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主要經歷

1935年元旦(dan)，王(wang)陽(yang)(yang)元出(chu)生于浙江寧波柴橋鎮一(yi)個普通勞動者的家庭，由于是在陽(yang)(yang)歷(li)年元旦(dan)出(chu)生，祖父(fu)為(wei)他起名陽(yang)(yang)元。

1941年，王陽(yang)元在柴橋(qiao)小(xiao)學(xue)(xue)(xue)學(xue)(xue)(xue)習，從上小(xiao)學(xue)(xue)(xue)起，就刻苦用功，各科(ke)學(xue)(xue)(xue)習成績年年都名列前茅。

1947年(nian)，王陽元(yuan)小學(xue)畢業(ye)，并且以寧波市鎮海區統考第一名(ming)的(de)成(cheng)績考上了省立寧波中學(xue)，在中學(xue)時期，他不僅養成(cheng)了健(jian)康(kang)的(de)生活和(he)學(xue)習習慣，還樹(shu)立了要成(cheng)為一個對祖(zu)國、對人民有(you)貢(gong)獻的(de)科(ke)學(xue)家的(de)堅定理想。在寧波中學(xue)的(de)時候，王陽元(yuan)以其(qi)《未(wei)來(lai)的(de)科(ke)學(xue)家——宇耕(geng)(geng)在成(cheng)長》一文聞(wen)名(ming)于(yu)全班。“宇耕(geng)(geng)”是王陽元(yuan)為自己起的(de)筆名(ming)，意為“宇宙的(de)耕(geng)(geng)耘者”。

1953年(nian)，考入北京(jing)大學。

1956年，周恩來總理親自主持制定了12年科(ke)學規(gui)劃后，半導體(ti)作(zuo)為五大(da)(da)門類(lei)學科(ke)之(zhi)一(yi)(yi)得以(yi)重點(dian)發展，北(bei)大(da)(da)再一(yi)(yi)次云集了一(yi)(yi)大(da)(da)批(pi)優(you)秀的(de)半導體(ti)專家。王陽元作(zuo)為第一(yi)(yi)批(pi)學生被重點(dian)培養。其間，他學習了有關半導體(ti)理論與(yu)技術的(de)多(duo)方面(mian)知(zhi)識，為長(chang)期(qi)在微(wei)電子領(ling)域(yu)開展工作(zuo)奠定了扎(zha)實的(de)基礎。

1958年，畢業于北京大學物理系，之后留校任教(jiao)，在北京大學工(gong)作。

1982年(nian)，美國加(jia)州(zhou)大(da)學(xue)伯克(ke)利分校高級訪問(wen)學(xue)者(zhe)（至1983年(nian)）。

1995年(nian)，當(dang)選為(wei)(wei)中(zhong)國科學(xue)院信息(xi)技術(shu)科學(xue)部院士。王陽元現為(wei)(wei)北(bei)京大(da)學(xue)信息(xi)科學(xue)技術(shu)學(xue)院教(jiao)授（1985年(nian)）、微(wei)電(dian)子(zi)學(xue)研究院首席科學(xue)家(jia)。

王陽元發表科研論文230多篇，出版(ban)著作6部，現有17項重大科技(ji)成果。獲全國科學大會(hui)獎(jiang)、國家(jia)發明(ming)獎(jiang)、國家(jia)教(jiao)委科技(ji)進步一等(deng)(deng)獎(jiang)、光(guang)華(hua)科技(ji)基(ji)金一等(deng)(deng)獎(jiang)等(deng)(deng)共16項國家(jia)級和部委級獎(jiang)勵。

主要作品

70年代(dai)主持研制成(cheng)功(gong)(gong)我國第一(yi)塊1024位MOS隨機存儲器(qi)，是(shi)我國硅柵N溝(gou)道技術開拓者(zhe)之一(yi)，此后在(zai)(zai)多晶(jing)硅薄(bo)膜物(wu)理(li)和(he)(he)(he)氧化動力學研究(jiu)方(fang)面(mian)(mian)提出了(le)(le)(le)(le)(le)新的(de)(de)多晶(jing)硅氧化模(mo)(mo)型(xing)(xing)(xing)(xing)和(he)(he)(he)氧化動力學工(gong)程(cheng)應(ying)用方(fang)程(cheng)和(he)(he)(he)特征參(can)數。被國際同(tong)行認為(wei)"在(zai)(zai)微電(dian)子領域處理(li)了(le)(le)(le)(le)(le)對(dui)許多工(gong)作(zuo)者(zhe)都有重要意(yi)義(yi)的(de)(de)課題(ti)"，“對(dui)現實(shi)(shi)工(gong)藝過(guo)程(cheng)研究(jiu)具(ju)有重要的(de)(de)指(zhi)導意(yi)義(yi)。”在(zai)(zai)絕緣襯底上生長硅單(dan)晶(jing)薄(bo)膜（Silicon On Insulator-SOI）和(he)(he)(he)TFSOI/CMOS電(dian)路(lu)研究(jiu)中，發(fa)現了(le)(le)(le)(le)(le)磷(lin)摻雜對(dui)固相外(wai)延速率(lv)的(de)(de)增強效應(ying)以及(ji)CoSi2柵對(dui)器(qi)件(jian)(jian)(jian)抗(kang)輻照特性(xing)的(de)(de)改進作(zuo)用。在(zai)(zai)SOI/CMOS器(qi)件(jian)(jian)(jian)模(mo)(mo)型(xing)(xing)(xing)(xing)和(he)(he)(he)電(dian)路(lu)模(mo)(mo)擬工(gong)作(zuo)方(fang)面(mian)(mian)，提出了(le)(le)(le)(le)(le)SOI器(qi)件(jian)(jian)(jian)浮體效應(ying)模(mo)(mo)型(xing)(xing)(xing)(xing)和(he)(he)(he)通(tong)過(guo)改變器(qi)件(jian)(jian)(jian)參(can)量抑制浮體效應(ying)的(de)(de)工(gong)藝設計技術，擴充了(le)(le)(le)(le)(le)SPICE模(mo)(mo)擬軟件(jian)(jian)(jian)。在(zai)(zai)SOI/CMOS新結構電(dian)路(lu)研究(jiu)方(fang)面(mian)(mian)，開發(fa)了(le)(le)(le)(le)(le)新的(de)(de)深亞微米器(qi)件(jian)(jian)(jian)模(mo)(mo)型(xing)(xing)(xing)(xing)和(he)(he)(he)電(dian)路(lu)模(mo)(mo)擬方(fang)法，研究(jiu)成(cheng)功(gong)(gong)了(le)(le)(le)(le)(le)多種新型(xing)(xing)(xing)(xing)器(qi)件(jian)(jian)(jian)和(he)(he)(he)電(dian)路(lu)。在(zai)(zai)MOS絕緣層物(wu)理(li)與小尺寸(cun)器(qi)件(jian)(jian)(jian)物(wu)理(li)研究(jiu)，與合作(zuo)者(zhe)一(yi)起提出新的(de)(de)預測深亞微米器(qi)件(jian)(jian)(jian)可靠性(xing)的(de)(de)分析和(he)(he)(he)測試方(fang)法。首次(ci)在(zai)(zai)國際上實(shi)(shi)現了(le)(le)(le)(le)(le)有關陷阱電(dian)荷三個(ge)基本參(can)量（俘獲(huo)截面(mian)(mian)、面(mian)(mian)密(mi)度(du)和(he)(he)(he)矩心）的(de)(de)直接測量和(he)(he)(he)在(zai)(zai)線檢測。

