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綜述

集成(cheng)電(dian)(dian)路，英文(wen)為(wei)Integrated Circuit，縮寫為(wei)IC；顧名思義，就是把一(yi)定(ding)數(shu)量的(de)(de)常用(yong)電(dian)(dian)子(zi)元(yuan)件(jian)，如電(dian)(dian)阻、電(dian)(dian)容(rong)、晶體(ti)(ti)管等，以(yi)及這些元(yuan)件(jian)之間(jian)的(de)(de)連線(xian)，通過(guo)半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)工藝集成(cheng)在(zai)(zai)一(yi)起的(de)(de)具(ju)(ju)有特定(ding)功能的(de)(de)電(dian)(dian)路。是20世紀50年代后期(qi)到(dao)60年代發展起來的(de)(de)一(yi)種(zhong)新型(xing)半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)器(qi)件(jian)。它是經過(guo)氧化、光刻(ke)、擴散、外(wai)延、蒸鋁(lv)等半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)制造工藝，把構(gou)成(cheng)具(ju)(ju)有一(yi)定(ding)功能的(de)(de)電(dian)(dian)路所需的(de)(de)半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)、電(dian)(dian)阻、電(dian)(dian)容(rong)等元(yuan)件(jian)及它們之間(jian)的(de)(de)連接導(dao)(dao)(dao)線(xian)全部(bu)集成(cheng)在(zai)(zai)一(yi)小塊(kuai)硅(gui)片上，然(ran)后焊接封裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)在(zai)(zai)一(yi)個(ge)管殼(ke)(ke)內的(de)(de)電(dian)(dian)子(zi)器(qi)件(jian)。其封裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)外(wai)殼(ke)(ke)有圓殼(ke)(ke)式(shi)(shi)(shi)、扁平式(shi)(shi)(shi)或雙列直(zhi)插式(shi)(shi)(shi)等多種(zhong)形式(shi)(shi)(shi)。集成(cheng)電(dian)(dian)路技(ji)術(shu)包括芯片制造技(ji)術(shu)與設(she)計技(ji)術(shu)，主要體(ti)(ti)現(xian)在(zai)(zai)加工設(she)備，加工工藝，封裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)測試，批量生產及設(she)計創新的(de)(de)能力上。

為(wei)(wei)什么會產生(sheng)(sheng)集(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)？我(wo)們知道任何發(fa)明(ming)創造背后都是有驅動(dong)力(li)的(de)(de)，而驅動(dong)力(li)往往來源于(yu)問(wen)題(ti)。那么集(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)產生(sheng)(sheng)之(zhi)前(qian)的(de)(de)問(wen)題(ti)是什么呢？我(wo)們看一(yi)(yi)下(xia)1946年(nian)在(zai)美國誕(dan)生(sheng)(sheng)的(de)(de)世(shi)界上(shang)第一(yi)(yi)臺(tai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)計算機，它(ta)是一(yi)(yi)個(ge)占(zhan)地150平(ping)方米、重達(da)30噸的(de)(de)龐(pang)然大物，里面的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)使用(yong)(yong)了17468只電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)管(guan)(guan)、7200只電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)、10000只電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)、50萬條線(xian)(xian)，耗(hao)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)量(liang)150千瓦。顯然，占(zhan)用(yong)(yong)面積大、無法(fa)移動(dong)是它(ta)最直(zhi)觀和突出的(de)(de)問(wen)題(ti)；如(ru)果能把(ba)這(zhe)(zhe)些電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)元(yuan)(yuan)件和連線(xian)(xian)集(ji)(ji)成在(zai)一(yi)(yi)小塊(kuai)載(zai)體(ti)上(shang)該(gai)有多好！我(wo)們相信，有很多人思考過這(zhe)(zhe)個(ge)問(wen)題(ti)，也提出過各種想法(fa)。典型(xing)的(de)(de)如(ru)英(ying)國雷(lei)達(da)研(yan)究(jiu)所的(de)(de)科學(xue)家達(da)默(mo)，他在(zai)1952年(nian)的(de)(de)一(yi)(yi)次會議(yi)上(shang)提出：可以(yi)把(ba)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)線(xian)(xian)路(lu)(lu)中(zhong)的(de)(de)分(fen)立元(yuan)(yuan)器(qi)件，集(ji)(ji)中(zhong)制作在(zai)一(yi)(yi)塊(kuai)半導體(ti)晶(jing)(jing)片上(shang)，一(yi)(yi)小塊(kuai)晶(jing)(jing)片就(jiu)是一(yi)(yi)個(ge)完整電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)，這(zhe)(zhe)樣一(yi)(yi)來，電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)線(xian)(xian)路(lu)(lu)的(de)(de)體(ti)積就(jiu)可大大縮小，可靠性大幅提高。這(zhe)(zhe)就(jiu)是初期集(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)的(de)(de)構(gou)(gou)想，晶(jing)(jing)體(ti)管(guan)(guan)的(de)(de)發(fa)明(ming)使這(zhe)(zhe)種想法(fa)成為(wei)(wei)了可能，1947年(nian)在(zai)美國貝爾實驗(yan)室(shi)制造出來了第一(yi)(yi)個(ge)晶(jing)(jing)體(ti)管(guan)(guan)，而在(zai)此(ci)(ci)之(zhi)前(qian)要(yao)實現電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流放大功能只能依靠體(ti)積大、耗(hao)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)量(liang)大、結構(gou)(gou)脆弱的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)管(guan)(guan)。晶(jing)(jing)體(ti)管(guan)(guan)具有電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)管(guan)(guan)的(de)(de)主要(yao)功能，并且克服(fu)了電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)管(guan)(guan)的(de)(de)上(shang)述(shu)缺點，因此(ci)(ci)在(zai)晶(jing)(jing)體(ti)管(guan)(guan)發(fa)明(ming)后，很快就(jiu)出現了基于(yu)半導體(ti)的(de)(de)集(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)的(de)(de)構(gou)(gou)想，也就(jiu)很快發(fa)明(ming)出來了集(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)。杰克·基爾比(bi)（Jack Kilby）和羅伯特·諾(nuo)伊斯（Robert Noyce）在(zai)1958~1959期間分(fen)別(bie)發(fa)明(ming)了鍺(zang)集(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)和硅集(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)。

