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主要經歷

1935年(nian)元(yuan)旦，王陽元(yuan)出(chu)生(sheng)(sheng)于(yu)浙江寧(ning)波柴(chai)橋(qiao)鎮一個普通勞動(dong)者的家庭，由于(yu)是在陽歷年(nian)元(yuan)旦出(chu)生(sheng)(sheng)，祖父(fu)為他(ta)起(qi)名陽元(yuan)。

1941年(nian)，王陽元在柴橋小(xiao)學(xue)學(xue)習，從上(shang)小(xiao)學(xue)起，就刻(ke)苦(ku)用(yong)功(gong)，各科學(xue)習成績年(nian)年(nian)都名列前茅(mao)。

1947年，王陽(yang)元(yuan)小(xiao)學(xue)畢(bi)業，并且以寧波(bo)市鎮海區統(tong)考第一名(ming)的(de)(de)成(cheng)績(ji)考上了(le)省(sheng)立寧波(bo)中學(xue)，在(zai)(zai)中學(xue)時(shi)期(qi)，他(ta)不僅養成(cheng)了(le)健康的(de)(de)生(sheng)活和學(xue)習習慣，還樹立了(le)要(yao)成(cheng)為(wei)一個(ge)對祖國、對人民有貢獻的(de)(de)科學(xue)家(jia)的(de)(de)堅定理(li)想。在(zai)(zai)寧波(bo)中學(xue)的(de)(de)時(shi)候，王陽(yang)元(yuan)以其《未(wei)來的(de)(de)科學(xue)家(jia)——宇耕(geng)在(zai)(zai)成(cheng)長》一文聞名(ming)于全班。“宇耕(geng)”是王陽(yang)元(yuan)為(wei)自己起的(de)(de)筆名(ming)，意為(wei)“宇宙的(de)(de)耕(geng)耘(yun)者”。

1953年，考(kao)入(ru)北京大學。

1956年，周恩來總理(li)親自主(zhu)持(chi)制定(ding)了12年科(ke)學(xue)(xue)規(gui)劃(hua)后，半導體作為(wei)五大門類學(xue)(xue)科(ke)之一(yi)得(de)以重點發展，北(bei)大再(zai)一(yi)次云集了一(yi)大批優(you)秀(xiu)的(de)半導體專(zhuan)家。王陽元作為(wei)第一(yi)批學(xue)(xue)生被重點培(pei)養。其(qi)間，他學(xue)(xue)習(xi)了有關(guan)半導體理(li)論(lun)與技(ji)術的(de)多方(fang)面(mian)知識，為(wei)長期(qi)在微電(dian)子領域開展工作奠定(ding)了扎(zha)實的(de)基礎。

1958年，畢業(ye)于北京(jing)大(da)學物理系(xi)，之后留校(xiao)任教，在(zai)北京(jing)大(da)學工(gong)作(zuo)。

1982年，美國加州大學伯(bo)克利分校高(gao)級訪問(wen)學者(zhe)（至(zhi)1983年）。

1995年，當選為(wei)中國科(ke)學(xue)院信息(xi)技(ji)術(shu)科(ke)學(xue)部院士。王陽(yang)元現(xian)為(wei)北京大(da)學(xue)信息(xi)科(ke)學(xue)技(ji)術(shu)學(xue)院教授（1985年）、微電子學(xue)研究(jiu)院首席科(ke)學(xue)家。

王陽元發(fa)表(biao)科研論文230多篇，出版著作6部(bu)，現有(you)17項(xiang)重大科技成果。獲全國(guo)科學(xue)大會獎(jiang)、國(guo)家發(fa)明獎(jiang)、國(guo)家教委(wei)科技進(jin)步一等獎(jiang)、光華科技基金一等獎(jiang)等共16項(xiang)國(guo)家級和部(bu)委(wei)級獎(jiang)勵。

主要作品

70年代主持研(yan)制(zhi)成功我(wo)國第(di)一(yi)(yi)塊(kuai)1024位MOS隨機存儲器(qi)(qi)，是我(wo)國硅(gui)柵N溝道技術開拓者之一(yi)(yi)，此(ci)后在多晶硅(gui)薄膜(mo)物理(li)和(he)(he)氧(yang)化動力學研(yan)究(jiu)方(fang)(fang)(fang)面(mian)(mian)提(ti)出了(le)新(xin)的(de)(de)(de)多晶硅(gui)氧(yang)化模(mo)型和(he)(he)氧(yang)化動力學工(gong)程應(ying)(ying)用方(fang)(fang)(fang)程和(he)(he)特征參數。被國際(ji)同行認為"在微(wei)(wei)電(dian)子(zi)領域處理(li)了(le)對許多工(gong)作者都有重要意義的(de)(de)(de)課題"，“對現實工(gong)藝過(guo)(guo)程研(yan)究(jiu)具有重要的(de)(de)(de)指導(dao)意義。”在絕(jue)緣襯底上生長(chang)硅(gui)單晶薄膜(mo)（Silicon On Insulator-SOI）和(he)(he)TFSOI/CMOS電(dian)路研(yan)究(jiu)中(zhong)，發現了(le)磷摻(chan)雜對固相外(wai)延速率的(de)(de)(de)增強(qiang)效應(ying)(ying)以及(ji)CoSi2柵對器(qi)(qi)件(jian)抗輻照特性(xing)的(de)(de)(de)改進作用。在SOI/CMOS器(qi)(qi)件(jian)模(mo)型和(he)(he)電(dian)路模(mo)擬工(gong)作方(fang)(fang)(fang)面(mian)(mian)，提(ti)出了(le)SOI器(qi)(qi)件(jian)浮體效應(ying)(ying)模(mo)型和(he)(he)通過(guo)(guo)改變器(qi)(qi)件(jian)參量抑制(zhi)浮體效應(ying)(ying)的(de)(de)(de)工(gong)藝設計技術，擴(kuo)充了(le)SPICE模(mo)擬軟件(jian)。在SOI/CMOS新(xin)結構電(dian)路研(yan)究(jiu)方(fang)(fang)(fang)面(mian)(mian)，開發了(le)新(xin)的(de)(de)(de)深亞微(wei)(wei)米器(qi)(qi)件(jian)模(mo)型和(he)(he)電(dian)路模(mo)擬方(fang)(fang)(fang)法，研(yan)究(jiu)成功了(le)多種新(xin)型器(qi)(qi)件(jian)和(he)(he)電(dian)路。在MOS絕(jue)緣層物理(li)與小尺寸器(qi)(qi)件(jian)物理(li)研(yan)究(jiu)，與合作者一(yi)(yi)起(qi)提(ti)出新(xin)的(de)(de)(de)預測(ce)深亞微(wei)(wei)米器(qi)(qi)件(jian)可靠性(xing)的(de)(de)(de)分析和(he)(he)測(ce)試(shi)方(fang)(fang)(fang)法。首次在國際(ji)上實現了(le)有關陷阱電(dian)荷(he)三個基本參量（俘獲截面(mian)(mian)、面(mian)(mian)密度和(he)(he)矩心）的(de)(de)(de)直接測(ce)量和(he)(he)在線檢測(ce)。

