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綜述

集(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)路(lu)，英文為Integrated Circuit，縮寫為IC；顧名思義(yi)，就(jiu)是把(ba)一(yi)(yi)定(ding)數量的常用(yong)電(dian)(dian)子元件(jian)，如(ru)電(dian)(dian)阻、電(dian)(dian)容、晶(jing)體(ti)管等，以及(ji)這(zhe)些元件(jian)之間的連線，通過半導(dao)(dao)體(ti)工藝(yi)集(ji)(ji)成(cheng)在一(yi)(yi)起的具有特(te)定(ding)功能(neng)的電(dian)(dian)路(lu)。是20世紀50年(nian)代后期(qi)到60年(nian)代發展(zhan)起來的一(yi)(yi)種(zhong)新(xin)型(xing)半導(dao)(dao)體(ti)器(qi)(qi)件(jian)。它(ta)是經過氧化(hua)、光刻、擴散(san)、外延、蒸鋁等半導(dao)(dao)體(ti)制(zhi)造工藝(yi)，把(ba)構成(cheng)具有一(yi)(yi)定(ding)功能(neng)的電(dian)(dian)路(lu)所需的半導(dao)(dao)體(ti)、電(dian)(dian)阻、電(dian)(dian)容等元件(jian)及(ji)它(ta)們之間的連接導(dao)(dao)線全部(bu)集(ji)(ji)成(cheng)在一(yi)(yi)小塊硅片上(shang)，然后焊接封裝(zhuang)在一(yi)(yi)個管殼(ke)內的電(dian)(dian)子器(qi)(qi)件(jian)。其(qi)封裝(zhuang)外殼(ke)有圓(yuan)殼(ke)式、扁平式或雙列(lie)直插式等多(duo)種(zhong)形式。集(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)路(lu)技(ji)術包括(kuo)芯片制(zhi)造技(ji)術與設計技(ji)術，主要體(ti)現在加工設備，加工工藝(yi)，封裝(zhuang)測試，批量生產及(ji)設計創新(xin)的能(neng)力上(shang)。

為什(shen)么(me)(me)會產生(sheng)(sheng)(sheng)集(ji)(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)？我(wo)們(men)知道任何發明(ming)創造(zao)(zao)背后都是有(you)驅(qu)(qu)動(dong)力的(de)(de)(de)(de)(de)，而(er)驅(qu)(qu)動(dong)力往(wang)往(wang)來(lai)(lai)(lai)源于問(wen)題。那么(me)(me)集(ji)(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)產生(sheng)(sheng)(sheng)之前的(de)(de)(de)(de)(de)問(wen)題是什(shen)么(me)(me)呢？我(wo)們(men)看一(yi)(yi)下1946年在(zai)(zai)美國誕生(sheng)(sheng)(sheng)的(de)(de)(de)(de)(de)世界(jie)上(shang)第(di)一(yi)(yi)臺電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)計(ji)算(suan)機，它(ta)是一(yi)(yi)個占(zhan)地150平方(fang)米、重達30噸的(de)(de)(de)(de)(de)龐(pang)然大(da)(da)物，里面的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)使用(yong)了(le)(le)17468只(zhi)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)、7200只(zhi)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)、10000只(zhi)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)、50萬條(tiao)線，耗(hao)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)量150千瓦。顯然，占(zhan)用(yong)面積(ji)大(da)(da)、無法移動(dong)是它(ta)最直觀和突出(chu)的(de)(de)(de)(de)(de)問(wen)題；如果能把這(zhe)(zhe)些電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)元件和連線集(ji)(ji)(ji)成(cheng)在(zai)(zai)一(yi)(yi)小塊載體(ti)(ti)上(shang)該有(you)多(duo)好(hao)！我(wo)們(men)相信，有(you)很多(duo)人(ren)思考(kao)過這(zhe)(zhe)個問(wen)題，也提(ti)出(chu)過各(ge)種(zhong)想(xiang)(xiang)法。典型的(de)(de)(de)(de)(de)如英國雷達研究(jiu)所的(de)(de)(de)(de)(de)科學家(jia)達默，他(ta)在(zai)(zai)1952年的(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)次(ci)會議上(shang)提(ti)出(chu)：可以把電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)線路(lu)中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)分(fen)立元器件，集(ji)(ji)(ji)中(zhong)(zhong)制(zhi)作在(zai)(zai)一(yi)(yi)塊半(ban)導體(ti)(ti)晶片(pian)上(shang)，一(yi)(yi)小塊晶片(pian)就(jiu)(jiu)是一(yi)(yi)個完整電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)，這(zhe)(zhe)樣(yang)一(yi)(yi)來(lai)(lai)(lai)，電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)線路(lu)的(de)(de)(de)(de)(de)體(ti)(ti)積(ji)就(jiu)(jiu)可大(da)(da)大(da)(da)縮小，可靠性(xing)大(da)(da)幅提(ti)高。這(zhe)(zhe)就(jiu)(jiu)是初期集(ji)(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)的(de)(de)(de)(de)(de)構想(xiang)(xiang)，晶體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)發明(ming)使這(zhe)(zhe)種(zhong)想(xiang)(xiang)法成(cheng)為了(le)(le)可能，1947年在(zai)(zai)美國貝爾(er)實驗室制(zhi)造(zao)(zao)出(chu)來(lai)(lai)(lai)了(le)(le)第(di)一(yi)(yi)個晶體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)，而(er)在(zai)(zai)此之前要(yao)實現電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流放大(da)(da)功(gong)(gong)能只(zhi)能依靠體(ti)(ti)積(ji)大(da)(da)、耗(hao)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)量大(da)(da)、結構脆(cui)弱(ruo)的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)。晶體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)具(ju)有(you)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)主(zhu)要(yao)功(gong)(gong)能，并且克(ke)(ke)服(fu)了(le)(le)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)述缺點，因此在(zai)(zai)晶體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)發明(ming)后，很快就(jiu)(jiu)出(chu)現了(le)(le)基于半(ban)導體(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)集(ji)(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)的(de)(de)(de)(de)(de)構想(xiang)(xiang)，也就(jiu)(jiu)很快發明(ming)出(chu)來(lai)(lai)(lai)了(le)(le)集(ji)(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)。杰(jie)克(ke)(ke)·基爾(er)比(bi)（Jack Kilby）和羅伯特(te)·諾伊斯(si)（Robert Noyce）在(zai)(zai)1958~1959期間分(fen)別發明(ming)了(le)(le)鍺集(ji)(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)和硅集(ji)(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)。

現在，集(ji)(ji)(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)已(yi)經在各(ge)行各(ge)業中發揮(hui)(hui)著非(fei)常(chang)重要的(de)(de)(de)(de)(de)作(zuo)用，是(shi)現代信息社(she)會的(de)(de)(de)(de)(de)基石。集(ji)(ji)(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)的(de)(de)(de)(de)(de)含義，已(yi)經遠遠超(chao)過了其剛誕生(sheng)時(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)定(ding)義范(fan)圍，但其最核心的(de)(de)(de)(de)(de)部分(fen)，仍(reng)然沒有(you)(you)改變(bian)，那(nei)就是(shi)“集(ji)(ji)(ji)成(cheng)”，其所衍生(sheng)出(chu)來(lai)(lai)的(de)(de)(de)(de)(de)各(ge)種學科(ke)，大(da)都是(shi)圍繞(rao)著“集(ji)(ji)(ji)成(cheng)什么”、“如(ru)何集(ji)(ji)(ji)成(cheng)”、“如(ru)何處(chu)理集(ji)(ji)(ji)成(cheng)帶來(lai)(lai)的(de)(de)(de)(de)(de)利弊”這三個問題來(lai)(lai)開(kai)展(zhan)的(de)(de)(de)(de)(de)。硅集(ji)(ji)(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)是(shi)主流(liu)，就是(shi)把實現某種功(gong)能(neng)(neng)(neng)的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)路(lu)所需(xu)的(de)(de)(de)(de)(de)各(ge)種元件都放在一(yi)(yi)(yi)塊硅片(pian)上(shang)，所形成(cheng)的(de)(de)(de)(de)(de)整體(ti)被(bei)稱作(zuo)集(ji)(ji)(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)。對于“集(ji)(ji)(ji)成(cheng)”，想(xiang)象一(yi)(yi)(yi)下我們住(zhu)過的(de)(de)(de)(de)(de)房(fang)子(zi)(zi)可能(neng)(neng)(neng)比較容易理解(jie)：很多人(ren)小時(shi)候(hou)都住(zhu)過農村的(de)(de)(de)(de)(de)房(fang)子(zi)(zi)，那(nei)時(shi)房(fang)屋(wu)(wu)的(de)(de)(de)(de)(de)主體(ti)也許(xu)就是(shi)三兩(liang)間平房(fang)，發揮(hui)(hui)著臥室(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)功(gong)能(neng)(neng)(neng)，門口的(de)(de)(de)(de)(de)小院子(zi)(zi)擺上(shang)一(yi)(yi)(yi)副桌椅，就充當客廳，旁邊還有(you)(you)個炊(chui)煙裊裊的(de)(de)(de)(de)(de)小矮(ai)屋(wu)(wu)，那(nei)是(shi)廚房(fang)，而具有(you)(you)獨特功(gong)能(neng)(neng)(neng)的(de)(de)(de)(de)(de)廁所，需(xu)要有(you)(you)一(yi)(yi)(yi)定(ding)的(de)(de)(de)(de)(de)隔離，有(you)(you)可能(neng)(neng)(neng)在房(fang)屋(wu)(wu)的(de)(de)(de)(de)(de)背后(hou)，要走上(shang)十幾(ji)米……后(hou)來(lai)(lai)，到了城市(shi)里，或者(zhe)(zhe)鄉(xiang)村城鎮化，大(da)家都住(zhu)進了樓(lou)房(fang)或者(zhe)(zhe)套(tao)房(fang)，一(yi)(yi)(yi)套(tao)房(fang)里面，有(you)(you)客廳、臥室(shi)、廚房(fang)、衛生(sheng)間、陽臺(tai)，也許(xu)只有(you)(you)幾(ji)十平方(fang)(fang)米，卻具有(you)(you)了原來(lai)(lai)占地幾(ji)百平方(fang)(fang)米的(de)(de)(de)(de)(de)農村房(fang)屋(wu)(wu)的(de)(de)(de)(de)(de)各(ge)種功(gong)能(neng)(neng)(neng)，這就是(shi)集(ji)(ji)(ji)成(cheng)。

當然(ran)現如(ru)今的(de)集成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)，其集成(cheng)度(du)遠非一套房(fang)能(neng)比擬的(de)，或許(xu)用一幢摩(mo)登大(da)樓(lou)可(ke)以(yi)更(geng)好地(di)(di)類(lei)比：地(di)(di)面上(shang)有(you)(you)商(shang)鋪、辦公、食堂、酒店式公寓，地(di)(di)下有(you)(you)幾(ji)層(ceng)(ceng)是(shi)停車(che)場，停車(che)場下面還有(you)(you)地(di)(di)基——這是(shi)集成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)的(de)布(bu)局(ju)(ju)，模擬電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)和數字(zi)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)分(fen)開，處(chu)理小(xiao)信號的(de)敏(min)感電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)與(yu)(yu)翻轉頻繁的(de)控制邏輯(ji)分(fen)開，電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)單獨放在(zai)一角(jiao)。每層(ceng)(ceng)樓(lou)的(de)房(fang)間(jian)(jian)布(bu)局(ju)(ju)不一樣，走廊(lang)也不一樣，有(you)(you)回(hui)字(zi)形的(de)、工字(zi)形的(de)、幾(ji)字(zi)形的(de)——這是(shi)集成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)器件設計，低(di)噪聲電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)中可(ke)以(yi)用折疊形狀(zhuang)或“叉指”結構的(de)晶體管(guan)來減(jian)小(xiao)結面積和柵電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻。各樓(lou)層(ceng)(ceng)直接有(you)(you)高(gao)速電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)梯可(ke)達(da)，為了效率(lv)和功能(neng)隔離，還可(ke)能(neng)有(you)(you)多部電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)梯，每部電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)梯能(neng)到的(de)樓(lou)層(ceng)(ceng)不同——這是(shi)集成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)的(de)布(bu)線，電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)線、地(di)(di)線單獨走線，負載(zai)大(da)的(de)線也寬；時鐘與(yu)(yu)信號分(fen)開；每層(ceng)(ceng)之(zhi)間(jian)(jian)布(bu)線垂直避(bi)免干擾；CPU與(yu)(yu)存儲之(zhi)間(jian)(jian)的(de)高(gao)速總線，相當于電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)梯，各層(ceng)(ceng)之(zhi)間(jian)(jian)的(de)通孔相當于電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)梯間(jian)(jian)……

特點

集成電(dian)路或稱微電(dian)路（microcircuit）、微芯片（microchip）、芯片（chip）在(zai)電(dian)子學中是一種把電(dian)路（主要包(bao)(bao)括半導(dao)體裝置，也包(bao)(bao)括被(bei)動元件(jian)等）小型化的方(fang)式，并通常制造在(zai)半導(dao)體晶(jing)圓表面上。

前述(shu)將電(dian)路(lu)制造在(zai)半(ban)導體芯片表面(mian)上的(de)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)又稱薄膜（thin-film）集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)。另有一種厚膜（thick-film）混(hun)成(cheng)(cheng)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)（hybrid integrated circuit）是由獨立半(ban)導體設備(bei)和(he)被動元(yuan)件(jian)，集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)到襯(chen)底(di)或(huo)線(xian)路(lu)板所構(gou)成(cheng)(cheng)的(de)小(xiao)型化電(dian)路(lu)。

本(ben)文是關(guan)于單片（monolithic）集成電(dian)路(lu)(lu)，即薄膜集成電(dian)路(lu)(lu)。

集(ji)成(cheng)電路(lu)具有體積(ji)小，重量(liang)輕(qing)，引出線(xian)和(he)焊(han)接(jie)點(dian)少，壽命長，可靠性高，性能好等(deng)(deng)優(you)點(dian)，同時(shi)成(cheng)本低，便于大(da)規模(mo)生產。它不僅在(zai)工、民用電子設備如收(shou)錄機、電視機、計(ji)算機等(deng)(deng)方(fang)面得(de)(de)到廣(guang)(guang)泛(fan)的(de)應(ying)用，同時(shi)在(zai)軍事、通訊、遙控等(deng)(deng)方(fang)面也得(de)(de)到廣(guang)(guang)泛(fan)的(de)應(ying)用。用集(ji)成(cheng)電路(lu)來裝配電子設備，其裝配密度比(bi)晶體管可提高幾十倍(bei)至幾千倍(bei)，設備的(de)穩定工作時(shi)間也可大(da)大(da)提高。