在(zai)80年(nian)代和(he)90年(nian)代分(fen)別(bie)研究(jiu)亞(ya)微(wei)米(mi)/深(shen)亞(ya)微(wei)米(mi)CMOS復合柵(zha)結構(gou)和(he)多(duo)晶(jing)硅發(fa)射極超高(gao)速電路，與(yu)合作者一(yi)起在(zai)理(li)(li)論上提出(chu)了一(yi)個新的、能(neng)夠更準確反映多(duo)晶(jing)硅發(fa)射極晶(jing)體管物理(li)(li)特(te)性的解析模(mo)(mo)型，被國際(ji)同(tong)行列為國際(ji)上有(you)代表性的模(mo)(mo)型之一(yi)。對中國獨立自主發(fa)展超大規模(mo)(mo)集成(cheng)電路產業和(he)改變我國雙(shuang)極集成(cheng)電路技術落后面貌均有(you)重(zhong)要意義。

在1986-1993年任(ren)全國ICCAD專家(jia)(jia)委(wei)員(yuan)會主(zhu)任(ren)和ICCAT專家(jia)(jia)委(wei)員(yuan)會主(zhu)任(ren)期間，領導(dao)研制成功(gong)了(le)我(wo)國第(di)一個大型(xing)集成化的ICCAD系(xi)統，使我(wo)國繼美(mei)國、日本(ben)、歐共體之(zhi)后進(jin)(jin)入能自(zi)行(xing)(xing)開發大型(xing)ICCAD工(gong)具(ju)的先進(jin)(jin)國家(jia)(jia)行(xing)(xing)列；在研究(jiu)集成電路(lu)發展規律基礎上提(ti)出(chu)了(le)我(wo)國集成電路(lu)產(chan)業和設計業的發展方向(xiang)；組織參與了(le)國家(jia)(jia)微電子"七·五"，"八·五"國家(jia)(jia)科技攻關。

現(xian)從事微電子學領域(yu)中新(xin)器件、新(xin)工(gong)藝和新(xin)結構電路的研究，發(fa)表科(ke)(ke)研論文160多篇，出版著(zhu)作(zuo)6部(bu)，現(xian)有(you)16項重大(da)科(ke)(ke)技成(cheng)果。獲全國(guo)(guo)科(ke)(ke)學大(da)會獎、國(guo)(guo)家(jia)發(fa)明獎、國(guo)(guo)家(jia)教委(wei)科(ke)(ke)技進步一(yi)等(deng)獎、光華科(ke)(ke)技基金一(yi)等(deng)獎等(deng)共16項國(guo)(guo)家(jia)級和部(bu)委(wei)級獎勵。

發(fa)表(biao)科(ke)研(yan)論(lun)(lun)文230多(duo)(duo)篇(pian)，出(chu)版(ban)著(zhu)作(zuo)6部(bu)，現有(you)(you)17項重大科(ke)技(ji)(ji)成果。獲全國(guo)(guo)科(ke)學大會獎(jiang)(jiang)、國(guo)(guo)家(jia)發(fa)明(ming)獎(jiang)(jiang)、國(guo)(guo)家(jia)教委科(ke)技(ji)(ji)進步(bu)一等獎(jiang)(jiang)、光華科(ke)技(ji)(ji)基金一等獎(jiang)(jiang)等共(gong)16項國(guo)(guo)家(jia)級和(he)部(bu)委級獎(jiang)(jiang)勵。為推(tui)動我國(guo)(guo)微電(dian)子產(chan)業的發(fa)展，作(zuo)為發(fa)起人(ren)之一，創建中芯國(guo)(guo)際(ji)集成電(dian)路制(zhi)造有(you)(you)限公司(si)，領導建設成功(gong)了(le)我國(guo)(guo)第一條(tiao)12英(ying)寸納(na)米級集成電(dian)路生產(chan)線，使我國(guo)(guo)集成電(dian)路大生產(chan)技(ji)(ji)術(shu)水平處于國(guo)(guo)際(ji)先進水平。共(gong)培養百(bai)名碩(shuo)士(shi)(shi)、博士(shi)(shi)和(he)博士(shi)(shi)后(hou)。發(fa)表(biao)科(ke)研(yan)論(lun)(lun)文230多(duo)(duo)篇(pian)，出(chu)版(ban)著(zhu)作(zuo)6部(bu)。