在80年代(dai)和(he)(he)90年代(dai)分別研究(jiu)亞微米(mi)/深亞微米(mi)CMOS復合柵結構和(he)(he)多晶(jing)硅發(fa)射(she)極(ji)超高(gao)速電(dian)(dian)路，與合作者一(yi)起在理論(lun)上提(ti)出了(le)一(yi)個新的、能夠更準確(que)反映多晶(jing)硅發(fa)射(she)極(ji)晶(jing)體管(guan)物(wu)理特性(xing)的解析模(mo)型(xing)，被國(guo)際(ji)同(tong)行列為國(guo)際(ji)上有代(dai)表性(xing)的模(mo)型(xing)之一(yi)。對中國(guo)獨立自主發(fa)展超大規模(mo)集成電(dian)(dian)路產業和(he)(he)改變我(wo)國(guo)雙極(ji)集成電(dian)(dian)路技術落后(hou)面貌(mao)均有重要意義(yi)。

在1986-1993年任全國(guo)ICCAD專(zhuan)家委員會主(zhu)任和(he)ICCAT專(zhuan)家委員會主(zhu)任期間，領導研(yan)制成(cheng)功了(le)我國(guo)第一(yi)個大型集(ji)成(cheng)化的(de)ICCAD系(xi)統，使我國(guo)繼美國(guo)、日本(ben)、歐(ou)共體之后進入能自行開(kai)發大型ICCAD工具(ju)的(de)先進國(guo)家行列；在研(yan)究(jiu)集(ji)成(cheng)電路(lu)發展(zhan)規律基礎上(shang)提出(chu)了(le)我國(guo)集(ji)成(cheng)電路(lu)產業和(he)設計業的(de)發展(zhan)方向；組織參與了(le)國(guo)家微(wei)電子(zi)"七·五(wu)"，"八·五(wu)"國(guo)家科(ke)技攻關。

現(xian)從事微(wei)電子學(xue)領域中新器件、新工藝和(he)新結構電路的研(yan)究(jiu)，發表科(ke)研(yan)論文160多(duo)篇，出版著作6部，現(xian)有16項重大科(ke)技(ji)成果。獲(huo)全國(guo)科(ke)學(xue)大會獎(jiang)(jiang)(jiang)、國(guo)家(jia)(jia)發明(ming)獎(jiang)(jiang)(jiang)、國(guo)家(jia)(jia)教委科(ke)技(ji)進步一(yi)等獎(jiang)(jiang)(jiang)、光華科(ke)技(ji)基金一(yi)等獎(jiang)(jiang)(jiang)等共16項國(guo)家(jia)(jia)級和(he)部委級獎(jiang)(jiang)(jiang)勵。

發表(biao)科(ke)(ke)(ke)(ke)研論文(wen)230多篇，出版著作(zuo)6部，現(xian)有17項重大科(ke)(ke)(ke)(ke)技(ji)(ji)(ji)成(cheng)(cheng)果。獲全國(guo)(guo)(guo)科(ke)(ke)(ke)(ke)學大會獎(jiang)(jiang)、國(guo)(guo)(guo)家發明獎(jiang)(jiang)、國(guo)(guo)(guo)家教委科(ke)(ke)(ke)(ke)技(ji)(ji)(ji)進(jin)步一(yi)(yi)等(deng)獎(jiang)(jiang)、光(guang)華(hua)科(ke)(ke)(ke)(ke)技(ji)(ji)(ji)基金(jin)一(yi)(yi)等(deng)獎(jiang)(jiang)等(deng)共(gong)16項國(guo)(guo)(guo)家級和(he)部委級獎(jiang)(jiang)勵(li)。為推動我國(guo)(guo)(guo)微(wei)電(dian)子產業的發展，作(zuo)為發起(qi)人之一(yi)(yi)，創建中(zhong)芯國(guo)(guo)(guo)際(ji)集成(cheng)(cheng)電(dian)路制造有限公司(si)，領導建設(she)成(cheng)(cheng)功了我國(guo)(guo)(guo)第一(yi)(yi)條(tiao)12英寸納米級集成(cheng)(cheng)電(dian)路生產線，使我國(guo)(guo)(guo)集成(cheng)(cheng)電(dian)路大生產技(ji)(ji)(ji)術(shu)水(shui)平(ping)處于國(guo)(guo)(guo)際(ji)先進(jin)水(shui)平(ping)。共(gong)培養百名碩士、博士和(he)博士后。發表(biao)科(ke)(ke)(ke)(ke)研論文(wen)230多篇，出版著作(zuo)6部。