分類

功能結構

集成(cheng)(cheng)電路(lu)，又稱(cheng)為IC，按其功能、結構的不(bu)同，可以分為模(mo)擬集成(cheng)(cheng)電路(lu)、數字集成(cheng)(cheng)電路(lu)和數/模(mo)混合集成(cheng)(cheng)電路(lu)三(san)大類。

模(mo)擬(ni)集(ji)成(cheng)電路(lu)又稱線性電路(lu),用(yong)來產生、放大和(he)處理(li)各(ge)種模(mo)擬(ni)信號（指(zhi)幅度(du)隨時(shi)(shi)間(jian)變化(hua)的(de)(de)(de)信號。例如半導體收音機的(de)(de)(de)音頻信號、錄(lu)放機的(de)(de)(de)磁帶信號等(deng)），其輸入信號和(he)輸出信號成(cheng)比(bi)例關系。而數字(zi)集(ji)成(cheng)電路(lu)用(yong)來產生、放大和(he)處理(li)各(ge)種數字(zi)信號（指(zhi)在時(shi)(shi)間(jian)上和(he)幅度(du)上離散取值的(de)(de)(de)信號。例如5G手機、數碼相機、電腦CPU、數字(zi)電視(shi)的(de)(de)(de)邏輯(ji)控制和(he)重放的(de)(de)(de)音頻信號和(he)視(shi)頻信號）。

制作工藝

集(ji)成(cheng)電路(lu)(lu)按制(zhi)作(zuo)工藝可(ke)分(fen)為半導體集(ji)成(cheng)電路(lu)(lu)和(he)膜集(ji)成(cheng)電路(lu)(lu)。

膜集成(cheng)電(dian)(dian)(dian)路又分類厚(hou)膜集成(cheng)電(dian)(dian)(dian)路和薄膜集成(cheng)電(dian)(dian)(dian)路。

集成度高低

集成(cheng)電(dian)路(lu)按集成(cheng)度高低的不同可分為：

SSIC 小規模(mo)集成(cheng)電路(Small Scale Integrated circuits)

MSIC 中(zhong)規模(mo)集成電路(Medium Scale Integrated circuits)

LSIC 大規模集(ji)成電路(lu)(Large Scale Integrated circuits)

VLSIC 超大(da)規模(mo)集成電路(Very Large Scale Integrated circuits)

ULSIC特大規模集成電路(Ultra Large Scale Integrated circuits)

GSIC 巨大規(gui)模(mo)集(ji)成電路也被稱作極大規(gui)模(mo)集(ji)成電路或超特大規(gui)模(mo)集(ji)成電路(Giga Scale Integration)。

導電類型不同

集(ji)成電路(lu)(lu)按(an)導電類(lei)型(xing)(xing)可分為雙極(ji)型(xing)(xing)集(ji)成電路(lu)(lu)和單極(ji)型(xing)(xing)集(ji)成電路(lu)(lu)，他們都是數字集(ji)成電路(lu)(lu)。

雙極(ji)型集成(cheng)電路的制(zhi)作(zuo)工(gong)藝(yi)復雜(za)，功耗較大，代(dai)表集成(cheng)電路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等類型。單極(ji)型集成(cheng)電路的制(zhi)作(zuo)工(gong)藝(yi)簡單，功耗也較低(di)，易于制(zhi)成(cheng)大規模集成(cheng)電路，代(dai)表集成(cheng)電路有CMOS、NMOS、PMOS等類型。

按用途

集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)(lu)(lu)按用(yong)途(tu)可分(fen)為電(dian)視(shi)機(ji)用(yong)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)(lu)(lu)、音(yin)響用(yong)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)(lu)(lu)、影碟機(ji)用(yong)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)(lu)(lu)、錄像(xiang)機(ji)用(yong)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)(lu)(lu)、電(dian)腦（微機(ji)）用(yong)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)(lu)(lu)、電(dian)子琴用(yong)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)(lu)(lu)、通信用(yong)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)(lu)(lu)、照相(xiang)機(ji)用(yong)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)(lu)(lu)、遙控集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)(lu)(lu)、語(yu)言(yan)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)(lu)(lu)、報警器用(yong)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)(lu)(lu)及(ji)各(ge)種專用(yong)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)(lu)(lu)。

1.電(dian)(dian)(dian)(dian)視機用集(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)包括行、場掃(sao)描集(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)、中放集(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)、伴音集(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)、彩(cai)色(se)解(jie)碼集(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)、AV/TV轉換集(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)、開關電(dian)(dian)(dian)(dian)源集(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)、遙控集(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)、麗(li)音解(jie)碼集(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)、畫中畫處(chu)理集(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)、微處(chu)理器（CPU）集(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)、存儲器集(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)等。

2.音(yin)(yin)響(xiang)用集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電路(lu)(lu)包括AM/FM高中頻(pin)電路(lu)(lu)、立體(ti)聲解(jie)碼(ma)電路(lu)(lu)、音(yin)(yin)頻(pin)前(qian)置放大(da)電路(lu)(lu)、音(yin)(yin)頻(pin)運算(suan)放大(da)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電路(lu)(lu)、音(yin)(yin)頻(pin)功率放大(da)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電路(lu)(lu)、環繞聲處理集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電路(lu)(lu)、電平驅動集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電路(lu)(lu)，電子音(yin)(yin)量控(kong)制(zhi)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電路(lu)(lu)、延時混響(xiang)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電路(lu)(lu)、電子開(kai)關集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電路(lu)(lu)等。

3.影碟機用集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)有系統(tong)控制集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)、視頻編碼集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)、MPEG解碼集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)、音頻信號(hao)處理(li)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)、音響效(xiao)果集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)、RF信號(hao)處理(li)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)、數(shu)字信號(hao)處理(li)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)、伺(si)服集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)、電(dian)(dian)動機驅動集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)等。

4.錄像機用集成電路有系統控制集成電路、伺(si)服集成電路、驅動(dong)集成電路、音頻(pin)(pin)處(chu)理集成電路、視頻(pin)(pin)處(chu)理集成電路。

5.計算機集(ji)成(cheng)電路，包括中(zhong)央控制(zhi)單(dan)元(yuan)（CPU）、內存(cun)(cun)儲(chu)器、外存(cun)(cun)儲(chu)器、I/O控制(zhi)電路等。

6.通信集成電(dian)路

7.專業控制集成電路

按應用領域分

集(ji)成電路按應用(yong)(yong)領域(yu)可分為標準通用(yong)(yong)集(ji)成電路和(he)專(zhuan)用(yong)(yong)集(ji)成電路。

按外形分

集成電路按外形可(ke)分為(wei)圓形（金屬外殼晶體(ti)管(guan)封(feng)裝型，一般(ban)適合用于大功率）、扁平型（穩定性(xing)好，體(ti)積小(xiao)）和(he)雙列直插(cha)型。

簡史

世界集成電路發展歷史

1947年：美(mei)國貝(bei)爾實驗室的約翰·巴丁、布拉頓、肖克萊三人發明了晶體管，這(zhe)是微電子技術發展(zhan)中第一個(ge)里(li)程碑；

1950年：結型晶體(ti)管誕生

1950年： R Ohl和肖克萊發明了離子注入工藝

1951年：場效應晶(jing)體管發明

1956年：C S Fuller發明了擴散(san)工藝

1958年：仙童公司(si)Robert Noyce與(yu)德儀(yi)公司(si)基(ji)爾比間隔數(shu)月分(fen)別發明了集成電路，開創(chuang)了世(shi)界微電子(zi)學的歷史；

1960年：H H Loor和E Castellani發(fa)明了光刻工藝

1962年：美國RCA公(gong)司研制出MOS場效(xiao)應晶體管

1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術(shu)，今天，95%以上的集成電路芯(xin)片都是基于(yu)CMOS工藝

1964年：Intel摩(mo)爾提出摩(mo)爾定律，預測晶體管集成度(du)將會(hui)每18個月增加1倍

1966年：美國RCA公(gong)司(si)研制(zhi)出(chu)CMOS集成電路(lu)，并(bing)研制(zhi)出(chu)第一塊門陣列（50門），為現如今(jin)的大(da)規模集成電路(lu)發展奠定了堅(jian)實基(ji)礎，具(ju)有里(li)程碑(bei)意義

1967年：應用(yong)材料(liao)公(gong)(gong)司（Applied Materials）成立，現已成為(wei)全(quan)球最大的半導體設備制(zhi)造公(gong)(gong)司

1971年(nian)：Intel推(tui)出1kb動態隨機存儲(chu)器（DRAM），標志著大規模集成電(dian)路(lu)出現

1971年：全球(qiu)第一(yi)個(ge)微處理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工(gong)藝，這是一(yi)個(ge)里程碑式的發明(ming)

1974年：RCA公司推出第一個CMOS微處理器1802

1976年：16kb DRAM和4kb SRAM問(wen)世

1978年(nian)：64kb動態隨機存儲器誕生，不足(zu)0.5平方厘(li)米的(de)硅片(pian)上集(ji)(ji)成(cheng)了14萬(wan)個晶(jing)體管，標志著超大規模集(ji)(ji)成(cheng)電路（VLSI）時代的(de)來臨(lin)

1979年：Intel推出5MHz 8088微(wei)處理器(qi)，之(zhi)后，IBM基于(yu)8088推出全(quan)球第一臺PC

1981年：256kb DRAM和(he)64kb CMOS SRAM問世(shi)

1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM

1985年：80386微處理器問(wen)世，20MHz

1988年：16M DRAM問世，1平(ping)方厘米大(da)(da)小的硅(gui)片上集成(cheng)有3500萬個晶體管(guan)，標志著進入超大(da)(da)規模集成(cheng)電路（VLSI）階(jie)段

1989年：1Mb DRAM進入市場

1989年：486微處理器(qi)推出，25MHz，1μm工(gong)(gong)藝，后來50MHz芯片(pian)采用0.8μm工(gong)(gong)藝

1992年：64M位隨機(ji)存儲器問世

1993年：66MHz奔騰處理器(qi)推出，采用0.6μm工藝(yi)

1995年：Pentium Pro，133MHz，采用(yong)0.6-0.35μm工藝(yi)；1997年：300MHz奔(ben)騰Ⅱ問世，采用(yong)0.25μm工藝(yi)

1999年(nian)：奔騰(teng)Ⅲ問世(shi)，450MHz，采用(yong)0.25μm工藝，后(hou)采用(yong)0.18μm工藝

2000年：1Gb RAM投放市場

2000年：奔騰(teng)4問世(shi)，1.5GHz，采(cai)用(yong)0.18μm工藝(yi)

2001年(nian)(nian)：Intel宣布2001年(nian)(nian)下半年(nian)(nian)采(cai)用0.13μm工藝。

2003年(nian)：奔騰4E系列(lie)推出，采用90nm工藝。

2005年：intel酷(ku)睿2系(xi)列上(shang)市，采(cai)用(yong)65nm工藝。

2007年：基于全(quan)新45納米High-K工藝的(de)intel酷睿(rui)2E7/E8/E9上市。

2009年：intel酷(ku)睿i系列全新推出，創紀錄采用了(le)領先的32納米工(gong)藝(yi)，并且下一代(dai)22納米工(gong)藝(yi)正在研發。

我國集成電路發展歷史

我國集成電路(lu)產業誕(dan)生(sheng)于六十年代(dai)，共經(jing)歷了三(san)個發展階段：

1965年(nian)-1978年(nian)：以計算機(ji)和軍(jun)工配(pei)套(tao)為目(mu)標(biao)，以開(kai)發邏輯電(dian)路為主要產品，初步建立集成電(dian)路工業基礎及相(xiang)關設備、儀器、材料(liao)的(de)配(pei)套(tao)條件

1978年-1990年：主(zhu)要引進美(mei)國二手設備(bei)，改善集成電路裝備(bei)水平，在“治(zhi)散治(zhi)亂”的(de)同時，以消費類整機作為配套重點，較好地解決(jue)了(le)彩電集成電路的(de)國產化

1990年-2000年：以(yi)908工(gong)程、909工(gong)程為(wei)重點，以(yi)CAD為(wei)突破口(kou)，抓好科(ke)(ke)技攻(gong)關和(he)北方科(ke)(ke)研開發(fa)(fa)基(ji)地的(de)建設，為(wei)信息產(chan)業(ye)服務，集成電路行業(ye)取得了新的(de)發(fa)(fa)展。

集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)產業是對(dui)集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)產業鏈各環節市(shi)(shi)場(chang)(chang)銷(xiao)售額(e)的總體描述，它不僅(jin)僅(jin)包(bao)含集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)市(shi)(shi)場(chang)(chang)，也包(bao)括IP核市(shi)(shi)場(chang)(chang)、EDA市(shi)(shi)場(chang)(chang)、芯片(pian)代工市(shi)(shi)場(chang)(chang)、封測市(shi)(shi)場(chang)(chang)，甚(shen)至延伸至設(she)備、材料市(shi)(shi)場(chang)(chang)。

集(ji)(ji)成電(dian)路產業(ye)不再依賴CPU、存(cun)儲(chu)器等單(dan)一(yi)(yi)器件發(fa)展，移動(dong)互聯(lian)、三網融合、多(duo)(duo)屏互動(dong)、智能(neng)(neng)終端帶來了(le)多(duo)(duo)重市場(chang)空間，商業(ye)模式不斷創新為市場(chang)注入新活(huo)力(li)(li)。目(mu)前(qian)我(wo)國(guo)集(ji)(ji)成電(dian)路產業(ye)已具備一(yi)(yi)定基礎，多(duo)(duo)年來我(wo)國(guo)集(ji)(ji)成電(dian)路產業(ye)所聚(ju)集(ji)(ji)的技術創新活(huo)力(li)(li)、市場(chang)拓展能(neng)(neng)力(li)(li)、資(zi)源整合動(dong)力(li)(li)以及廣闊的市場(chang)潛(qian)力(li)(li)，為產業(ye)在未來5年～10年實(shi)現快速(su)發(fa)展、邁上新的臺階奠定了(le)基礎。

