一、靶材是什么材料
靶(ba)材(cai)是(shi)(shi)通過磁控濺(jian)射、多弧離子(zi)鍍(du)(du)或其(qi)他類型的(de)(de)(de)(de)鍍(du)(du)膜系統在(zai)適當工藝條(tiao)件下(xia)濺(jian)射在(zai)基板上形成各種功能(neng)薄膜的(de)(de)(de)(de)濺(jian)射源。簡(jian)單說(shuo)的(de)(de)(de)(de)話(hua)，靶(ba)材(cai)就是(shi)(shi)高速荷能(neng)粒子(zi)轟擊的(de)(de)(de)(de)目標材(cai)料，用于(yu)高能(neng)激光武器中，不(bu)同(tong)(tong)功率密度、不(bu)同(tong)(tong)輸出波形、不(bu)同(tong)(tong)波長的(de)(de)(de)(de)激光與(yu)不(bu)同(tong)(tong)的(de)(de)(de)(de)靶(ba)材(cai)相互(hu)作用時(shi)，會產生不(bu)同(tong)(tong)的(de)(de)(de)(de)殺傷破(po)壞效(xiao)應。例如(ru)：蒸(zheng)發(fa)磁控濺(jian)射鍍(du)(du)膜是(shi)(shi)加(jia)熱蒸(zheng)發(fa)鍍(du)(du)膜、鋁(lv)膜等。更換不(bu)同(tong)(tong)的(de)(de)(de)(de)靶(ba)材(cai)（如(ru)鋁(lv)、銅(tong)、不(bu)銹鋼(gang)、鈦、鎳(nie)靶(ba)等），即可得(de)到不(bu)同(tong)(tong)的(de)(de)(de)(de)膜系（如(ru)超(chao)硬、耐(nai)磨、防(fang)腐的(de)(de)(de)(de)合金膜等）。
二、靶材的用途
1、用于顯示器上
靶材(cai)(cai)目前被普遍應用(yong)于平面顯示器（FPD)上。近(jin)年(nian)來，平面顯示器在市(shi)場(chang)上的(de)應用(yong)率逐年(nian)增高(gao)，同時(shi)也帶(dai)動了ITO靶材(cai)(cai)的(de)技(ji)術(shu)與市(shi)場(chang)需求。ITO靶材(cai)(cai)有兩種(zhong)(zhong)，一(yi)種(zhong)(zhong)是采用(yong)銦錫合(he)金靶材(cai)(cai)，另(ling)外一(yi)種(zhong)(zhong)是采用(yong)納米狀態的(de)氧(yang)化(hua)(hua)銦和氧(yang)化(hua)(hua)錫粉混合(he)后燒結。
2、用于微電子領域
靶(ba)材(cai)也(ye)被(bei)應用于半導(dao)(dao)體(ti)(ti)產業，相對(dui)來(lai)說半導(dao)(dao)體(ti)(ti)產業對(dui)于靶(ba)材(cai)濺射薄膜的(de)品質要(yao)求(qiu)(qiu)是比(bi)(bi)較(jiao)苛刻的(de)。現在12英寸（300衄口）的(de)硅晶片(pian)也(ye)被(bei)制作出(chu)來(lai)，但是互連線的(de)寬度卻在減小。目前硅片(pian)制造商對(dui)于靶(ba)材(cai)的(de)要(yao)求(qiu)(qiu)都是大尺寸、高純度、低偏析以及(ji)細晶粒(li)等，對(dui)其(qi)品質要(yao)求(qiu)(qiu)比(bi)(bi)較(jiao)高，這就(jiu)要(yao)求(qiu)(qiu)靶(ba)材(cai)需(xu)要(yao)具有(you)更(geng)好的(de)微觀結構。
3、用于存儲技術上
存儲(chu)技術行業對于靶(ba)材(cai)的(de)(de)需(xu)求量(liang)(liang)(liang)很大，高(gao)密度、大容量(liang)(liang)(liang)硬盤的(de)(de)發展，離不(bu)開大量(liang)(liang)(liang)的(de)(de)巨(ju)磁(ci)阻(zu)(zu)薄膜(mo)(mo)材(cai)料，CoF~Cu多(duo)層復(fu)合(he)(he)膜(mo)(mo)是如今應用(yong)比(bi)較(jiao)廣泛的(de)(de)巨(ju)磁(ci)阻(zu)(zu)薄膜(mo)(mo)結構。磁(ci)光盤需(xu)要的(de)(de)TbFeCo合(he)(he)金(jin)靶(ba)材(cai)還在(zai)進一步發展，用(yong)它(ta)制造出來的(de)(de)磁(ci)光盤有著使用(yong)壽命(ming)長、存儲(chu)容量(liang)(liang)(liang)大以及可反復(fu)無接觸(chu)擦(ca)寫的(de)(de)特點。
三、靶材的分類有哪些
1、根據不同材質劃分
（1）金屬靶材
鎳靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ni、鈦靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ti、鋅(xin)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Zn、鉻靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Cr、鎂靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Mg、鈮靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Nb、錫靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Sn、鋁(lv)(lv)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Al、銦靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)In、鐵(tie)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Fe、鋯鋁(lv)(lv)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)ZrAl、鈦鋁(lv)(lv)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