一、靶材是什么材料
靶(ba)材(cai)是(shi)通過磁控(kong)(kong)濺(jian)射(she)、多弧離(li)子鍍或其他類型的(de)鍍膜(mo)系統(tong)在(zai)適(shi)當工(gong)藝條(tiao)件(jian)下濺(jian)射(she)在(zai)基板上形(xing)成各種功能薄膜(mo)的(de)濺(jian)射(she)源。簡(jian)單說的(de)話，靶(ba)材(cai)就是(shi)高速荷能粒子轟擊的(de)目標材(cai)料，用于(yu)高能激光武器中，不(bu)同(tong)(tong)功率密度、不(bu)同(tong)(tong)輸出波形(xing)、不(bu)同(tong)(tong)波長的(de)激光與不(bu)同(tong)(tong)的(de)靶(ba)材(cai)相互作(zuo)用時(shi)，會產生不(bu)同(tong)(tong)的(de)殺傷破壞效(xiao)應。例如(ru)：蒸發磁控(kong)(kong)濺(jian)射(she)鍍膜(mo)是(shi)加熱蒸發鍍膜(mo)、鋁膜(mo)等。更換(huan)不(bu)同(tong)(tong)的(de)靶(ba)材(cai)（如(ru)鋁、銅、不(bu)銹(xiu)鋼、鈦、鎳靶(ba)等），即可得到不(bu)同(tong)(tong)的(de)膜(mo)系（如(ru)超硬、耐(nai)磨、防腐的(de)合(he)金膜(mo)等）。
二、靶材的用途
1、用于顯示器上
靶材目前被普(pu)遍應用(yong)(yong)于平面(mian)(mian)顯示器（FPD)上(shang)。近年(nian)來，平面(mian)(mian)顯示器在市(shi)場(chang)上(shang)的應用(yong)(yong)率逐年(nian)增高，同(tong)時也帶動了ITO靶材的技術與(yu)市(shi)場(chang)需(xu)求。ITO靶材有(you)兩(liang)種，一(yi)種是(shi)采(cai)用(yong)(yong)銦(yin)錫合(he)金(jin)靶材，另(ling)外一(yi)種是(shi)采(cai)用(yong)(yong)納米狀態的氧化(hua)銦(yin)和氧化(hua)錫粉混合(he)后燒(shao)結。
2、用于微電子領域
靶(ba)(ba)材(cai)(cai)也(ye)被應用于半導體(ti)產(chan)業(ye)，相對(dui)來說半導體(ti)產(chan)業(ye)對(dui)于靶(ba)(ba)材(cai)(cai)濺射薄膜的(de)品(pin)質要(yao)(yao)求是(shi)比較(jiao)苛(ke)刻(ke)的(de)。現在12英(ying)寸(cun)（300衄口）的(de)硅晶片也(ye)被制作出來，但是(shi)互連線的(de)寬(kuan)度(du)卻在減(jian)小。目前硅片制造商對(dui)于靶(ba)(ba)材(cai)(cai)的(de)要(yao)(yao)求都是(shi)大尺寸(cun)、高純度(du)、低(di)偏(pian)析以及細晶粒等，對(dui)其(qi)品(pin)質要(yao)(yao)求比較(jiao)高，這(zhe)就要(yao)(yao)求靶(ba)(ba)材(cai)(cai)需(xu)要(yao)(yao)具(ju)有更好的(de)微觀結(jie)構。
3、用于存儲技術上
存儲技術行業對于靶材(cai)的(de)需求(qiu)量很大，高(gao)密度、大容量硬盤(pan)的(de)發(fa)展，離不開大量的(de)巨磁(ci)阻(zu)薄(bo)膜材(cai)料，CoF~Cu多層復(fu)合膜是(shi)如(ru)今應用比較廣泛的(de)巨磁(ci)阻(zu)薄(bo)膜結構。磁(ci)光盤(pan)需要的(de)TbFeCo合金靶材(cai)還在(zai)進(jin)一(yi)步發(fa)展，用它(ta)制造出來的(de)磁(ci)光盤(pan)有(you)著使用壽命長(chang)、存儲容量大以及可反(fan)復(fu)無接觸擦寫的(de)特點。
三、靶材的分類有哪些
1、根據不同材質劃分
（1）金屬靶材
鎳(nie)靶(ba)(ba)(ba)Ni、鈦(tai)靶(ba)(ba)(ba)Ti、鋅靶(ba)(ba)(ba)Zn、鉻靶(ba)(ba)(ba)Cr、鎂靶(ba)(ba)(ba)Mg、鈮(ni)靶(ba)(ba)(ba)Nb、錫靶(ba)(ba)(ba)Sn、鋁(lv)靶(ba)(ba)(ba)Al、銦靶(ba)(ba)(ba)In、鐵靶(ba)(ba)(ba)Fe、鋯(gao)鋁(lv)靶(ba)(ba)(ba)ZrAl、鈦(tai)鋁(lv)靶(ba)(ba)(ba)TiAl、鋯(gao)靶(ba)(ba)(ba)Zr、鋁(lv)硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)AlSi、硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)Si、銅靶(ba)(ba)(ba)Cu、鉭靶(ba)(ba)(ba)Ta、鍺靶(ba)(ba)(ba)Ge、銀靶(ba)(ba)(ba)Ag、鈷靶(ba)(ba)(ba)Co、金(jin)靶(ba)(ba)(ba)Au、釓靶(ba)(ba)(ba)Gd、鑭靶(ba)(ba)(ba)La、釔靶(ba)(ba)(ba)Y、鈰靶(ba)(ba)(ba)Ce、不(bu)銹鋼靶(ba)(ba)(ba)、鎳(nie)鉻靶(ba)(ba)(ba)NiCr、鉿靶(ba)(ba)(ba)Hf、鉬靶(ba)(ba)(ba)Mo、鐵鎳(nie)靶(ba)(ba)(ba)FeNi、鎢靶(ba)(ba)(ba)、W等(deng)。
（2）陶瓷靶材