檢測常識

1、檢測前(qian)要了(le)解集(ji)成(cheng)電路(lu)及其相(xiang)關電路(lu)的(de)工作(zuo)原理

檢(jian)查和修理集(ji)成(cheng)電路(lu)(lu)(lu)前首(shou)先要(yao)熟悉所用集(ji)成(cheng)電路(lu)(lu)(lu)的(de)功能(neng)、內部電路(lu)(lu)(lu)、主要(yao)電氣參數、各引腳的(de)作(zuo)(zuo)用以及引腳的(de)正常(chang)電壓、波形與外圍(wei)元件組(zu)成(cheng)電路(lu)(lu)(lu)的(de)工作(zuo)(zuo)原理。

2、測試(shi)避免(mian)造成引腳間短路(lu)

電(dian)壓(ya)測量(liang)或用示波器(qi)探頭測試(shi)波形時，避免造(zao)成引(yin)腳間短路(lu)，最好在(zai)(zai)與引(yin)腳直接(jie)連通的(de)(de)外圍(wei)印刷電(dian)路(lu)上進行測量(liang)。任何瞬間的(de)(de)短路(lu)都容易損壞集成電(dian)路(lu)，尤(you)其(qi)在(zai)(zai)測試(shi)扁平(ping)型封裝的(de)(de)CMOS集成電(dian)路(lu)時更要加(jia)倍小心(xin)。

3、嚴禁(jin)在(zai)無隔離變壓器的(de)情況下，用已接地的(de)測(ce)試(shi)設備去接觸(chu)底板帶電的(de)電視、音響、錄像(xiang)等設備

嚴禁用外殼已接地的(de)(de)儀器設備(bei)直接測試無電(dian)(dian)源(yuan)隔離變壓器的(de)(de)電(dian)(dian)視(shi)(shi)、音響、錄像(xiang)等(deng)(deng)設備(bei)。雖然一(yi)般(ban)的(de)(de)收錄機(ji)(ji)都具有電(dian)(dian)源(yuan)變壓器，當接觸到(dao)較(jiao)特殊(shu)的(de)(de)尤其是(shi)輸出功(gong)率較(jiao)大或對采(cai)用的(de)(de)電(dian)(dian)源(yuan)性(xing)質不太了解的(de)(de)電(dian)(dian)視(shi)(shi)或音響設備(bei)時(shi)，首先要(yao)弄清該機(ji)(ji)底盤(pan)是(shi)否帶電(dian)(dian)，否則(ze)極易與底板帶電(dian)(dian)的(de)(de)電(dian)(dian)視(shi)(shi)、音響等(deng)(deng)設備(bei)造成電(dian)(dian)源(yuan)短路(lu)，波及集成電(dian)(dian)路(lu)，造成故(gu)障(zhang)的(de)(de)進(jin)一(yi)步擴大。

4、要注意(yi)電烙鐵的絕緣(yuan)性能

不允許帶(dai)電(dian)(dian)使用烙(luo)鐵(tie)焊(han)接(jie)，要確認烙(luo)鐵(tie)不帶(dai)電(dian)(dian)，最好把烙(luo)鐵(tie)的(de)外殼接(jie)地，對MOS電(dian)(dian)路更(geng)應小心，能采用6~8V的(de)低(di)壓(ya)電(dian)(dian)烙(luo)鐵(tie)就更(geng)安(an)全。

5、要保(bao)證焊接質(zhi)量

焊(han)(han)接時確實焊(han)(han)牢，焊(han)(han)錫(xi)的堆積、氣孔(kong)容易造成虛(xu)焊(han)(han)。焊(han)(han)接時間一般(ban)不超過3秒鐘，烙鐵的功率應(ying)用內熱式25W左右。已焊(han)(han)接好的集成電路(lu)(lu)要仔細(xi)查看，最好用歐姆表(biao)測(ce)量各引腳間有否短路(lu)(lu)，確認無焊(han)(han)錫(xi)粘連現(xian)象再接通(tong)電源。

6、不要輕易(yi)斷定集成電路的損壞

不要輕易地判斷集(ji)成(cheng)電(dian)(dian)路已損壞。因(yin)為(wei)集(ji)成(cheng)電(dian)(dian)路絕(jue)大多(duo)數為(wei)直(zhi)接耦合，一(yi)旦某一(yi)電(dian)(dian)路不正常(chang)，可(ke)能會(hui)導致(zhi)多(duo)處電(dian)(dian)壓變化(hua)(hua)，而這些(xie)變化(hua)(hua)不一(yi)定是(shi)集(ji)成(cheng)電(dian)(dian)路損壞引(yin)起(qi)的(de)，另外在有些(xie)情況下測得各(ge)引(yin)腳電(dian)(dian)壓與正常(chang)值相符或接近時，也不一(yi)定都(dou)能說(shuo)明集(ji)成(cheng)電(dian)(dian)路就(jiu)是(shi)好的(de)。因(yin)為(wei)有些(xie)軟(ruan)故障不會(hui)引(yin)起(qi)直(zhi)流電(dian)(dian)壓的(de)變化(hua)(hua)。

7、測試(shi)儀表(biao)內阻(zu)要(yao)大

測量(liang)(liang)集成電路(lu)引腳(jiao)直(zhi)流電壓時，應選(xuan)用(yong)表頭內(nei)阻(zu)大于20KΩ/V的萬用(yong)表，否則對某(mou)些引腳(jiao)電壓會(hui)有較(jiao)大的測量(liang)(liang)誤(wu)差。

8、要注意功(gong)率集成電(dian)路(lu)的(de)散熱

功率集(ji)成電路(lu)應散(san)熱(re)良好，不允許不帶散(san)熱(re)器而處于大功率的狀態下工作。

9、引線要合理

如需要(yao)(yao)加接外(wai)圍(wei)元件代替集成電路內部(bu)已損壞部(bu)分，應選用小(xiao)型元器件，且(qie)接線要(yao)(yao)合理以免造成不必要(yao)(yao)的寄生(sheng)耦合，尤(you)其是要(yao)(yao)處理好音頻功(gong)放集成電路和前(qian)置放大電路之間的接地端。

例如： 肖特基(ji)4輸入與非門 CT54S20MD

C—符合國家標準

T—TTL電路

54S20—肖特基雙4輸(shu)入與非門

M—‐55~125℃

D—多層(ceng)陶(tao)瓷(ci)雙列直插封裝

1、BGA

(ball grid array)

球形(xing)(xing)觸點陣(zhen)列(lie)，表(biao)面(mian)貼裝(zhuang)型(xing)封(feng)(feng)裝(zhuang)之(zhi)一(yi)。在印刷基(ji)板的(de)(de)背面(mian)按陣(zhen)列(lie)方式制(zhi)作出(chu)球形(xing)(xing)凸點用(yong)以(yi)代(dai)替引(yin)(yin)(yin)腳(jiao)，在印刷基(ji)板的(de)(de)正(zheng)面(mian)裝(zhuang)配(pei)LSI芯(xin)片(pian)，然后用(yong)模壓樹脂或灌封(feng)(feng)方法進行密封(feng)(feng)。也稱為(wei)(wei)凸點陣(zhen)列(lie)載體(ti)(PAC)。引(yin)(yin)(yin)腳(jiao)可(ke)(ke)超過200，是(shi)多引(yin)(yin)(yin)腳(jiao)LSI用(yong)的(de)(de)一(yi)種封(feng)(feng)裝(zhuang)。封(feng)(feng)裝(zhuang)本體(ti)也可(ke)(ke)做(zuo)得比QFP(四側引(yin)(yin)(yin)腳(jiao)扁平封(feng)(feng)裝(zhuang))小。例(li)如(ru)，引(yin)(yin)(yin)腳(jiao)中心(xin)距為(wei)(wei)1.5mm的(de)(de)360引(yin)(yin)(yin)腳(jiao)BGA僅(jin)為(wei)(wei)31mm見方；而(er)引(yin)(yin)(yin)腳(jiao)中心(xin)距為(wei)(wei)0.5mm的(de)(de)304引(yin)(yin)(yin)腳(jiao)QFP為(wei)(wei)40mm見方。而(er)且BGA不用(yong)擔心(xin)QFP那樣的(de)(de)引(yin)(yin)(yin)腳(jiao)變形(xing)(xing)問題（見有圖(tu)所(suo)示）。

2、BQFP

(quad flat package with bumper)

帶緩(huan)(huan)沖(chong)墊的四側引腳(jiao)扁平封裝(zhuang)。QFP封裝(zhuang)之(zhi)一，在封裝(zhuang)本體(ti)的四個角(jiao)設(she)置突(tu)起(緩(huan)(huan)沖(chong)墊)以(yi)防止(zhi)在運送過程中(zhong)引腳(jiao)發生彎(wan)曲變形。美國半導體(ti)廠(chang)家主(zhu)要在微處理器(qi)和(he)ASIC等(deng)電路(lu)中(zhong)采用此(ci)封裝(zhuang)。引腳(jiao)中(zhong)心距0.635mm，引腳(jiao)數從84到196左右(見(jian)QFP)。

3、C－

(ceramic)

表(biao)示(shi)陶瓷封裝的記號。例(li)如，CDIP表(biao)示(shi)的是陶瓷DIP。是在實際中(zhong)經常使用的記號。

4、Cerdip

用玻璃(li)密(mi)封的陶瓷雙列直插式封裝(zhuang)，用于ECL RAM，DSP(數字信(xin)號處(chu)理(li)器(qi))等(deng)電(dian)路。帶(dai)有玻璃(li)窗口的Cerdip用于紫外線擦除型EPROM以及內部(bu)帶(dai)有EPROM的微機電(dian)路等(deng)。引腳中心(xin)距(ju)2.54mm，引腳數從8到42。在日本，此封裝(zhuang)表示(shi)為DIP－G(G即玻璃(li)密(mi)封的意(yi)思(si))。

5、Cerquad

表面貼裝(zhuang)型(xing)封(feng)裝(zhuang)之一，即(ji)用(yong)下密(mi)封(feng)的陶瓷(ci)QFP，用(yong)于封(feng)裝(zhuang)DS等的邏輯LSI電路。帶有窗(chuang)口的Cerquad用(yong)于封(feng)裝(zhuang)EPRO電路。散熱性比塑(su)料(liao)QFP好，在自然空冷條(tiao)件(jian)下可容許1.5～2W的功(gong)率。但封(feng)裝(zhuang)成本比塑(su)料(liao)QFP高3～5倍。引(yin)腳(jiao)中心(xin)距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多種規(gui)格。引(yin)腳(jiao)數從(cong)32到(dao)368。

帶引(yin)腳的(de)陶瓷芯(xin)片載(zai)體，表面(mian)貼裝型封裝之一(yi)，引(yin)腳從(cong)封裝的(de)四個側面(mian)引(yin)出，呈丁字形。帶有窗口的(de)用于(yu)封裝紫外線擦(ca)除型EPROM以及帶有EPROM的(de)微機(ji)電路等。此封裝也稱為QFJ、QFJ－G(見(jian)QFJ)。

6、COB

(chip on board)

板(ban)(ban)(ban)上芯(xin)片(pian)(pian)(pian)封裝(zhuang)，是裸芯(xin)片(pian)(pian)(pian)貼裝(zhuang)技(ji)術之一(yi)，半導體(ti)芯(xin)片(pian)(pian)(pian)交接(jie)貼裝(zhuang)在印刷線(xian)(xian)路板(ban)(ban)(ban)上，芯(xin)片(pian)(pian)(pian)與基(ji)板(ban)(ban)(ban)的電(dian)(dian)氣(qi)連(lian)接(jie)用(yong)引線(xian)(xian)縫(feng)合方(fang)法(fa)(fa)實(shi)現，芯(xin)片(pian)(pian)(pian)與基(ji)板(ban)(ban)(ban)的電(dian)(dian)氣(qi)連(lian)接(jie)用(yong)引線(xian)(xian)縫(feng)合方(fang)法(fa)(fa)實(shi)現，并(bing)用(yong)樹脂(zhi)覆蓋(gai)以確保可靠(kao)性。雖然COB是最簡單(dan)的裸芯(xin)片(pian)(pian)(pian)貼裝(zhuang)技(ji)術，但它的封裝(zhuang)密度遠不(bu)如TAB和倒片(pian)(pian)(pian)焊(han)技(ji)術。

7、DFP

(dual flat package)

雙側引腳扁(bian)平(ping)封裝。是SOP的別稱(cheng)(見(jian)SOP)。以(yi)前曾有此稱(cheng)法，80年代后期已基本上不用。

8、DIC

(dual in-line ceramic package)

陶瓷(ci)DIP(含玻璃(li)密封)的別稱(見DIP).

