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主要經歷

1935年元旦，王陽元出生于浙江寧波柴橋鎮一個(ge)普通勞(lao)動(dong)者的(de)家(jia)庭，由于是在陽歷年元旦出生，祖父為(wei)他(ta)起(qi)名陽元。

1941年，王(wang)陽元在柴橋小學學習(xi)，從上小學起，就刻苦用功，各科學習(xi)成(cheng)績(ji)年年都名列前茅。

1947年，王(wang)陽元小學(xue)畢業，并且以寧(ning)(ning)(ning)波市鎮海區統考(kao)第一(yi)名(ming)(ming)的(de)(de)(de)成績考(kao)上了(le)(le)省立寧(ning)(ning)(ning)波中學(xue)，在(zai)中學(xue)時期，他不(bu)僅養成了(le)(le)健康(kang)的(de)(de)(de)生(sheng)活和學(xue)習習慣(guan)，還樹立了(le)(le)要成為(wei)一(yi)個對(dui)祖國、對(dui)人民有貢(gong)獻的(de)(de)(de)科(ke)學(xue)家的(de)(de)(de)堅定(ding)理想。在(zai)寧(ning)(ning)(ning)波中學(xue)的(de)(de)(de)時候，王(wang)陽元以其《未來(lai)的(de)(de)(de)科(ke)學(xue)家——宇耕(geng)在(zai)成長(chang)》一(yi)文聞名(ming)(ming)于(yu)全班。“宇耕(geng)”是王(wang)陽元為(wei)自己起的(de)(de)(de)筆名(ming)(ming)，意為(wei)“宇宙的(de)(de)(de)耕(geng)耘(yun)者”。

1953年，考(kao)入(ru)北(bei)京大(da)學。

1956年，周恩來總理親自(zi)主(zhu)持制定了(le)12年科學(xue)規劃(hua)后，半導體作(zuo)(zuo)(zuo)為五大(da)(da)(da)門(men)類(lei)學(xue)科之一(yi)得以重(zhong)(zhong)點發展，北大(da)(da)(da)再一(yi)次云集了(le)一(yi)大(da)(da)(da)批(pi)優秀的(de)半導體專(zhuan)家。王陽元作(zuo)(zuo)(zuo)為第一(yi)批(pi)學(xue)生被重(zhong)(zhong)點培(pei)養。其(qi)間，他學(xue)習了(le)有關半導體理論(lun)與技(ji)術的(de)多方面(mian)知識，為長期在(zai)微(wei)電子(zi)領(ling)域開展工作(zuo)(zuo)(zuo)奠定了(le)扎實(shi)的(de)基礎(chu)。

1958年，畢業于北京大(da)學物(wu)理系，之后留校任教，在北京大(da)學工作。

1982年，美國加州大學伯克(ke)利分(fen)校高級訪問學者(zhe)（至1983年）。

1995年，當選為中國科學(xue)院(yuan)信息(xi)技術(shu)科學(xue)部院(yuan)士(shi)。王(wang)陽元現為北京大(da)學(xue)信息(xi)科學(xue)技術(shu)學(xue)院(yuan)教(jiao)授（1985年）、微(wei)電子學(xue)研究院(yuan)首席科學(xue)家(jia)。

王(wang)陽(yang)元發(fa)表科(ke)研論文230多篇，出版著作(zuo)6部，現有17項重(zhong)大(da)科(ke)技(ji)成果。獲全國(guo)(guo)科(ke)學大(da)會獎、國(guo)(guo)家(jia)發(fa)明獎、國(guo)(guo)家(jia)教委科(ke)技(ji)進(jin)步(bu)一(yi)等(deng)(deng)獎、光華(hua)科(ke)技(ji)基金一(yi)等(deng)(deng)獎等(deng)(deng)共16項國(guo)(guo)家(jia)級和(he)部委級獎勵。

主要作品

70年代主持研(yan)制成(cheng)(cheng)功我(wo)國(guo)第一(yi)塊1024位MOS隨機存儲器(qi)，是我(wo)國(guo)硅柵N溝道技術開拓者之(zhi)一(yi)，此后在(zai)(zai)(zai)多(duo)晶(jing)硅薄(bo)膜物理(li)(li)和(he)(he)氧化動(dong)力學研(yan)究(jiu)(jiu)方(fang)面提(ti)出了(le)(le)(le)(le)新的(de)多(duo)晶(jing)硅氧化模(mo)型(xing)和(he)(he)氧化動(dong)力學工(gong)(gong)程(cheng)應(ying)(ying)用方(fang)程(cheng)和(he)(he)特征(zheng)參(can)數。被國(guo)際同行認為(wei)"在(zai)(zai)(zai)微(wei)電(dian)(dian)子領域處理(li)(li)了(le)(le)(le)(le)對(dui)許多(duo)工(gong)(gong)作者都有(you)(you)重(zhong)要意義的(de)課題"，“對(dui)現實工(gong)(gong)藝過程(cheng)研(yan)究(jiu)(jiu)具有(you)(you)重(zhong)要的(de)指導意義。”在(zai)(zai)(zai)絕(jue)緣(yuan)襯(chen)底(di)上(shang)生長硅單晶(jing)薄(bo)膜（Silicon On Insulator-SOI）和(he)(he)TFSOI/CMOS電(dian)(dian)路研(yan)究(jiu)(jiu)中，發(fa)現了(le)(le)(le)(le)磷摻雜(za)對(dui)固(gu)相(xiang)外(wai)延(yan)速率的(de)增強效應(ying)(ying)以及CoSi2柵對(dui)器(qi)件(jian)抗輻照特性的(de)改進作用。在(zai)(zai)(zai)SOI/CMOS器(qi)件(jian)模(mo)型(xing)和(he)(he)電(dian)(dian)路模(mo)擬(ni)工(gong)(gong)作方(fang)面，提(ti)出了(le)(le)(le)(le)SOI器(qi)件(jian)浮體效應(ying)(ying)模(mo)型(xing)和(he)(he)通(tong)過改變器(qi)件(jian)參(can)量(liang)抑(yi)制浮體效應(ying)(ying)的(de)工(gong)(gong)藝設計技術，擴充了(le)(le)(le)(le)SPICE模(mo)擬(ni)軟(ruan)件(jian)。在(zai)(zai)(zai)SOI/CMOS新結構電(dian)(dian)路研(yan)究(jiu)(jiu)方(fang)面，開發(fa)了(le)(le)(le)(le)新的(de)深(shen)亞微(wei)米器(qi)件(jian)模(mo)型(xing)和(he)(he)電(dian)(dian)路模(mo)擬(ni)方(fang)法，研(yan)究(jiu)(jiu)成(cheng)(cheng)功了(le)(le)(le)(le)多(duo)種新型(xing)器(qi)件(jian)和(he)(he)電(dian)(dian)路。在(zai)(zai)(zai)MOS絕(jue)緣(yuan)層物理(li)(li)與(yu)小尺寸器(qi)件(jian)物理(li)(li)研(yan)究(jiu)(jiu)，與(yu)合作者一(yi)起提(ti)出新的(de)預測(ce)(ce)深(shen)亞微(wei)米器(qi)件(jian)可靠(kao)性的(de)分析和(he)(he)測(ce)(ce)試(shi)方(fang)法。首次(ci)在(zai)(zai)(zai)國(guo)際上(shang)實現了(le)(le)(le)(le)有(you)(you)關陷阱電(dian)(dian)荷三個基(ji)本參(can)量(liang)（俘獲截面、面密度和(he)(he)矩心）的(de)直接測(ce)(ce)量(liang)和(he)(he)在(zai)(zai)(zai)線檢(jian)測(ce)(ce)。