王陽元有20項重大科(ke)技成果(guo)。1978年(nian)獲(huo)(huo)全(quan)國(guo)(guo)科(ke)學大會獎(jiang)，1991年(nian)獲(huo)(huo)國(guo)(guo)家(jia)(jia)(jia)教(jiao)委(wei)科(ke)技進步(bu)一(yi)等獎(jiang)，2003年(nian)獲(huo)(huo)何(he)梁何(he)利科(ke)技進步(bu)獎(jiang)，2007年(nian)獲(huo)(huo)國(guo)(guo)家(jia)(jia)(jia)科(ke)技進步(bu)二等獎(jiang)，等19項國(guo)(guo)家(jia)(jia)(jia)級(ji)和部委(wei)級(ji)獎(jiang)勵。

王陽元長期(qi)擔任中國電(dian)(dian)子學會副(fu)理事長，《半導體學報》和(he)《電(dian)(dian)子學報》（英文(wen)版）副(fu)主編。信息產業部科技委(wei)委(wei)員(電(dian)(dian)子)，美國IEEE Fellow和(he)英國IEE Fellow等。

其著(zhu)作(zuo)《集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)工(gong)(gong)業全書》、《集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)工(gong)(gong)藝基礎》、《多晶硅(gui)薄膜及共在(zai)集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)中的應用》、《多晶硅(gui)發射極晶體(ti)(ti)管及其集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)》、《半(ban)導體(ti)(ti)器件》現存于寧(ning)波市(shi)圖書館“地方文(wen)獻·甬籍名(ming)人名(ming)作(zuo)庫”。

貢獻影響

研究課題

從(cong)事(shi)微(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)子(zi)學領(ling)(ling)域中新(xin)(xin)(xin)器(qi)(qi)件(jian)(jian)、新(xin)(xin)(xin)工(gong)(gong)藝(yi)(yi)和新(xin)(xin)(xin)結(jie)(jie)構電(dian)(dian)(dian)路(lu)的(de)(de)(de)研(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)。二(er)十世紀70年代(dai)主(zhu)(zhu)(zhu)持(chi)研(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)成功我(wo)國(guo)第(di)一(yi)(yi)(yi)塊3種(zhong)類型(xing)(xing)1024位MOS動態隨機存(cun)儲器(qi)(qi),是我(wo)國(guo)硅柵N溝道MOS技(ji)術開(kai)拓者(zhe)之(zhi)一(yi)(yi)(yi)。80年代(dai)提出了多(duo)晶(jing)(jing)硅薄(bo)膜(mo)"應(ying)力(li)增(zeng)強(qiang)"氧化模型(xing)(xing)、工(gong)(gong)程(cheng)(cheng)應(ying)用方程(cheng)(cheng)和摻雜濃度(du)與遷移率的(de)(de)(de)關系(xi)，被國(guo)際同行認為"在微(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)子(zi)領(ling)(ling)域處理了一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)對(dui)(dui)許多(duo)研(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)者(zhe)都(dou)有(you)(you)(you)重(zhong)要(yao)意(yi)義的(de)(de)(de)問題"，"對(dui)(dui)實(shi)踐有(you)(you)(you)重(zhong)要(yao)的(de)(de)(de)指導(dao)意(yi)義"。研(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)了亞微(wei)(wei)米(mi)和深(shen)亞微(wei)(wei)米(mi)CMOS電(dian)(dian)(dian)路(lu)的(de)(de)(de)硅化物/多(duo)晶(jing)(jing)硅復合柵結(jie)(jie)構；發(fa)(fa)現(xian)磷(lin)摻雜對(dui)(dui)固相(xiang)外延(yan)速率增(zeng)強(qiang)效應(ying)以及CoSi2柵對(dui)(dui)器(qi)(qi)件(jian)(jian)抗輻照特性的(de)(de)(de)改(gai)(gai)進(jin)作用；90年代(dai)在SOI/CMOS器(qi)(qi)件(jian)(jian)模型(xing)(xing)和電(dian)(dian)(dian)路(lu)模擬工(gong)(gong)作方面，提出了SOI器(qi)(qi)件(jian)(jian)浮體效應(ying)模型(xing)(xing)和通過(guo)改(gai)(gai)變器(qi)(qi)件(jian)(jian)參(can)量抑(yi)制浮體效應(ying)的(de)(de)(de)工(gong)(gong)藝(yi)(yi)設計技(ji)術，擴充了SPICE模擬軟件(jian)(jian)。在SOI/CMOS新(xin)(xin)(xin)結(jie)(jie)構電(dian)(dian)(dian)路(lu)研(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)方面，開(kai)發(fa)(fa)了新(xin)(xin)(xin)的(de)(de)(de)深(shen)亞微(wei)(wei)米(mi)器(qi)(qi)件(jian)(jian)模型(xing)(xing)和電(dian)(dian)(dian)路(lu)模擬方法(fa)，研(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)成功了多(duo)種(zhong)新(xin)(xin)(xin)型(xing)(xing)器(qi)(qi)件(jian)(jian)和電(dian)(dian)(dian)路(lu)；與合作者(zhe)一(yi)(yi)(yi)起提出了超高速多(duo)晶(jing)(jing)硅發(fa)(fa)射極(ji)(ji)晶(jing)(jing)體管的(de)(de)(de)新(xin)(xin)(xin)的(de)(de)(de)解析模型(xing)(xing)，開(kai)發(fa)(fa)了成套的(de)(de)(de)先進(jin)雙極(ji)(ji)集(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)路(lu)工(gong)(gong)藝(yi)(yi)技(ji)術；這(zhe)對(dui)(dui)獨立(li)自(zi)(zi)主(zhu)(zhu)(zhu)發(fa)(fa)展我(wo)國(guo)集(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)路(lu)產(chan)業具有(you)(you)(you)重(zhong)要(yao)意(yi)義。90年代(dai)后期開(kai)始研(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)微(wei)(wei)機電(dian)(dian)(dian)系(xi)統（MEMS），任微(wei)(wei)米(mi)/納米(mi)加工(gong)(gong)技(ji)術國(guo)家重(zhong)點實(shi)驗(yan)室主(zhu)(zhu)(zhu)任，主(zhu)(zhu)(zhu)持(chi)開(kai)發(fa)(fa)了五套具有(you)(you)(you)自(zi)(zi)主(zhu)(zhu)(zhu)知識(shi)產(chan)權的(de)(de)(de)MEMS工(gong)(gong)藝(yi)(yi)，開(kai)發(fa)(fa)了多(duo)種(zhong)新(xin)(xin)(xin)型(xing)(xing)MEMS器(qi)(qi)件(jian)(jian)并向(xiang)產(chan)業轉化，獲得(de)一(yi)(yi)(yi)批(pi)發(fa)(fa)明專(zhuan)(zhuan)利。近期又(you)致力(li)于研(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)亞0.1μm器(qi)(qi)件(jian)(jian)和集(ji)(ji)成技(ji)術。在1986-1993年任全國(guo)ICCAD專(zhuan)(zhuan)家委員會主(zhu)(zhu)(zhu)任和ICCAT專(zhuan)(zhuan)家委員會主(zhu)(zhu)(zhu)任期間，領(ling)(ling)導(dao)研(yan)制成功了我(wo)國(guo)第(di)一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)大型(xing)(xing)集(ji)(ji)成化的(de)(de)(de)ICCAD系(xi)統，使我(wo)國(guo)繼美(mei)國(guo)、日本、歐共體之(zhi)后進(jin)入能自(zi)(zi)行開(kai)發(fa)(fa)大型(xing)(xing)ICCAD工(gong)(gong)具的(de)(de)(de)先進(jin)國(guo)家行列(lie)；在研(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)集(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)路(lu)發(fa)(fa)展規律基礎上(shang)提出了我(wo)國(guo)集(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)路(lu)產(chan)業和設計業的(de)(de)(de)發(fa)(fa)展戰略建(jian)議。為推動我(wo)國(guo)微(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)子(zi)產(chan)業的(de)(de)(de)發(fa)(fa)展，作為發(fa)(fa)起人之(zhi)一(yi)(yi)(yi)，創建(jian)了中芯國(guo)際（SMIC-Semiconductor Manufacturing International Corporation）集(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)路(lu)制造（上(shang)海）有(you)(you)(you)限公司。