9、DIL

(dual in-line)

DIP 的別稱(見DIP)。歐洲半導(dao)體廠家多用(yong)此名稱。

10、DIP

(dual in-line package)

雙列直插(cha)式封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)。插(cha)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)型(xing)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)之一，引(yin)(yin)腳(jiao)從(cong)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)兩(liang)(liang)側引(yin)(yin)出，封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)材料(liao)(liao)有塑(su)料(liao)(liao)和陶瓷兩(liang)(liang)種。DIP是(shi)最(zui)普及的插(cha)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)型(xing)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)，應用范圍包括標(biao)準邏輯(ji)IC，存貯器LSI，微(wei)機電路等(deng)。引(yin)(yin)腳(jiao)中心距2.54mm，引(yin)(yin)腳(jiao)數從(cong)6到64。封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)寬度通常為(wei)15.2mm。有的把寬度為(wei)7.52mm 和10.16mm 的封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)分(fen)別稱為(wei)skinny DIP 和slim DIP(窄體型(xing)DIP)。但多(duo)數情況(kuang)下并不加區分(fen)，只(zhi)簡單地統(tong)稱為(wei)DIP。另(ling)外，用低熔點(dian)玻璃(li)密封(feng)的陶瓷DIP也稱為(wei)cerdip(見cerdip)。

11、DSO

(dual small out-lint)

雙側引(yin)腳小外(wai)形封裝。SOP的(de)別稱(cheng)(見SOP)。部分半導體(ti)廠(chang)家采用此名稱(cheng)。

12、DICP

(dual tape carrier package)

雙側引(yin)腳帶(dai)載(zai)(zai)封裝。TCP(帶(dai)載(zai)(zai)封裝)之一(yi)。引(yin)腳制作在(zai)(zai)絕緣(yuan)帶(dai)上并從(cong)封裝兩側引(yin)出(chu)。由于利用(yong)的是TAB(自動(dong)帶(dai)載(zai)(zai)焊接)技術(shu)，封裝外形非常(chang)薄。常(chang)用(yong)于液(ye)晶顯示驅動(dong)LSI，但多(duo)數(shu)為定(ding)制品。另(ling)外，0.5mm厚(hou)的存儲器LSI簿形封裝正(zheng)處于開發階段。在(zai)(zai)日(ri)本，按照(zhao)EIAJ(日(ri)本電子機 械工 業)會(hui)標準規定(ding)，將(jiang)DICP 命名為DTP。

13、DIP

(dual tape carrier package)

同上。日本(ben)電子機械工業會標準(zhun)對DTCP 的命(ming)名(見(jian)DTCP)。

14、FP

(flat package)

扁(bian)平封裝(zhuang)。表面(mian)貼裝(zhuang)型(xing)封裝(zhuang)之一。QFP或SOP(見QFP和SOP)的別稱。部分半導體廠家采(cai)用此名稱。

15、flip-chip

倒焊(han)芯片(pian)(pian)。裸芯片(pian)(pian)封裝(zhuang)(zhuang)技術之一，在LSI芯片(pian)(pian)的(de)電極區(qu)制(zhi)作好金屬(shu)凸(tu)點(dian)，然(ran)后把(ba)金屬(shu)凸(tu)點(dian)與印刷基板上(shang)的(de)電極區(qu)進行壓焊(han)連接。封裝(zhuang)(zhuang)的(de)占有(you)面(mian)積基本上(shang)與芯片(pian)(pian)尺寸(cun)相(xiang)同。是所有(you)封裝(zhuang)(zhuang)技術中體積最小(xiao)、最薄的(de)一種。但如果基板的(de)熱膨脹系數與LSI芯片(pian)(pian)不同，就會在接合處(chu)產生反應，從(cong)而影響連接的(de)可靠(kao)性。因此(ci)必(bi)須(xu)用樹脂來加固(gu)LSI芯片(pian)(pian)，并使用熱膨脹系數基本相(xiang)同的(de)基板材料。

16、FQFP

(fine pitch quad flat package)

小(xiao)引腳(jiao)中(zhong)心距QFP。通常指引腳(jiao)中(zhong)心距小(xiao)于0.65mm的QFP(見QFP)。部分導導體廠家采用(yong)此名稱(cheng)。

17、CPAC

(globe top pad array carrier)

美國Motorola 公司對BGA 的別稱(見BGA)。

18、CQFP

(quad fiat package with guard ring)

帶保護(hu)環的(de)四(si)側引(yin)腳扁平(ping)封裝。塑料QFP之(zhi)一，引(yin)腳用樹(shu)脂保護(hu)環掩蔽，以防止彎(wan)曲(qu)變形(xing)。在把LSI組(zu)裝在印刷基板(ban)上(shang)之(zhi)前，從保護(hu)環處切斷引(yin)腳并使其成為海鷗翼狀(L形(xing)狀)。這種(zhong)封裝在美國Motorola公司已批量生產。引(yin)腳中心距0.5mm，引(yin)腳數最多為208左右。

19、H-

(with heat sink)

表示(shi)帶散熱器的(de)標(biao)記。例如，HSOP表示(shi)帶散熱器的(de)SOP。

20、pin grid array

(surface mount type)

表面(mian)(mian)(mian)貼裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)型PGA。通常PGA為插(cha)(cha)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)型封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)，引(yin)腳(jiao)(jiao)長約3.4mm。表面(mian)(mian)(mian)貼裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)型PGA在(zai)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)的(de)底面(mian)(mian)(mian)有(you)陳列(lie)狀的(de)引(yin)腳(jiao)(jiao)，其長度從1.5mm到2.0mm。貼裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)采用(yong)與印刷基(ji)板(ban)碰焊(han)的(de)方法，因而也(ye)稱(cheng)為碰焊(han)PGA。因為引(yin)腳(jiao)(jiao)中心距(ju)只有(you)1.27mm，比(bi)插(cha)(cha)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)型PGA小一半，所以封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)本體可制(zhi)作得不怎么大，而引(yin)腳(jiao)(jiao)數(shu)(shu)比(bi)插(cha)(cha)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)型多(duo)(duo)(250～528)，是大規模邏輯LSI用(yong)的(de)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)。封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)的(de)基(ji)材有(you)多(duo)(duo)層陶(tao)瓷(ci)基(ji)板(ban)和玻(bo)璃環氧樹脂印刷基(ji)數(shu)(shu)。以多(duo)(duo)層陶(tao)瓷(ci)基(ji)材制(zhi)作封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)已經實用(yong)化。

21、JLCC

(J-leaded chip carrier)

J形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC和帶窗口的(de)陶(tao)瓷(ci)QFJ的(de)別稱(cheng)(見CLCC和QFJ)。部分半導體廠家采用的(de)名稱(cheng)。

22、LCC

(Leadless chip carrier)

無引(yin)腳(jiao)(jiao)芯片載體。指陶(tao)瓷(ci)基板的(de)四個側面只有電極接觸而(er)無引(yin)腳(jiao)(jiao)的(de)表面貼(tie)裝(zhuang)型封裝(zhuang)。是(shi)高速和高頻IC用封裝(zhuang)，也稱為陶(tao)瓷(ci)QFN或(huo)QFN－C(見QFN)。

23、LGA

(land grid array)

觸(chu)點陳列封(feng)(feng)裝(zhuang)。即在底面(mian)制(zhi)作有(you)陣列狀(zhuang)態(tai)坦電極觸(chu)點的(de)(de)封(feng)(feng)裝(zhuang)。裝(zhuang)配時(shi)插(cha)入插(cha)座(zuo)即可(ke)。現已實用(yong)的(de)(de)有(you)227觸(chu)點(1.27mm中心距(ju))和447觸(chu)點(2.54mm中心距(ju))的(de)(de)陶瓷LGA，應用(yong)于(yu)高(gao)速邏(luo)輯(ji)LSI電路。LGA與QFP相比(bi)，能夠以比(bi)較小(xiao)的(de)(de)封(feng)(feng)裝(zhuang)容納更(geng)多的(de)(de)輸入輸出引腳。另(ling)外，由(you)于(yu)引線的(de)(de)阻抗小(xiao)，對(dui)于(yu)高(gao)速LSI是很適用(yong)的(de)(de)。但由(you)于(yu)插(cha)座(zuo)制(zhi)作復(fu)雜(za)，成(cheng)本高(gao)，90年(nian)代基(ji)本上不(bu)怎么使用(yong)。預計今后(hou)對(dui)其需(xu)求會有(you)所增加。

24、LOC

(lead on chip)

芯(xin)片上引(yin)線封(feng)裝。LSI封(feng)裝技術(shu)之一，引(yin)線框架的(de)前端處于芯(xin)片上方的(de)一種結構，芯(xin)片的(de)中心(xin)附(fu)近(jin)制作有凸焊(han)點(dian)，用引(yin)線縫合進行(xing)電氣連接(jie)。與原來把引(yin)線框架布(bu)置在芯(xin)片側面附(fu)近(jin)的(de)結構相(xiang)比(bi)，在相(xiang)同大小(xiao)的(de)封(feng)裝中容納的(de)芯(xin)片達1mm左右寬度。

25、LQFP

(low profile quad flat package)

薄型(xing)QFP。指封(feng)裝本體厚(hou)度為(wei)1.4mm的(de)QFP，是日本電子機(ji)械(xie)工業會根據制定的(de)新QFP外形規格所用的(de)名稱(cheng)。

26、L－QUAD

陶瓷(ci)QFP之一(yi)。封(feng)(feng)(feng)裝基板用(yong)(yong)氮化(hua)鋁(lv)，基導熱率比氧化(hua)鋁(lv)高7～8倍(bei)，具(ju)有較(jiao)好(hao)的散熱性。封(feng)(feng)(feng)裝的框架用(yong)(yong)氧化(hua)鋁(lv)，芯(xin)片用(yong)(yong)灌(guan)封(feng)(feng)(feng)法密封(feng)(feng)(feng)，從而抑制(zhi)了(le)(le)成本。是為邏(luo)輯(ji)LSI開(kai)發(fa)的一(yi)種封(feng)(feng)(feng)裝，在自然空冷條(tiao)件(jian)下(xia)可容許(xu)W3的功率。現已開(kai)發(fa)出了(le)(le)208引腳(jiao)(0.5mm中心距)和160引腳(jiao)(0.65mm中心距)的LSI邏(luo)輯(ji)用(yong)(yong)封(feng)(feng)(feng)裝，并于1993年10月開(kai)始投入批量(liang)生(sheng)產。

27、MCM

(multi-chip module)

多芯片組(zu)(zu)件(jian)。將多塊半導(dao)體裸芯片組(zu)(zu)裝在一塊布(bu)(bu)線基(ji)(ji)板(ban)(ban)上的(de)一種封裝。根據基(ji)(ji)板(ban)(ban)材料可分為(wei)MCM－L，MCM－C和(he)MCM－D三大類。MCM－L是使用(yong)通常的(de)玻璃(li)環(huan)氧樹脂多層印刷(shua)基(ji)(ji)板(ban)(ban)的(de)組(zu)(zu)件(jian)。布(bu)(bu)線密(mi)度不怎么(me)高(gao)，成(cheng)本較低。MCM－C是用(yong)厚膜(mo)技(ji)術形成(cheng)多層布(bu)(bu)線，以陶(tao)瓷(氧化鋁或玻璃(li)陶(tao)瓷)作為(wei)基(ji)(ji)板(ban)(ban)的(de)組(zu)(zu)件(jian)，與使用(yong)多層陶(tao)瓷基(ji)(ji)板(ban)(ban)的(de)厚膜(mo)混(hun)合IC類似。兩者無明顯差別(bie)。布(bu)(bu)線密(mi)度高(gao)于MCM－L。

MCM－D是(shi)用薄膜技術(shu)形成(cheng)(cheng)多(duo)層布(bu)線，以(yi)陶瓷(ci)(氧化鋁(lv)或氮(dan)化鋁(lv))或Si、Al作(zuo)為基板的組(zu)件(jian)。布(bu)線密謀(mou)在三種組(zu)件(jian)中是(shi)最(zui)高的，但成(cheng)(cheng)本也(ye)高。

28、MFP

(mini flat package)

小形扁平(ping)封裝。塑料SOP或(huo)SSOP的(de)別稱(cheng)(見SOP和SSOP)。部分(fen)半(ban)導(dao)體廠家(jia)采用的(de)名稱(cheng)。

29、MQFP

(metric quad flat package)

按照JEDEC(美國(guo)聯合電子設備委員會)標準對QFP進行的一(yi)種分類。指引腳中心(xin)距為(wei)0.65mm、本(ben)體厚度為(wei)3.8mm～2.0mm的標準QFP(見QFP)。

30、MQUAD

(metal quad)

美國Olin公司(si)開發的一種QFP封(feng)裝。基板與(yu)封(feng)蓋均采用鋁材，用粘(zhan)合(he)劑(ji)密封(feng)。在自然空冷(leng)條件下可容(rong)許(xu)2.5W～2.8W的功率。日本新光電氣工業公司(si)于(yu)1993年獲得特許(xu)開始(shi)生產。

31、MSP

(mini square package)

QFI 的別稱(見(jian)QFI)，在開發(fa)初期多稱為MSP。QFI是日(ri)本電子機械工(gong)業會(hui)規定的名稱。

34、OPMAC(over molded pad array carrier)

模壓樹脂密封(feng)凸點陳列載體。美國Motorola公司對模壓樹脂密封(feng)BGA采用的名稱(見BGA)。

32、P－

(plastic)

表示塑料封裝的記號。如PDIP表示塑料DIP。

33、PAC

(pad array carrier)

凸點陳列載體，BGA的別稱(見BGA)。

34、PCLP

(printed circuit board leadless package)

印刷電路板(ban)無引線封裝。日本(ben)富士(shi)通公司對塑料(liao)(liao)QFN(塑料(liao)(liao)LCC)采(cai)用的名稱(cheng)(見(jian)QFN)。引

腳中心距有0.55mm和(he)0.4mm兩種規格。

35、PFPF

(plastic flat package)

塑料扁平封(feng)裝。塑料QFP的別(bie)稱(見QFP)。部分LSI廠家采用的名(ming)稱。

36、PGA

(pin grid array)

陳列(lie)引(yin)腳(jiao)(jiao)(jiao)封(feng)裝(zhuang)。插裝(zhuang)型封(feng)裝(zhuang)之(zhi)一，其底面的(de)垂(chui)直引(yin)腳(jiao)(jiao)(jiao)呈陳列(lie)狀排列(lie)。封(feng)裝(zhuang)基材(cai)基本上都(dou)采用(yong)多(duo)層陶瓷基板。在未專門表示(shi)出(chu)材(cai)料(liao)名(ming)稱的(de)情況下(xia)，多(duo)數(shu)為(wei)陶瓷PGA，用(yong)于高速大規模(mo)邏輯LSI電路。成本較高。引(yin)腳(jiao)(jiao)(jiao)中(zhong)心距通常為(wei)2.54mm，引(yin)腳(jiao)(jiao)(jiao)數(shu)從64 到447左右。了為(wei)降低成本，封(feng)裝(zhuang)基材(cai)可(ke)用(yong)玻璃環氧樹(shu)脂印(yin)刷(shua)基板代(dai)替。也有64～256引(yin)腳(jiao)(jiao)(jiao)的(de)塑料(liao)PGA。另外(wai)，還(huan)有一種引(yin)腳(jiao)(jiao)(jiao)中(zhong)心距為(wei)1.27mm的(de)短引(yin)腳(jiao)(jiao)(jiao)表面貼裝(zhuang)型PGA(碰焊PGA)。(見表面貼裝(zhuang)型PGA)。

37、piggy back

馱載封(feng)裝(zhuang)。指配有(you)插座(zuo)(zuo)的(de)陶(tao)瓷封(feng)裝(zhuang)，形關與DIP、QFP、QFN相(xiang)似。在(zai)開發帶有(you)微機的(de)設備時(shi)用于評價(jia)程序確認(ren)操作。例(li)如，將EPROM插入插座(zuo)(zuo)進行(xing)調試。這種(zhong)封(feng)裝(zhuang)基本上(shang)都是定制品(pin)，市(shi)場上(shang)不怎么(me)流(liu)通。

38、PLCC

(plastic leaded chip carrier)