現在(zai)(zai)，集(ji)成(cheng)(cheng)電路已(yi)經在(zai)(zai)各(ge)(ge)行各(ge)(ge)業中發揮著非常(chang)重要(yao)的(de)(de)(de)作用，是(shi)現代信息社會的(de)(de)(de)基石(shi)。集(ji)成(cheng)(cheng)電路的(de)(de)(de)含義，已(yi)經遠(yuan)遠(yuan)超(chao)過了其(qi)剛誕生(sheng)時(shi)(shi)的(de)(de)(de)定(ding)義范圍(wei)，但其(qi)最核心的(de)(de)(de)部分，仍(reng)然(ran)沒有改變，那就是(shi)“集(ji)成(cheng)(cheng)”，其(qi)所衍生(sheng)出來的(de)(de)(de)各(ge)(ge)種學科，大(da)都是(shi)圍(wei)繞著“集(ji)成(cheng)(cheng)什么”、“如何(he)集(ji)成(cheng)(cheng)”、“如何(he)處理(li)集(ji)成(cheng)(cheng)帶來的(de)(de)(de)利弊”這(zhe)三個問(wen)題來開展的(de)(de)(de)。硅集(ji)成(cheng)(cheng)電路是(shi)主(zhu)流，就是(shi)把(ba)實(shi)現某(mou)種功(gong)能(neng)(neng)的(de)(de)(de)電路所需的(de)(de)(de)各(ge)(ge)種元件(jian)都放在(zai)(zai)一(yi)塊硅片上，所形成(cheng)(cheng)的(de)(de)(de)整體(ti)被稱(cheng)作集(ji)成(cheng)(cheng)電路。對于“集(ji)成(cheng)(cheng)”，想象(xiang)一(yi)下我們住(zhu)過的(de)(de)(de)房(fang)(fang)(fang)子(zi)可能(neng)(neng)比較容易(yi)理(li)解：很多人小時(shi)(shi)候都住(zhu)過農村的(de)(de)(de)房(fang)(fang)(fang)子(zi)，那時(shi)(shi)房(fang)(fang)(fang)屋(wu)(wu)的(de)(de)(de)主(zhu)體(ti)也(ye)許(xu)就是(shi)三兩間平(ping)房(fang)(fang)(fang)，發揮著臥室的(de)(de)(de)功(gong)能(neng)(neng)，門口的(de)(de)(de)小院子(zi)擺上一(yi)副桌椅，就充當客廳(ting)，旁邊還有個炊煙(yan)裊裊的(de)(de)(de)小矮屋(wu)(wu)，那是(shi)廚房(fang)(fang)(fang)，而具有獨特功(gong)能(neng)(neng)的(de)(de)(de)廁所，需要(yao)有一(yi)定(ding)的(de)(de)(de)隔離，有可能(neng)(neng)在(zai)(zai)房(fang)(fang)(fang)屋(wu)(wu)的(de)(de)(de)背后，要(yao)走上十(shi)幾米……后來，到了城市(shi)里，或(huo)者鄉村城鎮化，大(da)家都住(zhu)進(jin)了樓房(fang)(fang)(fang)或(huo)者套房(fang)(fang)(fang)，一(yi)套房(fang)(fang)(fang)里面，有客廳(ting)、臥室、廚房(fang)(fang)(fang)、衛生(sheng)間、陽臺，也(ye)許(xu)只有幾十(shi)平(ping)方米，卻具有了原來占地幾百(bai)平(ping)方米的(de)(de)(de)農村房(fang)(fang)(fang)屋(wu)(wu)的(de)(de)(de)各(ge)(ge)種功(gong)能(neng)(neng)，這(zhe)就是(shi)集(ji)成(cheng)(cheng)。

當(dang)然現如今(jin)的(de)(de)(de)(de)集(ji)成電(dian)路(lu)(lu)(lu)，其集(ji)成度(du)遠(yuan)非一(yi)(yi)套房能比(bi)擬的(de)(de)(de)(de)，或(huo)許用(yong)一(yi)(yi)幢摩(mo)登大樓可(ke)(ke)(ke)以更好地類比(bi)：地面(mian)上有(you)(you)(you)商鋪、辦公(gong)、食堂、酒店式公(gong)寓，地下有(you)(you)(you)幾層是停車場(chang)，停車場(chang)下面(mian)還(huan)有(you)(you)(you)地基——這是集(ji)成電(dian)路(lu)(lu)(lu)的(de)(de)(de)(de)布局，模(mo)擬電(dian)路(lu)(lu)(lu)和數字(zi)(zi)(zi)(zi)電(dian)路(lu)(lu)(lu)分(fen)開，處理小信(xin)號的(de)(de)(de)(de)敏感電(dian)路(lu)(lu)(lu)與(yu)翻轉頻繁的(de)(de)(de)(de)控制邏輯分(fen)開，電(dian)源單獨放(fang)在一(yi)(yi)角。每(mei)層樓的(de)(de)(de)(de)房間(jian)(jian)布局不(bu)一(yi)(yi)樣(yang)，走廊也(ye)不(bu)一(yi)(yi)樣(yang)，有(you)(you)(you)回字(zi)(zi)(zi)(zi)形(xing)(xing)的(de)(de)(de)(de)、工字(zi)(zi)(zi)(zi)形(xing)(xing)的(de)(de)(de)(de)、幾字(zi)(zi)(zi)(zi)形(xing)(xing)的(de)(de)(de)(de)——這是集(ji)成電(dian)路(lu)(lu)(lu)器(qi)件設計，低噪聲電(dian)路(lu)(lu)(lu)中可(ke)(ke)(ke)以用(yong)折疊形(xing)(xing)狀或(huo)“叉(cha)指”結構(gou)的(de)(de)(de)(de)晶(jing)體管來減(jian)小結面(mian)積(ji)和柵電(dian)阻。各(ge)樓層直接有(you)(you)(you)高速電(dian)梯(ti)(ti)可(ke)(ke)(ke)達，為了效率(lv)和功能隔離(li)，還(huan)可(ke)(ke)(ke)能有(you)(you)(you)多部(bu)電(dian)梯(ti)(ti)，每(mei)部(bu)電(dian)梯(ti)(ti)能到(dao)的(de)(de)(de)(de)樓層不(bu)同——這是集(ji)成電(dian)路(lu)(lu)(lu)的(de)(de)(de)(de)布線(xian)，電(dian)源線(xian)、地線(xian)單獨走線(xian)，負載大的(de)(de)(de)(de)線(xian)也(ye)寬；時鐘(zhong)與(yu)信(xin)號分(fen)開；每(mei)層之(zhi)間(jian)(jian)布線(xian)垂直避免(mian)干(gan)擾；CPU與(yu)存(cun)儲之(zhi)間(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)高速總線(xian)，相(xiang)當(dang)于電(dian)梯(ti)(ti)，各(ge)層之(zhi)間(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)通(tong)孔相(xiang)當(dang)于電(dian)梯(ti)(ti)間(jian)(jian)……

