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主要經歷

1935年(nian)元(yuan)(yuan)旦，王(wang)陽(yang)(yang)元(yuan)(yuan)出生于(yu)浙江寧波柴(chai)橋鎮(zhen)一個普(pu)通勞動者的家庭，由于(yu)是在(zai)陽(yang)(yang)歷年(nian)元(yuan)(yuan)旦出生，祖父為他起(qi)名(ming)陽(yang)(yang)元(yuan)(yuan)。

1941年，王陽元在(zai)柴橋小學(xue)學(xue)習，從上(shang)小學(xue)起，就刻苦用功，各科學(xue)習成績年年都名列前茅。

1947年，王陽元(yuan)(yuan)小學(xue)畢業，并且以寧(ning)(ning)波(bo)市鎮海區統考(kao)第一名的成(cheng)績考(kao)上了省立寧(ning)(ning)波(bo)中學(xue)，在(zai)中學(xue)時期，他不僅養成(cheng)了健康(kang)的生活和學(xue)習(xi)習(xi)慣，還樹立了要(yao)成(cheng)為(wei)一個對祖國、對人(ren)民有貢獻的科學(xue)家的堅定(ding)理想(xiang)。在(zai)寧(ning)(ning)波(bo)中學(xue)的時候，王陽元(yuan)(yuan)以其《未來的科學(xue)家——宇耕(geng)在(zai)成(cheng)長》一文(wen)聞名于全班。“宇耕(geng)”是(shi)王陽元(yuan)(yuan)為(wei)自己(ji)起的筆(bi)名，意為(wei)“宇宙的耕(geng)耘(yun)者”。

1953年(nian)，考入北京大學。

1956年，周恩來總理親自主持制定了(le)12年科(ke)學規劃后，半導體(ti)作為五大門類(lei)學科(ke)之(zhi)一(yi)(yi)得(de)以重(zhong)點(dian)發展，北大再一(yi)(yi)次云集了(le)一(yi)(yi)大批優(you)秀的(de)半導體(ti)專家。王陽元作為第一(yi)(yi)批學生被重(zhong)點(dian)培養(yang)。其間(jian)，他(ta)學習(xi)了(le)有(you)關半導體(ti)理論與技(ji)術的(de)多方面知識(shi)，為長期在(zai)微電子(zi)領(ling)域開展工(gong)作奠定了(le)扎實的(de)基礎。

1958年(nian)，畢(bi)業于北京大學物(wu)理(li)系(xi)，之后留校任教(jiao)，在北京大學工(gong)作。

1982年，美(mei)國(guo)加州大學伯(bo)克利分校高級訪(fang)問學者（至1983年）。

1995年，當選為中國(guo)科(ke)學(xue)院(yuan)信(xin)息技(ji)術科(ke)學(xue)部院(yuan)士。王陽元現為北京大(da)學(xue)信(xin)息科(ke)學(xue)技(ji)術學(xue)院(yuan)教授（1985年）、微電子學(xue)研究院(yuan)首席科(ke)學(xue)家。

王陽(yang)元發表(biao)科研論文230多篇，出(chu)版著作(zuo)6部，現(xian)有17項(xiang)(xiang)重大(da)科技成(cheng)果。獲全(quan)國(guo)科學大(da)會獎、國(guo)家發明獎、國(guo)家教委科技進步一(yi)等獎、光(guang)華科技基(ji)金一(yi)等獎等共(gong)16項(xiang)(xiang)國(guo)家級和部委級獎勵(li)。

主要作品

70年代主持研(yan)(yan)(yan)(yan)制成功我(wo)國(guo)第一(yi)塊1024位MOS隨機存儲器(qi)(qi)(qi)，是我(wo)國(guo)硅(gui)(gui)柵N溝(gou)道技(ji)術開(kai)拓者之一(yi)，此后在(zai)(zai)(zai)多(duo)(duo)晶硅(gui)(gui)薄(bo)(bo)膜物理和(he)(he)(he)(he)(he)(he)氧(yang)化動(dong)力學研(yan)(yan)(yan)(yan)究方(fang)(fang)(fang)面(mian)(mian)提出(chu)(chu)了(le)(le)新的(de)多(duo)(duo)晶硅(gui)(gui)氧(yang)化模(mo)型(xing)(xing)和(he)(he)(he)(he)(he)(he)氧(yang)化動(dong)力學工(gong)程(cheng)應(ying)用方(fang)(fang)(fang)程(cheng)和(he)(he)(he)(he)(he)(he)特征參(can)數。被國(guo)際同行認為(wei)"在(zai)(zai)(zai)微(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)(dian)子領域處(chu)理了(le)(le)對(dui)許多(duo)(duo)工(gong)作(zuo)者都有重要意義(yi)的(de)課題(ti)"，“對(dui)現實工(gong)藝過程(cheng)研(yan)(yan)(yan)(yan)究具有重要的(de)指導意義(yi)。”在(zai)(zai)(zai)絕(jue)緣(yuan)襯底上生長硅(gui)(gui)單晶薄(bo)(bo)膜（Silicon On Insulator-SOI）和(he)(he)(he)(he)(he)(he)TFSOI/CMOS電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)研(yan)(yan)(yan)(yan)究中，發現了(le)(le)磷摻雜對(dui)固(gu)相外延速率的(de)增強(qiang)效(xiao)應(ying)以及CoSi2柵對(dui)器(qi)(qi)(qi)件(jian)抗輻照特性的(de)改(gai)進(jin)作(zuo)用。在(zai)(zai)(zai)SOI/CMOS器(qi)(qi)(qi)件(jian)模(mo)型(xing)(xing)和(he)(he)(he)(he)(he)(he)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)模(mo)擬(ni)工(gong)作(zuo)方(fang)(fang)(fang)面(mian)(mian)，提出(chu)(chu)了(le)(le)SOI器(qi)(qi)(qi)件(jian)浮(fu)體效(xiao)應(ying)模(mo)型(xing)(xing)和(he)(he)(he)(he)(he)(he)通(tong)過改(gai)變器(qi)(qi)(qi)件(jian)參(can)量(liang)抑制浮(fu)體效(xiao)應(ying)的(de)工(gong)藝設計(ji)技(ji)術，擴充了(le)(le)SPICE模(mo)擬(ni)軟件(jian)。在(zai)(zai)(zai)SOI/CMOS新結構電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)研(yan)(yan)(yan)(yan)究方(fang)(fang)(fang)面(mian)(mian)，開(kai)發了(le)(le)新的(de)深亞微(wei)(wei)米(mi)器(qi)(qi)(qi)件(jian)模(mo)型(xing)(xing)和(he)(he)(he)(he)(he)(he)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)模(mo)擬(ni)方(fang)(fang)(fang)法，研(yan)(yan)(yan)(yan)究成功了(le)(le)多(duo)(duo)種新型(xing)(xing)器(qi)(qi)(qi)件(jian)和(he)(he)(he)(he)(he)(he)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)。在(zai)(zai)(zai)MOS絕(jue)緣(yuan)層物理與小尺寸器(qi)(qi)(qi)件(jian)物理研(yan)(yan)(yan)(yan)究，與合(he)作(zuo)者一(yi)起提出(chu)(chu)新的(de)預(yu)測深亞微(wei)(wei)米(mi)器(qi)(qi)(qi)件(jian)可靠性的(de)分析和(he)(he)(he)(he)(he)(he)測試方(fang)(fang)(fang)法。首次在(zai)(zai)(zai)國(guo)際上實現了(le)(le)有關陷阱電(dian)(dian)(dian)(dian)荷(he)三(san)個基本參(can)量(liang)（俘(fu)獲截面(mian)(mian)、面(mian)(mian)密度(du)和(he)(he)(he)(he)(he)(he)矩心(xin)）的(de)直接測量(liang)和(he)(he)(he)(he)(he)(he)在(zai)(zai)(zai)線檢測。