人物轉折

1958年(nian)，是王(wang)陽(yang)元人生的(de)(de)(de)一(yi)(yi)個關鍵轉折點，因為(wei)在這(zhe)一(yi)(yi)年(nian)他畢業(ye)(ye)留(liu)校(xiao)，再一(yi)(yi)次選擇了微電(dian)(dian)子事業(ye)(ye)。這(zhe)也(ye)印證了王(wang)陽(yang)元“傳家有(you)道唯(wei)存(cun)厚，處事無(wu)奇(qi)但執(zhi)真”的(de)(de)(de)家訓(xun)。留(liu)校(xiao)的(de)(de)(de)王(wang)陽(yang)元把工作重心放在了如何促(cu)進國(guo)(guo)家微電(dian)(dian)子產(chan)業(ye)(ye)發展上，經過深(shen)入的(de)(de)(de)調查研究，他和(he)同(tong)事們確定了“硅柵N溝(gou)道技(ji)術(shu)”的(de)(de)(de)研究方向(xiang)。經過近7年(nian)堅韌不(bu)拔(ba)的(de)(de)(de)奮(fen)斗(dou)，1975年(nian)，我國(guo)(guo)第一(yi)(yi)塊1024位(wei)MOS動態隨機存(cun)儲(chu)器問世，這(zhe)被稱為(wei)是我國(guo)(guo)MOS集(ji)成(cheng)電(dian)(dian)路技(ji)術(shu)和(he)產(chan)業(ye)(ye)發展過程中具有(you)里程碑意義的(de)(de)(de)事件，它比Intel公司研制的(de)(de)(de)硅柵N溝(gou)道MOSDRAM只(zhi)晚了4年(nian)，因此獲(huo)得了1978年(nian)全國(guo)(guo)科學大會獎。從(cong)此，王(wang)陽(yang)元更加(jia)認定了集(ji)成(cheng)電(dian)(dian)路技(ji)術(shu)對(dui)信息社(she)會的(de)(de)(de)重要作用。

微電(dian)子學(xue)和(he)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)路技(ji)(ji)(ji)(ji)術在(zai)上(shang)世紀(ji)80年(nian)代得到(dao)了較大(da)的(de)發展，集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)路的(de)計(ji)算機輔(fu)助設計(ji)技(ji)(ji)(ji)(ji)術（ICCAD）與軟件工(gong)具成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)為制約其發展的(de)障礙。鑒于中(zhong)國(guo)(guo)(guo)當(dang)時的(de)技(ji)(ji)(ji)(ji)術水平和(he)科(ke)研條件，中(zhong)國(guo)(guo)(guo)政府(fu)試(shi)圖(tu)通過技(ji)(ji)(ji)(ji)術引(yin)進(jin)解決這(zhe)(zhe)個問題，但是為了不讓(rang)我(wo)國(guo)(guo)(guo)發展戰略高技(ji)(ji)(ji)(ji)術,西方國(guo)(guo)(guo)家在(zai)技(ji)(ji)(ji)(ji)術和(he)設備上(shang)對我(wo)國(guo)(guo)(guo)實(shi)行封(feng)鎖(suo)禁運，技(ji)(ji)(ji)(ji)術引(yin)進(jin)的(de)問題經過多方面(mian)的(de)努(nu)力(li)與談判都沒能成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)功(gong)，中(zhong)國(guo)(guo)(guo)決心(xin)自己開(kai)發這(zhe)(zhe)項技(ji)(ji)(ji)(ji)術。在(zai)這(zhe)(zhe)一關(guan)鍵時刻，王陽(yang)元(yuan)當(dang)時作為訪問學(xue)者從(cong)美國(guo)(guo)(guo)回國(guo)(guo)(guo)不久，即擔任起北大(da)微電(dian)子研究所(suo)所(suo)長(chang)的(de)職務，并(bing)被(bei)聘請擔任全(quan)國(guo)(guo)(guo)ICCAD委員會主任，主持組織集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)化ICCAD三級系統的(de)研發工(gong)作，開(kai)始了我(wo)國(guo)(guo)(guo)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)路設計(ji)自主創(chuang)新(xin)的(de)新(xin)階(jie)段。