特點

集(ji)成電路或(huo)稱(cheng)微電路（microcircuit）、微芯片（microchip）、芯片（chip）在電子(zi)學中是一種把電路（主要包括半(ban)導體裝(zhuang)置，也包括被動(dong)元件等(deng)）小型化的(de)方式，并通(tong)常制(zhi)造在半(ban)導體晶圓表面(mian)上。

前(qian)述(shu)將電(dian)路(lu)(lu)制造在(zai)半(ban)導體芯片(pian)表面上的集成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)(lu)又稱(cheng)薄膜(mo)（thin-film）集成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)(lu)。另(ling)有(you)一種厚膜(mo)（thick-film）混成(cheng)(cheng)集成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)(lu)（hybrid integrated circuit）是由(you)獨立(li)半(ban)導體設備(bei)和被動元件(jian)，集成(cheng)(cheng)到襯底或線路(lu)(lu)板(ban)所構成(cheng)(cheng)的小型化電(dian)路(lu)(lu)。

本文是(shi)關于單片（monolithic）集成電路，即薄(bo)膜集成電路。

集成電(dian)路具有(you)體積(ji)小，重(zhong)量輕(qing)，引出線(xian)和焊接(jie)點少，壽命長，可(ke)靠性高(gao)，性能好等(deng)(deng)優點，同時(shi)成本低，便(bian)于大(da)規模生產。它不(bu)僅在工(gong)、民用電(dian)子設備如收錄機(ji)、電(dian)視機(ji)、計算機(ji)等(deng)(deng)方面(mian)得到廣(guang)泛(fan)的應(ying)用，同時(shi)在軍事(shi)、通訊、遙控等(deng)(deng)方面(mian)也(ye)得到廣(guang)泛(fan)的應(ying)用。用集成電(dian)路來裝(zhuang)配電(dian)子設備，其裝(zhuang)配密度比晶體管可(ke)提高(gao)幾十倍(bei)至幾千倍(bei)，設備的穩定工(gong)作(zuo)時(shi)間也(ye)可(ke)大(da)大(da)提高(gao)。

分類

功能結構

集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)，又稱為(wei)IC，按其功能、結(jie)構的不同，可以分為(wei)模擬集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)、數字集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)和數/模混(hun)合(he)集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)三大(da)類。

模擬集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路(lu)又稱線性電(dian)(dian)路(lu),用(yong)來產生、放(fang)大和(he)(he)處理(li)各種模擬信(xin)(xin)號(hao)(hao)(hao)（指幅(fu)度隨時(shi)間(jian)變化的(de)(de)(de)信(xin)(xin)號(hao)(hao)(hao)。例(li)(li)如半導體收音(yin)機的(de)(de)(de)音(yin)頻信(xin)(xin)號(hao)(hao)(hao)、錄放(fang)機的(de)(de)(de)磁(ci)帶信(xin)(xin)號(hao)(hao)(hao)等），其輸入信(xin)(xin)號(hao)(hao)(hao)和(he)(he)輸出信(xin)(xin)號(hao)(hao)(hao)成(cheng)(cheng)比例(li)(li)關系(xi)。而數字集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路(lu)用(yong)來產生、放(fang)大和(he)(he)處理(li)各種數字信(xin)(xin)號(hao)(hao)(hao)（指在時(shi)間(jian)上和(he)(he)幅(fu)度上離(li)散取值的(de)(de)(de)信(xin)(xin)號(hao)(hao)(hao)。例(li)(li)如5G手機、數碼(ma)相(xiang)機、電(dian)(dian)腦CPU、數字電(dian)(dian)視的(de)(de)(de)邏輯(ji)控(kong)制和(he)(he)重放(fang)的(de)(de)(de)音(yin)頻信(xin)(xin)號(hao)(hao)(hao)和(he)(he)視頻信(xin)(xin)號(hao)(hao)(hao)）。

制作工藝

集成(cheng)(cheng)電路按制作工藝可分為(wei)半導體集成(cheng)(cheng)電路和膜集成(cheng)(cheng)電路。

膜集(ji)成(cheng)電(dian)路又分類厚膜集(ji)成(cheng)電(dian)路和薄膜集(ji)成(cheng)電(dian)路。

集成度高低

集成(cheng)電路按集成(cheng)度高低的不同可分(fen)為(wei)：

SSIC 小規模集成電(dian)路(Small Scale Integrated circuits)

MSIC 中規模集成(cheng)電(dian)路(lu)(Medium Scale Integrated circuits)

LSIC 大規模集成電路(Large Scale Integrated circuits)

VLSIC 超大規模集成電路(Very Large Scale Integrated circuits)

ULSIC特大規模集(ji)成(cheng)電路(Ultra Large Scale Integrated circuits)

GSIC 巨(ju)大規模集成電(dian)路(lu)也(ye)被稱作極大規模集成電(dian)路(lu)或超(chao)特(te)大規模集成電(dian)路(lu)(Giga Scale Integration)。

導電類型不同

集(ji)成(cheng)電(dian)(dian)路按導電(dian)(dian)類(lei)型(xing)可分為(wei)雙極型(xing)集(ji)成(cheng)電(dian)(dian)路和(he)單極型(xing)集(ji)成(cheng)電(dian)(dian)路，他們都是數(shu)字(zi)集(ji)成(cheng)電(dian)(dian)路。