在80年代和(he)90年代分別研究亞微(wei)米(mi)(mi)/深亞微(wei)米(mi)(mi)CMOS復(fu)合柵(zha)結構和(he)多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)發(fa)射(she)極(ji)超(chao)高速電路(lu)，與合作者一(yi)起在理論上(shang)提出(chu)了一(yi)個新的(de)(de)、能夠更準確反映多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)發(fa)射(she)極(ji)晶(jing)(jing)體管(guan)物(wu)理特性的(de)(de)解析(xi)模型(xing)(xing)，被國(guo)際(ji)同(tong)行列為國(guo)際(ji)上(shang)有(you)代表性的(de)(de)模型(xing)(xing)之一(yi)。對中(zhong)國(guo)獨立自主發(fa)展超(chao)大規模集成電路(lu)產業和(he)改變(bian)我國(guo)雙極(ji)集成電路(lu)技術(shu)落后(hou)面貌(mao)均有(you)重要(yao)意義。

在1986-1993年任(ren)全(quan)國(guo)ICCAD專(zhuan)家委(wei)員會主(zhu)任(ren)和ICCAT專(zhuan)家委(wei)員會主(zhu)任(ren)期間，領導研制成(cheng)(cheng)功了(le)(le)我國(guo)第一個大型集(ji)(ji)(ji)成(cheng)(cheng)化的ICCAD系統，使我國(guo)繼美(mei)國(guo)、日本(ben)、歐共體之后進(jin)入能自(zi)行開發大型ICCAD工(gong)具的先進(jin)國(guo)家行列；在研究(jiu)集(ji)(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電路發展規律基礎上(shang)提出(chu)了(le)(le)我國(guo)集(ji)(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電路產業和設計(ji)業的發展方向；組織參與(yu)了(le)(le)國(guo)家微電子"七·五(wu)"，"八·五(wu)"國(guo)家科技攻關。

現(xian)從事微電子學(xue)領(ling)域中新(xin)(xin)器件、新(xin)(xin)工藝和新(xin)(xin)結構電路的研(yan)究，發表科(ke)研(yan)論文160多篇(pian)，出版著作6部，現(xian)有16項重大(da)科(ke)技(ji)成果。獲全國(guo)科(ke)學(xue)大(da)會獎、國(guo)家發明獎、國(guo)家教(jiao)委科(ke)技(ji)進(jin)步(bu)一等(deng)獎、光華科(ke)技(ji)基(ji)金一等(deng)獎等(deng)共16項國(guo)家級和部委級獎勵(li)。

發(fa)表科(ke)研論文230多篇，出版著作(zuo)6部，現有(you)17項重大科(ke)技(ji)成(cheng)(cheng)果。獲全國(guo)(guo)科(ke)學大會獎(jiang)(jiang)(jiang)、國(guo)(guo)家(jia)發(fa)明獎(jiang)(jiang)(jiang)、國(guo)(guo)家(jia)教委(wei)科(ke)技(ji)進步(bu)一(yi)等獎(jiang)(jiang)(jiang)、光華(hua)科(ke)技(ji)基(ji)金一(yi)等獎(jiang)(jiang)(jiang)等共(gong)16項國(guo)(guo)家(jia)級和部委(wei)級獎(jiang)(jiang)(jiang)勵。為推(tui)動我國(guo)(guo)微(wei)電(dian)子產業的發(fa)展，作(zuo)為發(fa)起人之一(yi)，創建中芯國(guo)(guo)際集成(cheng)(cheng)電(dian)路制造有(you)限公司(si)，領導(dao)建設(she)成(cheng)(cheng)功了我國(guo)(guo)第一(yi)條12英寸納米級集成(cheng)(cheng)電(dian)路生(sheng)產線，使我國(guo)(guo)集成(cheng)(cheng)電(dian)路大生(sheng)產技(ji)術水平處于國(guo)(guo)際先進水平。共(gong)培養百(bai)名碩士、博(bo)士和博(bo)士后。發(fa)表科(ke)研論文230多篇，出版著作(zuo)6部。