帶引(yin)(yin)(yin)線的(de)(de)塑(su)料芯(xin)片載體(ti)。表面(mian)貼(tie)裝(zhuang)型封(feng)裝(zhuang)之一。引(yin)(yin)(yin)腳(jiao)(jiao)從封(feng)裝(zhuang)的(de)(de)四個側面(mian)引(yin)(yin)(yin)出(chu)，呈丁字形(xing)(xing)(xing)，是(shi)塑(su)料制(zhi)品。美國德(de)克薩斯儀器公司首(shou)先(xian)在64k位DRAM和256kDRAM中(zhong)(zhong)采(cai)用，90年(nian)(nian)代已(yi)經(jing)普及(ji)用于邏輯(ji)(ji)LSI、DLD(或程邏輯(ji)(ji)器件電(dian)(dian)路。引(yin)(yin)(yin)腳(jiao)(jiao)中(zhong)(zhong)心距1.27mm，引(yin)(yin)(yin)腳(jiao)(jiao)數從18到84。J形(xing)(xing)(xing)引(yin)(yin)(yin)腳(jiao)(jiao)不(bu)易變形(xing)(xing)(xing)，比QFP容易操作，但焊接后的(de)(de)外觀檢查較為困難。PLCC與(yu)LCC(也稱QFN)相似(si)。以前(qian)，兩者(zhe)(zhe)的(de)(de)區別僅在于前(qian)者(zhe)(zhe)用塑(su)料，后者(zhe)(zhe)用陶(tao)瓷。但現在已(yi)經(jing)出(chu)現用陶(tao)瓷制(zhi)作的(de)(de)J形(xing)(xing)(xing)引(yin)(yin)(yin)腳(jiao)(jiao)封(feng)裝(zhuang)和用塑(su)料制(zhi)作的(de)(de)無引(yin)(yin)(yin)腳(jiao)(jiao)封(feng)裝(zhuang)(標記為塑(su)料LCC、PCLP、P－LCC等)，已(yi)經(jing)無法分(fen)辨。為此，日本電(dian)(dian)子(zi)機械工(gong)業會于1988年(nian)(nian)決定，把從四側引(yin)(yin)(yin)出(chu)J形(xing)(xing)(xing)引(yin)(yin)(yin)腳(jiao)(jiao)的(de)(de)封(feng)裝(zhuang)稱為QFJ，把在四側帶有電(dian)(dian)極凸點的(de)(de)封(feng)裝(zhuang)稱為QFN(見QFJ和QFN)。

39、P－LCC

(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)

有時候(hou)是塑(su)料QFJ的(de)別(bie)(bie)稱，有時候(hou)是QFN(塑(su)料LCC)的(de)別(bie)(bie)稱(見(jian)QFJ和QFN)。部分

LSI廠家用PLCC表示帶引線封裝，用P－LCC表示無引線封裝，以示區別。

40、QFH

(quad flat high package)

四(si)側引(yin)腳厚體扁平(ping)封裝。塑料QFP的(de)(de)一種(zhong)，為了防止封裝本體斷裂，QFP本體制作(zuo)得較厚(見QFP)。部分半導體廠家采(cai)用的(de)(de)名稱(cheng)。

41、QFI

(quadflatI-leadedpackgac)

四側I形引(yin)(yin)腳(jiao)(jiao)(jiao)扁平封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)。表面(mian)貼裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)型封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)之一(yi)。引(yin)(yin)腳(jiao)(jiao)(jiao)從封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)四個側面(mian)引(yin)(yin)出(chu)，向下呈I字(zi)。也稱為(wei)(wei)MSP(見MSP)。貼裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)與印(yin)刷基(ji)板進(jin)行碰焊連接。由于引(yin)(yin)腳(jiao)(jiao)(jiao)無(wu)突出(chu)部分，貼裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)占有面(mian)積小于QFP。日(ri)立(li)制作所為(wei)(wei)視頻(pin)模擬IC開發并使用了這種(zhong)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)。此外，日(ri)本的Motorola公司的PLLIC也采用了此種(zhong)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)。引(yin)(yin)腳(jiao)(jiao)(jiao)中心距1.27mm，引(yin)(yin)腳(jiao)(jiao)(jiao)數從18于68。

42、QFJ

(quadflatJ-leadedpackage)

四側(ce)J形(xing)引(yin)腳(jiao)扁平封裝。表面(mian)貼(tie)裝封裝之(zhi)一。引(yin)腳(jiao)從封裝四個側(ce)面(mian)引(yin)出，向(xiang)下呈J字形(xing)。是日(ri)本電子(zi)機械工業(ye)會規定的名稱(cheng)。引(yin)腳(jiao)中心距(ju)1.27mm。

材料有(you)塑(su)(su)料和陶瓷兩種。塑(su)(su)料QFJ多數情(qing)況稱為PLCC(見PLCC)，用于微機、門陳列、DRAM、ASSP、OTP等電路(lu)。引腳數從(cong)18至84。

陶瓷QFJ也(ye)稱為CLCC、JLCC(見CLCC)。帶(dai)窗口(kou)的封裝用(yong)于紫外線(xian)擦除型EPROM以及帶(dai)有(you)EPROM的微機(ji)芯(xin)片電路。引(yin)腳(jiao)數從(cong)32至84。

43、QFN

(quadflatnon-leadedpackage)

集成電路

集成電路

四側無(wu)引(yin)腳扁平封(feng)裝(zhuang)。表面貼(tie)裝(zhuang)型封(feng)裝(zhuang)之一。90年代(dai)后期(qi)多(duo)稱為LCC。QFN是(shi)日本(ben)(ben)電(dian)(dian)子機械工業會規定的名稱。封(feng)裝(zhuang)四側配置有(you)(you)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)觸點(dian)，由于無(wu)引(yin)腳，貼(tie)裝(zhuang)占有(you)(you)面積比(bi)QFP小，高(gao)度比(bi)QFP低。但是(shi)，當印刷基板與封(feng)裝(zhuang)之間產(chan)生(sheng)應力時，在電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)接觸處就不能得到緩解(jie)。因此(ci)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)觸點(dian)難于作(zuo)到QFP的引(yin)腳那樣多(duo)，一般從14到100左右。材料有(you)(you)陶瓷和(he)塑料兩種。當有(you)(you)LCC標記時基本(ben)(ben)上都是(shi)陶瓷QFN。電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)觸點(dian)中心距1.27mm。

塑料QFN是以玻(bo)璃(li)環氧樹脂印刷基(ji)板(ban)基(ji)材(cai)的一種(zhong)低成本封裝(zhuang)。電極觸點中(zhong)心(xin)距(ju)除1.27mm外，還有(you)0.65mm和0.5mm兩種(zhong)。這種(zhong)封裝(zhuang)也稱為塑料LCC、PCLC、P－LCC等。

44、QFP

(quadflatpackage)

四側引(yin)(yin)腳(jiao)扁平封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)。表面(mian)貼裝(zhuang)型封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)之一，引(yin)(yin)腳(jiao)從四個側面(mian)引(yin)(yin)出(chu)呈海鷗翼(L)型。基材有(you)陶瓷(ci)、金屬和塑(su)料(liao)三種。從數(shu)量上看，塑(su)料(liao)封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)占絕(jue)大部分。當(dang)沒有(you)特別表示出(chu)材料(liao)時，多(duo)(duo)數(shu)情況為塑(su)料(liao)QFP。塑(su)料(liao)QFP是(shi)最普(pu)及的多(duo)(duo)引(yin)(yin)腳(jiao)LSI封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)。不僅用(yong)(yong)于微處(chu)(chu)理(li)(li)器，門陳列等(deng)(deng)數(shu)字邏輯(ji)LSI電(dian)路，而且(qie)也用(yong)(yong)于VTR信號處(chu)(chu)理(li)(li)、音響(xiang)信號處(chu)(chu)理(li)(li)等(deng)(deng)模(mo)擬LSI電(dian)路。引(yin)(yin)腳(jiao)中(zhong)心距(ju)有(you)1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm等(deng)(deng)多(duo)(duo)種規格(ge)。0.65mm中(zhong)心距(ju)規格(ge)中(zhong)最多(duo)(duo)引(yin)(yin)腳(jiao)數(shu)為304。

日本(ben)將(jiang)引(yin)腳(jiao)中心距小于0.65mm的(de)(de)QFP稱為QFP(FP)。但2000年(nian)后(hou)日本(ben)電子(zi)機械工業(ye)會對QFP的(de)(de)外形規格進(jin)行了重新評價。在引(yin)腳(jiao)中心距上不(bu)加區(qu)別，而是根據(ju)封(feng)裝本(ben)體厚(hou)度分為QFP(2.0mm～3.6mm厚(hou))、LQFP(1.4mm厚(hou))和TQFP(1.0mm厚(hou))三(san)種。

另外(wai)，有(you)的(de)(de)LSI廠家(jia)(jia)把引(yin)(yin)腳(jiao)(jiao)(jiao)中(zhong)心(xin)距為0.5mm的(de)(de)QFP專(zhuan)門稱為收縮(suo)型QFP或SQFP、VQFP。但有(you)的(de)(de)廠家(jia)(jia)把引(yin)(yin)腳(jiao)(jiao)(jiao)中(zhong)心(xin)距為0.65mm及(ji)0.4mm的(de)(de)QFP也稱為SQFP，至使名(ming)稱稍(shao)有(you)一些混亂。QFP的(de)(de)缺點(dian)是，當引(yin)(yin)腳(jiao)(jiao)(jiao)中(zhong)心(xin)距小于(yu)0.65mm時，引(yin)(yin)腳(jiao)(jiao)(jiao)容易彎曲。為了(le)(le)防止引(yin)(yin)腳(jiao)(jiao)(jiao)變(bian)形，現(xian)已出現(xian)了(le)(le)幾種改進的(de)(de)QFP品(pin)(pin)種。如(ru)封裝的(de)(de)四個角帶(dai)有(you)樹指緩沖墊的(de)(de)BQFP(見BQFP)；帶(dai)樹脂保(bao)護環覆蓋引(yin)(yin)腳(jiao)(jiao)(jiao)前端的(de)(de)GQFP(見GQFP)；在封裝本體里設置測試(shi)凸點(dian)、放在防止引(yin)(yin)腳(jiao)(jiao)(jiao)變(bian)形的(de)(de)專(zhuan)用(yong)夾(jia)具里就可進行測試(shi)的(de)(de)TPQFP(見TPQFP)。在邏輯(ji)LSI方(fang)面，不(bu)少開發品(pin)(pin)和高可靠品(pin)(pin)都(dou)封裝在多層陶瓷QFP里。引(yin)(yin)腳(jiao)(jiao)(jiao)中(zhong)心(xin)距最(zui)小為0.4mm、引(yin)(yin)腳(jiao)(jiao)(jiao)數最(zui)多為348的(de)(de)產品(pin)(pin)也已問世。此外(wai)，也有(you)用(yong)玻璃密封的(de)(de)陶瓷QFP(見Gerqad)。

45、QFP

(FP)(QFPfinepitch)

小中心(xin)距(ju)(ju)QFP。日本電子(zi)機械工業會標準所規定的名稱(cheng)。指引(yin)腳中心(xin)距(ju)(ju)為0.55mm、0.4mm、0.3mm等小于0.65mm的QFP(見QFP)。

46、QIC

(quadin-lineceramicpackage)

陶(tao)瓷QFP的別稱(cheng)。部分半導體廠家采用的名稱(cheng)(見QFP、Cerquad)。

47、QIP

(quadin-lineplasticpackage)

塑料QFP的(de)別稱(cheng)。部(bu)分(fen)半導(dao)體(ti)廠家采用的(de)名稱(cheng)(見QFP)。

48、QTCP

(quadtapecarrierpackage)

四(si)側引(yin)腳(jiao)帶載封裝(zhuang)。TCP封裝(zhuang)之一，在絕緣帶上形成引(yin)腳(jiao)并從封裝(zhuang)四(si)個側面(mian)引(yin)出。是利用TAB技術的薄型(xing)封裝(zhuang)(見(jian)TAB、TCP)。

49、QTP

(quadtapecarrierpackage)

四側引腳帶載(zai)封裝(zhuang)。日本電子機械工(gong)業會于1993年4月對(dui)QTCP所制(zhi)定的(de)外形規格所用(yong)的(de)名(ming)稱(見(jian)TCP)。

50、QUIL

(quadin-line)

QUIP的別稱(見QUIP)。

51、QUIP

(quadin-linepackage)

四列引(yin)(yin)腳直插式(shi)封裝(zhuang)。引(yin)(yin)腳從封裝(zhuang)兩(liang)個側面引(yin)(yin)出(chu)，每隔一根交錯向下彎曲(qu)成四列。引(yin)(yin)腳中心距(ju)1.27mm，當插入(ru)印刷(shua)(shua)基板(ban)時，插入(ru)中心距(ju)就變成2.5mm。因此(ci)可(ke)用于標(biao)準印刷(shua)(shua)線路(lu)板(ban)。是比標(biao)準DIP更(geng)小的一種(zhong)封裝(zhuang)。日(ri)本電氣公司在臺式(shi)計(ji)算(suan)機和(he)家電產品等的微機芯片(pian)中采用了些種(zhong)封裝(zhuang)。材料(liao)有陶(tao)瓷和(he)塑料(liao)兩(liang)種(zhong)。引(yin)(yin)腳數64。

52、SDIP

(shrinkdualin-linepackage)

收縮型DIP。插裝(zhuang)型封裝(zhuang)之一，形狀與DIP相同(tong)，但引腳(jiao)中(zhong)心距(1.778mm)小于(yu)DIP(2.54mm)，

因(yin)而得此稱呼。引腳(jiao)數從14到90。也有(you)稱為SH－DIP的(de)。材料有(you)陶瓷和塑料兩種。

53、SH－DIP

(shrinkdualin-linepackage)

同(tong)SDIP。部分(fen)半導體廠家采用的(de)名稱。

54、SIL

(singlein-line)

SIP的別稱(見SIP)。歐洲(zhou)半導(dao)體廠家多采用SIL這個名稱。

55、SIMM

(singlein-linememorymodule)

單(dan)(dan)列存貯(zhu)器(qi)組(zu)件(jian)。只在(zai)印刷基(ji)(ji)板(ban)的(de)一個(ge)側(ce)面(mian)附近配(pei)有(you)電極的(de)存貯(zhu)器(qi)組(zu)件(jian)。通(tong)常(chang)指插入(ru)插座的(de)組(zu)件(jian)。標準SIMM有(you)中(zhong)心距為2.54mm的(de)30電極和中(zhong)心距為1.27mm的(de)72電極兩種規格。在(zai)印刷基(ji)(ji)板(ban)的(de)單(dan)(dan)面(mian)或雙面(mian)裝有(you)用SOJ封裝的(de)1兆位(wei)及4兆位(wei)DRAM的(de)SIMM已經(jing)在(zai)個(ge)人計算機、工作站等(deng)設備中(zhong)獲(huo)得廣泛(fan)應(ying)用。至少有(you)30～40%的(de)DRAM都裝配(pei)在(zai)SIMM里。