經過6年(nian)奮戰，中國第一(yi)個按軟件工(gong)程方(fang)法(fa)開發的(de)、集成(cheng)(cheng)化的(de)超大規模(mo)集成(cheng)(cheng)電路計(ji)(ji)算機輔助設計(ji)(ji)系統(tong)研制(zhi)成(cheng)(cheng)功了。它(ta)的(de)研制(zhi)成(cheng)(cheng)功使中國繼美(mei)國、日(ri)本、西歐之后進(jin)入(ru)到能自行(xing)開發大型(xing)集成(cheng)(cheng)電路計(ji)(ji)算機輔助設計(ji)(ji)系統(tong)的(de)先進(jin)行(xing)列，具有完全的(de)自主知識產權。

對(dui)于自(zi)主知(zhi)識(shi)產(chan)權(quan)，王陽(yang)元(yuan)還是十分(fen)重視，他說，知(zhi)識(shi)產(chan)權(quan)是原(yuan)始(shi)創新(xin)的具體體現，一個產(chan)業的持續發展必須有(you)足(zu)夠的知(zhi)識(shi)產(chan)權(quan)作為其堅(jian)強后(hou)盾。在針對(dui)客觀需求開展系(xi)統(tong)研(yan)究(jiu)工作的時候，我們決(jue)不能亦步亦趨地(di)沿(yan)著已有(you)的技術(shu)路線走(zou)下(xia)去(qu)，必須立足(zu)于創新(xin)，有(you)所發明、有(you)所創造。

王(wang)陽元曾任(ren)國家級微(wei)米/納米加(jia)工(gong)(gong)(gong)技(ji)術(shu)重點實驗(yan)室的(de)(de)(de)主(zhu)(zhu)任(ren)。在實驗(yan)室建設之初(chu)，王(wang)陽元就強調：“真(zhen)正的(de)(de)(de)關鍵技(ji)術(shu)是買不來(lai)的(de)(de)(de)，我(wo)們必須自主(zhu)(zhu)研發，從(cong)基礎層面上提升我(wo)國微(wei)機電(dian)系(xi)統的(de)(de)(de)研制(zhi)和開(kai)發水平(ping)。”經(jing)過近十(shi)年(nian)的(de)(de)(de)努力(li)，這(zhe)個(ge)實驗(yan)室建立了(le)中(zhong)國第一個(ge)與集成電(dian)路加(jia)工(gong)(gong)(gong)工(gong)(gong)(gong)藝兼(jian)容的(de)(de)(de)微(wei)機電(dian)系(xi)統加(jia)工(gong)(gong)(gong)平(ping)臺和設計技(ji)術(shu)平(ping)臺。已經(jing)自主(zhu)(zhu)開(kai)發了(le)3套加(jia)工(gong)(gong)(gong)工(gong)(gong)(gong)藝，有6項技(ji)術(shu)創新，已獲11項發明專利的(de)(de)(de)授(shou)權，還正在申請29項發明專利。

院士文集

匯(hui)集了王(wang)陽元(yuan)院士(shi)在1998年(nian)到2004年(nian)期間發(fa)表的(de)重要論(lun)文(wen)和(he)(he)論(lun)述，內(nei)容(rong)涉及微(wei)(wei)電子學(xue)(xue)科的(de)發(fa)展(zhan)戰(zhan)略(lve)研(yan)究(jiu)、發(fa)展(zhan)前沿(yan)綜(zong)述、學(xue)(xue)術論(lun)文(wen)、科學(xue)(xue)研(yan)究(jiu)方(fang)法(fa)論(lun)、產(chan)業(ye)建設和(he)(he)人(ren)才培(pei)養等多個方(fang)面。在此期間里，他與合作(zuo)者以及研(yan)究(jiu)生共同發(fa)表了70余篇學(xue)(xue)術論(lun)文(wen)。本書(shu)從中精選(xuan)了發(fa)表在國內(nei)外重要學(xue)(xue)術刊物(wu)上的(de)有(you)關SOI/CMOS器(qi)件(jian)(jian)與電路(lu)、超深亞微(wei)(wei)米器(qi)件(jian)(jian)研(yan)究(jiu)、MEMS研(yan)究(jiu)和(he)(he)電路(lu)研(yan)究(jiu)等方(fang)面的(de)36篇有(you)代表性的(de)學(xue)(xue)術論(lun)文(wen)。這(zhe)些(xie)論(lun)文(wen)和(he)(he)論(lun)述在國內(nei)外微(wei)(wei)電子領域的(de)學(xue)(xue)術界、教育(yu)界和(he)(he)工業(ye)界產(chan)生了深刻(ke)影響，推動了我(wo)國微(wei)(wei)電子科學(xue)(xue)技術和(he)(he)產(chan)業(ye)的(de)發(fa)展(zhan)，反映了王(wang)陽元(yuan)院士(shi)作(zuo)為一位“仁智(zhi)雙馨(xin)”的(de)戰(zhan)略(lve)科學(xue)(xue)家的(de)風(feng)貌。本書(shu)可作(zuo)為高(gao)等學(xue)(xue)校信息技術及微(wei)(wei)電子專業(ye)師(shi)生的(de)參考(kao)書(shu)，也可供相關領域的(de)技術人(ren)員(yuan)、科研(yan)人(ren)員(yuan)及科技管理人(ren)員(yuan)學(xue)(xue)習參考(kao)。