王(wang)陽元(yuan)有20項重大科(ke)(ke)(ke)技成(cheng)果。1978年(nian)獲全國(guo)科(ke)(ke)(ke)學(xue)大會獎，1991年(nian)獲國(guo)家(jia)(jia)教委(wei)(wei)科(ke)(ke)(ke)技進步(bu)一等(deng)獎，2003年(nian)獲何梁(liang)何利科(ke)(ke)(ke)技進步(bu)獎，2007年(nian)獲國(guo)家(jia)(jia)科(ke)(ke)(ke)技進步(bu)二等(deng)獎，等(deng)19項國(guo)家(jia)(jia)級(ji)和部委(wei)(wei)級(ji)獎勵。

王陽元長(chang)期(qi)擔任中國電子學會(hui)副理事長(chang)，《半(ban)導體學報》和《電子學報》（英(ying)文版）副主(zhu)編。信息產業部科技委委員(yuan)(電子)，美國IEEE Fellow和英(ying)國IEE Fellow等。

其著作(zuo)《集(ji)成(cheng)電路工(gong)業全書》、《集(ji)成(cheng)電路工(gong)藝基(ji)礎》、《多(duo)晶硅薄膜及(ji)共在集(ji)成(cheng)電路中(zhong)的應用》、《多(duo)晶硅發射極(ji)晶體(ti)管及(ji)其集(ji)成(cheng)電路》、《半導體(ti)器件》現存于(yu)寧波市圖書館“地方文獻·甬(yong)籍(ji)名人名作(zuo)庫”。

貢獻影響

研究課題

從事微(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)子(zi)學(xue)領域(yu)中新(xin)(xin)器(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)、新(xin)(xin)工(gong)(gong)(gong)藝和(he)(he)(he)(he)新(xin)(xin)結構電(dian)(dian)(dian)路(lu)的(de)研究(jiu)(jiu)(jiu)。二十(shi)世紀70年(nian)代(dai)主(zhu)(zhu)持研究(jiu)(jiu)(jiu)成(cheng)(cheng)功我(wo)(wo)(wo)國(guo)第一塊3種類(lei)型1024位(wei)MOS動(dong)態(tai)隨機存儲器(qi),是我(wo)(wo)(wo)國(guo)硅(gui)(gui)柵(zha)(zha)N溝道MOS技(ji)(ji)術(shu)開(kai)(kai)拓者(zhe)之(zhi)一。80年(nian)代(dai)提(ti)出(chu)了(le)多(duo)晶(jing)硅(gui)(gui)薄膜(mo)"應力增強"氧化模(mo)(mo)型、工(gong)(gong)(gong)程應用(yong)方(fang)(fang)程和(he)(he)(he)(he)摻雜濃(nong)度(du)與(yu)遷移率的(de)關系(xi)，被國(guo)際同行(xing)認為(wei)"在(zai)微(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)子(zi)領域(yu)處理了(le)一個對(dui)(dui)許多(duo)研究(jiu)(jiu)(jiu)者(zhe)都有重要(yao)(yao)意義的(de)問題"，"對(dui)(dui)實踐有重要(yao)(yao)的(de)指導(dao)意義"。研究(jiu)(jiu)(jiu)了(le)亞微(wei)(wei)米(mi)和(he)(he)(he)(he)深亞微(wei)(wei)米(mi)CMOS電(dian)(dian)(dian)路(lu)的(de)硅(gui)(gui)化物/多(duo)晶(jing)硅(gui)(gui)復合柵(zha)(zha)結構；發(fa)(fa)現磷摻雜對(dui)(dui)固相外延速率增強效(xiao)應以及(ji)CoSi2柵(zha)(zha)對(dui)(dui)器(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)抗輻照(zhao)特性的(de)改(gai)(gai)進(jin)(jin)作用(yong)；90年(nian)代(dai)在(zai)SOI/CMOS器(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)模(mo)(mo)型和(he)(he)(he)(he)電(dian)(dian)(dian)路(lu)模(mo)(mo)擬(ni)工(gong)(gong)(gong)作方(fang)(fang)面，提(ti)出(chu)了(le)SOI器(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)浮體(ti)效(xiao)應模(mo)(mo)型和(he)(he)(he)(he)通過改(gai)(gai)變器(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)參量抑制浮體(ti)效(xiao)應的(de)工(gong)(gong)(gong)藝設(she)計(ji)技(ji)(ji)術(shu)，擴充了(le)SPICE模(mo)(mo)擬(ni)軟件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)。在(zai)SOI/CMOS新(xin)(xin)結構電(dian)(dian)(dian)路(lu)研究(jiu)(jiu)(jiu)方(fang)(fang)面，開(kai)(kai)發(fa)(fa)了(le)新(xin)(xin)的(de)深亞微(wei)(wei)米(mi)器(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)模(mo)(mo)型和(he)(he)(he)(he)電(dian)(dian)(dian)路(lu)模(mo)(mo)擬(ni)方(fang)(fang)法，研究(jiu)(jiu)(jiu)成(cheng)(cheng)功了(le)多(duo)種新(xin)(xin)型器(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)和(he)(he)(he)(he)電(dian)(dian)(dian)路(lu)；與(yu)合作者(zhe)一起(qi)(qi)提(ti)出(chu)了(le)超(chao)高速多(duo)晶(jing)硅(gui)(gui)發(fa)(fa)射極晶(jing)體(ti)管的(de)新(xin)(xin)的(de)解析模(mo)(mo)型，開(kai)(kai)發(fa)(fa)了(le)成(cheng)(cheng)套的(de)先進(jin)(jin)雙極集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)工(gong)(gong)(gong)藝技(ji)(ji)術(shu)；這對(dui)(dui)獨立自(zi)主(zhu)(zhu)發(fa)(fa)展(zhan)我(wo)(wo)(wo)國(guo)集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)產(chan)業(ye)具有重要(yao)(yao)意義。90年(nian)代(dai)后期(qi)(qi)開(kai)(kai)始研究(jiu)(jiu)(jiu)微(wei)(wei)機電(dian)(dian)(dian)系(xi)統(tong)（MEMS），任微(wei)(wei)米(mi)/納米(mi)加工(gong)(gong)(gong)技(ji)(ji)術(shu)國(guo)家重點(dian)實驗室(shi)主(zhu)(zhu)任，主(zhu)(zhu)持開(kai)(kai)發(fa)(fa)了(le)五套具有自(zi)主(zhu)(zhu)知(zhi)識產(chan)權的(de)MEMS工(gong)(gong)(gong)藝，開(kai)(kai)發(fa)(fa)了(le)多(duo)種新(xin)(xin)型MEMS器(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)并向產(chan)業(ye)轉化，獲得一批發(fa)(fa)明專(zhuan)(zhuan)利。近期(qi)(qi)又致力于研究(jiu)(jiu)(jiu)亞0.1μm器(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)和(he)(he)(he)(he)集(ji)成(cheng)(cheng)技(ji)(ji)術(shu)。在(zai)1986-1993年(nian)任全國(guo)ICCAD專(zhuan)(zhuan)家委員會主(zhu)(zhu)任和(he)(he)(he)(he)ICCAT專(zhuan)(zhuan)家委員會主(zhu)(zhu)任期(qi)(qi)間，領導(dao)研制成(cheng)(cheng)功了(le)我(wo)(wo)(wo)國(guo)第一個大型集(ji)成(cheng)(cheng)化的(de)ICCAD系(xi)統(tong)，使我(wo)(wo)(wo)國(guo)繼(ji)美國(guo)、日(ri)本、歐共體(ti)之(zhi)后進(jin)(jin)入能自(zi)行(xing)開(kai)(kai)發(fa)(fa)大型ICCAD工(gong)(gong)(gong)具的(de)先進(jin)(jin)國(guo)家行(xing)列；在(zai)研究(jiu)(jiu)(jiu)集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)發(fa)(fa)展(zhan)規律基礎上提(ti)出(chu)了(le)我(wo)(wo)(wo)國(guo)集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)產(chan)業(ye)和(he)(he)(he)(he)設(she)計(ji)業(ye)的(de)發(fa)(fa)展(zhan)戰(zhan)略建議。為(wei)推動(dong)我(wo)(wo)(wo)國(guo)微(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)子(zi)產(chan)業(ye)的(de)發(fa)(fa)展(zhan)，作為(wei)發(fa)(fa)起(qi)(qi)人(ren)之(zhi)一，創建了(le)中芯(xin)國(guo)際（SMIC-Semiconductor Manufacturing International Corporation）集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)制造（上海）有限公司。