在(zai)(zai)80年代和(he)90年代分(fen)別研究亞微米(mi)/深亞微米(mi)CMOS復合柵結(jie)構和(he)多(duo)(duo)晶(jing)硅發射極超(chao)(chao)高速電路，與合作(zuo)者一起在(zai)(zai)理(li)論上(shang)提出了一個(ge)新的(de)(de)、能夠更準確反映多(duo)(duo)晶(jing)硅發射極晶(jing)體管物(wu)理(li)特性的(de)(de)解析模(mo)型(xing)，被國(guo)(guo)際同行列(lie)為(wei)國(guo)(guo)際上(shang)有代表性的(de)(de)模(mo)型(xing)之一。對中國(guo)(guo)獨(du)立自(zi)主(zhu)發展超(chao)(chao)大規模(mo)集成電路產業和(he)改變我(wo)國(guo)(guo)雙(shuang)極集成電路技術落后面貌均(jun)有重要意義。

在(zai)1986-1993年任全國(guo)ICCAD專家(jia)(jia)(jia)委員會主任和ICCAT專家(jia)(jia)(jia)委員會主任期間，領導研制成功了我(wo)國(guo)第一個大型集成化的(de)(de)ICCAD系(xi)統，使我(wo)國(guo)繼美國(guo)、日本、歐(ou)共體(ti)之(zhi)后(hou)進入能自行開發大型ICCAD工具的(de)(de)先進國(guo)家(jia)(jia)(jia)行列；在(zai)研究集成電路發展(zhan)規(gui)律(lv)基礎(chu)上提出了我(wo)國(guo)集成電路產業(ye)(ye)和設計(ji)業(ye)(ye)的(de)(de)發展(zhan)方向；組織(zhi)參與了國(guo)家(jia)(jia)(jia)微電子(zi)"七·五(wu)"，"八(ba)·五(wu)"國(guo)家(jia)(jia)(jia)科技攻關。

現從事(shi)微電子學(xue)領域中新(xin)器件、新(xin)工藝和(he)新(xin)結構電路的(de)研究，發表科(ke)研論文160多篇，出版著作(zuo)6部，現有16項重大科(ke)技(ji)成果。獲全國科(ke)學(xue)大會獎、國家發明獎、國家教委(wei)科(ke)技(ji)進步一(yi)等(deng)獎、光華科(ke)技(ji)基(ji)金(jin)一(yi)等(deng)獎等(deng)共16項國家級和(he)部委(wei)級獎勵。

發表科(ke)研論(lun)文230多篇(pian)，出(chu)版著(zhu)作(zuo)6部(bu)，現有17項(xiang)重大(da)科(ke)技成果(guo)。獲全國(guo)(guo)科(ke)學大(da)會(hui)獎(jiang)(jiang)、國(guo)(guo)家發明獎(jiang)(jiang)、國(guo)(guo)家教委科(ke)技進(jin)(jin)步(bu)一等獎(jiang)(jiang)、光華科(ke)技基金(jin)一等獎(jiang)(jiang)等共16項(xiang)國(guo)(guo)家級和部(bu)委級獎(jiang)(jiang)勵。為(wei)(wei)推(tui)動(dong)我(wo)國(guo)(guo)微電(dian)子產(chan)業(ye)的(de)發展，作(zuo)為(wei)(wei)發起人(ren)之(zhi)一，創建中芯國(guo)(guo)際集成電(dian)路(lu)制造(zao)有限公(gong)司，領導(dao)建設成功了我(wo)國(guo)(guo)第一條12英寸(cun)納米級集成電(dian)路(lu)生產(chan)線，使(shi)我(wo)國(guo)(guo)集成電(dian)路(lu)大(da)生產(chan)技術水平(ping)處于國(guo)(guo)際先進(jin)(jin)水平(ping)。共培養百名碩(shuo)士(shi)(shi)、博士(shi)(shi)和博士(shi)(shi)后。發表科(ke)研論(lun)文230多篇(pian)，出(chu)版著(zhu)作(zuo)6部(bu)。