ITO靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎂靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鐵靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氮(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、碳化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氮(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鉻靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋅(xin)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、硫化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋅(xin)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二(er)(er)(er)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、一氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈰(shi)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二(er)(er)(er)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋯靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、五氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二(er)(er)(er)鈮(ni)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二(er)(er)(er)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二(er)(er)(er)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋯靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，、二(er)(er)(er)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鉿靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，二(er)(er)(er)硼(peng)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，二(er)(er)(er)硼(peng)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋯靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，三氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎢靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，三氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二(er)(er)(er)鋁靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)五氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二(er)(er)(er)鉭，五氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二(er)(er)(er)鈮(ni)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氟(fu)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎂靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氟(fu)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)釔(yi)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、硒化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋅(xin)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氮(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋁靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，氮(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，氮(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硼(peng)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，氮(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，碳化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，鈮(ni)酸(suan)鋰靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鈦酸(suan)鐠靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鈦酸(suan)鋇靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鈦酸(suan)鑭靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎳靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、濺射(she)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)材等。
（3）合金靶材
鐵(tie)鈷靶(ba)(ba)(ba)FeCo、鋁硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)AlSi、鈦(tai)硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)TiSi、鉻硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)CrSi、鋅(xin)鋁靶(ba)(ba)(ba)ZnAl、鈦(tai)鋅(xin)靶(ba)(ba)(ba)材TiZn、鈦(tai)鋁靶(ba)(ba)(ba)TiAl、鈦(tai)鋯靶(ba)(ba)(ba)TiZr、鈦(tai)硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)TiSi、鈦(tai)鎳(nie)靶(ba)(ba)(ba)TiNi、鎳(nie)鉻靶(ba)(ba)(ba)NiCr、鎳(nie)鋁靶(ba)(ba)(ba)NiAl、鎳(nie)釩靶(ba)(ba)(ba)NiV、鎳(nie)鐵(tie)靶(ba)(ba)(ba)NiFe等。
2、根據不同應用方向劃分
（1）半導體關聯靶材
電極、布線(xian)薄膜：鋁靶(ba)(ba)(ba)材(cai)，銅靶(ba)(ba)(ba)材(cai)，金(jin)靶(ba)(ba)(ba)材(cai)，銀(yin)靶(ba)(ba)(ba)材(cai)，鈀(ba)靶(ba)(ba)(ba)材(cai)，鉑靶(ba)(ba)(ba)材(cai)，鋁硅合金(jin)靶(ba)(ba)(ba)材(cai)，鋁硅銅合金(jin)靶(ba)(ba)(ba)材(cai)等。
儲存(cun)器電極薄膜：鉬靶(ba)材(cai)，鎢(wu)靶(ba)材(cai)，鈦靶(ba)材(cai)等。
粘附(fu)薄(bo)膜：鎢靶(ba)材(cai)，鈦靶(ba)材(cai)等。
電容器絕緣膜薄膜：鋯鈦酸鉛靶材等。
（2）磁記錄靶材
垂直磁記(ji)錄薄膜：鈷鉻合金靶材(cai)等(deng)。
硬盤用薄膜：鈷鉻鉭(tan)合金(jin)(jin)靶材，鈷鉻鉑(bo)合金(jin)(jin)靶材，鈷鉻鉭(tan)鉑(bo)合金(jin)(jin)靶材等(deng)。
薄膜磁頭：鈷鉭鉻合(he)(he)金靶材，鈷鉻鋯合(he)(he)金靶材等。
人工(gong)晶體薄膜：鈷鉑合金靶(ba)(ba)材，鈷鈀合金靶(ba)(ba)材等。
（3）光記錄靶材
相變(bian)光盤記錄薄(bo)膜(mo)：硒化碲靶(ba)(ba)材，硒化銻(ti)靶(ba)(ba)材，鍺銻(ti)碲合(he)(he)金(jin)靶(ba)(ba)材，鍺碲合(he)(he)金(jin)靶(ba)(ba)材等(deng)。
磁光盤記錄薄膜(mo)：鏑(di)鐵(tie)鈷合(he)金靶(ba)(ba)材，鋱鏑(di)鐵(tie)合(he)金靶(ba)(ba)材，鋱鐵(tie)鈷合(he)金靶(ba)(ba)材，氧化鋁靶(ba)(ba)材，氧化鎂(mei)靶(ba)(ba)材，氮化硅靶(ba)(ba)材等。
四、靶材的性能和指標
靶材(cai)制約著濺鍍薄膜的(de)物理，力學性能(neng)，影響鍍膜質量(liang)，因(yin)而要求靶材(cai)的(de)制備(bei)應滿足以下要求：
1、純度：要求雜質含量低純度高，靶材的(de)(de)(de)(de)純度(du)(du)影響薄(bo)膜(mo)的(de)(de)(de)(de)均勻(yun)性，以(yi)純Al靶為例(li)，純度(du)(du)越高，濺射Al膜(mo)的(de)(de)(de)(de)耐蝕性及(ji)電學(xue)、光學(xue)性能越好。不(bu)過不(bu)同用(yong)途的(de)(de)(de)(de)靶材對(dui)純度(du)(du)要(yao)(yao)求(qiu)也不(bu)同，一般(ban)工業用(yong)靶材純度(du)(du)要(yao)(yao)求(qiu)不(bu)高，但(dan)就半導(dao)體、顯示(shi)器件等領域(yu)用(yong)靶材對(dui)純度(du)(du)要(yao)(yao)求(qiu)是十分(fen)嚴格(ge)的(de)(de)(de)(de)，磁(ci)性薄(bo)膜(mo)用(yong)靶材對(dui)純度(du)(du)的(de)(de)(de)(de)要(yao)(yao)求(qiu)一般(ban)為99.9%以(yi)上，ITO中的(de)(de)(de)(de)氧化銦以(yi)及(ji)氧化錫的(de)(de)(de)(de)純度(du)(du)則(ze)要(yao)(yao)求(qiu)不(bu)低于99.99%。