人物轉折

1958年(nian)(nian)，是(shi)(shi)王(wang)陽(yang)元(yuan)人(ren)生的(de)一個(ge)關鍵(jian)轉(zhuan)折(zhe)點，因為(wei)在這(zhe)(zhe)一年(nian)(nian)他畢業(ye)(ye)留校(xiao)，再(zai)一次(ci)選擇了(le)微電子(zi)事業(ye)(ye)。這(zhe)(zhe)也印證了(le)王(wang)陽(yang)元(yuan)“傳家有道(dao)(dao)唯存(cun)厚，處事無(wu)奇但(dan)執(zhi)真”的(de)家訓(xun)。留校(xiao)的(de)王(wang)陽(yang)元(yuan)把工作(zuo)重心(xin)放在了(le)如何促(cu)進國(guo)家微電子(zi)產業(ye)(ye)發展上(shang)，經(jing)過(guo)深入(ru)的(de)調(diao)查研究(jiu)，他和同事們確(que)定(ding)了(le)“硅柵N溝(gou)道(dao)(dao)技術(shu)”的(de)研究(jiu)方向。經(jing)過(guo)近7年(nian)(nian)堅韌不拔的(de)奮(fen)斗，1975年(nian)(nian)，我國(guo)第(di)一塊1024位MOS動態隨機存(cun)儲器問(wen)世(shi)，這(zhe)(zhe)被稱(cheng)為(wei)是(shi)(shi)我國(guo)MOS集成電路技術(shu)和產業(ye)(ye)發展過(guo)程中具有里程碑意義的(de)事件(jian)，它(ta)比Intel公司(si)研制的(de)硅柵N溝(gou)道(dao)(dao)MOSDRAM只晚了(le)4年(nian)(nian)，因此獲(huo)得了(le)1978年(nian)(nian)全國(guo)科學大會獎。從此，王(wang)陽(yang)元(yuan)更加認定(ding)了(le)集成電路技術(shu)對(dui)信(xin)息社會的(de)重要作(zuo)用。