王陽元有20項(xiang)重大科(ke)(ke)(ke)技(ji)成果。1978年獲(huo)全國(guo)科(ke)(ke)(ke)學大會獎(jiang)，1991年獲(huo)國(guo)家(jia)教委科(ke)(ke)(ke)技(ji)進步(bu)一等獎(jiang)，2003年獲(huo)何梁(liang)何利科(ke)(ke)(ke)技(ji)進步(bu)獎(jiang)，2007年獲(huo)國(guo)家(jia)科(ke)(ke)(ke)技(ji)進步(bu)二等獎(jiang)，等19項(xiang)國(guo)家(jia)級(ji)和(he)部委級(ji)獎(jiang)勵。

王陽元長期(qi)擔(dan)任中國(guo)電(dian)子學(xue)會副理事長，《半導體學(xue)報》和《電(dian)子學(xue)報》（英文版）副主編。信(xin)息產業部科(ke)技(ji)委(wei)委(wei)員(電(dian)子)，美國(guo)IEEE Fellow和英國(guo)IEE Fellow等(deng)。

其著作《集(ji)成(cheng)電(dian)(dian)路(lu)工(gong)業(ye)全書》、《集(ji)成(cheng)電(dian)(dian)路(lu)工(gong)藝基礎》、《多晶(jing)硅薄膜及共在(zai)集(ji)成(cheng)電(dian)(dian)路(lu)中的應用(yong)》、《多晶(jing)硅發射極晶(jing)體(ti)管及其集(ji)成(cheng)電(dian)(dian)路(lu)》、《半導體(ti)器件》現存于(yu)寧(ning)波市圖書館“地方文獻·甬籍名人名作庫”。

貢獻影響

研究課題

從事微電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)學領(ling)域(yu)中(zhong)新器(qi)(qi)件(jian)、新工(gong)(gong)藝(yi)和(he)(he)(he)新結構(gou)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)的(de)(de)(de)(de)(de)研(yan)究(jiu)。二(er)十世(shi)紀(ji)70年代(dai)主(zhu)(zhu)(zhu)持(chi)研(yan)究(jiu)成(cheng)功(gong)我國(guo)(guo)第(di)一(yi)(yi)塊3種(zhong)類(lei)型(xing)(xing)(xing)(xing)1024位MOS動態(tai)隨機存儲(chu)器(qi)(qi),是(shi)我國(guo)(guo)硅(gui)柵(zha)N溝道MOS技術(shu)開拓者(zhe)(zhe)之(zhi)(zhi)一(yi)(yi)。80年代(dai)提出(chu)了(le)(le)多(duo)(duo)晶(jing)硅(gui)薄膜"應(ying)(ying)力增強(qiang)"氧(yang)化(hua)模(mo)型(xing)(xing)(xing)(xing)、工(gong)(gong)程應(ying)(ying)用方程和(he)(he)(he)摻雜濃度與遷移率的(de)(de)(de)(de)(de)關系，被國(guo)(guo)際同行(xing)認為"在(zai)微電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)領(ling)域(yu)處理了(le)(le)一(yi)(yi)個對許多(duo)(duo)研(yan)究(jiu)者(zhe)(zhe)都有重(zhong)要(yao)意義的(de)(de)(de)(de)(de)問題"，"對實(shi)踐(jian)有重(zhong)要(yao)的(de)(de)(de)(de)(de)指導(dao)意義"。研(yan)究(jiu)了(le)(le)亞(ya)(ya)微米(mi)和(he)(he)(he)深亞(ya)(ya)微米(mi)CMOS電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)的(de)(de)(de)(de)(de)硅(gui)化(hua)物/多(duo)(duo)晶(jing)硅(gui)復(fu)合(he)柵(zha)結構(gou)；發(fa)(fa)現磷摻雜對固(gu)相(xiang)外延(yan)速(su)率增強(qiang)效(xiao)應(ying)(ying)以及CoSi2柵(zha)對器(qi)(qi)件(jian)抗輻照特性的(de)(de)(de)(de)(de)改進(jin)(jin)作用；90年代(dai)在(zai)SOI/CMOS器(qi)(qi)件(jian)模(mo)型(xing)(xing)(xing)(xing)和(he)(he)(he)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)模(mo)擬工(gong)(gong)作方面，提出(chu)了(le)(le)SOI器(qi)(qi)件(jian)浮(fu)體(ti)效(xiao)應(ying)(ying)模(mo)型(xing)(xing)(xing)(xing)和(he)(he)(he)通過改變(bian)器(qi)(qi)件(jian)參量抑(yi)制浮(fu)體(ti)效(xiao)應(ying)(ying)的(de)(de)(de)(de)(de)工(gong)(gong)藝(yi)設(she)計技術(shu)，擴充了(le)(le)SPICE模(mo)擬軟(ruan)件(jian)。在(zai)SOI/CMOS新結構(gou)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)研(yan)究(jiu)方面，開發(fa)(fa)了(le)(le)新的(de)(de)(de)(de)(de)深亞(ya)(ya)微米(mi)器(qi)(qi)件(jian)模(mo)型(xing)(xing)(xing)(xing)和(he)(he)(he)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)模(mo)擬方法，研(yan)究(jiu)成(cheng)功(gong)了(le)(le)多(duo)(duo)種(zhong)新型(xing)(xing)(xing)(xing)器(qi)(qi)件(jian)和(he)(he)(he)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)；與合(he)作者(zhe)(zhe)一(yi)(yi)起(qi)(qi)提出(chu)了(le)(le)超(chao)高速(su)多(duo)(duo)晶(jing)硅(gui)發(fa)(fa)射極晶(jing)體(ti)管的(de)(de)(de)(de)(de)新的(de)(de)(de)(de)(de)解析模(mo)型(xing)(xing)(xing)(xing)，開發(fa)(fa)了(le)(le)成(cheng)套的(de)(de)(de)(de)(de)先進(jin)(jin)雙極集成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)工(gong)(gong)藝(yi)技術(shu)；這對獨立自(zi)主(zhu)(zhu)(zhu)發(fa)(fa)展我國(guo)(guo)集成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)產(chan)業(ye)具有重(zhong)要(yao)意義。90年代(dai)后(hou)(hou)期開始(shi)研(yan)究(jiu)微機電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)系統（MEMS），任微米(mi)/納米(mi)加(jia)工(gong)(gong)技術(shu)國(guo)(guo)家(jia)重(zhong)點(dian)實(shi)驗室主(zhu)(zhu)(zhu)任，主(zhu)(zhu)(zhu)持(chi)開發(fa)(fa)了(le)(le)五套具有自(zi)主(zhu)(zhu)(zhu)知識產(chan)權(quan)的(de)(de)(de)(de)(de)MEMS工(gong)(gong)藝(yi)，開發(fa)(fa)了(le)(le)多(duo)(duo)種(zhong)新型(xing)(xing)(xing)(xing)MEMS器(qi)(qi)件(jian)并向產(chan)業(ye)轉化(hua)，獲得一(yi)(yi)批發(fa)(fa)明(ming)專(zhuan)利。近期又致(zhi)力于研(yan)究(jiu)亞(ya)(ya)0.1μm器(qi)(qi)件(jian)和(he)(he)(he)集成(cheng)技術(shu)。在(zai)1986-1993年任全(quan)國(guo)(guo)ICCAD專(zhuan)家(jia)委員會(hui)主(zhu)(zhu)(zhu)任和(he)(he)(he)ICCAT專(zhuan)家(jia)委員會(hui)主(zhu)(zhu)(zhu)任期間，領(ling)導(dao)研(yan)制成(cheng)功(gong)了(le)(le)我國(guo)(guo)第(di)一(yi)(yi)個大(da)型(xing)(xing)(xing)(xing)集成(cheng)化(hua)的(de)(de)(de)(de)(de)ICCAD系統，使我國(guo)(guo)繼(ji)美國(guo)(guo)、日本、歐(ou)共(gong)體(ti)之(zhi)(zhi)后(hou)(hou)進(jin)(jin)入能(neng)自(zi)行(xing)開發(fa)(fa)大(da)型(xing)(xing)(xing)(xing)ICCAD工(gong)(gong)具的(de)(de)(de)(de)(de)先進(jin)(jin)國(guo)(guo)家(jia)行(xing)列(lie)；在(zai)研(yan)究(jiu)集成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)發(fa)(fa)展規律(lv)基礎上提出(chu)了(le)(le)我國(guo)(guo)集成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)產(chan)業(ye)和(he)(he)(he)設(she)計業(ye)的(de)(de)(de)(de)(de)發(fa)(fa)展戰略建(jian)議。為推動我國(guo)(guo)微電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)產(chan)業(ye)的(de)(de)(de)(de)(de)發(fa)(fa)展，作為發(fa)(fa)起(qi)(qi)人之(zhi)(zhi)一(yi)(yi)，創建(jian)了(le)(le)中(zhong)芯(xin)國(guo)(guo)際（SMIC-Semiconductor Manufacturing International Corporation）集成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)制造(zao)（上海(hai)）有限公司。