雙極型(xing)(xing)集(ji)成電路的制作(zuo)工藝復雜，功耗較大(da)，代(dai)表(biao)(biao)集(ji)成電路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等類(lei)型(xing)(xing)。單(dan)極型(xing)(xing)集(ji)成電路的制作(zuo)工藝簡單(dan)，功耗也較低，易于(yu)制成大(da)規模(mo)集(ji)成電路，代(dai)表(biao)(biao)集(ji)成電路有CMOS、NMOS、PMOS等類(lei)型(xing)(xing)。

按用途

集(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)按用途可(ke)分為電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)視機(ji)(ji)(ji)用集(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)、音響(xiang)用集(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)、影(ying)碟機(ji)(ji)(ji)用集(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)、錄像機(ji)(ji)(ji)用集(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)、電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)腦（微機(ji)(ji)(ji)）用集(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)、電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子琴(qin)用集(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)、通信用集(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)、照(zhao)相機(ji)(ji)(ji)用集(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)、遙控集(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)、語言集(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)、報警器(qi)用集(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)及各種專用集(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)。

1.電(dian)(dian)(dian)(dian)視(shi)機(ji)用(yong)集(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)包括(kuo)行、場掃(sao)描集(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)、中放集(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)、伴音(yin)集(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)、彩色解(jie)碼(ma)集(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)、AV/TV轉換集(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)、開關電(dian)(dian)(dian)(dian)源集(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)、遙(yao)控集(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)、麗音(yin)解(jie)碼(ma)集(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)、畫中畫處理集(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)、微處理器（CPU）集(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)、存儲(chu)器集(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)等(deng)。

2.音(yin)響用集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)包括AM/FM高中頻電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)、立體聲解碼(ma)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)、音(yin)頻前置放大電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)、音(yin)頻運算放大集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)、音(yin)頻功(gong)率(lv)放大集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)、環(huan)繞聲處理(li)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)、電(dian)(dian)(dian)(dian)平驅動(dong)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)，電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)音(yin)量控制集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)、延時(shi)混(hun)響集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)、電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)開關集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)等(deng)。

3.影碟機用集(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)有系統控制集(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)、視頻(pin)編碼集(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)、MPEG解碼集(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)、音頻(pin)信(xin)號處(chu)(chu)(chu)理集(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)、音響(xiang)效果(guo)集(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)、RF信(xin)號處(chu)(chu)(chu)理集(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)、數字信(xin)號處(chu)(chu)(chu)理集(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)、伺服集(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)、電(dian)(dian)(dian)動(dong)機驅動(dong)集(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)等。

4.錄像(xiang)機用集(ji)成電(dian)(dian)路(lu)(lu)有系統控制集(ji)成電(dian)(dian)路(lu)(lu)、伺服集(ji)成電(dian)(dian)路(lu)(lu)、驅動集(ji)成電(dian)(dian)路(lu)(lu)、音頻(pin)處(chu)(chu)理集(ji)成電(dian)(dian)路(lu)(lu)、視(shi)頻(pin)處(chu)(chu)理集(ji)成電(dian)(dian)路(lu)(lu)。

5.計(ji)算機集成電路，包括中央控制單元（CPU）、內存(cun)儲器、外(wai)存(cun)儲器、I/O控制電路等。

6.通信(xin)集成電路

7.專業控制集成電(dian)路(lu)

按應用領域分

集成(cheng)電(dian)路按應用領域可分為標準通用集成(cheng)電(dian)路和專用集成(cheng)電(dian)路。

按外形分

集成電路按(an)外(wai)形(xing)可分為圓形(xing)（金(jin)屬外(wai)殼晶體管封裝(zhuang)型(xing)(xing)，一般適合用于大功率）、扁平型(xing)(xing)（穩定性好(hao)，體積小）和雙列直插型(xing)(xing)。

簡史

世界集成電路發展歷史

1947年：美(mei)國貝爾實驗(yan)室的約翰·巴(ba)丁、布拉頓、肖克萊(lai)三人發明(ming)了晶體管，這是微電子技術發展中(zhong)第一(yi)個里程碑；

1950年(nian)：結型(xing)晶體(ti)管誕生

1950年： R Ohl和肖克萊發(fa)明了離子(zi)注(zhu)入工(gong)藝

1951年(nian)：場(chang)效應晶體管發明

1956年：C S Fuller發明了擴(kuo)散工藝

1958年：仙童(tong)公司(si)Robert Noyce與德儀公司(si)基(ji)爾(er)比間隔數月分別(bie)發明了集成電路，開(kai)創了世(shi)界微電子學(xue)的歷史；

1960年(nian)：H H Loor和E Castellani發(fa)明了光刻工藝

1962年：美(mei)國RCA公司研制出MOS場效(xiao)應晶體管

1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技(ji)術，今天，95%以上的集成電路芯(xin)片都是基于CMOS工藝

1964年：Intel摩爾提出摩爾定律(lv)，預測晶體管集成度將會每18個(ge)月增加1倍

1966年：美國RCA公司(si)研(yan)制(zhi)出(chu)CMOS集成電路，并研(yan)制(zhi)出(chu)第一塊門陣(zhen)列（50門），為現(xian)如(ru)今的(de)大規模(mo)集成電路發(fa)展奠(dian)定(ding)了堅實(shi)基礎，具有里程碑意義

1967年：應用材料(liao)公司（Applied Materials）成(cheng)(cheng)立，現(xian)已(yi)成(cheng)(cheng)為全球最大的半導(dao)體設備(bei)制造公司

1971年：Intel推(tui)出1kb動(dong)態隨機存儲器（DRAM），標(biao)志著(zhu)大規模(mo)集成電(dian)路出現(xian)

1971年：全球第一個微處理(li)器4004由Intel公司推出，采(cai)用的是MOS工藝，這是一個里程碑式的發明

1974年：RCA公司推(tui)出第一個CMOS微處理(li)器(qi)1802

1976年(nian)：16kb DRAM和4kb SRAM問世

1978年：64kb動態隨機(ji)存儲器誕生，不足0.5平方厘米的(de)(de)硅片(pian)上集成(cheng)了14萬個(ge)晶體管，標志著超大規模集成(cheng)電(dian)路（VLSI）時代的(de)(de)來臨

