山東天岳先進(jin)科(ke)技(ji)股份有限公司成立于2010年11月,是一家專(zhuan)注于寬禁帶(第三(san)代)半導體碳化硅襯底材料(liao)研發、生產和(he)銷售的科(ke)技(ji)型(xing)企業。
公(gong)司建有“碳化硅半導體(ti)材(cai)料研(yan)發(fa)技術”國家地方聯合工程研(yan)究中心(xin)、國家博士后(hou)科研(yan)工作(zuo)站(zhan)、山東省(sheng)碳化硅材(cai)料重點實驗室。公(gong)司擁(yong)有80余人的研(yan)發(fa)團隊,截至2021年6月末,擁(yong)有授權專(zhuan)利332項(xiang)。
歷年(nian)來(lai),山東天岳先后承擔了國(guo)(guo)(guo)(guo)家(jia)(jia)“核高基”重大(da)專(zhuan)項(01 專(zhuan)項)、國(guo)(guo)(guo)(guo)家(jia)(jia)新一(yi)代寬帶無(wu)線(xian)移動(dong)通信網(wang)重大(da)專(zhuan)項(03 專(zhuan)項)、國(guo)(guo)(guo)(guo)家(jia)(jia)新材料專(zhuan)項、國(guo)(guo)(guo)(guo)家(jia)(jia)高技(ji)術研(yan)究發展(zhan)計(ji)劃(863 計(ji)劃)項目、國(guo)(guo)(guo)(guo)家(jia)(jia)重點研(yan)發計(ji)劃項目、國(guo)(guo)(guo)(guo)家(jia)(jia)重大(da)科技(ji)成果轉化專(zhuan)項等多項國(guo)(guo)(guo)(guo)家(jia)(jia)和省部級(ji)項目,走在國(guo)(guo)(guo)(guo)內碳化硅(gui)襯底領域前列。
公司主要產品包括半絕緣型(xing)和導電(dian)型(xing)碳(tan)化硅襯底(di),可(ke)應用于微波電(dian)子、電(dian)力電(dian)子等(deng)領域。經(jing)過十(shi)余年的(de)技術發展,公司已掌握(wo)涵蓋了設(she)備(bei)設(she)計(ji)、熱場設(she)計(ji)、粉料合成、晶體生長、襯底(di)加工等(deng)環節的(de)核心技術,自主研發了不(bu)同尺寸半絕緣型(xing)及導電(dian)型(xing)碳(tan)化硅襯底(di)制備(bei)技術。
碳化硅(gui)襯底處于寬禁帶半(ban)(ban)導(dao)體產(chan)業(ye)鏈的(de)前端,是前沿、基礎(chu)的(de)核心(xin)關鍵(jian)材料。公司作為我(wo)國(guo)(guo)碳化硅(gui)襯底領域的(de)領軍企業(ye),實(shi)現了核心(xin)戰(zhan)略材料的(de)自主可控,有力保障國(guo)(guo)內產(chan)品的(de)供應,確保我(wo)國(guo)(guo)寬禁帶半(ban)(ban)導(dao)體產(chan)業(ye)鏈的(de)平穩發展。
標準號 | 標準名稱 | 發布日期 | 實施日期 | 標準詳情 |
GB/T 41153-2021 | 碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質含量的測定 二次離子質譜法 | 2022-12-31 | 2023-07-01 |