人物轉折

1958年(nian)，是(shi)王(wang)陽元(yuan)人生的一個關鍵轉折點(dian)，因為在這(zhe)(zhe)一年(nian)他畢業(ye)(ye)留校，再一次選擇了(le)微電子事業(ye)(ye)。這(zhe)(zhe)也印證(zheng)了(le)王(wang)陽元(yuan)“傳家(jia)(jia)有(you)道唯存厚，處事無奇但執真(zhen)”的家(jia)(jia)訓(xun)。留校的王(wang)陽元(yuan)把工作重(zhong)心放(fang)在了(le)如何促進國家(jia)(jia)微電子產業(ye)(ye)發展上(shang)，經過深入的調(diao)查研(yan)究，他和同事們確定了(le)“硅(gui)柵N溝(gou)道技(ji)術(shu)”的研(yan)究方向。經過近(jin)7年(nian)堅韌不拔的奮斗，1975年(nian)，我國第一塊1024位MOS動態(tai)隨機存儲器問(wen)世(shi)，這(zhe)(zhe)被稱(cheng)為是(shi)我國MOS集(ji)成電路(lu)技(ji)術(shu)和產業(ye)(ye)發展過程中具有(you)里程碑意(yi)義的事件，它比Intel公(gong)司研(yan)制的硅(gui)柵N溝(gou)道MOSDRAM只晚了(le)4年(nian)，因此(ci)獲得了(le)1978年(nian)全(quan)國科學(xue)大會獎。從此(ci)，王(wang)陽元(yuan)更加認(ren)定了(le)集(ji)成電路(lu)技(ji)術(shu)對(dui)信息社(she)會的重(zhong)要作用(yong)。