王(wang)陽元有20項重大科(ke)(ke)技成果(guo)。1978年(nian)獲(huo)全國(guo)科(ke)(ke)學大會(hui)獎(jiang)，1991年(nian)獲(huo)國(guo)家教委科(ke)(ke)技進(jin)步一等獎(jiang)，2003年(nian)獲(huo)何梁(liang)何利(li)科(ke)(ke)技進(jin)步獎(jiang)，2007年(nian)獲(huo)國(guo)家科(ke)(ke)技進(jin)步二(er)等獎(jiang)，等19項國(guo)家級和部委級獎(jiang)勵。

王陽元長期擔任中國電子學(xue)會副理事長，《半導(dao)體學(xue)報(bao)》和《電子學(xue)報(bao)》（英文版(ban)）副主編。信息產業部科技(ji)委(wei)委(wei)員(電子)，美(mei)國IEEE Fellow和英國IEE Fellow等。

其(qi)著作《集(ji)(ji)成電路(lu)工(gong)業全書》、《集(ji)(ji)成電路(lu)工(gong)藝基礎》、《多晶硅薄(bo)膜及共在集(ji)(ji)成電路(lu)中的應用》、《多晶硅發射極(ji)晶體(ti)管及其(qi)集(ji)(ji)成電路(lu)》、《半導體(ti)器件》現存于寧波市圖書館“地(di)方文(wen)獻·甬籍名人(ren)名作庫”。

貢獻影響

研究課題

從事微電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)學領(ling)域中新器(qi)(qi)件(jian)、新工(gong)藝和(he)(he)(he)(he)新結(jie)構(gou)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)的(de)(de)研(yan)(yan)究。二十(shi)世紀70年代主(zhu)持研(yan)(yan)究成(cheng)(cheng)(cheng)功我(wo)國(guo)第一塊(kuai)3種(zhong)類(lei)型(xing)(xing)1024位MOS動態隨機存儲(chu)器(qi)(qi),是我(wo)國(guo)硅(gui)(gui)柵(zha)N溝道MOS技(ji)(ji)(ji)術(shu)開(kai)(kai)拓(tuo)者之(zhi)一。80年代提出了多晶硅(gui)(gui)薄膜"應力(li)增(zeng)強(qiang)"氧化(hua)模(mo)型(xing)(xing)、工(gong)程應用(yong)方(fang)(fang)程和(he)(he)(he)(he)摻雜(za)濃度(du)與(yu)遷移率(lv)的(de)(de)關系，被(bei)國(guo)際同行(xing)認(ren)為"在微電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)領(ling)域處理(li)了一個對許多研(yan)(yan)究者都有重要(yao)(yao)意義(yi)的(de)(de)問題"，"對實踐有重要(yao)(yao)的(de)(de)指(zhi)導意義(yi)"。研(yan)(yan)究了亞微米(mi)(mi)和(he)(he)(he)(he)深亞微米(mi)(mi)CMOS電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)的(de)(de)硅(gui)(gui)化(hua)物/多晶硅(gui)(gui)復合(he)柵(zha)結(jie)構(gou)；發(fa)(fa)(fa)(fa)現磷摻雜(za)對固相外延速(su)(su)率(lv)增(zeng)強(qiang)效應以及CoSi2柵(zha)對器(qi)(qi)件(jian)抗(kang)輻照(zhao)特性的(de)(de)改(gai)進作(zuo)用(yong)；90年代在SOI/CMOS器(qi)(qi)件(jian)模(mo)型(xing)(xing)和(he)(he)(he)(he)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)模(mo)擬工(gong)作(zuo)方(fang)(fang)面(mian)，提出了SOI器(qi)(qi)件(jian)浮體(ti)效應模(mo)型(xing)(xing)和(he)(he)(he)(he)通過改(gai)變器(qi)(qi)件(jian)參量抑制(zhi)浮體(ti)效應的(de)(de)工(gong)藝設計(ji)技(ji)(ji)(ji)術(shu)，擴充(chong)了SPICE模(mo)擬軟件(jian)。在SOI/CMOS新結(jie)構(gou)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)研(yan)(yan)究方(fang)(fang)面(mian)，開(kai)(kai)發(fa)(fa)(fa)(fa)了新的(de)(de)深亞微米(mi)(mi)器(qi)(qi)件(jian)模(mo)型(xing)(xing)和(he)(he)(he)(he)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)模(mo)擬方(fang)(fang)法(fa)，研(yan)(yan)究成(cheng)(cheng)(cheng)功了多種(zhong)新型(xing)(xing)器(qi)(qi)件(jian)和(he)(he)(he)(he)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)；與(yu)合(he)作(zuo)者一起提出了超高速(su)(su)多晶硅(gui)(gui)發(fa)(fa)(fa)(fa)射極晶體(ti)管的(de)(de)新的(de)(de)解(jie)析模(mo)型(xing)(xing)，開(kai)(kai)發(fa)(fa)(fa)(fa)了成(cheng)(cheng)(cheng)套的(de)(de)先進雙(shuang)極集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)工(gong)藝技(ji)(ji)(ji)術(shu)；這對獨(du)立自(zi)主(zhu)發(fa)(fa)(fa)(fa)展我(wo)國(guo)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)產業(ye)具(ju)有重要(yao)(yao)意義(yi)。90年代后(hou)期(qi)(qi)(qi)開(kai)(kai)始(shi)研(yan)(yan)究微機電(dian)(dian)(dian)(dian)系統(tong)（MEMS），任(ren)微米(mi)(mi)/納米(mi)(mi)加工(gong)技(ji)(ji)(ji)術(shu)國(guo)家重點(dian)實驗室(shi)主(zhu)任(ren)，主(zhu)持開(kai)(kai)發(fa)(fa)(fa)(fa)了五套具(ju)有自(zi)主(zhu)知(zhi)識產權(quan)的(de)(de)MEMS工(gong)藝，開(kai)(kai)發(fa)(fa)(fa)(fa)了多種(zhong)新型(xing)(xing)MEMS器(qi)(qi)件(jian)并向產業(ye)轉化(hua)，獲得一批發(fa)(fa)(fa)(fa)明專(zhuan)利(li)。近期(qi)(qi)(qi)又致力(li)于研(yan)(yan)究亞0.1μm器(qi)(qi)件(jian)和(he)(he)(he)(he)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)技(ji)(ji)(ji)術(shu)。在1986-1993年任(ren)全國(guo)ICCAD專(zhuan)家委(wei)員會主(zhu)任(ren)和(he)(he)(he)(he)ICCAT專(zhuan)家委(wei)員會主(zhu)任(ren)期(qi)(qi)(qi)間，領(ling)導研(yan)(yan)制(zhi)成(cheng)(cheng)(cheng)功了我(wo)國(guo)第一個大型(xing)(xing)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)化(hua)的(de)(de)ICCAD系統(tong)，使(shi)我(wo)國(guo)繼美(mei)國(guo)、日本(ben)、歐共(gong)體(ti)之(zhi)后(hou)進入能(neng)自(zi)行(xing)開(kai)(kai)發(fa)(fa)(fa)(fa)大型(xing)(xing)ICCAD工(gong)具(ju)的(de)(de)先進國(guo)家行(xing)列(lie)；在研(yan)(yan)究集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)發(fa)(fa)(fa)(fa)展規(gui)律基礎上提出了我(wo)國(guo)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)產業(ye)和(he)(he)(he)(he)設計(ji)業(ye)的(de)(de)發(fa)(fa)(fa)(fa)展戰略(lve)建(jian)(jian)議。為推動我(wo)國(guo)微電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)產業(ye)的(de)(de)發(fa)(fa)(fa)(fa)展，作(zuo)為發(fa)(fa)(fa)(fa)起人之(zhi)一，創建(jian)(jian)了中芯國(guo)際（SMIC-Semiconductor Manufacturing International Corporation）集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)制(zhi)造（上海(hai)）有限公司。