中芯國際

幾十年如一(yi)(yi)日(ri)的研究、實踐，使王陽元深刻地體會到微電子學最終還(huan)要服務于(yu)(yu)實踐。于(yu)(yu)是，中(zhong)(zhong)芯(xin)(xin)(xin)(xin)國(guo)(guo)(guo)際(ji)(ji)應(ying)時而生。中(zhong)(zhong)芯(xin)(xin)(xin)(xin)國(guo)(guo)(guo)際(ji)(ji)成立于(yu)(yu)2000年，擁(yong)有(you)3座(zuo)芯(xin)(xin)(xin)(xin)片代工廠，包括一(yi)(yi)座(zuo)具有(you)后(hou)端銅互連工藝(yi)的代工廠。2003年，中(zhong)(zhong)芯(xin)(xin)(xin)(xin)國(guo)(guo)(guo)際(ji)(ji)被世界知名的《半導體國(guo)(guo)(guo)際(ji)(ji)》（Semiconductor International）雜志評為全球“2003年度最佳半導體廠”之一(yi)(yi)，并在2004年建成了我(wo)國(guo)(guo)(guo)第一(yi)(yi)條大型12英寸納米級集成電路大生產線。對(dui)于(yu)(yu)中(zhong)(zhong)芯(xin)(xin)(xin)(xin)國(guo)(guo)(guo)際(ji)(ji)，王陽元有(you)自己(ji)的評價：“中(zhong)(zhong)芯(xin)(xin)(xin)(xin)國(guo)(guo)(guo)際(ji)(ji)既是中(zhong)(zhong)國(guo)(guo)(guo)芯(xin)(xin)(xin)(xin)片制(zhi)造(zao)業的又一(yi)(yi)個里(li)程碑(bei)(bei)，也不全是中(zhong)(zhong)國(guo)(guo)(guo)集成電路芯(xin)(xin)(xin)(xin)片制(zhi)造(zao)業的里(li)程碑(bei)(bei)。”

他解釋說，說它是(shi)(shi)里(li)(li)(li)程碑是(shi)(shi)因為它把中(zhong)國(guo)(guo)集成電路技術水平與全球先(xian)進水平的(de)差距由原來的(de)4~5個(ge)(ge)技術節點縮小到1~2個(ge)(ge)，實現了中(zhong)國(guo)(guo)芯(xin)片制造業的(de)歷史(shi)性突破；說它不是(shi)(shi)里(li)(li)(li)程碑，則是(shi)(shi)因為中(zhong)芯(xin)國(guo)(guo)際(ji)還沒有(you)真正能(neng)夠(gou)掌握一大批具有(you)世界(jie)前(qian)沿水平的(de)自主知識產權(quan)。但是(shi)(shi)，我們希望將來的(de)中(zhong)芯(xin)國(guo)(guo)際(ji)能(neng)夠(gou)掌握國(guo)(guo)際(ji)前(qian)端技術，能(neng)在某些領(ling)域引領(ling)世界(jie)潮流，成為又一個(ge)(ge)真正的(de)里(li)(li)(li)程碑。

在談到(dao)這個話題的(de)時(shi)候，王陽元(yuan)認為中(zhong)國的(de)風險(xian)(xian)投(tou)資(zi)(zi)機制尚不(bu)完善。因為科(ke)研院所(suo)的(de)科(ke)技(ji)成(cheng)果并不(bu)等于產(chan)(chan)品，而(er)產(chan)(chan)品又不(bu)等于商(shang)品，其(qi)中(zhong)要(yao)有一(yi)個中(zhong)間環節，即(ji)風險(xian)(xian)投(tou)資(zi)(zi)。他引用(yong)馬(ma)克思《資(zi)(zi)本(ben)論》中(zhong)的(de)一(yi)句話“產(chan)(chan)品變(bian)為商(shang)品是(shi)(shi)(shi)驚險(xian)(xian)的(de)一(yi)躍，其(qi)結果要(yao)么是(shi)(shi)(shi)產(chan)(chan)生利潤，要(yao)么是(shi)(shi)(shi)摔死資(zi)(zi)本(ben)家”。這也是(shi)(shi)(shi)風險(xian)(xian)投(tou)資(zi)(zi)的(de)真實寫照，所(suo)以(yi)(yi)，風險(xian)(xian)投(tou)資(zi)(zi)必須建立退(tui)出機制。同時(shi)國家應相應地(di)降(jiang)低企業(ye)上市的(de)門檻(jian)，尤(you)其(qi)是(shi)(shi)(shi)高新技(ji)術(shu)企業(ye)，讓更多的(de)企業(ye)可以(yi)(yi)得到(dao)融資(zi)(zi)。我國高新技(ji)術(shu)企業(ye)的(de)平均壽(shou)命是(shi)(shi)(shi)兩年左右(you)，其(qi)中(zhong)很重(zhong)要(yao)的(de)因素是(shi)(shi)(shi)沒(mei)有資(zi)(zi)金的(de)支持。