56、SIP

(singlein-linepackage)

單列(lie)直插式(shi)封裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)。引(yin)腳(jiao)(jiao)從(cong)封裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)一個側(ce)面引(yin)出，排列(lie)成(cheng)一條直線(xian)。當裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)配到印刷基板(ban)上時封裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)呈(cheng)側(ce)立狀(zhuang)(zhuang)。引(yin)腳(jiao)(jiao)中心距(ju)通(tong)常(chang)為(wei)2.54mm，引(yin)腳(jiao)(jiao)數從(cong)2至23，多(duo)數為(wei)定制產品。封裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)的形狀(zhuang)(zhuang)各異。也有的把形狀(zhuang)(zhuang)與(yu)ZIP相同的封裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)稱為(wei)SIP。

57、SK－DIP

(skinnydualin-linepackage)

DIP的一種。指寬度為7.62mm、引腳中心距為2.54mm的窄(zhai)體DIP。通常統稱為DIP(見DIP)。

58、SL－DIP

(slimdualin-linepackage)

DIP的(de)一(yi)種。指寬度(du)為(wei)10.16mm，引腳中心距為(wei)2.54mm的(de)窄體DIP。通(tong)常統稱為(wei)DIP。

59、SMD

(surfacemountdevices)

表(biao)面貼裝器件。偶而，有的半導(dao)體(ti)廠家把SOP歸為SMD(見SOP)。

SOP的(de)別稱(cheng)。世界(jie)上很多半(ban)導體廠家都(dou)采用此別稱(cheng)。(見SOP)。

60、SOI

(smallout-lineI-leadedpackage)

I形引(yin)(yin)腳小外型(xing)封裝(zhuang)(zhuang)。表(biao)面(mian)貼裝(zhuang)(zhuang)型(xing)封裝(zhuang)(zhuang)之一(yi)。引(yin)(yin)腳從封裝(zhuang)(zhuang)雙側引(yin)(yin)出(chu)向下(xia)呈I字形，中(zhong)心距1.27mm。貼裝(zhuang)(zhuang)占有面(mian)積(ji)小于SOP。日立公司在(zai)模擬IC(電機驅動用IC)中(zhong)采用了此封裝(zhuang)(zhuang)。引(yin)(yin)腳數26。

61、SOIC

(smallout-lineintegratedcircuit)

SOP的別稱(見SOP)。國外有許多半導體廠(chang)家采用此名稱。

62、SOJ

(SmallOut-LineJ-LeadedPackage)

J形引腳小外型封(feng)裝。表面貼裝型封(feng)裝之一。引腳從封(feng)裝兩(liang)側引出向下呈J字形，故此得名。通常為(wei)塑料制品，多(duo)數用(yong)于DRAM和SRAM等存儲器LSI電路(lu)，但絕大(da)部分是(shi)DRAM。用(yong)SOJ封(feng)裝的DRAM器件很(hen)多(duo)都裝配在SIMM上。引腳中(zhong)心距1.27mm，引腳數從20至40(見SIMM)。

63、SQL

(SmallOut-LineL-leadedpackage)

按照JEDEC(美(mei)國聯合電子(zi)設備工程(cheng)委員會)標準(zhun)對(dui)SOP所采(cai)用的名稱(見(jian)SOP)。

64、SONF

(SmallOut-LineNon-Fin)

無(wu)散(san)(san)熱片(pian)的(de)SOP。與通(tong)常的(de)SOP相同。為了(le)在功率(lv)IC封裝中表示無(wu)散(san)(san)熱片(pian)的(de)區別，有意增添了(le)NF(non-fin)標記。部分半(ban)導(dao)體廠(chang)家采用的(de)名稱(見SOP)。

65、SOP

(smallOut-Linepackage)

小外(wai)(wai)形封(feng)裝。表面(mian)貼裝型封(feng)裝之一，引腳從(cong)封(feng)裝兩(liang)(liang)側(ce)引出呈海鷗翼(yi)狀(L字形)。材料(liao)有塑料(liao)和陶瓷兩(liang)(liang)種。另外(wai)(wai)也叫SOL和DFP。

SOP除了用于存儲器LSI外，也廣(guang)(guang)泛(fan)用于規模不太大的ASSP等電(dian)路(lu)。在輸(shu)入輸(shu)出端子(zi)不超(chao)過(guo)10～40的領域(yu)，SOP是普及最廣(guang)(guang)的表面貼裝封(feng)裝。引(yin)腳(jiao)中心距1.27mm，引(yin)腳(jiao)數從8～44。

另外(wai)，引腳中心(xin)距(ju)小于(yu)1.27mm的(de)(de)SOP也稱(cheng)為SSOP；裝(zhuang)配高度不到(dao)1.27mm的(de)(de)SOP也稱(cheng)為TSOP(見(jian)SSOP、TSOP)。還有一種(zhong)帶有散熱片的(de)(de)SOP。

66、SOW

(SmallOutlinePackage(Wide-Jype))

寬體SOP。部分半導體廠家(jia)采用的名(ming)稱。

制造

從1930年代開始，元素(su)周期表(biao)中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)化(hua)學(xue)元素(su)中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)半導(dao)體(ti)被(bei)研究(jiu)者如(ru)貝爾實驗(yan)室的(de)(de)(de)WilliamShockley認為(wei)(wei)是固態真(zhen)空管的(de)(de)(de)最(zui)可(ke)能的(de)(de)(de)原(yuan)料(liao)。從氧化(hua)銅到鍺，再(zai)到硅(gui)，原(yuan)料(liao)在1940到1950年代被(bei)系統的(de)(de)(de)研究(jiu)。今(jin)天，盡(jin)管元素(su)周期表(biao)的(de)(de)(de)一些III-V價化(hua)合物如(ru)砷化(hua)鎵應用于特殊用途如(ru)：發光二極管，激光，太陽能電(dian)池和最(zui)高(gao)速集(ji)(ji)成電(dian)路，單晶硅(gui)成為(wei)(wei)集(ji)(ji)成電(dian)路主流(liu)的(de)(de)(de)基層。創(chuang)造無(wu)缺(que)陷晶體(ti)的(de)(de)(de)方法用去了數十年的(de)(de)(de)時(shi)間。

半導體IC制(zhi)程，包(bao)括以下步驟，并重(zhong)復(fu)使用(yong)：

黃光(微影)

蝕刻

薄膜

擴散

CMP

使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵(jia)）用作基層。然后使用微影(ying)(ying)、擴散、CMP等(deng)(deng)技(ji)術制(zhi)成MOSFET或BJT等(deng)(deng)組件，然后利用微影(ying)(ying)、薄(bo)膜、和CMP技(ji)術制(zhi)成導線，如此便完成芯片制(zhi)作。因產品性能需求及成本考量，導線可分為鋁制(zhi)程和銅制(zhi)程。

IC由(you)很(hen)多(duo)重疊的(de)層組(zu)成，每層由(you)圖像技術(shu)定義(yi)，通(tong)常用不同(tong)的(de)顏色表示(shi)。一些層標(biao)明在哪(na)里(li)(li)不同(tong)的(de)摻雜(za)劑擴散(san)進基(ji)層（成為擴散(san)層），一些定義(yi)哪(na)里(li)(li)額外的(de)離子灌輸(shu)（灌輸(shu)層），一些定義(yi)導體(ti)（多(duo)晶(jing)硅(gui)或金(jin)屬層），一些定義(yi)傳導層之(zhi)間的(de)連(lian)接（過孔或接觸層）。所有(you)的(de)組(zu)件(jian)由(you)這(zhe)些層的(de)特定組(zu)合(he)構(gou)成。

在一個自排列(lie)（CMOS）過(guo)程中(zhong)，所有門層(ceng)（多晶硅或金(jin)屬）穿過(guo)擴散層(ceng)的地方形成晶體管(guan)。

電阻(zu)(zu)結構(gou)，電阻(zu)(zu)結構(gou)的長(chang)寬(kuan)比，結合表(biao)面(mian)電阻(zu)(zu)系數，決定電阻(zu)(zu)。

電容結構，由于尺寸限制，在IC上(shang)只能產生很小的電容。

更(geng)為少見的電(dian)感(gan)結構，可以制作芯片載電(dian)感(gan)或由回旋器模擬(ni)。

因為CMOS設(she)備只(zhi)引導電(dian)(dian)流(liu)在(zai)邏(luo)輯門(men)之間轉換，CMOS設(she)備比雙級組(zu)件消耗的電(dian)(dian)流(liu)少很多。

隨機存(cun)(cun)取存(cun)(cun)儲(chu)器(qi)（randomaccessmemory）是(shi)(shi)最(zui)常(chang)(chang)(chang)見(jian)(jian)類型的(de)(de)(de)集成電路，所以密度最(zui)高的(de)(de)(de)設備(bei)是(shi)(shi)存(cun)(cun)儲(chu)器(qi)，但(dan)即使是(shi)(shi)微處理器(qi)上也有存(cun)(cun)儲(chu)器(qi)。盡管(guan)結構非常(chang)(chang)(chang)復雜－幾十年來(lai)芯片(pian)寬度一(yi)直(zhi)減少－但(dan)集成電路的(de)(de)(de)層(ceng)依(yi)然比寬度薄很多。組(zu)件層(ceng)的(de)(de)(de)制作非常(chang)(chang)(chang)像照相過(guo)程。雖然可(ke)見(jian)(jian)光(guang)譜中的(de)(de)(de)光(guang)波不(bu)能用來(lai)曝光(guang)組(zu)件層(ceng)，因為他們(men)太大了。高頻光(guang)子(zi)（通常(chang)(chang)(chang)是(shi)(shi)紫(zi)外線）被用來(lai)創造每層(ceng)的(de)(de)(de)圖(tu)案。因為每個特征都非常(chang)(chang)(chang)小(xiao)，對于一(yi)個正在調試制造過(guo)程的(de)(de)(de)過(guo)程工程師來(lai)說，電子(zi)顯微鏡是(shi)(shi)必要工具。

在(zai)使用(yong)自(zi)動測(ce)試設備(bei)(bei)（ATE）包裝(zhuang)前，每個(ge)(ge)設備(bei)(bei)都要進行測(ce)試。測(ce)試過程稱(cheng)為晶(jing)圓(yuan)測(ce)試或(huo)晶(jing)圓(yuan)探通(tong)。晶(jing)圓(yuan)被(bei)(bei)切割成(cheng)(cheng)矩形(xing)塊，每個(ge)(ge)被(bei)(bei)稱(cheng)為“die”。每個(ge)(ge)好的(de)(de)die被(bei)(bei)焊在(zai)“pads”上的(de)(de)鋁線(xian)或(huo)金(jin)線(xian)，連(lian)接到封裝(zhuang)內，pads通(tong)常在(zai)die的(de)(de)邊上。封裝(zhuang)之后(hou)，設備(bei)(bei)在(zai)晶(jing)圓(yuan)探通(tong)中使用(yong)的(de)(de)相同(tong)或(huo)相似的(de)(de)ATE上進行終檢。測(ce)試成(cheng)(cheng)本(ben)(ben)可(ke)以(yi)達(da)到低(di)成(cheng)(cheng)本(ben)(ben)產品的(de)(de)制造(zao)成(cheng)(cheng)本(ben)(ben)的(de)(de)25%，但是對(dui)于低(di)產出，大型(xing)和/或(huo)高成(cheng)(cheng)本(ben)(ben)的(de)(de)設備(bei)(bei)，可(ke)以(yi)忽略不計。

在(zai)2005年，一個制(zhi)造廠（通常稱(cheng)為(wei)半(ban)導體工(gong)廠，常簡稱(cheng)fab，指(zhi)fabricationfacility）建設費用(yong)要超過10億美金，因為(wei)大部(bu)分操作是自動(dong)化(hua)的(de)。

發展趨勢

2001年(nian)到2010年(nian)這10年(nian)間，我(wo)國集成電路(lu)產量的(de)年(nian)均(jun)增長(chang)率超(chao)(chao)過25%，集成電路(lu)銷售(shou)額(e)的(de)年(nian)均(jun)增長(chang)率則(ze)達(da)到23%。2010年(nian)國內集成電路(lu)產量達(da)到640億(yi)塊，銷售(shou)額(e)超(chao)(chao)過1430億(yi)元，分(fen)別是2001年(nian)的(de)10倍和8倍。中(zhong)國集成電路(lu)產業(ye)規模(mo)已經由2001年(nian)不足世(shi)界(jie)集成電路(lu)產業(ye)總規模(mo)的(de)2%提(ti)高到2010年(nian)的(de)近(jin)9%。中(zhong)國成為過去10年(nian)世(shi)界(jie)集成電路(lu)產業(ye)發展最(zui)快的(de)地區之(zhi)一。

國(guo)內(nei)集成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)市場(chang)規(gui)模也由(you)2001年(nian)的(de)1140億元擴大到2010年(nian)的(de)7350億元，擴大了(le)6.5倍(bei)。國(guo)內(nei)集成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)產(chan)業規(gui)模與市場(chang)規(gui)模之比(bi)始終(zhong)未超過20%。如扣除(chu)集成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)產(chan)業中(zhong)接(jie)受境外(wai)委托代工的(de)銷售額，則(ze)中(zhong)國(guo)集成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)市場(chang)的(de)實際(ji)國(guo)內(nei)自給率還不足(zu)(zu)10%，國(guo)內(nei)市場(chang)所(suo)需的(de)集成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)產(chan)品(pin)主要依靠進(jin)口(kou)(kou)。近幾年(nian)國(guo)內(nei)集成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)進(jin)口(kou)(kou)規(gui)模迅(xun)速擴大，2010年(nian)已(yi)經達到創紀錄的(de)1570億美元，集成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)已(yi)連續兩(liang)年(nian)超過原油成(cheng)(cheng)(cheng)為國(guo)內(nei)最(zui)大宗的(de)進(jin)口(kou)(kou)商品(pin)。與巨大且快速增(zeng)長的(de)國(guo)內(nei)市場(chang)相比(bi)，中(zhong)國(guo)集成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)產(chan)業雖發展(zhan)迅(xun)速但仍(reng)難以(yi)滿足(zu)(zu)內(nei)需要求(qiu)。