人物轉折

1958年，是王(wang)(wang)陽(yang)元(yuan)人生的(de)(de)(de)一(yi)個(ge)關鍵轉折點，因為(wei)在這一(yi)年他(ta)畢業留(liu)校，再(zai)一(yi)次選擇(ze)了(le)微電(dian)子事(shi)業。這也印證了(le)王(wang)(wang)陽(yang)元(yuan)“傳家(jia)(jia)有(you)道(dao)(dao)唯存厚，處事(shi)無奇但(dan)執真”的(de)(de)(de)家(jia)(jia)訓。留(liu)校的(de)(de)(de)王(wang)(wang)陽(yang)元(yuan)把工(gong)作重(zhong)心放(fang)在了(le)如何促進國(guo)家(jia)(jia)微電(dian)子產業發(fa)展上，經過(guo)深入的(de)(de)(de)調查研究，他(ta)和(he)同事(shi)們確定了(le)“硅柵N溝(gou)道(dao)(dao)技(ji)術”的(de)(de)(de)研究方(fang)向。經過(guo)近7年堅韌不拔的(de)(de)(de)奮斗，1975年，我國(guo)第一(yi)塊1024位MOS動態(tai)隨機存儲(chu)器問世，這被稱(cheng)為(wei)是我國(guo)MOS集成(cheng)電(dian)路技(ji)術和(he)產業發(fa)展過(guo)程(cheng)中(zhong)具(ju)有(you)里程(cheng)碑意(yi)義的(de)(de)(de)事(shi)件，它比Intel公司研制(zhi)的(de)(de)(de)硅柵N溝(gou)道(dao)(dao)MOSDRAM只晚了(le)4年，因此獲得了(le)1978年全(quan)國(guo)科學大會獎。從此，王(wang)(wang)陽(yang)元(yuan)更加認定了(le)集成(cheng)電(dian)路技(ji)術對(dui)信息社會的(de)(de)(de)重(zhong)要作用。

微(wei)電子學(xue)和集(ji)成(cheng)(cheng)電路技(ji)(ji)術在(zai)上(shang)世紀80年代得到(dao)了較大的(de)(de)發(fa)(fa)展，集(ji)成(cheng)(cheng)電路的(de)(de)計(ji)算(suan)機輔助(zhu)設計(ji)技(ji)(ji)術（ICCAD）與軟件(jian)工具成(cheng)(cheng)為(wei)制約(yue)其發(fa)(fa)展的(de)(de)障礙。鑒(jian)于(yu)中國(guo)(guo)(guo)(guo)當時(shi)的(de)(de)技(ji)(ji)術水平和科(ke)研條件(jian)，中國(guo)(guo)(guo)(guo)政(zheng)府試(shi)圖通過(guo)技(ji)(ji)術引進(jin)解決這個問題(ti)，但(dan)是(shi)為(wei)了不讓我國(guo)(guo)(guo)(guo)發(fa)(fa)展戰略高(gao)技(ji)(ji)術,西方國(guo)(guo)(guo)(guo)家在(zai)技(ji)(ji)術和設備上(shang)對(dui)我國(guo)(guo)(guo)(guo)實行封鎖(suo)禁運，技(ji)(ji)術引進(jin)的(de)(de)問題(ti)經過(guo)多方面的(de)(de)努力與談判都沒能成(cheng)(cheng)功，中國(guo)(guo)(guo)(guo)決心自(zi)己開(kai)發(fa)(fa)這項(xiang)技(ji)(ji)術。在(zai)這一(yi)關鍵(jian)時(shi)刻(ke)，王陽元當時(shi)作為(wei)訪(fang)問學(xue)者從美國(guo)(guo)(guo)(guo)回國(guo)(guo)(guo)(guo)不久，即(ji)擔任(ren)起北大微(wei)電子研究所所長的(de)(de)職務，并被聘請擔任(ren)全國(guo)(guo)(guo)(guo)ICCAD委員(yuan)會主(zhu)(zhu)任(ren)，主(zhu)(zhu)持組織集(ji)成(cheng)(cheng)化ICCAD三級系(xi)統的(de)(de)研發(fa)(fa)工作，開(kai)始了我國(guo)(guo)(guo)(guo)集(ji)成(cheng)(cheng)電路設計(ji)自(zi)主(zhu)(zhu)創(chuang)新(xin)的(de)(de)新(xin)階段。