1979年：Intel推出5MHz 8088微處(chu)理器(qi)，之后，IBM基(ji)于(yu)8088推出全(quan)球第一臺PC

1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問世

1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM

1985年(nian)：80386微處理器問世，20MHz

1988年(nian)：16M DRAM問世，1平方厘米(mi)大(da)小的硅(gui)片上集成(cheng)有3500萬個(ge)晶體(ti)管，標志著進(jin)入超大(da)規模集成(cheng)電(dian)路（VLSI）階段

1989年：1Mb DRAM進入(ru)市場

1989年：486微(wei)處理器推出，25MHz，1μm工(gong)(gong)藝，后來50MHz芯片采用0.8μm工(gong)(gong)藝

1992年：64M位隨機存(cun)儲器問世

1993年：66MHz奔(ben)騰處(chu)理(li)器推(tui)出，采用0.6μm工藝(yi)

1995年：Pentium Pro，133MHz，采用0.6-0.35μm工(gong)藝；1997年：300MHz奔騰Ⅱ問世，采用0.25μm工(gong)藝

1999年：奔(ben)騰Ⅲ問世(shi)，450MHz，采(cai)用(yong)0.25μm工藝(yi)(yi)，后采(cai)用(yong)0.18μm工藝(yi)(yi)

2000年(nian)：1Gb RAM投放市場

2000年：奔騰4問(wen)世，1.5GHz，采用(yong)0.18μm工藝

2001年：Intel宣(xuan)布2001年下半年采(cai)用0.13μm工(gong)藝(yi)。

2003年：奔騰4E系列推出(chu)，采(cai)用90nm工藝。

2005年：intel酷睿2系(xi)列上市，采用65nm工(gong)藝。

2007年：基于全新(xin)45納米High-K工藝的intel酷睿(rui)2E7/E8/E9上市(shi)。

2009年：intel酷睿i系列全新推(tui)出，創紀錄采用了領先(xian)的32納(na)米(mi)(mi)工藝(yi)，并且(qie)下(xia)一代(dai)22納(na)米(mi)(mi)工藝(yi)正在(zai)研發。

我國集成電路發展歷史

我國集成(cheng)電(dian)路產業誕生于六十年代，共經歷(li)了三個發展階段：

1965年-1978年：以(yi)(yi)計算機和軍工配套(tao)為目(mu)標，以(yi)(yi)開發邏輯電路(lu)為主要產品，初步建立集成電路(lu)工業(ye)基礎(chu)及相(xiang)關設備(bei)、儀器、材(cai)料的(de)配套(tao)條件(jian)

1978年(nian)-1990年(nian)：主要引(yin)進美國(guo)二手(shou)設備，改善集(ji)成電路(lu)裝備水平，在“治(zhi)散治(zhi)亂”的同時，以(yi)消費類整機(ji)作為配套重點，較(jiao)好地(di)解決(jue)了彩電集(ji)成電路(lu)的國(guo)產化

1990年(nian)-2000年(nian)：以(yi)908工程(cheng)、909工程(cheng)為(wei)重點，以(yi)CAD為(wei)突破口(kou)，抓好科技攻關和(he)北方科研開發(fa)基(ji)地的(de)建(jian)設，為(wei)信息產業服(fu)務，集成電路行業取(qu)得了新的(de)發(fa)展(zhan)。

集成(cheng)電路(lu)產業是對(dui)集成(cheng)電路(lu)產業鏈各(ge)環節市(shi)(shi)場(chang)銷(xiao)售額的總(zong)體描述，它不僅僅包(bao)含集成(cheng)電路(lu)市(shi)(shi)場(chang)，也包(bao)括IP核市(shi)(shi)場(chang)、EDA市(shi)(shi)場(chang)、芯片代工市(shi)(shi)場(chang)、封(feng)測市(shi)(shi)場(chang)，甚至延伸至設備、材(cai)料市(shi)(shi)場(chang)。

集(ji)成電(dian)(dian)路產業(ye)不(bu)再依賴CPU、存儲器等單一器件(jian)發(fa)展(zhan)，移動互聯、三網融合、多(duo)屏互動、智能(neng)終端帶(dai)來了多(duo)重市場(chang)(chang)空間，商業(ye)模式不(bu)斷創(chuang)新(xin)為(wei)(wei)市場(chang)(chang)注入新(xin)活力(li)。目(mu)前我國集(ji)成電(dian)(dian)路產業(ye)已具(ju)備一定(ding)基(ji)礎(chu)，多(duo)年(nian)(nian)來我國集(ji)成電(dian)(dian)路產業(ye)所聚集(ji)的(de)技術創(chuang)新(xin)活力(li)、市場(chang)(chang)拓展(zhan)能(neng)力(li)、資源整合動力(li)以(yi)及廣(guang)闊的(de)市場(chang)(chang)潛力(li)，為(wei)(wei)產業(ye)在未來5年(nian)(nian)～10年(nian)(nian)實現(xian)快(kuai)速(su)發(fa)展(zhan)、邁上(shang)新(xin)的(de)臺階(jie)奠定(ding)了基(ji)礎(chu)。

檢測常識

1、檢測(ce)前要了解集成電路及其相關電路的(de)工作原理

檢查和修(xiu)理集成電(dian)(dian)路前(qian)首先要熟(shu)悉所用集成電(dian)(dian)路的(de)功能、內部(bu)電(dian)(dian)路、主要電(dian)(dian)氣參數、各引腳的(de)作(zuo)用以及引腳的(de)正常電(dian)(dian)壓(ya)、波形(xing)與外圍(wei)元件組成電(dian)(dian)路的(de)工作(zuo)原(yuan)理。

2、測試避免造成引腳間短路

電壓測(ce)量或用示波(bo)器探頭測(ce)試波(bo)形時，避免造成(cheng)引腳間短路(lu)，最好在與引腳直(zhi)接連(lian)通的(de)外(wai)圍(wei)印(yin)刷電路(lu)上進(jin)行測(ce)量。任何瞬(shun)間的(de)短路(lu)都容易損壞集(ji)成(cheng)電路(lu)，尤其(qi)在測(ce)試扁(bian)平型封裝的(de)CMOS集(ji)成(cheng)電路(lu)時更要加倍小心。

3、嚴禁在無隔離(li)變壓器(qi)的(de)情(qing)況下，用已接地的(de)測試設備(bei)去接觸(chu)底板(ban)帶電(dian)的(de)電(dian)視、音響、錄像等設備(bei)