)TiAl、鋯靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Zr、鋁(lv)(lv)硅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)AlSi、硅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Si、銅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Cu、鉭靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ta、鍺靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ge、銀(yin)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ag、鈷靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Co、金靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Au、釓靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Gd、鑭靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)La、釔靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Y、鈰(shi)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ce、不銹鋼靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鎳鉻靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)NiCr、鉿(jia)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Hf、鉬靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Mo、鐵(tie)鎳靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)FeNi、鎢靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、W等。
（2）陶瓷靶材
ITO靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎂靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鐵靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氮(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、碳(tan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氮(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦(tai)(tai)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鉻靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋅(xin)(xin)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、硫化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋅(xin)(xin)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、一氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈰(shi)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋯靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、五(wu)氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二鈮靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦(tai)(tai)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋯靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，、二氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鉿靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，二硼(peng)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦(tai)(tai)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，二硼(peng)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋯靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，三氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎢靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，三氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二鋁靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)五(wu)氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二鉭，五(wu)氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二鈮靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氟(fu)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎂靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氟(fu)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)釔靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、硒(xi)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋅(xin)(xin)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氮(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋁靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，氮(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，氮(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硼(peng)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，氮(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦(tai)(tai)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，碳(tan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，鈮酸(suan)鋰靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鈦(tai)(tai)酸(suan)鐠(pu)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鈦(tai)(tai)酸(suan)鋇靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鈦(tai)(tai)酸(suan)鑭靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎳靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、濺射靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)材等。
（3）合金靶材
鐵(tie)鈷(gu)靶(ba)FeCo、鋁硅靶(ba)AlSi、鈦(tai)(tai)(tai)(tai)硅靶(ba)TiSi、鉻硅靶(ba)CrSi、鋅鋁靶(ba)ZnAl、鈦(tai)(tai)(tai)(tai)鋅靶(ba)材TiZn、鈦(tai)(tai)(tai)(tai)鋁靶(ba)TiAl、鈦(tai)(tai)(tai)(tai)鋯(gao)靶(ba)TiZr、鈦(tai)(tai)(tai)(tai)硅靶(ba)TiSi、鈦(tai)(tai)(tai)(tai)鎳靶(ba)TiNi、鎳鉻靶(ba)NiCr、鎳鋁靶(ba)NiAl、鎳釩(fan)靶(ba)NiV、鎳鐵(tie)靶(ba)NiFe等。
2、根據不同應用方向劃分
（1）半導體關聯靶材
電極、布線薄膜(mo)：鋁靶(ba)(ba)(ba)材(cai)，銅(tong)靶(ba)(ba)(ba)材(cai)，金(jin)靶(ba)(ba)(ba)材(cai)，銀靶(ba)(ba)(ba)材(cai)，鈀靶(ba)(ba)(ba)材(cai)，鉑靶(ba)(ba)(ba)材(cai)，鋁硅合(he)金(jin)靶(ba)(ba)(ba)材(cai)，鋁硅銅(tong)合(he)金(jin)靶(ba)(ba)(ba)材(cai)等。
儲存器電極薄膜(mo)：鉬靶材(cai)，鎢(wu)靶材(cai)，鈦(tai)靶材(cai)等。
粘附薄膜：鎢靶(ba)材，鈦靶(ba)材等(deng)。
電(dian)容器絕(jue)緣膜薄膜：鋯鈦酸鉛靶材等。
（2）磁記錄靶材
垂直(zhi)磁記錄薄膜：鈷鉻合金靶材等。
硬盤用薄膜：鈷鉻鉭合金靶(ba)材，鈷鉻鉑(bo)合金靶(ba)材，鈷鉻鉭鉑(bo)合金靶(ba)材等(deng)。
薄膜磁頭：鈷鉭鉻(ge)(ge)合(he)金靶材，鈷鉻(ge)(ge)鋯合(he)金靶材等。
人(ren)工晶體薄膜：鈷(gu)鉑(bo)合金靶材，鈷(gu)鈀合金靶材等。
（3）光記錄靶材
相(xiang)變光(guang)盤記錄薄膜：硒化碲(di)靶(ba)材，硒化銻(ti)靶(ba)材，鍺銻(ti)碲(di)合(he)金(jin)靶(ba)材，鍺碲(di)合(he)金(jin)靶(ba)材等。
磁光盤記錄(lu)薄(bo)膜：鏑鐵鈷合(he)金(jin)靶(ba)(ba)材(cai)，鋱鏑鐵合(he)金(jin)靶(ba)(ba)材(cai)，鋱鐵鈷合(he)金(jin)靶(ba)(ba)材(cai)，氧化鋁靶(ba)(ba)材(cai)，氧化鎂靶(ba)(ba)材(cai)，氮化硅靶(ba)(ba)材(cai)等。
四、靶材的性能和指標
靶材制約著濺鍍(du)薄膜的物理，力學性能(neng)，影(ying)響鍍(du)膜質(zhi)量(liang)，因(yin)而要(yao)求靶材的制備應滿足以下(xia)要(yao)求：