微電(dian)子學(xue)和(he)集成(cheng)電(dian)路(lu)技術(shu)在上世紀80年代得(de)到(dao)了(le)較(jiao)大(da)的(de)發展，集成(cheng)電(dian)路(lu)的(de)計(ji)算機(ji)輔(fu)助設計(ji)技術(shu)（ICCAD）與軟件(jian)(jian)工具成(cheng)為(wei)制約其發展的(de)障礙。鑒于中國(guo)當時的(de)技術(shu)水(shui)平(ping)和(he)科研條件(jian)(jian)，中國(guo)政府試(shi)圖(tu)通過(guo)技術(shu)引進(jin)解(jie)決這(zhe)個問(wen)題，但是為(wei)了(le)不讓我(wo)國(guo)發展戰略高技術(shu),西(xi)方(fang)國(guo)家在技術(shu)和(he)設備上對(dui)我(wo)國(guo)實行封鎖禁運，技術(shu)引進(jin)的(de)問(wen)題經過(guo)多方(fang)面的(de)努力與談(tan)判都沒能成(cheng)功，中國(guo)決心(xin)自己(ji)開(kai)發這(zhe)項技術(shu)。在這(zhe)一關鍵時刻(ke)，王陽元(yuan)當時作為(wei)訪問(wen)學(xue)者從美(mei)國(guo)回國(guo)不久，即擔(dan)任起北(bei)大(da)微電(dian)子研究所所長的(de)職(zhi)務(wu)，并被聘請(qing)擔(dan)任全國(guo)ICCAD委員會主(zhu)任，主(zhu)持組織(zhi)集成(cheng)化(hua)ICCAD三(san)級(ji)系統(tong)的(de)研發工作，開(kai)始了(le)我(wo)國(guo)集成(cheng)電(dian)路(lu)設計(ji)自主(zhu)創新的(de)新階段(duan)。

經過(guo)6年(nian)奮(fen)戰，中(zhong)國第一個按軟件工程方法開發的(de)、集(ji)成化的(de)超(chao)大(da)規模集(ji)成電路(lu)計算(suan)機輔助設(she)計系統研制成功了。它的(de)研制成功使中(zhong)國繼(ji)美國、日(ri)本、西歐(ou)之后進(jin)入到能自行開發大(da)型(xing)集(ji)成電路(lu)計算(suan)機輔助設(she)計系統的(de)先進(jin)行列，具有完全的(de)自主知識產(chan)權。

對于自主知識產(chan)權，王陽(yang)元還(huan)是(shi)十分(fen)重視，他說(shuo)，知識產(chan)權是(shi)原始創新的(de)(de)具體體現，一(yi)個(ge)產(chan)業的(de)(de)持續發(fa)展必(bi)須有(you)足(zu)夠的(de)(de)知識產(chan)權作為其堅(jian)強后(hou)盾。在針對客(ke)觀(guan)需求開展系統研究工作的(de)(de)時候(hou)，我們決不(bu)能亦步亦趨地沿著已有(you)的(de)(de)技術路線走下去，必(bi)須立足(zu)于創新，有(you)所發(fa)明、有(you)所創造(zao)。

王陽(yang)元曾任國(guo)家(jia)級微(wei)米/納米加(jia)工(gong)技(ji)術重(zhong)點(dian)實(shi)驗室(shi)的(de)主任。在(zai)實(shi)驗室(shi)建設(she)之(zhi)初，王陽(yang)元就(jiu)強調：“真正(zheng)的(de)關(guan)鍵技(ji)術是買不來的(de)，我(wo)們必須自主研發，從基礎層(ceng)面上提升我(wo)國(guo)微(wei)機(ji)電(dian)系(xi)統的(de)研制(zhi)和(he)開(kai)發水平(ping)。”經過(guo)近十年的(de)努力，這個實(shi)驗室(shi)建立了中國(guo)第一個與集(ji)成電(dian)路加(jia)工(gong)工(gong)藝兼容的(de)微(wei)機(ji)電(dian)系(xi)統加(jia)工(gong)平(ping)臺和(he)設(she)計技(ji)術平(ping)臺。已(yi)經自主開(kai)發了3套加(jia)工(gong)工(gong)藝，有6項(xiang)技(ji)術創新(xin)，已(yi)獲(huo)11項(xiang)發明專利的(de)授權，還正(zheng)在(zai)申(shen)請29項(xiang)發明專利。

院士文集

匯(hui)集了王陽元院士在1998年(nian)到2004年(nian)期(qi)間(jian)發(fa)表的(de)重要(yao)論(lun)(lun)(lun)文和(he)論(lun)(lun)(lun)述(shu)(shu)，內容涉及(ji)(ji)微(wei)電(dian)(dian)子(zi)(zi)學(xue)科(ke)(ke)的(de)發(fa)展戰(zhan)略(lve)研究、發(fa)展前沿綜述(shu)(shu)、學(xue)術(shu)論(lun)(lun)(lun)文、科(ke)(ke)學(xue)研究方(fang)法論(lun)(lun)(lun)、產業建設和(he)人才培(pei)養(yang)等多個方(fang)面。在此期(qi)間(jian)里，他與合作者以及(ji)(ji)研究生共同發(fa)表了70余篇學(xue)術(shu)論(lun)(lun)(lun)文。本書從中精選了發(fa)表在國內外(wai)(wai)重要(yao)學(xue)術(shu)刊物上的(de)有關(guan)SOI/CMOS器件(jian)與電(dian)(dian)路、超深亞微(wei)米器件(jian)研究、MEMS研究和(he)電(dian)(dian)路研究等方(fang)面的(de)36篇有代(dai)表性的(de)學(xue)術(shu)論(lun)(lun)(lun)文。這(zhe)些論(lun)(lun)(lun)文和(he)論(lun)(lun)(lun)述(shu)(shu)在國內外(wai)(wai)微(wei)電(dian)(dian)子(zi)(zi)領域的(de)學(xue)術(shu)界(jie)、教育界(jie)和(he)工業界(jie)產生了深刻影響，推動了我國微(wei)電(dian)(dian)子(zi)(zi)科(ke)(ke)學(xue)技術(shu)和(he)產業的(de)發(fa)展，反(fan)映了王陽元院士作為(wei)一位“仁智雙馨”的(de)戰(zhan)略(lve)科(ke)(ke)學(xue)家的(de)風(feng)貌。本書可作為(wei)高等學(xue)校信息技術(shu)及(ji)(ji)微(wei)電(dian)(dian)子(zi)(zi)專業師生的(de)參(can)考書，也可供相(xiang)關(guan)領域的(de)技術(shu)人員(yuan)(yuan)、科(ke)(ke)研人員(yuan)(yuan)及(ji)(ji)科(ke)(ke)技管理人員(yuan)(yuan)學(xue)習參(can)考。