經(jing)過(guo)6年(nian)奮戰，中國第一個按軟件工程方法開發的(de)(de)、集成(cheng)(cheng)化的(de)(de)超大規模集成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)計算機輔(fu)助(zhu)(zhu)設計系統(tong)研制成(cheng)(cheng)功(gong)了。它的(de)(de)研制成(cheng)(cheng)功(gong)使中國繼美國、日本、西(xi)歐之后(hou)進入到(dao)能自行開發大型集成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)計算機輔(fu)助(zhu)(zhu)設計系統(tong)的(de)(de)先進行列，具有完全的(de)(de)自主知識產權。

對于自主知識(shi)產(chan)權(quan)，王(wang)陽元還(huan)是十分(fen)重視，他說，知識(shi)產(chan)權(quan)是原(yuan)始創新的具體體現(xian)，一(yi)個產(chan)業的持續發展必(bi)須(xu)有足夠的知識(shi)產(chan)權(quan)作為其堅強后盾。在(zai)針對客(ke)觀需求開(kai)展系統研(yan)究工作的時候，我(wo)們決不能亦步亦趨(qu)地沿著已(yi)有的技(ji)術路線走下去，必(bi)須(xu)立足于創新，有所發明、有所創造(zao)。

王陽(yang)(yang)元(yuan)(yuan)曾(ceng)任國(guo)家(jia)級微(wei)(wei)米(mi)/納米(mi)加工技(ji)術(shu)(shu)重點實驗(yan)室的(de)(de)主(zhu)(zhu)任。在實驗(yan)室建設之初，王陽(yang)(yang)元(yuan)(yuan)就強調：“真正的(de)(de)關鍵技(ji)術(shu)(shu)是買(mai)不來(lai)的(de)(de)，我們必須(xu)自(zi)主(zhu)(zhu)研(yan)發，從基礎層(ceng)面上(shang)提升(sheng)我國(guo)微(wei)(wei)機電系統的(de)(de)研(yan)制(zhi)和開(kai)發水平。”經過近十年的(de)(de)努力，這個(ge)實驗(yan)室建立了中國(guo)第(di)一個(ge)與集成電路加工工藝兼容的(de)(de)微(wei)(wei)機電系統加工平臺和設計(ji)技(ji)術(shu)(shu)平臺。已經自(zi)主(zhu)(zhu)開(kai)發了3套加工工藝，有6項(xiang)技(ji)術(shu)(shu)創新，已獲11項(xiang)發明(ming)專利(li)的(de)(de)授權(quan)，還正在申請29項(xiang)發明(ming)專利(li)。

院士文集

匯集了(le)王(wang)陽(yang)元院士在1998年(nian)到(dao)2004年(nian)期間(jian)發(fa)(fa)(fa)表(biao)(biao)的(de)(de)重要論(lun)文(wen)和論(lun)述(shu)，內(nei)容涉及(ji)微電(dian)子(zi)(zi)(zi)學(xue)(xue)(xue)科(ke)的(de)(de)發(fa)(fa)(fa)展(zhan)戰略研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)、發(fa)(fa)(fa)展(zhan)前(qian)沿綜(zong)述(shu)、學(xue)(xue)(xue)術(shu)論(lun)文(wen)、科(ke)學(xue)(xue)(xue)研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)方(fang)法(fa)論(lun)、產(chan)(chan)業建設和人才(cai)培(pei)養(yang)等(deng)多個(ge)方(fang)面(mian)。在此期間(jian)里，他與合(he)作(zuo)者以(yi)及(ji)研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)生(sheng)(sheng)共同發(fa)(fa)(fa)表(biao)(biao)了(le)70余(yu)篇(pian)(pian)學(xue)(xue)(xue)術(shu)論(lun)文(wen)。本(ben)書從中精選了(le)發(fa)(fa)(fa)表(biao)(biao)在國(guo)內(nei)外重要學(xue)(xue)(xue)術(shu)刊物(wu)上的(de)(de)有(you)關(guan)SOI/CMOS器件與電(dian)路(lu)、超深(shen)亞微米(mi)器件研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)、MEMS研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)和電(dian)路(lu)研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)等(deng)方(fang)面(mian)的(de)(de)36篇(pian)(pian)有(you)代表(biao)(biao)性的(de)(de)學(xue)(xue)(xue)術(shu)論(lun)文(wen)。這些論(lun)文(wen)和論(lun)述(shu)在國(guo)內(nei)外微電(dian)子(zi)(zi)(zi)領域的(de)(de)學(xue)(xue)(xue)術(shu)界、教育(yu)界和工業界產(chan)(chan)生(sheng)(sheng)了(le)深(shen)刻影響(xiang)，推動(dong)了(le)我國(guo)微電(dian)子(zi)(zi)(zi)科(ke)學(xue)(xue)(xue)技術(shu)和產(chan)(chan)業的(de)(de)發(fa)(fa)(fa)展(zhan)，反(fan)映了(le)王(wang)陽(yang)元院士作(zuo)為(wei)一位“仁智雙馨”的(de)(de)戰略科(ke)學(xue)(xue)(xue)家的(de)(de)風貌。本(ben)書可作(zuo)為(wei)高等(deng)學(xue)(xue)(xue)校(xiao)信息(xi)技術(shu)及(ji)微電(dian)子(zi)(zi)(zi)專(zhuan)業師生(sheng)(sheng)的(de)(de)參(can)考書，也可供(gong)相(xiang)關(guan)領域的(de)(de)技術(shu)人員、科(ke)研(yan)(yan)人員及(ji)科(ke)技管理(li)人員學(xue)(xue)(xue)習(xi)參(can)考。