2、雜(za)質(zhi)(zhi)含(han)量(liang)：靶(ba)(ba)材(cai)作為濺射中的(de)(de)(de)陰極(ji)源，固體中的(de)(de)(de)雜(za)質(zhi)(zhi)和(he)氣(qi)孔中的(de)(de)(de)O2和(he)H2O是沉積薄(bo)膜(mo)的(de)(de)(de)主要(yao)(yao)污染源，不同用(yong)途(tu)的(de)(de)(de)靶(ba)(ba)材(cai)對單(dan)個雜(za)質(zhi)(zhi)含(han)量(liang)的(de)(de)(de)要(yao)(yao)求(qiu)也不同，如：半(ban)導體電(dian)極(ji)布(bu)線用(yong)的(de)(de)(de)W，Mo，Ti等(deng)靶(ba)(ba)材(cai)對U，Th等(deng)放(fang)射性(xing)元(yuan)素的(de)(de)(de)含(han)量(liang)要(yao)(yao)求(qiu)低于3*10-9，光(guang)盤反射膜(mo)用(yong)的(de)(de)(de)Al合金靶(ba)(ba)材(cai)則要(yao)(yao)求(qiu)O2的(de)(de)(de)含(han)量(liang)低于2*10-4。
3、高(gao)(gao)(gao)致(zhi)(zhi)(zhi)密(mi)(mi)度(du)(du)：為了減少靶(ba)材(cai)(cai)(cai)(cai)(cai)中的(de)(de)(de)(de)(de)氣孔，提(ti)高(gao)(gao)(gao)薄膜(mo)的(de)(de)(de)(de)(de)性(xing)(xing)能一般要求靶(ba)材(cai)(cai)(cai)(cai)(cai)具(ju)有(you)較(jiao)高(gao)(gao)(gao)的(de)(de)(de)(de)(de)致(zhi)(zhi)(zhi)密(mi)(mi)度(du)(du)，靶(ba)材(cai)(cai)(cai)(cai)(cai)的(de)(de)(de)(de)(de)致(zhi)(zhi)(zhi)密(mi)(mi)度(du)(du)不僅影(ying)(ying)響濺(jian)射(she)時的(de)(de)(de)(de)(de)沉(chen)積速率、濺(jian)射(she)膜(mo)粒子的(de)(de)(de)(de)(de)密(mi)(mi)度(du)(du)和放(fang)電(dian)現象等，還影(ying)(ying)響濺(jian)射(she)薄膜(mo)的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)學和光學性(xing)(xing)能。致(zhi)(zhi)(zhi)密(mi)(mi)性(xing)(xing)越(yue)好，濺(jian)射(she)膜(mo)粒子的(de)(de)(de)(de)(de)密(mi)(mi)度(du)(du)越(yue)低，放(fang)電(dian)現象越(yue)弱。高(gao)(gao)(gao)致(zhi)(zhi)(zhi)密(mi)(mi)度(du)(du)靶(ba)材(cai)(cai)(cai)(cai)(cai)具(ju)有(you)導電(dian)、導熱(re)性(xing)(xing)好，強度(du)(du)高(gao)(gao)(gao)等優(you)點，使用(yong)(yong)這種靶(ba)材(cai)(cai)(cai)(cai)(cai)鍍膜(mo)，濺(jian)射(she)功率小(xiao)，成膜(mo)速率高(gao)(gao)(gao)，薄膜(mo)不易開裂，靶(ba)材(cai)(cai)(cai)(cai)(cai)的(de)(de)(de)(de)(de)使用(yong)(yong)壽命長，且濺(jian)鍍薄膜(mo)的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)阻率低，透光率高(gao)(gao)(gao)。靶(ba)材(cai)(cai)(cai)(cai)(cai)的(de)(de)(de)(de)(de)致(zhi)(zhi)(zhi)密(mi)(mi)度(du)(du)主要取決于制備工藝。一般而言，鑄造靶(ba)材(cai)(cai)(cai)(cai)(cai)的(de)(de)(de)(de)(de)致(zhi)(zhi)(zhi)密(mi)(mi)度(du)(du)高(gao)(gao)(gao)而燒(shao)(shao)結(jie)靶(ba)材(cai)(cai)(cai)(cai)(cai)的(de)(de)(de)(de)(de)致(zhi)(zhi)(zhi)密(mi)(mi)度(du)(du)相對較(jiao)低，因此提(ti)高(gao)(gao)(gao)靶(ba)材(cai)(cai)(cai)(cai)(cai)的(de)(de)(de)(de)(de)致(zhi)(zhi)(zhi)密(mi)(mi)度(du)(du)是燒(shao)(shao)結(jie)制備靶(ba)材(cai)(cai)(cai)(cai)(cai)的(de)(de)(de)(de)(de)技術關鍵之一。
4、成(cheng)分(fen)與組(zu)織結(jie)構均勻，靶材(cai)(cai)成(cheng)分(fen)均勻是鍍(du)膜質(zhi)量(liang)穩定的(de)重要保證(zheng)，尤其(qi)是對于復相結(jie)構的(de)合(he)(he)金靶材(cai)(cai)和混合(he)(he)靶材(cai)(cai)。如(ru)ITO，為了保證(zheng)膜質(zhi)量(liang)，要求靶中(zhong)In2O3-SnO2組(zu)成(cheng)均勻，都為93：7或(huo)91：9（分(fen)子(zi)比）。
5、晶(jing)粒尺寸(cun)細小，靶(ba)材的晶(jing)粒尺寸(cun)越細小，濺鍍薄膜的厚度分布越均勻，濺射(she)速(su)率越快。