當前(qian)以移(yi)動互聯(lian)網、三網融合、物聯(lian)網、云計(ji)算(suan)(suan)、智能電(dian)網、新(xin)能源(yuan)汽車為(wei)代(dai)表的戰略性新(xin)興(xing)產業快速(su)發展，將成為(wei)繼計(ji)算(suan)(suan)機(ji)、網絡通信、消(xiao)費電(dian)子之(zhi)后(hou)，推動集(ji)成電(dian)路產業發展的新(xin)動力。工信部預計(ji)，國內集(ji)成電(dian)路市場規模到(dao)2015年將達到(dao)12000億元。

我(wo)國集成電(dian)路產(chan)(chan)業發展(zhan)的(de)(de)生態(tai)環境亟待(dai)優(you)化，設計、制(zhi)造、封(feng)裝測(ce)試以及專(zhuan)用(yong)(yong)設備、儀器(qi)、材(cai)料等(deng)產(chan)(chan)業鏈上下游(you)協同性不足(zu)，芯片、軟件、整機(ji)、系統、應用(yong)(yong)等(deng)各環節互動不緊(jin)密。“十二五”期間(jian)，中(zhong)國將積極探索集成電(dian)路產(chan)(chan)業鏈上下游(you)虛(xu)擬(ni)一(yi)體化模(mo)式，充分(fen)發揮市場機(ji)制(zhi)作用(yong)(yong)，強化產(chan)(chan)業鏈上下游(you)的(de)(de)合作與協同，共建價值鏈。培育和完善(shan)生態(tai)環境，加強集成電(dian)路產(chan)(chan)品設計與軟件、整機(ji)、系統及服(fu)務的(de)(de)有機(ji)連接，實現(xian)各環節企(qi)業的(de)(de)群體躍升，增強電(dian)子信息大產(chan)(chan)業鏈的(de)(de)整體競(jing)爭優(you)勢。

發展對策建議

1.創新性效率(lv)超越(yue)傳(chuan)統(tong)的成本性靜態效率(lv)

從(cong)理論上講(jiang)，商務(wu)成(cheng)(cheng)(cheng)本(ben)(ben)屬于(yu)成(cheng)(cheng)(cheng)本(ben)(ben)性(xing)的(de)(de)(de)(de)(de)靜態效(xiao)率(lv)范疇，在產(chan)業(ye)發展的(de)(de)(de)(de)(de)初級階段作(zuo)用顯著。外(wai)部(bu)商務(wu)成(cheng)(cheng)(cheng)本(ben)(ben)的(de)(de)(de)(de)(de)上升實(shi)際上是(shi)產(chan)業(ye)升級、創(chuang)新(xin)驅動的(de)(de)(de)(de)(de)外(wai)部(bu)動力。作(zuo)為高新(xin)技術(shu)產(chan)業(ye)的(de)(de)(de)(de)(de)上海集成(cheng)(cheng)(cheng)電路(lu)產(chan)業(ye)，需要積極利(li)用產(chan)業(ye)鏈完備、內(nei)部(bu)結網度(du)(du)較(jiao)高、與全球生(sheng)產(chan)網絡有(you)機銜接(jie)等集群優勢(shi)(shi)，實(shi)現企業(ye)之(zhi)間的(de)(de)(de)(de)(de)互(hu)動共生(sheng)的(de)(de)(de)(de)(de)高科技產(chan)業(ye)機體的(de)(de)(de)(de)(de)生(sheng)態關系(xi)，有(you)效(xiao)保障并(bing)促進產(chan)業(ye)創(chuang)業(ye)、創(chuang)新(xin)的(de)(de)(de)(de)(de)步伐。事實(shi)表(biao)明，20世紀80年代(dai)，雖然硅(gui)(gui)谷(gu)的(de)(de)(de)(de)(de)土地(di)(di)成(cheng)(cheng)(cheng)本(ben)(ben)要遠高于(yu)128公(gong)路(lu)地(di)(di)區，但在硅(gui)(gui)谷(gu)建立的(de)(de)(de)(de)(de)半導體公(gong)司比美國其他地(di)(di)方(fang)的(de)(de)(de)(de)(de)公(gong)司開發新(xin)產(chan)品的(de)(de)(de)(de)(de)速度(du)(du)快60%，交運產(chan)品的(de)(de)(de)(de)(de)速度(du)(du)快40%。具體而(er)言，就是(shi)硅(gui)(gui)谷(gu)地(di)(di)區的(de)(de)(de)(de)(de)硬件和軟件制造(zao)商結成(cheng)(cheng)(cheng)了緊密的(de)(de)(de)(de)(de)聯盟，能最大(da)限度(du)(du)地(di)(di)降低(di)從(cong)創(chuang)意到制造(zao)出(chu)產(chan)品等相關過程的(de)(de)(de)(de)(de)成(cheng)(cheng)(cheng)本(ben)(ben)，即通過技術(shu)密集關聯為基本(ben)(ben)的(de)(de)(de)(de)(de)動態創(chuang)業(ye)聯盟，降低(di)了創(chuang)業(ye)成(cheng)(cheng)(cheng)本(ben)(ben)，從(cong)而(er)彌補了靜態的(de)(de)(de)(de)(de)商務(wu)成(cheng)(cheng)(cheng)本(ben)(ben)劣(lie)勢(shi)(shi)。

2.準確的產品與市場定位

許多(duo)歸國(guo)創(chuang)業的(de)(de)設(she)計人才認為(wei)(wei)，中國(guo)的(de)(de)消(xiao)費者是世界(jie)上最好(hao)的(de)(de)衣食父母(mu)，與(yu)歐美發達國(guo)家(jia)相比，我們的(de)(de)消(xiao)費者對新產品(pin)充(chong)滿好(hao)奇(qi)，一(yi)般(ban)不退貨，基本無(wu)賠償。這些(xie)特點為(wei)(wei)設(she)計企業的(de)(de)創(chuang)業、創(chuang)新與(yu)發展提供了良好(hao)的(de)(de)市場機遇(yu)。企業要(yao)善于(yu)去(qu)發現產品(pin)應用，尋找市場。

設(she)計公司(si)(si)擴(kuo)張主要是(shi)受限(xian)于(yu)(yu)人(ren)(ren)才(cai)與(yu)產品定(ding)位。由于(yu)(yu)在人(ren)(ren)才(cai)團隊、市場(chang)和(he)產品定(ding)義方面的(de)不足，初創公司(si)(si)不可能(neng)做(zuo)(zuo)大項目，不適(shi)合于(yu)(yu)做(zuo)(zuo)集(ji)聚型大項目。現有(you)的(de)大多(duo)數(shu)設(she)計企(qi)業(ye)還是(shi)適(shi)合于(yu)(yu)分散型市場(chang)，主動(dong)去支持系統廠商，提(ti)供大量的(de)服務。人(ren)(ren)力密集(ji)型業(ye)務項目不適(shi)合歐美公司(si)(si)，更適(shi)合我們(men)。例如，在國內(nei)市場(chang)上(shang)，如果一個產品能(neng)出貨300萬(wan)顆，那么公司(si)(si)就會去做(zuo)(zuo)，國外企(qi)業(ye)則不可能(neng)去做(zuo)(zuo)它(ta)。

3.打造國際精英人才的“新(xin)故(gu)鄉”，充分發(fa)揮海歸人才優(you)勢

海歸人才(cai)在國外做(zuo)了很多超前的技(ji)術開(kai)發(fa)研究，并且在全球(qiu)一(yi)些頂尖公司內有(you)(you)產業經(jing)驗，回國后從事很有(you)(you)需求的產品開(kai)發(fa)應用，容(rong)易(yi)成(cheng)功。集成(cheng)電路產業的研發(fa)就怕方(fang)向(xiang)性(xing)錯誤(wu)與(yu)低水平重復(fu)，海歸人才(cai)知道如(ru)何(he)去做(zuo)才(cai)能夠成(cheng)功。

“歸國(guo)人才團隊+海(hai)(hai)外(wai)工作(zuo)經驗+優惠(hui)政(zheng)策(ce)扶(fu)持(chi)+風險投資”式上海(hai)(hai)集成電路產業發(fa)展的(de)典型模(mo)式，這在張(zhang)江高科技(ji)園區尤為明顯(xian)。然而，由于國(guo)際(ji)(ji)社(she)區建設滯后(hou)、戶籍政(zheng)策(ce)限制、個人所得稅政(zheng)策(ce)缺乏國(guo)際(ji)(ji)競爭(zheng)力(li)等(deng)多方面原因綜合作(zuo)用，張(zhang)江仍然沒(mei)有成為海(hai)(hai)外(wai)高級人才的(de)安(an)家(jia)落戶、長期扎(zha)根的(de)開放性、國(guo)際(ji)(ji)性高科技(ji)園區。留學(xue)生短期打算、“做(zuo)做(zuo)看”的(de)“候鳥”觀望(wang)氣氛濃厚，不利于全球高級人才的(de)集聚。要充分(fen)發(fa)揮(hui)張(zhang)江所處的(de)區位優勢以及浦(pu)東綜合

配套改革試(shi)點的(de)(de)政策(ce)優(you)勢，將單純(chun)吸(xi)引留學生(sheng)(sheng)變為吸(xi)引留學生(sheng)(sheng)、國外精(jing)英等高層(ceng)次人(ren)才(cai)(cai)。通過科學城(cheng)建設(she)以及(ji)個人(ren)所得(de)稅率的(de)(de)國際化(hua)(hua)調整(zheng)、落(luo)戶政策(ce)的(de)(de)優(you)化(hua)(hua)，發揮上海“海派文(wen)化(hua)(hua)”傳統，將張(zhang)江(jiang)建設(she)成為世(shi)界各(ge)國人(ren)才(cai)(cai)匯(hui)集、安居(ju)樂業的(de)(de)新故鄉，大幅提升(sheng)張(zhang)江(jiang)在高層(ceng)次人(ren)才(cai)(cai)爭奪中的(de)(de)國際競爭力[2]。

4.重在(zai)積累(lei)，克(ke)服急功近利

設計業(ye)的(de)(de)復雜度(du)很高(gao)，需要強大(da)的(de)(de)穩(wen)定的(de)(de)團隊、深厚的(de)(de)積累。積累是一(yi)個不(bu)可逾越的(de)(de)發展(zhan)過(guo)程。中(zhong)國(guo)集(ji)成電路產業(ye)的(de)(de)發展(zhan)如同下(xia)圍棋，不(bu)能(neng)只(zhi)爭一(yi)時之短(duan)長，要比誰的(de)(de)氣長，而不(bu)是誰的(de)(de)空多。

集成電力(li)產業人(ren)才尤其(qi)是(shi)(shi)設(she)計人(ren)才供給問題長期以來是(shi)(shi)輿論界(jie)關注的(de)(de)熱點，許多(duo)高(gao)校(xiao)在專業與設(she)置、人(ren)才培(pei)養方面(mian)急功(gong)近利，片面(mian)追隨(sui)所(suo)謂社會熱點和(he)(he)學業對(dui)(dui)口，導致學生(sheng)的(de)(de)基本(ben)綜合素質(zhi)和(he)(he)人(ren)文科學方面(mian)的(de)(de)素養不夠高(gao)，知(zhi)識(shi)面(mian)過(guo)窄(zhai)。事實上，眾多(duo)設(she)計企(qi)業普(pu)遍(bian)反(fan)映，他(ta)們招(zhao)聘人(ren)才的(de)(de)標(biao)準并非(fei)是(shi)(shi)單(dan)純的(de)(de)所(suo)謂專業對(dui)(dui)口，而(er)是(shi)(shi)更注重(zhong)基礎知(zhi)識(shi)和(he)(he)綜合素質(zhi)，他(ta)們普(pu)遍(bian)反(fan)映高(gao)校(xiao)的(de)(de)教(jiao)育太(tai)急功(gong)近利了。

5.促(cu)進企(qi)業間合(he)作，促(cu)進產業鏈合(he)作

國內企業(ye)之間的橫向聯系(xi)少(shao)，外(wai)包剛剛起步，基本上每個設計(ji)企業(ye)都有自己(ji)的芯片，都在進行全面發展。這些(xie)因素都限制了企業(ye)的快速(su)發展。要充(chong)分運(yun)用華南一些(xie)企業(ye)為國外(wai)做的解決(jue)方案(an)(an)，這樣終(zhong)端客戶就(jiu)可以直接將公司產(chan)品運(yun)用到原(yuan)有解決(jue)方案(an)(an)上去。此外(wai)，設計(ji)企業(ye)要與方案(an)(an)商(shang)、通路商(shang)、系(xi)統廠商(shang)形成緊密(mi)的戰略合作伙伴關系(xi)[2]。

6.摒棄理想化(hua)的產學研模式(shi)

產(chan)學研(yan)一(yi)體化一(yi)直(zhi)被各(ge)界(jie)視為促進高(gao)新(xin)(xin)技(ji)術產(chan)業發展的(de)良方(fang)(fang)，但實地(di)調研(yan)結(jie)果(guo)暴露出人(ren)們在(zai)(zai)此(ci)方(fang)(fang)面存在(zai)(zai)著(zhu)不(bu)切實際的(de)幻想。筆者所調研(yan)的(de)眾多(duo)設(she)計企業對(dui)(dui)高(gao)校(xiao)幫(bang)助做產(chan)品不(bu)抱任何指望(wang)。公司(si)項目(mu)要(yao)求(qiu)的(de)進度(du)快，存在(zai)(zai)合(he)作(zuo)的(de)時間(jian)問題；高(gao)校(xiao)一(yi)般不(bu)具備可(ke)以(yi)使工廠(chang)能更有(you)效利用廠(chang)房(fang)空(kong)間(jian)，也適用于研(yan)發中心的(de)使用。新(xin)(xin)開發的(de)空(kong)冷系統減少了(le)對(dui)(dui)外(wai)部設(she)施的(de)依賴(lai)，可(ke)在(zai)(zai)任意位置(zhi)(zhi)安裝設(she)置(zhi)(zhi)，同時繼(ji)續(xu)支持符(fu)合(he)STC標準(zhun)的(de)各(ge)種T2000模塊，滿足各(ge)種測試的(de)需要(yao)[2]。