微(wei)電子學(xue)和集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電路(lu)技(ji)術(shu)在上世紀80年代得到了(le)較大(da)的(de)發(fa)展，集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電路(lu)的(de)計(ji)(ji)算(suan)機輔助設(she)計(ji)(ji)技(ji)術(shu)（ICCAD）與軟件(jian)工具成(cheng)(cheng)為制約其發(fa)展的(de)障礙。鑒于中(zhong)國(guo)(guo)當時的(de)技(ji)術(shu)水平(ping)和科研條(tiao)件(jian)，中(zhong)國(guo)(guo)政府試圖通過技(ji)術(shu)引(yin)進(jin)解決這個問(wen)題，但是(shi)為了(le)不(bu)讓我(wo)國(guo)(guo)發(fa)展戰略高技(ji)術(shu),西方(fang)國(guo)(guo)家在技(ji)術(shu)和設(she)備上對我(wo)國(guo)(guo)實行封鎖(suo)禁運，技(ji)術(shu)引(yin)進(jin)的(de)問(wen)題經過多方(fang)面的(de)努力與談判都沒能成(cheng)(cheng)功，中(zhong)國(guo)(guo)決心自己(ji)開發(fa)這項技(ji)術(shu)。在這一關(guan)鍵時刻，王陽元當時作(zuo)(zuo)為訪問(wen)學(xue)者從美國(guo)(guo)回國(guo)(guo)不(bu)久，即擔任(ren)(ren)起(qi)北大(da)微(wei)電子研究(jiu)所所長(chang)的(de)職務，并被聘(pin)請擔任(ren)(ren)全國(guo)(guo)ICCAD委(wei)員會主任(ren)(ren)，主持組織集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)化ICCAD三級系統的(de)研發(fa)工作(zuo)(zuo)，開始了(le)我(wo)國(guo)(guo)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電路(lu)設(she)計(ji)(ji)自主創新的(de)新階段(duan)。

經過6年(nian)奮戰，中國第一個按軟件工(gong)程(cheng)方法開發的(de)、集成化的(de)超大(da)規模(mo)集成電路計(ji)(ji)算機(ji)輔助設計(ji)(ji)系(xi)統研制成功(gong)了。它的(de)研制成功(gong)使中國繼美國、日本、西歐之后進入到能自(zi)行開發大(da)型集成電路計(ji)(ji)算機(ji)輔助設計(ji)(ji)系(xi)統的(de)先(xian)進行列，具有完全的(de)自(zi)主知識(shi)產權。

對(dui)于自主(zhu)知識產(chan)權(quan)，王(wang)陽元還是(shi)十分重視，他(ta)說，知識產(chan)權(quan)是(shi)原始創新的(de)具體體現(xian)，一(yi)個(ge)產(chan)業的(de)持(chi)續(xu)發(fa)展必須(xu)有足(zu)(zu)夠的(de)知識產(chan)權(quan)作為(wei)其(qi)堅強(qiang)后盾。在針(zhen)對(dui)客觀(guan)需求(qiu)開展系(xi)統研究工作的(de)時候，我們決不(bu)能(neng)亦步亦趨(qu)地(di)沿著已有的(de)技術(shu)路(lu)線走下去(qu)，必須(xu)立足(zu)(zu)于創新，有所發(fa)明、有所創造(zao)。

王(wang)陽元曾任(ren)國(guo)家(jia)級微(wei)米/納米加(jia)工技術(shu)重點實驗(yan)室(shi)(shi)的(de)主(zhu)任(ren)。在(zai)實驗(yan)室(shi)(shi)建設之初，王(wang)陽元就(jiu)強調：“真正(zheng)(zheng)的(de)關鍵技術(shu)是買不來的(de)，我們必須(xu)自主(zhu)研發(fa)，從基礎層面上提(ti)升我國(guo)微(wei)機(ji)電系統的(de)研制和開(kai)發(fa)水平(ping)。”經過近(jin)十(shi)年的(de)努(nu)力，這(zhe)個實驗(yan)室(shi)(shi)建立了中國(guo)第(di)一個與集成電路(lu)加(jia)工工藝兼容的(de)微(wei)機(ji)電系統加(jia)工平(ping)臺和設計技術(shu)平(ping)臺。已經自主(zhu)開(kai)發(fa)了3套(tao)加(jia)工工藝，有6項(xiang)技術(shu)創新，已獲11項(xiang)發(fa)明(ming)(ming)專利的(de)授權，還正(zheng)(zheng)在(zai)申請29項(xiang)發(fa)明(ming)(ming)專利。

院士文集

匯集了(le)(le)王陽元(yuan)院士在(zai)(zai)1998年到(dao)2004年期間發(fa)表(biao)(biao)的(de)(de)(de)(de)重(zhong)(zhong)要論文(wen)(wen)(wen)和(he)論述(shu)，內容涉及微(wei)電(dian)(dian)子學(xue)(xue)(xue)科的(de)(de)(de)(de)發(fa)展(zhan)(zhan)(zhan)戰略研究(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)、發(fa)展(zhan)(zhan)(zhan)前沿(yan)綜述(shu)、學(xue)(xue)(xue)術(shu)(shu)論文(wen)(wen)(wen)、科學(xue)(xue)(xue)研究(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)方法論、產業(ye)建(jian)設和(he)人(ren)(ren)才培養(yang)等(deng)多個方面(mian)(mian)。在(zai)(zai)此期間里，他與合作者以及研究(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)生(sheng)共同發(fa)表(biao)(biao)了(le)(le)70余篇學(xue)(xue)(xue)術(shu)(shu)論文(wen)(wen)(wen)。本書(shu)從中精選(xuan)了(le)(le)發(fa)表(biao)(biao)在(zai)(zai)國內外重(zhong)(zhong)要學(xue)(xue)(xue)術(shu)(shu)刊物上的(de)(de)(de)(de)有(you)關SOI/CMOS器件與電(dian)(dian)路、超深亞微(wei)米器件研究(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)、MEMS研究(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)和(he)電(dian)(dian)路研究(jiu)(jiu)(jiu)(jiu)等(deng)方面(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de)36篇有(you)代表(biao)(biao)性(xing)的(de)(de)(de)(de)學(xue)(xue)(xue)術(shu)(shu)論文(wen)(wen)(wen)。這些論文(wen)(wen)(wen)和(he)論述(shu)在(zai)(zai)國內外微(wei)電(dian)(dian)子領域(yu)的(de)(de)(de)(de)學(xue)(xue)(xue)術(shu)(shu)界、教育界和(he)工業(ye)界產生(sheng)了(le)(le)深刻影響，推動了(le)(le)我國微(wei)電(dian)(dian)子科學(xue)(xue)(xue)技(ji)(ji)術(shu)(shu)和(he)產業(ye)的(de)(de)(de)(de)發(fa)展(zhan)(zhan)(zhan)，反映(ying)了(le)(le)王陽元(yuan)院士作為一(yi)位“仁(ren)智(zhi)雙馨”的(de)(de)(de)(de)戰略科學(xue)(xue)(xue)家的(de)(de)(de)(de)風貌。本書(shu)可(ke)作為高(gao)等(deng)學(xue)(xue)(xue)校信息技(ji)(ji)術(shu)(shu)及微(wei)電(dian)(dian)子專業(ye)師生(sheng)的(de)(de)(de)(de)參(can)考書(shu)，也(ye)可(ke)供相關領域(yu)的(de)(de)(de)(de)技(ji)(ji)術(shu)(shu)人(ren)(ren)員、科研人(ren)(ren)員及科技(ji)(ji)管理人(ren)(ren)員學(xue)(xue)(xue)習參(can)考。