中芯國際

幾十年(nian)(nian)如一(yi)日的(de)研究、實踐，使(shi)王陽(yang)元深刻地體(ti)(ti)會到微電(dian)(dian)(dian)子(zi)學最終還要服務于(yu)實踐。于(yu)是，中(zhong)芯(xin)國(guo)(guo)(guo)際(ji)應時(shi)而生(sheng)。中(zhong)芯(xin)國(guo)(guo)(guo)際(ji)成(cheng)(cheng)立(li)于(yu)2000年(nian)(nian)，擁(yong)有3座芯(xin)片(pian)代(dai)工廠，包括一(yi)座具(ju)有后端銅互連工藝的(de)代(dai)工廠。2003年(nian)(nian)，中(zhong)芯(xin)國(guo)(guo)(guo)際(ji)被(bei)世界(jie)知名的(de)《半導(dao)體(ti)(ti)國(guo)(guo)(guo)際(ji)》（Semiconductor International）雜志評(ping)為全球“2003年(nian)(nian)度最佳半導(dao)體(ti)(ti)廠”之(zhi)一(yi)，并在2004年(nian)(nian)建成(cheng)(cheng)了我國(guo)(guo)(guo)第一(yi)條大型12英寸納米級集成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路大生(sheng)產線。對于(yu)中(zhong)芯(xin)國(guo)(guo)(guo)際(ji)，王陽(yang)元有自己的(de)評(ping)價：“中(zhong)芯(xin)國(guo)(guo)(guo)際(ji)既是中(zhong)國(guo)(guo)(guo)芯(xin)片(pian)制(zhi)(zhi)造(zao)業的(de)又一(yi)個里程碑(bei)，也不全是中(zhong)國(guo)(guo)(guo)集成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路芯(xin)片(pian)制(zhi)(zhi)造(zao)業的(de)里程碑(bei)。”

他解(jie)釋(shi)說，說它是(shi)里程碑是(shi)因(yin)為它把(ba)中(zhong)(zhong)(zhong)國集成電路技術水(shui)平與(yu)全(quan)球(qiu)先進水(shui)平的(de)(de)差距由原來的(de)(de)4~5個(ge)技術節點縮小到1~2個(ge)，實現了中(zhong)(zhong)(zhong)國芯片制造業(ye)的(de)(de)歷史性(xing)突破；說它不是(shi)里程碑，則是(shi)因(yin)為中(zhong)(zhong)(zhong)芯國際(ji)還沒有真正(zheng)能夠掌(zhang)握(wo)一(yi)大批具有世界(jie)前沿(yan)水(shui)平的(de)(de)自主知識產(chan)權(quan)。但是(shi)，我們希(xi)望將來的(de)(de)中(zhong)(zhong)(zhong)芯國際(ji)能夠掌(zhang)握(wo)國際(ji)前端技術，能在某(mou)些(xie)領(ling)域引領(ling)世界(jie)潮流，成為又(you)一(yi)個(ge)真正(zheng)的(de)(de)里程碑。

在談到這(zhe)個話(hua)題(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)時候，王陽元認(ren)為(wei)中(zhong)國的(de)(de)(de)(de)(de)風險(xian)(xian)投資(zi)(zi)機制尚不完善。因(yin)(yin)為(wei)科研院所(suo)的(de)(de)(de)(de)(de)科技(ji)成果并不等(deng)于產品，而(er)產品又不等(deng)于商(shang)(shang)品，其(qi)(qi)中(zhong)要有一(yi)個中(zhong)間環節，即風險(xian)(xian)投資(zi)(zi)。他引用馬克(ke)思(si)《資(zi)(zi)本(ben)論(lun)》中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)句話(hua)“產品變為(wei)商(shang)(shang)品是(shi)(shi)(shi)(shi)驚險(xian)(xian)的(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)躍，其(qi)(qi)結(jie)果要么(me)是(shi)(shi)(shi)(shi)產生利潤，要么(me)是(shi)(shi)(shi)(shi)摔死資(zi)(zi)本(ben)家”。這(zhe)也是(shi)(shi)(shi)(shi)風險(xian)(xian)投資(zi)(zi)的(de)(de)(de)(de)(de)真實寫照，所(suo)以，風險(xian)(xian)投資(zi)(zi)必須建立退出(chu)機制。同時國家應相應地降低企(qi)(qi)業(ye)(ye)(ye)上(shang)市的(de)(de)(de)(de)(de)門檻，尤其(qi)(qi)是(shi)(shi)(shi)(shi)高(gao)新技(ji)術企(qi)(qi)業(ye)(ye)(ye)，讓更(geng)多的(de)(de)(de)(de)(de)企(qi)(qi)業(ye)(ye)(ye)可以得到融資(zi)(zi)。我國高(gao)新技(ji)術企(qi)(qi)業(ye)(ye)(ye)的(de)(de)(de)(de)(de)平均壽命(ming)是(shi)(shi)(shi)(shi)兩年左右(you)，其(qi)(qi)中(zhong)很重要的(de)(de)(de)(de)(de)因(yin)(yin)素是(shi)(shi)(shi)(shi)沒有資(zi)(zi)金(jin)的(de)(de)(de)(de)(de)支持。