1、純度：要求雜質含量低純度高，靶材的(de)(de)純(chun)度(du)(du)影響薄膜(mo)的(de)(de)均勻性，以(yi)(yi)純(chun)Al靶(ba)為例，純(chun)度(du)(du)越高(gao)，濺射Al膜(mo)的(de)(de)耐蝕性及(ji)電學(xue)、光學(xue)性能越好。不(bu)(bu)過不(bu)(bu)同用(yong)途的(de)(de)靶(ba)材(cai)(cai)對純(chun)度(du)(du)要求(qiu)也不(bu)(bu)同，一般工業用(yong)靶(ba)材(cai)(cai)純(chun)度(du)(du)要求(qiu)不(bu)(bu)高(gao)，但(dan)就半導體、顯示器件等領域用(yong)靶(ba)材(cai)(cai)對純(chun)度(du)(du)要求(qiu)是(shi)十分嚴格的(de)(de)，磁性薄膜(mo)用(yong)靶(ba)材(cai)(cai)對純(chun)度(du)(du)的(de)(de)要求(qiu)一般為99.9%以(yi)(yi)上，ITO中(zhong)的(de)(de)氧化銦以(yi)(yi)及(ji)氧化錫的(de)(de)純(chun)度(du)(du)則要求(qiu)不(bu)(bu)低(di)于99.99%。
2、雜質含(han)量(liang)：靶(ba)材作(zuo)為濺射中(zhong)的(de)陰極源(yuan)，固體(ti)(ti)中(zhong)的(de)雜質和(he)氣孔中(zhong)的(de)O2和(he)H2O是沉積薄(bo)膜的(de)主要(yao)(yao)污(wu)染源(yuan)，不同用(yong)途的(de)靶(ba)材對(dui)單個雜質含(han)量(liang)的(de)要(yao)(yao)求也不同，如：半導體(ti)(ti)電極布線用(yong)的(de)W，Mo，Ti等靶(ba)材對(dui)U，Th等放射性(xing)元素的(de)含(han)量(liang)要(yao)(yao)求低于(yu)(yu)3*10-9，光(guang)盤(pan)反射膜用(yong)的(de)Al合金(jin)靶(ba)材則要(yao)(yao)求O2的(de)含(han)量(liang)低于(yu)(yu)2*10-4。
3、高致(zhi)密(mi)度(du)：為了(le)減少靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)(cai)中的(de)(de)(de)氣孔，提(ti)高薄(bo)膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)性(xing)能(neng)一(yi)般要(yao)求靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)(cai)具有較高的(de)(de)(de)致(zhi)密(mi)度(du)，靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)(cai)的(de)(de)(de)致(zhi)密(mi)度(du)不僅影響(xiang)濺(jian)射(she)時的(de)(de)(de)沉積速(su)率(lv)、濺(jian)射(she)膜(mo)(mo)粒子的(de)(de)(de)密(mi)度(du)和(he)放電(dian)現(xian)象(xiang)等，還影響(xiang)濺(jian)射(she)薄(bo)膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)電(dian)學和(he)光學性(xing)能(neng)。致(zhi)密(mi)性(xing)越好(hao)，濺(jian)射(she)膜(mo)(mo)粒子的(de)(de)(de)密(mi)度(du)越低(di)，放電(dian)現(xian)象(xiang)越弱。高致(zhi)密(mi)度(du)靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)(cai)具有導(dao)電(dian)、導(dao)熱性(xing)好(hao)，強度(du)高等優點，使用這種靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)(cai)鍍(du)膜(mo)(mo)，濺(jian)射(she)功率(lv)小，成膜(mo)(mo)速(su)率(lv)高，薄(bo)膜(mo)(mo)不易開裂，靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)(cai)的(de)(de)(de)使用壽命長，且(qie)濺(jian)鍍(du)薄(bo)膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)電(dian)阻率(lv)低(di)，透光率(lv)高。靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)(cai)的(de)(de)(de)致(zhi)密(mi)度(du)主要(yao)取決于制備工(gong)藝。一(yi)般而言，鑄造靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)(cai)的(de)(de)(de)致(zhi)密(mi)度(du)高而燒(shao)結靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)(cai)的(de)(de)(de)致(zhi)密(mi)度(du)相對(dui)較低(di)，因(yin)此(ci)提(ti)高靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)(cai)的(de)(de)(de)致(zhi)密(mi)度(du)是燒(shao)結制備靶(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)(cai)的(de)(de)(de)技術(shu)關鍵(jian)之一(yi)。
4、成分(fen)與組織(zhi)結構(gou)均勻(yun)，靶(ba)材(cai)成分(fen)均勻(yun)是(shi)鍍膜質量(liang)穩定的重(zhong)要(yao)保證，尤(you)其是(shi)對于復相(xiang)結構(gou)的合金(jin)靶(ba)材(cai)和混(hun)合靶(ba)材(cai)。如ITO，為(wei)了保證膜質量(liang)，要(yao)求(qiu)靶(ba)中In2O3-SnO2組成均勻(yun)，都(dou)為(wei)93：7或91：9（分(fen)子比）。
5、晶(jing)粒(li)尺寸(cun)細小，靶材的晶(jing)粒(li)尺寸(cun)越(yue)細小，濺鍍薄(bo)膜的厚度分布(bu)越(yue)均勻，濺射速率越(yue)快。