中芯國際

幾十年如一(yi)日的(de)(de)研究、實踐，使王(wang)陽(yang)元(yuan)深刻(ke)地體(ti)會(hui)到微電子(zi)學最終還(huan)要(yao)服務于(yu)實踐。于(yu)是，中芯(xin)(xin)國(guo)(guo)際(ji)(ji)應時而(er)生。中芯(xin)(xin)國(guo)(guo)際(ji)(ji)成立于(yu)2000年，擁有(you)3座(zuo)(zuo)芯(xin)(xin)片(pian)代(dai)(dai)工(gong)廠(chang)，包括一(yi)座(zuo)(zuo)具有(you)后(hou)端銅(tong)互連工(gong)藝的(de)(de)代(dai)(dai)工(gong)廠(chang)。2003年，中芯(xin)(xin)國(guo)(guo)際(ji)(ji)被世(shi)界知(zhi)名的(de)(de)《半導體(ti)國(guo)(guo)際(ji)(ji)》（Semiconductor International）雜志評為全球(qiu)“2003年度(du)最佳半導體(ti)廠(chang)”之(zhi)一(yi)，并在2004年建成了我國(guo)(guo)第(di)一(yi)條大型12英寸納米級集(ji)成電路(lu)大生產(chan)線。對于(yu)中芯(xin)(xin)國(guo)(guo)際(ji)(ji)，王(wang)陽(yang)元(yuan)有(you)自(zi)己的(de)(de)評價：“中芯(xin)(xin)國(guo)(guo)際(ji)(ji)既是中國(guo)(guo)芯(xin)(xin)片(pian)制造(zao)業的(de)(de)又(you)一(yi)個里(li)(li)程碑，也不全是中國(guo)(guo)集(ji)成電路(lu)芯(xin)(xin)片(pian)制造(zao)業的(de)(de)里(li)(li)程碑。”

他解釋(shi)說，說它是里程碑(bei)(bei)(bei)是因為(wei)它把中(zhong)國(guo)集成(cheng)電路(lu)技術水(shui)平與全(quan)球(qiu)先進水(shui)平的差距由原來(lai)的4~5個(ge)技術節(jie)點(dian)縮小到1~2個(ge)，實現了中(zhong)國(guo)芯(xin)片(pian)制造業(ye)的歷史性突破；說它不是里程碑(bei)(bei)(bei)，則是因為(wei)中(zhong)芯(xin)國(guo)際還沒有(you)真正能(neng)夠掌握(wo)一(yi)大批具(ju)有(you)世界前沿水(shui)平的自主知識產(chan)權。但是，我們希望將來(lai)的中(zhong)芯(xin)國(guo)際能(neng)夠掌握(wo)國(guo)際前端技術，能(neng)在某些(xie)領(ling)域引領(ling)世界潮流，成(cheng)為(wei)又一(yi)個(ge)真正的里程碑(bei)(bei)(bei)。

在(zai)談到這(zhe)個話(hua)題(ti)的(de)(de)時候(hou)，王陽(yang)元認為中(zhong)國的(de)(de)風(feng)(feng)險(xian)投資(zi)(zi)機制尚不完善(shan)。因為科(ke)(ke)研院所的(de)(de)科(ke)(ke)技成果并不等于(yu)產(chan)品(pin)，而產(chan)品(pin)又(you)不等于(yu)商品(pin)，其(qi)中(zhong)要有一個中(zhong)間(jian)環節，即風(feng)(feng)險(xian)投資(zi)(zi)。他引(yin)用馬克思《資(zi)(zi)本論(lun)》中(zhong)的(de)(de)一句話(hua)“產(chan)品(pin)變(bian)為商品(pin)是驚險(xian)的(de)(de)一躍，其(qi)結果要么是產(chan)生利潤，要么是摔死資(zi)(zi)本家”。這(zhe)也是風(feng)(feng)險(xian)投資(zi)(zi)的(de)(de)真實寫照，所以，風(feng)(feng)險(xian)投資(zi)(zi)必須建立退出機制。同時國家應相應地(di)降低(di)企(qi)業上市的(de)(de)門檻，尤其(qi)是高新(xin)技術(shu)企(qi)業，讓更多(duo)的(de)(de)企(qi)業可(ke)以得到融(rong)資(zi)(zi)。我(wo)國高新(xin)技術(shu)企(qi)業的(de)(de)平均壽命是兩(liang)年左右，其(qi)中(zhong)很(hen)重要的(de)(de)因素是沒有資(zi)(zi)金的(de)(de)支(zhi)持。