作(zuo)為(wei)微(wei)電(dian)(dian)子(zi)學(xue)界的(de)(de)(de)(de)一位領(ling)軍人(ren)物，王(wang)陽元(yuan)對中國(guo)微(wei)電(dian)(dian)子(zi)技(ji)(ji)術(shu)(shu)的(de)(de)(de)(de)發展充滿信心，他(ta)說，未來(lai)我國(guo)微(wei)電(dian)(dian)子(zi)技(ji)(ji)術(shu)(shu)將通過(guo)與(yu)(yu)其他(ta)學(xue)科(ke)(ke)更密(mi)切(qie)的(de)(de)(de)(de)結(jie)(jie)合產生(sheng)(sheng)(sheng)新的(de)(de)(de)(de)產業。微(wei)電(dian)(dian)子(zi)技(ji)(ji)術(shu)(shu)的(de)(de)(de)(de)強(qiang)大生(sheng)(sheng)(sheng)命力在于它可以(yi)低成(cheng)本、大批量地生(sheng)(sheng)(sheng)產出(chu)具有(you)高(gao)可靠性和(he)高(gao)精度(du)的(de)(de)(de)(de)微(wei)電(dian)(dian)子(zi)芯(xin)片。這(zhe)種技(ji)(ji)術(shu)(shu)一旦(dan)與(yu)(yu)其他(ta)學(xue)科(ke)(ke)相(xiang)結(jie)(jie)合，便會誕生(sheng)(sheng)(sheng)出(chu)一系列(lie)嶄(zhan)新的(de)(de)(de)(de)學(xue)科(ke)(ke)和(he)重(zhong)大的(de)(de)(de)(de)經濟增長(chang)點(dian)，作(zuo)為(wei)與(yu)(yu)微(wei)電(dian)(dian)子(zi)技(ji)(ji)術(shu)(shu)成(cheng)功結(jie)(jie)合的(de)(de)(de)(de)典(dian)型(xing)例子(zi)便是MEMS（微(wei)機電(dian)(dian)系統）技(ji)(ji)術(shu)(shu)或稱(cheng)微(wei)系統技(ji)(ji)術(shu)(shu)和(he)生(sheng)(sheng)(sheng)物芯(xin)片等。前者是微(wei)電(dian)(dian)子(zi)技(ji)(ji)術(shu)(shu)與(yu)(yu)機械、光學(xue)等領(ling)域結(jie)(jie)合而(er)誕生(sheng)(sheng)(sheng)的(de)(de)(de)(de)，后者則是與(yu)(yu)生(sheng)(sheng)(sheng)物工程技(ji)(ji)術(shu)(shu)結(jie)(jie)合的(de)(de)(de)(de)產物。

微(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)子機(ji)(ji)械(xie)系(xi)統就是(shi)微(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)子技(ji)術(shu)(shu)(shu)的(de)(de)(de)拓寬和(he)(he)延伸，它將微(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)子技(ji)術(shu)(shu)(shu)和(he)(he)精密機(ji)(ji)械(xie)加(jia)工技(ji)術(shu)(shu)(shu)相互融(rong)合，實現了(le)微(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)子與機(ji)(ji)械(xie)融(rong)為一體的(de)(de)(de)系(xi)統。MEMS將電(dian)(dian)(dian)子系(xi)統和(he)(he)外(wai)部世界聯系(xi)起(qi)來，它不(bu)僅可以(yi)感(gan)受運動(dong)、光、聲(sheng)、熱、磁等自然界的(de)(de)(de)外(wai)部信(xin)(xin)號，把這些(xie)信(xin)(xin)號轉(zhuan)換(huan)成電(dian)(dian)(dian)子系(xi)統可以(yi)認(ren)識(shi)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)信(xin)(xin)號，而且還可以(yi)通過(guo)電(dian)(dian)(dian)子系(xi)統控制(zhi)這些(xie)信(xin)(xin)號，發(fa)出指(zhi)(zhi)令(ling)并完成該指(zhi)(zhi)令(ling)。從廣義上講，MEMS是(shi)指(zhi)(zhi)集微(wei)(wei)型傳感(gan)器、微(wei)(wei)型執行器、信(xin)(xin)號處理和(he)(he)控制(zhi)電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)、接口電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)、通信(xin)(xin)系(xi)統以(yi)及(ji)電(dian)(dian)(dian)源于一體的(de)(de)(de)微(wei)(wei)型機(ji)(ji)電(dian)(dian)(dian)系(xi)統。MEMS技(ji)術(shu)(shu)(shu)是(shi)一種(zhong)典型的(de)(de)(de)多學(xue)科(ke)交叉的(de)(de)(de)前沿性(xing)研究領(ling)域，它幾乎涉及(ji)到自然及(ji)工程科(ke)學(xue)的(de)(de)(de)所有領(ling)域，如(ru)電(dian)(dian)(dian)子技(ji)術(shu)(shu)(shu)、機(ji)(ji)械(xie)技(ji)術(shu)(shu)(shu)、光學(xue)、物理學(xue)、化學(xue)、生物醫學(xue)、材料科(ke)學(xue)、能源科(ke)學(xue)等。

集(ji)成電路(lu)作為一項技術(shu)發明，極(ji)大地改變了人類(lei)的生活方(fang)式和生產方(fang)式，對社會的進步起到了重(zhong)大作用。我國集(ji)成電路(lu)的市(shi)場規模世(shi)界(jie)(jie)第一、市(shi)場增(zeng)長(chang)速度世(shi)界(jie)(jie)第一，但是(shi)外貿逆差也是(shi)國內第一。