嚴禁用外殼已(yi)接(jie)地的(de)儀器設(she)備(bei)(bei)直接(jie)測試無電(dian)源(yuan)隔離(li)變壓器的(de)電(dian)視(shi)、音(yin)響、錄像等設(she)備(bei)(bei)。雖然一(yi)般的(de)收(shou)錄機(ji)都具有(you)電(dian)源(yuan)變壓器，當接(jie)觸到(dao)較特(te)殊(shu)的(de)尤其是輸出功率(lv)較大(da)或對采用的(de)電(dian)源(yuan)性質不太了解的(de)電(dian)視(shi)或音(yin)響設(she)備(bei)(bei)時，首先要弄清(qing)該機(ji)底盤(pan)是否帶電(dian)，否則(ze)極易(yi)與底板帶電(dian)的(de)電(dian)視(shi)、音(yin)響等設(she)備(bei)(bei)造成電(dian)源(yuan)短路，波及集(ji)成電(dian)路，造成故(gu)障(zhang)的(de)進(jin)一(yi)步擴(kuo)大(da)。

4、要(yao)注意電烙鐵的(de)絕緣性能

不允許帶電使(shi)用烙鐵(tie)(tie)焊接(jie)，要確認(ren)烙鐵(tie)(tie)不帶電，最好(hao)把烙鐵(tie)(tie)的(de)外殼接(jie)地(di)，對MOS電路更應(ying)小(xiao)心，能采用6~8V的(de)低壓電烙鐵(tie)(tie)就(jiu)更安全。

5、要保證焊接質(zhi)量

焊(han)(han)接時(shi)確實焊(han)(han)牢，焊(han)(han)錫的(de)堆(dui)積、氣(qi)孔(kong)容易造成虛焊(han)(han)。焊(han)(han)接時(shi)間(jian)一(yi)般(ban)不超過3秒鐘(zhong)，烙(luo)鐵的(de)功率(lv)應用內熱(re)式25W左右。已焊(han)(han)接好的(de)集成電路要(yao)仔(zi)細(xi)查看，最(zui)好用歐姆表(biao)測量(liang)各引腳間(jian)有(you)否短(duan)路，確認無焊(han)(han)錫粘(zhan)連(lian)現象再接通(tong)電源(yuan)。

6、不要輕(qing)易斷定集(ji)成電(dian)路的損壞(huai)

不(bu)(bu)要輕易地判斷集成(cheng)電路(lu)已損壞。因(yin)為集成(cheng)電路(lu)絕大多數為直接(jie)耦合，一(yi)(yi)旦某一(yi)(yi)電路(lu)不(bu)(bu)正常，可能會導致(zhi)多處電壓變化(hua)(hua)，而這些(xie)變化(hua)(hua)不(bu)(bu)一(yi)(yi)定是集成(cheng)電路(lu)損壞引(yin)起的(de)，另外(wai)在有些(xie)情況下測得各(ge)引(yin)腳電壓與(yu)正常值相(xiang)符或接(jie)近(jin)時，也不(bu)(bu)一(yi)(yi)定都能說明(ming)集成(cheng)電路(lu)就(jiu)是好的(de)。因(yin)為有些(xie)軟故(gu)障不(bu)(bu)會引(yin)起直流電壓的(de)變化(hua)(hua)。

7、測試儀表(biao)內(nei)阻要大

測量(liang)集成電(dian)(dian)路引腳直流(liu)電(dian)(dian)壓時，應(ying)選(xuan)用表頭(tou)內阻大于20KΩ/V的萬用表，否(fou)則對某些引腳電(dian)(dian)壓會有較大的測量(liang)誤(wu)差(cha)。

8、要注意功率集成電路(lu)的散熱

功率(lv)集(ji)成電路應散熱良好，不允許不帶散熱器(qi)而(er)處于大功率(lv)的狀態下工作。

9、引線要合理

如需要(yao)加(jia)接(jie)外圍元件代替集成(cheng)電路內部已損壞(huai)部分，應選用(yong)小(xiao)型元器件，且(qie)接(jie)線要(yao)合理以免造成(cheng)不必要(yao)的寄生耦合，尤其是要(yao)處理好(hao)音頻功放(fang)集成(cheng)電路和(he)前置放(fang)大電路之間的接(jie)地端(duan)。

例如(ru)： 肖特基4輸入(ru)與(yu)非(fei)門 CT54S20MD

C—符(fu)合國家標(biao)準

T—TTL電路

54S20—肖(xiao)特基雙4輸入與(yu)非(fei)門

M—‐55~125℃

D—多層陶瓷雙列直(zhi)插封裝(zhuang)

1、BGA

(ball grid array)

球形(xing)觸點陣列，表面(mian)貼裝(zhuang)型封(feng)裝(zhuang)之一。在印刷基板(ban)的(de)(de)背(bei)面(mian)按(an)陣列方式制作出(chu)球形(xing)凸點用(yong)(yong)以代替引(yin)(yin)腳(jiao)，在印刷基板(ban)的(de)(de)正面(mian)裝(zhuang)配(pei)LSI芯片(pian)，然后(hou)用(yong)(yong)模壓樹脂或(huo)灌封(feng)方法(fa)進行(xing)密封(feng)。也(ye)(ye)稱(cheng)為(wei)(wei)凸點陣列載體(PAC)。引(yin)(yin)腳(jiao)可超(chao)過200，是多引(yin)(yin)腳(jiao)LSI用(yong)(yong)的(de)(de)一種封(feng)裝(zhuang)。封(feng)裝(zhuang)本(ben)體也(ye)(ye)可做得(de)比QFP(四側(ce)引(yin)(yin)腳(jiao)扁(bian)平封(feng)裝(zhuang))小。例如，引(yin)(yin)腳(jiao)中心距為(wei)(wei)1.5mm的(de)(de)360引(yin)(yin)腳(jiao)BGA僅為(wei)(wei)31mm見(jian)方；而引(yin)(yin)腳(jiao)中心距為(wei)(wei)0.5mm的(de)(de)304引(yin)(yin)腳(jiao)QFP為(wei)(wei)40mm見(jian)方。而且(qie)BGA不用(yong)(yong)擔心QFP那(nei)樣的(de)(de)引(yin)(yin)腳(jiao)變形(xing)問題（見(jian)有(you)圖所示）。