作為(wei)微(wei)(wei)(wei)電子(zi)(zi)學(xue)界的(de)一位領軍人物(wu)，王陽元對中國微(wei)(wei)(wei)電子(zi)(zi)技術(shu)(shu)(shu)(shu)的(de)發展(zhan)充(chong)滿信心，他(ta)說(shuo)，未來我國微(wei)(wei)(wei)電子(zi)(zi)技術(shu)(shu)(shu)(shu)將通過與(yu)(yu)其(qi)他(ta)學(xue)科(ke)更密切(qie)的(de)結(jie)合產生(sheng)(sheng)新的(de)產業。微(wei)(wei)(wei)電子(zi)(zi)技術(shu)(shu)(shu)(shu)的(de)強(qiang)大(da)生(sheng)(sheng)命力在于它可(ke)以低成本、大(da)批量地生(sheng)(sheng)產出具有高可(ke)靠性和(he)高精度的(de)微(wei)(wei)(wei)電子(zi)(zi)芯(xin)片(pian)。這種技術(shu)(shu)(shu)(shu)一旦與(yu)(yu)其(qi)他(ta)學(xue)科(ke)相結(jie)合，便會誕生(sheng)(sheng)出一系(xi)列嶄(zhan)新的(de)學(xue)科(ke)和(he)重大(da)的(de)經濟增(zeng)長點，作為(wei)與(yu)(yu)微(wei)(wei)(wei)電子(zi)(zi)技術(shu)(shu)(shu)(shu)成功(gong)結(jie)合的(de)典(dian)型例子(zi)(zi)便是(shi)(shi)MEMS（微(wei)(wei)(wei)機(ji)電系(xi)統(tong)）技術(shu)(shu)(shu)(shu)或稱(cheng)微(wei)(wei)(wei)系(xi)統(tong)技術(shu)(shu)(shu)(shu)和(he)生(sheng)(sheng)物(wu)芯(xin)片(pian)等。前者是(shi)(shi)微(wei)(wei)(wei)電子(zi)(zi)技術(shu)(shu)(shu)(shu)與(yu)(yu)機(ji)械、光學(xue)等領域結(jie)合而誕生(sheng)(sheng)的(de)，后者則是(shi)(shi)與(yu)(yu)生(sheng)(sheng)物(wu)工(gong)程技術(shu)(shu)(shu)(shu)結(jie)合的(de)產物(wu)。

微(wei)(wei)電(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)機(ji)(ji)械(xie)(xie)系(xi)(xi)統(tong)就是(shi)微(wei)(wei)電(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)技(ji)(ji)術(shu)(shu)的拓寬和延(yan)伸，它(ta)將微(wei)(wei)電(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)技(ji)(ji)術(shu)(shu)和精密(mi)機(ji)(ji)械(xie)(xie)加工技(ji)(ji)術(shu)(shu)相(xiang)互(hu)融合，實現了微(wei)(wei)電(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)與(yu)機(ji)(ji)械(xie)(xie)融為一體的系(xi)(xi)統(tong)。MEMS將電(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)系(xi)(xi)統(tong)和外部(bu)世界聯系(xi)(xi)起來，它(ta)不(bu)僅可以(yi)(yi)感受運動、光、聲、熱、磁等(deng)自然(ran)界的外部(bu)信號(hao)(hao)，把這(zhe)些信號(hao)(hao)轉換成電(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)系(xi)(xi)統(tong)可以(yi)(yi)認識的電(dian)(dian)信號(hao)(hao)，而且還可以(yi)(yi)通過電(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)系(xi)(xi)統(tong)控制這(zhe)些信號(hao)(hao)，發出指令并完成該(gai)指令。從廣義上(shang)講，MEMS是(shi)指集(ji)微(wei)(wei)型傳感器(qi)、微(wei)(wei)型執行(xing)器(qi)、信號(hao)(hao)處理(li)和控制電(dian)(dian)路、接口電(dian)(dian)路、通信系(xi)(xi)統(tong)以(yi)(yi)及電(dian)(dian)源于(yu)一體的微(wei)(wei)型機(ji)(ji)電(dian)(dian)系(xi)(xi)統(tong)。MEMS技(ji)(ji)術(shu)(shu)是(shi)一種典型的多(duo)學(xue)科交叉的前沿(yan)性研究領(ling)(ling)域，它(ta)幾乎涉及到自然(ran)及工程科學(xue)的所有領(ling)(ling)域，如電(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)技(ji)(ji)術(shu)(shu)、機(ji)(ji)械(xie)(xie)技(ji)(ji)術(shu)(shu)、光學(xue)、物理(li)學(xue)、化學(xue)、生物醫學(xue)、材料科學(xue)、能源科學(xue)等(deng)。

集(ji)成(cheng)電(dian)路作為一項技術發明，極大地改變了人類的(de)生活方(fang)式和生產方(fang)式，對(dui)社會的(de)進步起到了重大作用。我國(guo)集(ji)成(cheng)電(dian)路的(de)市(shi)場(chang)規模(mo)世界(jie)(jie)第(di)一、市(shi)場(chang)增長(chang)速度(du)世界(jie)(jie)第(di)一，但是(shi)外(wai)貿逆(ni)差(cha)也是(shi)國(guo)內第(di)一。

開拓者

中(zhong)國(guo)(guo)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路技術(shu)和產(chan)業(ye)從20世紀五六十年(nian)(nian)代(dai)剛剛起步的半導體研究，到“文(wen)革(ge)”時期與國(guo)(guo)際學(xue)術(shu)界基本(ben)隔(ge)離(li)，再到八九十年(nian)(nian)代(dai)艱(jian)辛地(di)挑(tiao)戰(zhan)國(guo)(guo)際前沿(yan)，終于開始(shi)了(le)飛躍式(shi)地(di)發展，引起了(le)世界的關(guan)注。面(mian)對中(zhong)國(guo)(guo)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路令人(ren)興(xing)奮(fen)的成(cheng)(cheng)績，作為中(zhong)國(guo)(guo)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路產(chan)業(ye)的開拓者之一，中(zhong)國(guo)(guo)科(ke)學(xue)院院士王陽元有(you)自己的看(kan)法：“中(zhong)國(guo)(guo)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路能(neng)取得這樣(yang)的成(cheng)(cheng)績固(gu)然令人(ren)興(xing)奮(fen)，但是我們也面(mian)臨著前所(suo)未有(you)的挑(tiao)戰(zhan)。自主知識產(chan)權(quan)缺(que)(que)少(shao)、科(ke)技成(cheng)(cheng)果產(chan)業(ye)化(hua)率低、研究人(ren)員缺(que)(que)乏等都是我們亟須解決的問題。”