中芯國際

幾十年(nian)(nian)如一日的(de)研究、實(shi)踐，使王(wang)陽元(yuan)深刻地體會(hui)到微(wei)電(dian)子學最終還要服務于實(shi)踐。于是(shi)，中(zhong)(zhong)芯(xin)國(guo)(guo)際(ji)(ji)應時而(er)生。中(zhong)(zhong)芯(xin)國(guo)(guo)際(ji)(ji)成立于2000年(nian)(nian)，擁有(you)(you)3座芯(xin)片代工(gong)廠，包括(kuo)一座具有(you)(you)后端銅互連工(gong)藝的(de)代工(gong)廠。2003年(nian)(nian)，中(zhong)(zhong)芯(xin)國(guo)(guo)際(ji)(ji)被世界知名的(de)《半導體國(guo)(guo)際(ji)(ji)》（Semiconductor International）雜志評為(wei)全球“2003年(nian)(nian)度最佳半導體廠”之(zhi)一，并在2004年(nian)(nian)建成了我國(guo)(guo)第一條大(da)型12英(ying)寸納米級集成電(dian)路(lu)大(da)生產線。對于中(zhong)(zhong)芯(xin)國(guo)(guo)際(ji)(ji)，王(wang)陽元(yuan)有(you)(you)自己的(de)評價：“中(zhong)(zhong)芯(xin)國(guo)(guo)際(ji)(ji)既是(shi)中(zhong)(zhong)國(guo)(guo)芯(xin)片制造業的(de)又(you)一個里程(cheng)碑，也不(bu)全是(shi)中(zhong)(zhong)國(guo)(guo)集成電(dian)路(lu)芯(xin)片制造業的(de)里程(cheng)碑。”

他解釋說(shuo)，說(shuo)它是(shi)里程碑(bei)是(shi)因為它把中(zhong)國(guo)集成電(dian)路技術水平(ping)與全球先(xian)進水平(ping)的(de)(de)差距由原來(lai)的(de)(de)4~5個(ge)技術節點縮小到(dao)1~2個(ge)，實現(xian)了中(zhong)國(guo)芯片制造業的(de)(de)歷史性突破；說(shuo)它不是(shi)里程碑(bei)，則是(shi)因為中(zhong)芯國(guo)際還沒有真(zhen)正(zheng)能(neng)夠(gou)掌握一大(da)批具有世界(jie)前(qian)沿水平(ping)的(de)(de)自(zi)主(zhu)知識產(chan)權。但是(shi)，我們希望將來(lai)的(de)(de)中(zhong)芯國(guo)際能(neng)夠(gou)掌握國(guo)際前(qian)端技術，能(neng)在(zai)某些(xie)領(ling)(ling)域引(yin)領(ling)(ling)世界(jie)潮流，成為又一個(ge)真(zhen)正(zheng)的(de)(de)里程碑(bei)。

在談到這(zhe)個話(hua)題的(de)時候，王陽元認為(wei)中(zhong)(zhong)國(guo)的(de)風險(xian)投(tou)(tou)資(zi)(zi)機制(zhi)尚不完善。因(yin)為(wei)科研院所的(de)科技(ji)成果并(bing)不等(deng)于產品(pin)，而產品(pin)又不等(deng)于商(shang)(shang)品(pin)，其(qi)中(zhong)(zhong)要(yao)有一個中(zhong)(zhong)間環節，即風險(xian)投(tou)(tou)資(zi)(zi)。他引用馬(ma)克思《資(zi)(zi)本論(lun)》中(zhong)(zhong)的(de)一句(ju)話(hua)“產品(pin)變(bian)為(wei)商(shang)(shang)品(pin)是(shi)(shi)驚險(xian)的(de)一躍(yue)，其(qi)結果要(yao)么是(shi)(shi)產生利潤，要(yao)么是(shi)(shi)摔(shuai)死資(zi)(zi)本家”。這(zhe)也是(shi)(shi)風險(xian)投(tou)(tou)資(zi)(zi)的(de)真實寫照，所以(yi)，風險(xian)投(tou)(tou)資(zi)(zi)必須建立退出機制(zhi)。同時國(guo)家應相應地降低(di)企(qi)業(ye)(ye)上市的(de)門檻，尤(you)其(qi)是(shi)(shi)高新技(ji)術(shu)(shu)企(qi)業(ye)(ye)，讓更(geng)多的(de)企(qi)業(ye)(ye)可以(yi)得(de)到融資(zi)(zi)。我國(guo)高新技(ji)術(shu)(shu)企(qi)業(ye)(ye)的(de)平均壽(shou)命是(shi)(shi)兩年左右，其(qi)中(zhong)(zhong)很(hen)重要(yao)的(de)因(yin)素是(shi)(shi)沒有資(zi)(zi)金的(de)支持。

