi)(mi)(mi)度(du)(du)(du)是燒結制備靶材(cai)(cai)(cai)(cai)的(de)技(ji)術關(guan)鍵之一(yi)。
4、成(cheng)分與組織結(jie)構均(jun)(jun)勻，靶(ba)材成(cheng)分均(jun)(jun)勻是鍍(du)膜(mo)(mo)質量(liang)穩定的(de)重要(yao)保(bao)證(zheng)，尤其是對于復相結(jie)構的(de)合(he)(he)金(jin)靶(ba)材和混(hun)合(he)(he)靶(ba)材。如ITO，為了保(bao)證(zheng)膜(mo)(mo)質量(liang)，要(yao)求靶(ba)中In2O3-SnO2組成(cheng)均(jun)(jun)勻，都為93：7或91：9（分子比）。
5、晶粒尺寸細(xi)小，靶材的(de)晶粒尺寸越(yue)細(xi)小，濺鍍薄膜的(de)厚度分布越(yue)均勻，濺射速率(lv)越(yue)快。