其他信息

晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)發明并大量生(sheng)產之后，各(ge)式固態半(ban)導(dao)體(ti)組件如二極管(guan)(guan)、晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)等(deng)大量使(shi)用(yong)，取(qu)代了真空管(guan)(guan)在電路中的功能(neng)(neng)與角色(se)。到了20世紀(ji)中后期(qi)半(ban)導(dao)體(ti)制(zhi)造技術進(jin)步(bu)(bu)，使(shi)得集(ji)成(cheng)電路成(cheng)為可(ke)能(neng)(neng)。相對于手(shou)工組裝電路使(shi)用(yong)個(ge)(ge)別的分立(li)電子組件，集(ji)成(cheng)電路可(ke)以把很大數(shu)量的微晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)集(ji)成(cheng)到一(yi)個(ge)(ge)小芯片，是一(yi)個(ge)(ge)巨大的進(jin)步(bu)(bu)。集(ji)成(cheng)電路的規模生(sheng)產能(neng)(neng)力，可(ke)靠性，電路設計的模塊化方法確保(bao)了快速采用(yong)標準化IC代替(ti)了設計使(shi)用(yong)離散晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)。

IC對于離散晶體(ti)管有(you)兩(liang)個主(zhu)要優(you)勢：成(cheng)本(ben)(ben)和性(xing)能(neng)(neng)。成(cheng)本(ben)(ben)低(di)是由于芯片(pian)把(ba)所有(you)的組件通過照相平(ping)版(ban)技術(shu)，作為一(yi)個單位(wei)印刷，而不是在一(yi)個時間只制作一(yi)個晶體(ti)管。性(xing)能(neng)(neng)高是由于組件快速開關，消耗更低(di)能(neng)(neng)量(liang)，因為組件很小且彼此靠近。2006年，芯片(pian)面積從幾平(ping)方毫(hao)米到350mm2，每mm2可以(yi)達到一(yi)百(bai)萬個晶體(ti)管。

第(di)一個集成(cheng)電路(lu)雛(chu)形(xing)是由杰克·基爾比于1958年(nian)完成(cheng)的，其(qi)中包(bao)括一個雙(shuang)極(ji)性(xing)晶體管，三個電阻(zu)和(he)一個電容器(qi)。

根據一個芯(xin)片上集(ji)成的微(wei)電(dian)子器件的數量，集(ji)成電(dian)路可以分(fen)為以下幾類：

1.小規模(mo)集(ji)成電路(lu)

SSI英文全名為SmallScaleIntegration,邏輯門10個(ge)以下(xia)或晶體(ti)管100個(ge)以下(xia)。

2.中(zhong)規模集成電路

MSI英文全(quan)名為MediumScaleIntegration,邏輯(ji)門11~100個或晶體(ti)管(guan)101~1k個。

3.大規(gui)模集(ji)成電路(lu)

LSI英文全名為LargeScaleIntegration,邏輯門(men)101~1k個(ge)或(huo)晶體管1,001~10k個(ge)。

4.超大規模集成電(dian)路

VLSI英文(wen)全名為Verylargescaleintegration,邏輯(ji)門1,001~10k個(ge)或晶體管10,001~100k個(ge)。

5.甚大規(gui)模(mo)集成電(dian)路

ULSI英文(wen)全名為(wei)UltraLargeScaleIntegration,邏輯門10,001~1M個或晶體管(guan)100,001~10M個。

GLSI英文(wen)全名為(wei)GigaScaleIntegration,邏輯門1,000,001個(ge)以上或晶體(ti)管10,000,001個(ge)以上。

而根據處理(li)信號(hao)的不同，可以(yi)分為模(mo)擬集(ji)成電(dian)路、數字(zi)集(ji)成電(dian)路、和兼具(ju)模(mo)擬與(yu)數字(zi)的混合信號(hao)集(ji)成電(dian)路。

集成電路發展

最先(xian)進的(de)集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路是微處理器(qi)或(huo)多(duo)核處理器(qi)的(de)"核心(cores)",可以控制電(dian)腦到(dao)手機到(dao)數字微波爐的(de)一切。存儲器(qi)和ASIC是其他集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路家(jia)族的(de)例子(zi)，對于現代信息社會非(fei)(fei)常重(zhong)要。雖然設(she)計開發一個(ge)復(fu)雜集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路的(de)成(cheng)(cheng)本(ben)非(fei)(fei)常高(gao)，但是當分散到(dao)通(tong)常以百(bai)萬計的(de)產品上，每個(ge)IC的(de)成(cheng)(cheng)本(ben)最小化。IC的(de)性能很高(gao)，因為小尺(chi)寸帶來(lai)短路徑，使得低(di)功率(lv)邏輯電(dian)路可以在快速(su)開關速(su)度應(ying)用。

這些年來，IC持續向更小的(de)(de)(de)外型(xing)尺(chi)寸(cun)(cun)發(fa)展，使得每(mei)個芯片可以(yi)封裝更多的(de)(de)(de)電路(lu)。這樣增(zeng)(zeng)加了每(mei)單位(wei)面積(ji)容量(liang)(liang)，可以(yi)降低成本(ben)和(he)增(zeng)(zeng)加功(gong)能－見(jian)摩(mo)爾定律，集成電路(lu)中的(de)(de)(de)晶體管(guan)數量(liang)(liang)，每(mei)兩年增(zeng)(zeng)加一倍。總之，隨(sui)著外形尺(chi)寸(cun)(cun)縮小，幾乎(hu)所有(you)的(de)(de)(de)指標改善了－單位(wei)成本(ben)和(he)開(kai)關功(gong)率(lv)消耗下降，速度提高。但是(shi)(shi)，集成納米級別(bie)設備(bei)的(de)(de)(de)IC不是(shi)(shi)沒有(you)問題，主(zhu)要(yao)是(shi)(shi)泄漏電流（leakagecurrent）。因此(ci)，對(dui)于最終用戶(hu)的(de)(de)(de)速度和(he)功(gong)率(lv)消耗增(zeng)(zeng)加非常明顯，制造商面臨使用更好幾何學(xue)的(de)(de)(de)尖銳挑戰。這個過程和(he)在未來幾年所期望的(de)(de)(de)進步，在半(ban)導體國際(ji)技術路(lu)線圖（ITRS）中有(you)很好的(de)(de)(de)描(miao)述。

越(yue)來越(yue)多的電(dian)(dian)路(lu)以集成芯片的方式(shi)出現在設計師手里，使電(dian)(dian)子電(dian)(dian)路(lu)的開發趨向于小型(xing)化(hua)(hua)、高(gao)速化(hua)(hua)。越(yue)來越(yue)多的應用已經由復雜的模擬(ni)電(dian)(dian)路(lu)轉(zhuan)化(hua)(hua)為簡單的數字邏(luo)輯集成電(dian)(dian)路(lu)。

2022年(nian)，關(guan)于(yu)促進我國(guo)(guo)(guo)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)全產(chan)(chan)(chan)業(ye)(ye)(ye)(ye)鏈(lian)可持(chi)(chi)(chi)續(xu)發(fa)展(zhan)的(de)(de)(de)(de)提案:集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)產(chan)(chan)(chan)業(ye)(ye)(ye)(ye)是(shi)國(guo)(guo)(guo)民經濟和社會發(fa)展(zhan)的(de)(de)(de)(de)戰略性、基礎性、先導(dao)性產(chan)(chan)(chan)業(ye)(ye)(ye)(ye)，其全產(chan)(chan)(chan)業(ye)(ye)(ye)(ye)鏈(lian)中的(de)(de)(de)(de)短(duan)板(ban)缺(que)項(xiang)成(cheng)(cheng)(cheng)為制約我國(guo)(guo)(guo)數字經濟高(gao)(gao)(gao)質量(liang)發(fa)展(zhan)、影響(xiang)綜合國(guo)(guo)(guo)力提升的(de)(de)(de)(de)關(guan)鍵(jian)因素(su)之(zhi)一(yi)。現階段(duan)我國(guo)(guo)(guo)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)產(chan)(chan)(chan)業(ye)(ye)(ye)(ye)高(gao)(gao)(gao)端受封鎖(suo)壓(ya)制、中低(di)端產(chan)(chan)(chan)能(neng)緊(jin)缺(que)情況(kuang)愈演愈烈，仍存(cun)在一(yi)些亟需解決(jue)的(de)(de)(de)(de)問題。一(yi)是(shi)國(guo)(guo)(guo)內(nei)芯片企(qi)業(ye)(ye)(ye)(ye)能(neng)力不強與市(shi)場(chang)不足并存(cun)。二是(shi)美(mei)西(xi)方對我國(guo)(guo)(guo)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)產(chan)(chan)(chan)業(ye)(ye)(ye)(ye)先進工(gong)藝的(de)(de)(de)(de)高(gao)(gao)(gao)端裝備全面封堵，形成(cheng)(cheng)(cheng)新(xin)(xin)的(de)(de)(de)(de)產(chan)(chan)(chan)業(ye)(ye)(ye)(ye)壁(bi)壘。三是(shi)目前我國(guo)(guo)(guo)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)產(chan)(chan)(chan)業(ye)(ye)(ye)(ye)人才(cai)處(chu)于(yu)缺(que)乏(fa)狀態，同時工(gong)藝研發(fa)人員的(de)(de)(de)(de)培(pei)養(yang)(yang)缺(que)乏(fa)“產(chan)(chan)(chan)線”的(de)(de)(de)(de)支(zhi)撐。為此，建議(yi)：一(yi)是(shi)發(fa)揮新(xin)(xin)型舉國(guo)(guo)(guo)體制優勢，持(chi)(chi)(chi)續(xu)支(zhi)持(chi)(chi)(chi)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)產(chan)(chan)(chan)業(ye)(ye)(ye)(ye)發(fa)展(zhan)。延續(xu)和拓(tuo)展(zhan)國(guo)(guo)(guo)家科技重(zhong)大(da)專項(xiang)，集(ji)中力量(liang)重(zhong)點(dian)攻克核心難點(dian)。支(zhi)持(chi)(chi)(chi)首臺(tai)套應用，逐步實(shi)現國(guo)(guo)(guo)產(chan)(chan)(chan)替代(dai)。拓(tuo)展(zhan)新(xin)(xin)的(de)(de)(de)(de)應用領域。加(jia)大(da)產(chan)(chan)(chan)業(ye)(ye)(ye)(ye)基金規(gui)模和延長(chang)投入周(zhou)期。二是(shi)堅(jian)持(chi)(chi)(chi)產(chan)(chan)(chan)業(ye)(ye)(ye)(ye)長(chang)遠布局，深化人才(cai)培(pei)養(yang)(yang)改革。既(ji)要(yao)“補(bu)短(duan)板(ban)”也要(yao)“加(jia)長(chang)板(ban)”。持(chi)(chi)(chi)續(xu)加(jia)大(da)科研人員培(pei)養(yang)(yang)力度和對從事基礎研究人員的(de)(de)(de)(de)投入保障力度，夯實(shi)人才(cai)基礎。三是(shi)堅(jian)持(chi)(chi)(chi)高(gao)(gao)(gao)水平(ping)對外開放，拓(tuo)展(zhan)和營造(zao)新(xin)(xin)興市(shi)場(chang)。積極探索未來和集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)有關(guan)的(de)(de)(de)(de)新(xin)(xin)興市(shi)場(chang)，支(zhi)持(chi)(chi)(chi)我國(guo)(guo)(guo)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)企(qi)業(ye)(ye)(ye)(ye)走出去。

IC的普及

僅僅在其開發后半個世紀，集成電(dian)路變得(de)無處不在，電(dian)腦(nao)，手機和其他數(shu)字電(dian)器成為(wei)(wei)現代社會結(jie)構不可缺少的(de)一部分。這(zhe)是因為(wei)(wei)，現代計算，交流，制(zhi)造(zao)和交通系統，包括互聯網，全都(dou)依(yi)賴于集成電(dian)路的(de)存在。甚至(zhi)很多(duo)學(xue)者(zhe)認為(wei)(wei)有集成電(dian)路帶來的(de)數(shu)字革命是人類歷(li)史中最重要的(de)事件。

IC的分類

集成(cheng)電(dian)(dian)路(lu)的(de)分類方法很多(duo)，依照電(dian)(dian)路(lu)屬模擬或數字，可以分為：模擬集成(cheng)電(dian)(dian)路(lu)、數字集成(cheng)電(dian)(dian)路(lu)和混合信號(hao)集成(cheng)電(dian)(dian)路(lu)（模擬和數字在(zai)一個芯(xin)片上）。

數字(zi)集成(cheng)(cheng)電路(lu)可以(yi)包含任(ren)何東西(xi)，在幾平方毫米上有從幾千到(dao)百萬的(de)邏(luo)輯門，觸發(fa)器(qi)(qi)，多(duo)任(ren)務器(qi)(qi)和(he)其他電路(lu)。這(zhe)些(xie)(xie)電路(lu)的(de)小尺(chi)寸使得與板(ban)級集成(cheng)(cheng)相比(bi)，有更(geng)高速度，更(geng)低功耗并降低了制造成(cheng)(cheng)本(ben)。這(zhe)些(xie)(xie)數字(zi)IC,以(yi)微處(chu)理器(qi)(qi)，數字(zi)信號處(chu)理器(qi)(qi)（DSP）和(he)單(dan)片(pian)機為代(dai)表(biao)，工作中使用二進制，處(chu)理1和(he)0信號。

模擬(ni)集成(cheng)電(dian)路(lu)有,例如傳感(gan)器，電(dian)源(yuan)控制電(dian)路(lu)和運放(fang)，處理模擬(ni)信號。完成(cheng)放(fang)大，濾波，解(jie)調，混頻的功能等。通過使(shi)用專家所設(she)計(ji)、具有良好特性的模擬(ni)集成(cheng)電(dian)路(lu)，減輕(qing)了電(dian)路(lu)設(she)計(ji)師的重擔，不需凡(fan)事再(zai)由基礎的一個(ge)個(ge)晶體(ti)管處設(she)計(ji)起(qi)。

IC可以把模(mo)擬(ni)和數(shu)字(zi)電路集成(cheng)在(zai)一個單(dan)芯片上(shang)，以做出如模(mo)擬(ni)數(shu)字(zi)轉(zhuan)換器(qi)（A/Dconverter）和數(shu)字(zi)模(mo)擬(ni)轉(zhuan)換器(qi)（D/Aconverter）等(deng)器(qi)件。這(zhe)種電路提供更(geng)小(xiao)的(de)尺寸和更(geng)低的(de)成(cheng)本，但(dan)是對于信(xin)號沖突必(bi)須小(xiao)心。

產量

《中華人民共和國2021年(nian)國民經濟和社會發展統計公報》顯示：2021年(nian)，集(ji)成(cheng)電路產量3594.3億(yi)塊，增(zeng)長37.5%。