作為(wei)微(wei)電(dian)(dian)子學(xue)(xue)界的(de)(de)(de)(de)一(yi)位領(ling)軍人(ren)物，王陽元對中國微(wei)電(dian)(dian)子技(ji)(ji)術(shu)的(de)(de)(de)(de)發展充滿(man)信心，他(ta)說，未(wei)來我國微(wei)電(dian)(dian)子技(ji)(ji)術(shu)將通過與(yu)其(qi)他(ta)學(xue)(xue)科(ke)更密切的(de)(de)(de)(de)結(jie)合(he)產(chan)(chan)生(sheng)(sheng)(sheng)新的(de)(de)(de)(de)產(chan)(chan)業。微(wei)電(dian)(dian)子技(ji)(ji)術(shu)的(de)(de)(de)(de)強大(da)生(sheng)(sheng)(sheng)命力在于它(ta)可(ke)以低成本、大(da)批量地生(sheng)(sheng)(sheng)產(chan)(chan)出具有高可(ke)靠性(xing)和高精(jing)度的(de)(de)(de)(de)微(wei)電(dian)(dian)子芯片。這種技(ji)(ji)術(shu)一(yi)旦與(yu)其(qi)他(ta)學(xue)(xue)科(ke)相結(jie)合(he)，便(bian)會誕(dan)生(sheng)(sheng)(sheng)出一(yi)系(xi)列嶄新的(de)(de)(de)(de)學(xue)(xue)科(ke)和重(zhong)大(da)的(de)(de)(de)(de)經濟增長點，作為(wei)與(yu)微(wei)電(dian)(dian)子技(ji)(ji)術(shu)成功結(jie)合(he)的(de)(de)(de)(de)典型例子便(bian)是(shi)MEMS（微(wei)機(ji)電(dian)(dian)系(xi)統(tong)）技(ji)(ji)術(shu)或稱微(wei)系(xi)統(tong)技(ji)(ji)術(shu)和生(sheng)(sheng)(sheng)物芯片等。前者(zhe)是(shi)微(wei)電(dian)(dian)子技(ji)(ji)術(shu)與(yu)機(ji)械、光學(xue)(xue)等領(ling)域(yu)結(jie)合(he)而誕(dan)生(sheng)(sheng)(sheng)的(de)(de)(de)(de)，后者(zhe)則是(shi)與(yu)生(sheng)(sheng)(sheng)物工程技(ji)(ji)術(shu)結(jie)合(he)的(de)(de)(de)(de)產(chan)(chan)物。

微(wei)電(dian)(dian)子(zi)機械系(xi)統(tong)就是(shi)微(wei)電(dian)(dian)子(zi)技術的(de)(de)(de)拓寬和延(yan)伸，它(ta)(ta)將微(wei)電(dian)(dian)子(zi)技術和精密機械加工技術相互融(rong)(rong)合，實現了微(wei)電(dian)(dian)子(zi)與機械融(rong)(rong)為一體的(de)(de)(de)系(xi)統(tong)。MEMS將電(dian)(dian)子(zi)系(xi)統(tong)和外(wai)(wai)部世(shi)界(jie)聯系(xi)起來，它(ta)(ta)不僅可(ke)以感受運(yun)動、光、聲、熱、磁等自然界(jie)的(de)(de)(de)外(wai)(wai)部信(xin)號，把這些(xie)信(xin)號轉(zhuan)換成(cheng)電(dian)(dian)子(zi)系(xi)統(tong)可(ke)以認(ren)識的(de)(de)(de)電(dian)(dian)信(xin)號，而且還可(ke)以通過電(dian)(dian)子(zi)系(xi)統(tong)控制(zhi)這些(xie)信(xin)號，發出指(zhi)(zhi)令并(bing)完成(cheng)該指(zhi)(zhi)令。從廣義上講，MEMS是(shi)指(zhi)(zhi)集微(wei)型(xing)傳感器(qi)、微(wei)型(xing)執行器(qi)、信(xin)號處理(li)和控制(zhi)電(dian)(dian)路(lu)、接口(kou)電(dian)(dian)路(lu)、通信(xin)系(xi)統(tong)以及(ji)電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)于一體的(de)(de)(de)微(wei)型(xing)機電(dian)(dian)系(xi)統(tong)。MEMS技術是(shi)一種典(dian)型(xing)的(de)(de)(de)多學(xue)(xue)(xue)科交叉的(de)(de)(de)前(qian)沿性研究(jiu)領(ling)(ling)域(yu)，它(ta)(ta)幾乎涉(she)及(ji)到(dao)自然及(ji)工程科學(xue)(xue)(xue)的(de)(de)(de)所有領(ling)(ling)域(yu)，如電(dian)(dian)子(zi)技術、機械技術、光學(xue)(xue)(xue)、物理(li)學(xue)(xue)(xue)、化學(xue)(xue)(xue)、生(sheng)物醫學(xue)(xue)(xue)、材料科學(xue)(xue)(xue)、能源(yuan)(yuan)科學(xue)(xue)(xue)等。

集成電路(lu)作為(wei)一項技術發明，極大地改變了人類的生(sheng)活方(fang)式和生(sheng)產方(fang)式，對(dui)社會的進步起到了重大作用。我國集成電路(lu)的市(shi)(shi)場(chang)規模(mo)世界(jie)第(di)一、市(shi)(shi)場(chang)增長速度世界(jie)第(di)一，但是外(wai)貿(mao)逆差也是國內第(di)一。

開拓者

中(zhong)國(guo)集成電(dian)路技術和產業從20世紀五六十年代剛剛起(qi)步的(de)(de)半導體研(yan)究，到“文(wen)革”時期與國(guo)際學(xue)術界基本(ben)隔離，再到八九(jiu)十年代艱(jian)辛地(di)挑戰(zhan)國(guo)際前沿，終于開始(shi)了飛(fei)躍式地(di)發(fa)展，引起(qi)了世界的(de)(de)關注。面對(dui)中(zhong)國(guo)集成電(dian)路令人(ren)興奮(fen)的(de)(de)成績，作為中(zhong)國(guo)集成電(dian)路產業的(de)(de)開拓者(zhe)之一，中(zhong)國(guo)科學(xue)院(yuan)院(yuan)士(shi)王陽元有(you)(you)自(zi)(zi)己的(de)(de)看法：“中(zhong)國(guo)集成電(dian)路能取得(de)這樣的(de)(de)成績固然令人(ren)興奮(fen)，但(dan)是我們也面臨著前所未有(you)(you)的(de)(de)挑戰(zhan)。自(zi)(zi)主知識產權缺少(shao)、科技成果產業化率低、研(yan)究人(ren)員(yuan)缺乏等都(dou)是我們亟須解決的(de)(de)問題(ti)。”