2、BQFP

(quad flat package with bumper)

帶(dai)緩沖(chong)墊的(de)四側引(yin)腳(jiao)(jiao)扁平封(feng)(feng)裝。QFP封(feng)(feng)裝之一，在封(feng)(feng)裝本(ben)體的(de)四個角設置突起(緩沖(chong)墊)以防止在運送過程中引(yin)腳(jiao)(jiao)發生彎(wan)曲變形(xing)。美國半導體廠(chang)家主要在微處理器和(he)ASIC等電路(lu)中采用此封(feng)(feng)裝。引(yin)腳(jiao)(jiao)中心(xin)距(ju)0.635mm，引(yin)腳(jiao)(jiao)數從84到(dao)196左右(見QFP)。

3、C－

(ceramic)

表示陶瓷(ci)封裝(zhuang)的記(ji)(ji)號(hao)。例如，CDIP表示的是陶瓷(ci)DIP。是在(zai)實際中經常(chang)使用的記(ji)(ji)號(hao)。

4、Cerdip

用(yong)(yong)玻璃密封(feng)的陶(tao)瓷(ci)雙列直插式(shi)封(feng)裝(zhuang)，用(yong)(yong)于(yu)ECL RAM，DSP(數(shu)字信號(hao)處理器)等電(dian)(dian)路(lu)。帶(dai)有玻璃窗口的Cerdip用(yong)(yong)于(yu)紫(zi)外(wai)線擦除型EPROM以及內部帶(dai)有EPROM的微(wei)機電(dian)(dian)路(lu)等。引腳(jiao)中心距(ju)2.54mm，引腳(jiao)數(shu)從8到42。在(zai)日本，此封(feng)裝(zhuang)表示為(wei)DIP－G(G即玻璃密封(feng)的意(yi)思)。

5、Cerquad

表面貼(tie)裝(zhuang)(zhuang)型封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)之一，即用下(xia)密封(feng)(feng)的陶瓷QFP，用于封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)DS等(deng)的邏輯LSI電(dian)路(lu)。帶有窗口(kou)的Cerquad用于封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)EPRO電(dian)路(lu)。散熱性(xing)比塑(su)料QFP好(hao)，在自然空冷條(tiao)件下(xia)可容許1.5～2W的功率。但(dan)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)成本比塑(su)料QFP高(gao)3～5倍(bei)。引(yin)腳中(zhong)心距(ju)有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等(deng)多種(zhong)規(gui)格(ge)。引(yin)腳數(shu)從32到368。

帶(dai)(dai)(dai)引腳(jiao)(jiao)的陶瓷芯片載體，表(biao)面貼裝(zhuang)(zhuang)型(xing)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)之一，引腳(jiao)(jiao)從封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)的四個側面引出(chu)，呈(cheng)丁(ding)字形。帶(dai)(dai)(dai)有(you)窗口的用(yong)于封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)紫外線擦(ca)除型(xing)EPROM以及帶(dai)(dai)(dai)有(you)EPROM的微機電路等。此封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)也(ye)稱為QFJ、QFJ－G(見QFJ)。

6、COB

(chip on board)

板(ban)(ban)上芯片(pian)(pian)(pian)封裝(zhuang)，是(shi)裸(luo)芯片(pian)(pian)(pian)貼裝(zhuang)技術之一，半導(dao)體芯片(pian)(pian)(pian)交接(jie)(jie)貼裝(zhuang)在(zai)印刷線路板(ban)(ban)上，芯片(pian)(pian)(pian)與(yu)基(ji)板(ban)(ban)的(de)電氣連(lian)接(jie)(jie)用引線縫(feng)合方法實現(xian)，芯片(pian)(pian)(pian)與(yu)基(ji)板(ban)(ban)的(de)電氣連(lian)接(jie)(jie)用引線縫(feng)合方法實現(xian)，并用樹脂(zhi)覆蓋(gai)以確保(bao)可靠性(xing)。雖(sui)然COB是(shi)最(zui)簡(jian)單的(de)裸(luo)芯片(pian)(pian)(pian)貼裝(zhuang)技術，但它的(de)封裝(zhuang)密(mi)度(du)遠(yuan)不如TAB和(he)倒片(pian)(pian)(pian)焊(han)技術。

7、DFP

(dual flat package)

雙側引腳(jiao)扁(bian)平(ping)封裝(zhuang)。是SOP的別稱(見SOP)。以前(qian)曾有此(ci)稱法，80年代后(hou)期已(yi)基本上不(bu)用。

8、DIC

(dual in-line ceramic package)

陶瓷(ci)DIP(含玻璃密(mi)封)的別稱(見DIP).

9、DIL

(dual in-line)

DIP 的別(bie)稱(cheng)(見DIP)。歐洲半(ban)導體廠家(jia)多用此名稱(cheng)。

10、DIP

(dual in-line package)

雙列直插(cha)(cha)式封裝(zhuang)(zhuang)。插(cha)(cha)裝(zhuang)(zhuang)型(xing)(xing)封裝(zhuang)(zhuang)之一，引腳從(cong)封裝(zhuang)(zhuang)兩(liang)(liang)側引出，封裝(zhuang)(zhuang)材料有塑料和陶瓷兩(liang)(liang)種。DIP是最普(pu)及的(de)插(cha)(cha)裝(zhuang)(zhuang)型(xing)(xing)封裝(zhuang)(zhuang)，應用范(fan)圍包括標準邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數(shu)(shu)從(cong)6到(dao)64。封裝(zhuang)(zhuang)寬(kuan)度(du)通常為(wei)15.2mm。有的(de)把寬(kuan)度(du)為(wei)7.52mm 和10.16mm 的(de)封裝(zhuang)(zhuang)分別稱(cheng)為(wei)skinny DIP 和slim DIP(窄體型(xing)(xing)DIP)。但多數(shu)(shu)情況(kuang)下并不加區(qu)分，只簡單地統稱(cheng)為(wei)DIP。另外(wai)，用低熔點玻璃密封的(de)陶瓷DIP也稱(cheng)為(wei)cerdip(見(jian)cerdip)。

11、DSO

(dual small out-lint)