作為(wei)微(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)學(xue)界的(de)(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)位(wei)領(ling)軍人(ren)物(wu)(wu)，王陽元對中國微(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)技(ji)術(shu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)發(fa)展充滿信(xin)心，他說，未來我國微(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)技(ji)術(shu)將通過與(yu)其(qi)他學(xue)科更密切的(de)(de)(de)(de)(de)(de)結合產(chan)生(sheng)(sheng)新的(de)(de)(de)(de)(de)(de)產(chan)業(ye)。微(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)技(ji)術(shu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)強大(da)生(sheng)(sheng)命力在于它可以低成(cheng)本(ben)、大(da)批量地生(sheng)(sheng)產(chan)出具(ju)有高可靠性和高精度的(de)(de)(de)(de)(de)(de)微(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)芯(xin)(xin)片(pian)(pian)。這(zhe)種(zhong)技(ji)術(shu)一(yi)旦與(yu)其(qi)他學(xue)科相結合，便會誕生(sheng)(sheng)出一(yi)系列嶄新的(de)(de)(de)(de)(de)(de)學(xue)科和重大(da)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)經濟增(zeng)長點，作為(wei)與(yu)微(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)技(ji)術(shu)成(cheng)功結合的(de)(de)(de)(de)(de)(de)典型例子(zi)(zi)便是MEMS（微(wei)(wei)機電(dian)(dian)(dian)(dian)系統）技(ji)術(shu)或(huo)稱微(wei)(wei)系統技(ji)術(shu)和生(sheng)(sheng)物(wu)(wu)芯(xin)(xin)片(pian)(pian)等。前(qian)者是微(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)技(ji)術(shu)與(yu)機械、光學(xue)等領(ling)域結合而誕生(sheng)(sheng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)，后者則(ze)是與(yu)生(sheng)(sheng)物(wu)(wu)工程技(ji)術(shu)結合的(de)(de)(de)(de)(de)(de)產(chan)物(wu)(wu)。

微(wei)(wei)(wei)電(dian)(dian)子(zi)(zi)機(ji)(ji)(ji)械(xie)系統就是微(wei)(wei)(wei)電(dian)(dian)子(zi)(zi)技術(shu)(shu)的(de)(de)拓寬和延伸，它將微(wei)(wei)(wei)電(dian)(dian)子(zi)(zi)技術(shu)(shu)和精(jing)密機(ji)(ji)(ji)械(xie)加(jia)工技術(shu)(shu)相互(hu)融合，實現了微(wei)(wei)(wei)電(dian)(dian)子(zi)(zi)與(yu)機(ji)(ji)(ji)械(xie)融為(wei)一體的(de)(de)系統。MEMS將電(dian)(dian)子(zi)(zi)系統和外(wai)部(bu)(bu)世界(jie)聯系起來(lai)，它不僅可以(yi)感受(shou)運動(dong)、光、聲、熱(re)、磁等自然界(jie)的(de)(de)外(wai)部(bu)(bu)信(xin)號(hao)，把這(zhe)些信(xin)號(hao)轉換成(cheng)電(dian)(dian)子(zi)(zi)系統可以(yi)認(ren)識的(de)(de)電(dian)(dian)信(xin)號(hao)，而且還可以(yi)通(tong)過電(dian)(dian)子(zi)(zi)系統控制這(zhe)些信(xin)號(hao)，發出指令并完成(cheng)該指令。從(cong)廣義上講，MEMS是指集微(wei)(wei)(wei)型(xing)傳(chuan)感器(qi)、微(wei)(wei)(wei)型(xing)執行器(qi)、信(xin)號(hao)處理(li)和控制電(dian)(dian)路、接口電(dian)(dian)路、通(tong)信(xin)系統以(yi)及電(dian)(dian)源于一體的(de)(de)微(wei)(wei)(wei)型(xing)機(ji)(ji)(ji)電(dian)(dian)系統。MEMS技術(shu)(shu)是一種典型(xing)的(de)(de)多學(xue)(xue)(xue)科(ke)交叉的(de)(de)前沿性研究領域(yu)，它幾乎涉及到自然及工程科(ke)學(xue)(xue)(xue)的(de)(de)所有領域(yu)，如電(dian)(dian)子(zi)(zi)技術(shu)(shu)、機(ji)(ji)(ji)械(xie)技術(shu)(shu)、光學(xue)(xue)(xue)、物理(li)學(xue)(xue)(xue)、化學(xue)(xue)(xue)、生物醫學(xue)(xue)(xue)、材料(liao)科(ke)學(xue)(xue)(xue)、能源科(ke)學(xue)(xue)(xue)等。

集(ji)成電路作為(wei)一項技術發明，極(ji)大地改(gai)變了(le)人(ren)類的(de)生活方(fang)式(shi)和生產方(fang)式(shi)，對社會的(de)進步起到(dao)了(le)重大作用。我國(guo)集(ji)成電路的(de)市場(chang)規模世界第(di)一、市場(chang)增長速度世界第(di)一，但(dan)是(shi)外貿逆差也(ye)是(shi)國(guo)內第(di)一。

開拓者

中國(guo)(guo)(guo)集成(cheng)電(dian)路(lu)(lu)(lu)技(ji)術和產(chan)業從20世紀五六十年代剛剛起步的(de)(de)半導體研(yan)究，到“文革”時期與國(guo)(guo)(guo)際(ji)學(xue)術界基(ji)本隔離(li)，再(zai)到八九十年代艱(jian)辛地(di)挑(tiao)戰國(guo)(guo)(guo)際(ji)前(qian)沿，終于開始了飛躍(yue)式地(di)發展，引起了世界的(de)(de)關注。面(mian)對中國(guo)(guo)(guo)集成(cheng)電(dian)路(lu)(lu)(lu)令人(ren)興(xing)奮的(de)(de)成(cheng)績，作為中國(guo)(guo)(guo)集成(cheng)電(dian)路(lu)(lu)(lu)產(chan)業的(de)(de)開拓(tuo)者之一，中國(guo)(guo)(guo)科學(xue)院院士王陽(yang)元有(you)自己的(de)(de)看法：“中國(guo)(guo)(guo)集成(cheng)電(dian)路(lu)(lu)(lu)能取(qu)得這樣的(de)(de)成(cheng)績固然令人(ren)興(xing)奮，但是(shi)我們(men)也面(mian)臨著(zhu)前(qian)所(suo)未有(you)的(de)(de)挑(tiao)戰。自主知識產(chan)權(quan)缺少、科技(ji)成(cheng)果產(chan)業化率低、研(yan)究人(ren)員缺乏等都是(shi)我們(men)亟須解(jie)決(jue)的(de)(de)問題。”