自(zi)主知識產(chan)權是(shi)形成(cheng)集成(cheng)電(dian)路(lu)產(chan)業核心競爭力的關(guan)鍵。集成(cheng)電(dian)路(lu)產(chan)業是(shi)資(zi)金高投(tou)入(ru)、技(ji)術(shu)高密集、高度國(guo)際化的產(chan)業，但真正阻(zu)礙(ai)后發國(guo)家進入(ru)國(guo)際集成(cheng)電(dian)路(lu)產(chan)業領(ling)域的是(shi)技(ji)術(shu)。不能(neng)在(zai)產(chan)品設(she)計和制造(zao)工藝技(ji)術(shu)上擁有一批自(zi)主知識產(chan)權，就永遠(yuan)難以(yi)在(zai)國(guo)際市(shi)場中生存與發展。

在我國建(jian)設創新型國家的背景下(xia)(xia)，自主(zhu)知識(shi)產權、技術產業(ye)(ye)化尤為(wei)重(zhong)要，在微電子領域，王陽(yang)元(yuan)提出(chu)了(le)“產前(qian)(qian)研(yan)發聯盟”的設想。產前(qian)(qian)研(yan)發聯盟，將實行(xing)“官(guan)、產、學、研(yan)、用(yong)”相結合，背靠(kao)高校與科研(yan)機構(gou)的基礎(chu)和應用(yong)基礎(chu)研(yan)究，面向產業(ye)(ye)發展(zhan)大(da)生產的關鍵技術需(xu)要，能提高自主(zhu)創新的核(he)心競爭力，開發為(wei)下(xia)(xia)一代集成電路發展(zhan)(當(dang)前(qian)(qian)可定位在45~22納米)提供企業(ye)(ye)所(suo)需(xu)要的產前(qian)(qian)核(he)心技術、專利，并培養相應的人(ren)才。

王陽(yang)元(yuan)認為(wei)，科技(ji)(ji)創(chuang)(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)的(de)背后是體制(zhi)(zhi)(zhi)、機(ji)(ji)制(zhi)(zhi)(zhi)創(chuang)(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)的(de)問題(ti)，科技(ji)(ji)創(chuang)(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)與機(ji)(ji)制(zhi)(zhi)(zhi)創(chuang)(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)互為(wei)動力、互為(wei)因果，新(xin)(xin)(xin)的(de)科技(ji)(ji)創(chuang)(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)會催(cui)生與之(zhi)相(xiang)適應(ying)的(de)新(xin)(xin)(xin)型(xing)機(ji)(ji)制(zhi)(zhi)(zhi)，同(tong)時(shi)也要(yao)依賴(lai)于機(ji)(ji)制(zhi)(zhi)(zhi)的(de)不(bu)斷進(jin)步(bu)；而新(xin)(xin)(xin)的(de)機(ji)(ji)制(zhi)(zhi)(zhi)創(chuang)(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)所(suo)形成的(de)有(you)利(li)因素也可(ke)以促使更多(duo)的(de)科技(ji)(ji)創(chuang)(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)成果不(bu)斷涌現。所(suo)以，產(chan)前(qian)研發聯盟(meng)要(yao)想(xiang)做(zuo)好，首先要(yao)在體制(zhi)(zhi)(zhi)與運作模式上下功夫(fu)。

產(chan)(chan)(chan)(chan)前研(yan)發聯盟(meng)會采(cai)(cai)取不以盈利為(wei)主(zhu)要目(mu)的(de)公司運(yun)作機制(zhi)(zhi)。以政(zheng)府(fu)(fu)為(wei)主(zhu)導(dao)(包括中央政(zheng)府(fu)(fu)和地方政(zheng)府(fu)(fu))，實行企業(ye)、大學、研(yan)究所及主(zhu)要應用(yong)部門等共同組(zu)(zu)建的(de)股份制(zhi)(zhi)獨(du)立(li)法人單位。產(chan)(chan)(chan)(chan)前研(yan)發聯盟(meng)采(cai)(cai)用(yong)開放(fang)模式，不僅向(xiang)國內企業(ye)、研(yan)究單位開放(fang)，而且向(xiang)國際開放(fang)，以提高國際間合作。它能夠激發原始創(chuang)新(xin)能力、能夠通過(guo)(guo)整合資源(yuan)形(xing)成集成創(chuang)新(xin)能力和通過(guo)(guo)引進(jin)消化吸收(shou)形(xing)成再(zai)創(chuang)新(xin)能力的(de)較好(hao)組(zu)(zu)織形(xing)式；是符合自主(zhu)創(chuang)新(xin)戰略(lve)目(mu)標的(de)，企業(ye)為(wei)主(zhu)體、產(chan)(chan)(chan)(chan)學研(yan)結合的(de)集約化技(ji)(ji)術創(chuang)新(xin)體系(xi)；是能夠在(zai)較短的(de)時(shi)間內實現關鍵技(ji)(ji)術和核心技(ji)(ji)術突破(po)的(de)、控制(zhi)(zhi)和降低(di)對國外(wai)資源(yuan)依(yi)賴程度的(de)有(you)效戰略(lve)舉措；是加速科技(ji)(ji)成果向(xiang)現實生產(chan)(chan)(chan)(chan)力轉化的(de)新(xin)型紐帶和橋梁。