自主知識(shi)產(chan)權是(shi)形成集(ji)成電(dian)路(lu)產(chan)業(ye)(ye)核(he)心競爭力的關鍵(jian)。集(ji)成電(dian)路(lu)產(chan)業(ye)(ye)是(shi)資金(jin)高投入、技(ji)(ji)術高密(mi)集(ji)、高度國(guo)(guo)際(ji)化的產(chan)業(ye)(ye)，但真正阻礙后(hou)發國(guo)(guo)家進(jin)入國(guo)(guo)際(ji)集(ji)成電(dian)路(lu)產(chan)業(ye)(ye)領域的是(shi)技(ji)(ji)術。不能在產(chan)品設(she)計和制造工藝(yi)技(ji)(ji)術上擁有一批自主知識(shi)產(chan)權，就永遠難以在國(guo)(guo)際(ji)市(shi)場中生存與(yu)發展(zhan)。

在我(wo)國建設創(chuang)新型國家(jia)的(de)(de)背(bei)景(jing)下(xia)，自(zi)主知識產(chan)(chan)(chan)權、技術(shu)產(chan)(chan)(chan)業(ye)化尤(you)為(wei)重要，在微電子領(ling)域，王陽元提出(chu)了“產(chan)(chan)(chan)前(qian)研(yan)(yan)(yan)發(fa)聯(lian)盟”的(de)(de)設想。產(chan)(chan)(chan)前(qian)研(yan)(yan)(yan)發(fa)聯(lian)盟，將實行“官、產(chan)(chan)(chan)、學、研(yan)(yan)(yan)、用(yong)(yong)”相結合，背(bei)靠高校與科研(yan)(yan)(yan)機構的(de)(de)基(ji)礎和應用(yong)(yong)基(ji)礎研(yan)(yan)(yan)究(jiu)，面向產(chan)(chan)(chan)業(ye)發(fa)展大生產(chan)(chan)(chan)的(de)(de)關鍵(jian)技術(shu)需要，能提高自(zi)主創(chuang)新的(de)(de)核(he)(he)心競(jing)爭力，開發(fa)為(wei)下(xia)一代集成(cheng)電路發(fa)展(當前(qian)可定(ding)位在45~22納米)提供(gong)企業(ye)所需要的(de)(de)產(chan)(chan)(chan)前(qian)核(he)(he)心技術(shu)、專利，并培養相應的(de)(de)人才。

王(wang)陽元(yuan)認為(wei)(wei)(wei)，科技創(chuang)新(xin)的背后是體(ti)制(zhi)、機制(zhi)創(chuang)新(xin)的問題，科技創(chuang)新(xin)與機制(zhi)創(chuang)新(xin)互為(wei)(wei)(wei)動力、互為(wei)(wei)(wei)因(yin)果，新(xin)的科技創(chuang)新(xin)會催生與之相適應的新(xin)型機制(zhi)，同時也(ye)要(yao)依賴(lai)于機制(zhi)的不斷(duan)(duan)進步；而新(xin)的機制(zhi)創(chuang)新(xin)所形成的有利(li)因(yin)素也(ye)可以(yi)促(cu)使更多的科技創(chuang)新(xin)成果不斷(duan)(duan)涌現。所以(yi)，產前研發聯盟要(yao)想做好，首先(xian)要(yao)在體(ti)制(zhi)與運(yun)作(zuo)模式上(shang)下功(gong)夫。

產前(qian)研(yan)(yan)發聯盟(meng)會采(cai)取(qu)不(bu)以盈(ying)利為(wei)主(zhu)要目的(de)(de)公司運作機制。以政(zheng)府為(wei)主(zhu)導(包括中(zhong)央政(zheng)府和(he)地方(fang)政(zheng)府)，實行企(qi)業、大學(xue)、研(yan)(yan)究所及主(zhu)要應用(yong)部(bu)門等共同組建的(de)(de)股份(fen)制獨(du)立法人單位。產前(qian)研(yan)(yan)發聯盟(meng)采(cai)用(yong)開(kai)(kai)放模式，不(bu)僅向國(guo)(guo)內(nei)企(qi)業、研(yan)(yan)究單位開(kai)(kai)放，而且向國(guo)(guo)際開(kai)(kai)放，以提高國(guo)(guo)際間合作。它能(neng)夠激發原(yuan)始創(chuang)新能(neng)力、能(neng)夠通過(guo)整合資源(yuan)形成集成創(chuang)新能(neng)力和(he)通過(guo)引進消化吸收形成再創(chuang)新能(neng)力的(de)(de)較好組織形式；是符合自主(zhu)創(chuang)新戰略(lve)目標的(de)(de)，企(qi)業為(wei)主(zhu)體、產學(xue)研(yan)(yan)結(jie)合的(de)(de)集約化技(ji)術(shu)(shu)創(chuang)新體系(xi)；是能(neng)夠在較短的(de)(de)時間內(nei)實現關鍵技(ji)術(shu)(shu)和(he)核心技(ji)術(shu)(shu)突破的(de)(de)、控制和(he)降低對國(guo)(guo)外資源(yuan)依賴程度(du)的(de)(de)有效(xiao)戰略(lve)舉措；是加速(su)科技(ji)成果向現實生產力轉化的(de)(de)新型紐帶和(he)橋(qiao)梁。