開拓者

中國(guo)(guo)集成(cheng)電路(lu)(lu)技術和產業從20世紀五六(liu)十年(nian)代剛剛起步的(de)半(ban)導體研(yan)究，到“文革(ge)”時期與國(guo)(guo)際學(xue)術界(jie)(jie)基本隔離(li)，再到八九十年(nian)代艱辛地(di)挑(tiao)戰(zhan)國(guo)(guo)際前(qian)沿(yan)，終于開(kai)始了(le)飛躍式地(di)發展，引起了(le)世界(jie)(jie)的(de)關注。面對中國(guo)(guo)集成(cheng)電路(lu)(lu)令人興奮(fen)的(de)成(cheng)績(ji)，作為(wei)中國(guo)(guo)集成(cheng)電路(lu)(lu)產業的(de)開(kai)拓(tuo)者之一，中國(guo)(guo)科學(xue)院(yuan)(yuan)院(yuan)(yuan)士(shi)王陽(yang)元有自己(ji)的(de)看法：“中國(guo)(guo)集成(cheng)電路(lu)(lu)能取(qu)得這樣(yang)的(de)成(cheng)績(ji)固然(ran)令人興奮(fen)，但(dan)是我們也面臨(lin)著前(qian)所未有的(de)挑(tiao)戰(zhan)。自主知識產權缺少、科技成(cheng)果產業化率(lv)低、研(yan)究人員缺乏等都是我們亟(ji)須(xu)解(jie)決的(de)問題。”

自主(zhu)知識產(chan)權是形(xing)成集成電路產(chan)業(ye)(ye)核心競爭力的(de)關鍵。集成電路產(chan)業(ye)(ye)是資金高(gao)投入、技(ji)術高(gao)密(mi)集、高(gao)度(du)國際化的(de)產(chan)業(ye)(ye)，但真正(zheng)阻(zu)礙后發(fa)國家進入國際集成電路產(chan)業(ye)(ye)領(ling)域的(de)是技(ji)術。不能(neng)在產(chan)品設計(ji)和制造工藝技(ji)術上擁(yong)有一批自主(zhu)知識產(chan)權，就(jiu)永(yong)遠難以在國際市場(chang)中生存與發(fa)展。

在(zai)(zai)我國(guo)建(jian)設創(chuang)新型國(guo)家的背(bei)景下，自主(zhu)知識產權、技(ji)術(shu)產業化尤為(wei)重要(yao)，在(zai)(zai)微電子領域，王陽(yang)元提出了(le)“產前研(yan)發聯盟(meng)”的設想。產前研(yan)發聯盟(meng)，將實(shi)行“官、產、學、研(yan)、用”相(xiang)結合，背(bei)靠高校(xiao)與科研(yan)機構的基礎(chu)和應用基礎(chu)研(yan)究，面向產業發展(zhan)大(da)生(sheng)產的關鍵(jian)技(ji)術(shu)需(xu)要(yao)，能提高自主(zhu)創(chuang)新的核心(xin)競爭(zheng)力，開發為(wei)下一代集(ji)成電路發展(zhan)(當前可(ke)定位在(zai)(zai)45~22納(na)米)提供企業所需(xu)要(yao)的產前核心(xin)技(ji)術(shu)、專利(li)，并培養相(xiang)應的人才(cai)。

王陽元(yuan)認為，科技創(chuang)新(xin)(xin)的(de)(de)背(bei)后(hou)是體制、機(ji)制創(chuang)新(xin)(xin)的(de)(de)問題，科技創(chuang)新(xin)(xin)與(yu)機(ji)制創(chuang)新(xin)(xin)互為動力、互為因果(guo)，新(xin)(xin)的(de)(de)科技創(chuang)新(xin)(xin)會催生與(yu)之相(xiang)適應(ying)的(de)(de)新(xin)(xin)型機(ji)制，同時也(ye)要依賴于機(ji)制的(de)(de)不(bu)斷進(jin)步(bu)；而新(xin)(xin)的(de)(de)機(ji)制創(chuang)新(xin)(xin)所形成的(de)(de)有利因素也(ye)可以促使更多的(de)(de)科技創(chuang)新(xin)(xin)成果(guo)不(bu)斷涌現。所以，產前(qian)研發聯(lian)盟要想(xiang)做好，首先要在體制與(yu)運作模式上下功夫。

產(chan)前(qian)研(yan)發聯(lian)(lian)盟(meng)會采(cai)取不以盈(ying)利為主(zhu)要(yao)(yao)目(mu)的(de)(de)公司運作機制(zhi)。以政(zheng)(zheng)府(fu)為主(zhu)導(包(bao)括(kuo)中央政(zheng)(zheng)府(fu)和地方政(zheng)(zheng)府(fu))，實行企(qi)業(ye)、大學、研(yan)究所(suo)及主(zhu)要(yao)(yao)應用(yong)部門等共(gong)同(tong)組建的(de)(de)股(gu)份制(zhi)獨立法人(ren)單位。產(chan)前(qian)研(yan)發聯(lian)(lian)盟(meng)采(cai)用(yong)開放模式(shi)，不僅向(xiang)國(guo)內企(qi)業(ye)、研(yan)究單位開放，而(er)且(qie)向(xiang)國(guo)際開放，以提高國(guo)際間合(he)作。它能(neng)夠激(ji)發原始創新(xin)能(neng)力(li)(li)、能(neng)夠通過整合(he)資源形成集成創新(xin)能(neng)力(li)(li)和通過引進消化吸收形成再創新(xin)能(neng)力(li)(li)的(de)(de)較好(hao)組織形式(shi)；是符合(he)自主(zhu)創新(xin)戰略目(mu)標的(de)(de)，企(qi)業(ye)為主(zhu)體(ti)、產(chan)學研(yan)結合(he)的(de)(de)集約化技(ji)(ji)術(shu)(shu)創新(xin)體(ti)系；是能(neng)夠在較短的(de)(de)時間內實現關鍵(jian)技(ji)(ji)術(shu)(shu)和核心技(ji)(ji)術(shu)(shu)突(tu)破的(de)(de)、控制(zhi)和降(jiang)低對國(guo)外資源依賴程度的(de)(de)有效戰略舉措(cuo)；是加速科技(ji)(ji)成果向(xiang)現實生產(chan)力(li)(li)轉化的(de)(de)新(xin)型紐帶和橋梁(liang)。