自主(zhu)知識(shi)產(chan)權是形成(cheng)集(ji)成(cheng)電路產(chan)業(ye)核(he)心(xin)競爭力的關鍵。集(ji)成(cheng)電路產(chan)業(ye)是資(zi)金(jin)高(gao)投入、技(ji)術(shu)高(gao)密集(ji)、高(gao)度國(guo)(guo)際(ji)(ji)化的產(chan)業(ye)，但(dan)真正(zheng)阻礙后發(fa)國(guo)(guo)家(jia)進(jin)入國(guo)(guo)際(ji)(ji)集(ji)成(cheng)電路產(chan)業(ye)領域的是技(ji)術(shu)。不能(neng)在產(chan)品設計和制造工藝技(ji)術(shu)上擁有一批(pi)自主(zhu)知識(shi)產(chan)權，就永(yong)遠難(nan)以在國(guo)(guo)際(ji)(ji)市場中生存與發(fa)展(zhan)。

在我國建設創(chuang)新型(xing)國家的(de)(de)(de)背景下(xia)，自(zi)主(zhu)(zhu)知識(shi)產(chan)(chan)權、技術(shu)產(chan)(chan)業(ye)化尤為重要(yao)，在微(wei)電(dian)子領域，王陽元提(ti)(ti)出了“產(chan)(chan)前研(yan)(yan)(yan)發(fa)(fa)聯(lian)(lian)盟”的(de)(de)(de)設想。產(chan)(chan)前研(yan)(yan)(yan)發(fa)(fa)聯(lian)(lian)盟，將實行“官、產(chan)(chan)、學、研(yan)(yan)(yan)、用”相結合，背靠高校與(yu)科研(yan)(yan)(yan)機構的(de)(de)(de)基礎和應(ying)用基礎研(yan)(yan)(yan)究，面向產(chan)(chan)業(ye)發(fa)(fa)展大生產(chan)(chan)的(de)(de)(de)關(guan)鍵(jian)技術(shu)需要(yao)，能提(ti)(ti)高自(zi)主(zhu)(zhu)創(chuang)新的(de)(de)(de)核心(xin)競爭力，開(kai)發(fa)(fa)為下(xia)一代集成電(dian)路發(fa)(fa)展(當(dang)前可定位在45~22納米)提(ti)(ti)供(gong)企業(ye)所需要(yao)的(de)(de)(de)產(chan)(chan)前核心(xin)技術(shu)、專利，并培(pei)養相應(ying)的(de)(de)(de)人才。

王陽元(yuan)認為，科技(ji)創新(xin)(xin)的(de)(de)(de)(de)背后是(shi)體制(zhi)、機(ji)制(zhi)創新(xin)(xin)的(de)(de)(de)(de)問題，科技(ji)創新(xin)(xin)與機(ji)制(zhi)創新(xin)(xin)互為動(dong)力、互為因(yin)果(guo)，新(xin)(xin)的(de)(de)(de)(de)科技(ji)創新(xin)(xin)會催生與之(zhi)相適(shi)應的(de)(de)(de)(de)新(xin)(xin)型機(ji)制(zhi)，同時(shi)也要依賴(lai)于機(ji)制(zhi)的(de)(de)(de)(de)不斷進步；而(er)新(xin)(xin)的(de)(de)(de)(de)機(ji)制(zhi)創新(xin)(xin)所(suo)形(xing)成的(de)(de)(de)(de)有利因(yin)素也可(ke)以(yi)促使更多的(de)(de)(de)(de)科技(ji)創新(xin)(xin)成果(guo)不斷涌(yong)現。所(suo)以(yi)，產(chan)前研(yan)發聯盟要想做好，首(shou)先(xian)要在體制(zhi)與運作(zuo)模式上下功夫。

產(chan)(chan)前(qian)研(yan)(yan)發聯盟(meng)(meng)會采取(qu)不(bu)以(yi)盈(ying)利為主要目的(de)(de)公司運作機(ji)制。以(yi)政府(fu)為主導(包括中央(yang)政府(fu)和(he)(he)(he)地(di)方政府(fu))，實行企(qi)(qi)業(ye)、大學(xue)、研(yan)(yan)究所及(ji)主要應(ying)用部門等共同組(zu)建的(de)(de)股份制獨立法(fa)人單位。產(chan)(chan)前(qian)研(yan)(yan)發聯盟(meng)(meng)采用開放(fang)模式，不(bu)僅向國內(nei)企(qi)(qi)業(ye)、研(yan)(yan)究單位開放(fang)，而且向國際(ji)開放(fang)，以(yi)提高國際(ji)間(jian)合作。它能(neng)夠(gou)激發原始創(chuang)新能(neng)力(li)、能(neng)夠(gou)通(tong)(tong)過整合資(zi)源形(xing)(xing)成集成創(chuang)新能(neng)力(li)和(he)(he)(he)通(tong)(tong)過引進消化(hua)(hua)吸(xi)收形(xing)(xing)成再創(chuang)新能(neng)力(li)的(de)(de)較好組(zu)織(zhi)形(xing)(xing)式；是符合自主創(chuang)新戰略目標(biao)的(de)(de)，企(qi)(qi)業(ye)為主體、產(chan)(chan)學(xue)研(yan)(yan)結合的(de)(de)集約(yue)化(hua)(hua)技(ji)術(shu)創(chuang)新體系；是能(neng)夠(gou)在較短的(de)(de)時間(jian)內(nei)實現關鍵技(ji)術(shu)和(he)(he)(he)核心(xin)技(ji)術(shu)突(tu)破(po)的(de)(de)、控制和(he)(he)(he)降低對國外(wai)資(zi)源依(yi)賴(lai)程度的(de)(de)有(you)效戰略舉(ju)措；是加速科技(ji)成果向現實生(sheng)產(chan)(chan)力(li)轉化(hua)(hua)的(de)(de)新型紐帶和(he)(he)(he)橋梁。