雙側引腳(jiao)小(xiao)外(wai)形封裝。SOP的別稱(見SOP)。部(bu)分半導(dao)體廠家采用此名稱。

12、DICP

(dual tape carrier package)

雙(shuang)側(ce)引腳帶(dai)載封裝(zhuang)(zhuang)。TCP(帶(dai)載封裝(zhuang)(zhuang))之一。引腳制(zhi)作在絕緣(yuan)帶(dai)上并從封裝(zhuang)(zhuang)兩側(ce)引出。由于(yu)利用的(de)是(shi)TAB(自動帶(dai)載焊接)技術(shu)，封裝(zhuang)(zhuang)外(wai)形非常薄。常用于(yu)液晶顯示(shi)驅動LSI，但多數為(wei)定制(zhi)品。另外(wai)，0.5mm厚的(de)存儲器LSI簿形封裝(zhuang)(zhuang)正處于(yu)開(kai)發階(jie)段。在日(ri)本，按照(zhao)EIAJ(日(ri)本電子機 械工 業)會標(biao)準規定，將DICP 命名(ming)為(wei)DTP。

13、DIP

(dual tape carrier package)

同上。日本電子機械(xie)工業(ye)會標準對(dui)DTCP 的命名(見DTCP)。

14、FP

(flat package)

扁平(ping)封裝(zhuang)。表(biao)面貼裝(zhuang)型封裝(zhuang)之一。QFP或SOP(見QFP和SOP)的別稱。部(bu)分半導體廠家采用此(ci)名稱。

15、flip-chip

倒焊芯(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)。裸芯(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)封裝(zhuang)技(ji)術之一(yi)，在LSI芯(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)的(de)電極區制(zhi)作(zuo)好金屬(shu)凸(tu)點，然(ran)后把金屬(shu)凸(tu)點與(yu)印刷基板上(shang)的(de)電極區進行壓焊連接。封裝(zhuang)的(de)占有(you)面積基本(ben)上(shang)與(yu)芯(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)尺寸相(xiang)同。是所有(you)封裝(zhuang)技(ji)術中體積最小、最薄的(de)一(yi)種。但如果基板的(de)熱膨脹(zhang)系數與(yu)LSI芯(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)不(bu)同，就(jiu)會(hui)在接合處產(chan)生反(fan)應，從而影響連接的(de)可靠性(xing)。因此(ci)必須用樹脂來(lai)加(jia)固LSI芯(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)，并使用熱膨脹(zhang)系數基本(ben)相(xiang)同的(de)基板材料。

16、FQFP

(fine pitch quad flat package)

小引(yin)腳中心(xin)距QFP。通(tong)常指引(yin)腳中心(xin)距小于0.65mm的(de)QFP(見(jian)QFP)。部分導(dao)導(dao)體廠家采用(yong)此名(ming)稱。

17、CPAC

(globe top pad array carrier)

美國Motorola 公司對BGA 的(de)別(bie)稱(見BGA)。

18、CQFP

(quad fiat package with guard ring)

帶保護(hu)(hu)環(huan)的四側(ce)引(yin)(yin)(yin)腳扁平封(feng)裝(zhuang)(zhuang)。塑料QFP之一，引(yin)(yin)(yin)腳用樹脂保護(hu)(hu)環(huan)掩蔽，以防止彎(wan)曲(qu)變形。在把LSI組(zu)裝(zhuang)(zhuang)在印刷基板上之前，從保護(hu)(hu)環(huan)處切斷引(yin)(yin)(yin)腳并使其成(cheng)為(wei)海鷗翼狀(L形狀)。這種封(feng)裝(zhuang)(zhuang)在美國Motorola公(gong)司(si)已批量生產(chan)。引(yin)(yin)(yin)腳中心距0.5mm，引(yin)(yin)(yin)腳數最多(duo)為(wei)208左(zuo)右(you)。

19、H-

(with heat sink)

表示帶散熱(re)(re)器(qi)的標記。例如，HSOP表示帶散熱(re)(re)器(qi)的SOP。

20、pin grid array

(surface mount type)

表面(mian)貼裝(zhuang)(zhuang)型(xing)(xing)PGA。通常PGA為(wei)(wei)插裝(zhuang)(zhuang)型(xing)(xing)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)，引腳長約3.4mm。表面(mian)貼裝(zhuang)(zhuang)型(xing)(xing)PGA在封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)的(de)(de)底面(mian)有(you)(you)陳(chen)列狀的(de)(de)引腳，其長度從1.5mm到2.0mm。貼裝(zhuang)(zhuang)采用與(yu)印刷基(ji)(ji)板(ban)碰焊的(de)(de)方(fang)法(fa)，因而(er)也稱為(wei)(wei)碰焊PGA。因為(wei)(wei)引腳中心距只有(you)(you)1.27mm，比(bi)(bi)插裝(zhuang)(zhuang)型(xing)(xing)PGA小(xiao)一(yi)半，所(suo)以封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)本體可制作得(de)不(bu)怎么大，而(er)引腳數比(bi)(bi)插裝(zhuang)(zhuang)型(xing)(xing)多(duo)(250～528)，是大規(gui)模邏輯(ji)LSI用的(de)(de)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)。封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)的(de)(de)基(ji)(ji)材(cai)有(you)(you)多(duo)層(ceng)陶瓷(ci)基(ji)(ji)板(ban)和(he)玻璃環氧(yang)樹脂印刷基(ji)(ji)數。以多(duo)層(ceng)陶瓷(ci)基(ji)(ji)材(cai)制作封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)已經實(shi)用化。

21、JLCC

(J-leaded chip carrier)

J形引腳(jiao)芯片載體。指帶窗口CLCC和帶窗口的陶瓷QFJ的別稱(見(jian)CLCC和QFJ)。部分半導體廠家采用的名稱。

22、LCC

(Leadless chip carrier)

無引(yin)腳芯(xin)片載體。指陶(tao)(tao)瓷基板的(de)四個(ge)側面只有電極接觸而無引(yin)腳的(de)表面貼裝型封裝。是高(gao)速和(he)高(gao)頻(pin)IC用封裝，也稱為陶(tao)(tao)瓷QFN或QFN－C(見(jian)QFN)。

23、LGA

(land grid array)

觸(chu)點(dian)(dian)陳列封裝。即(ji)在底面制(zhi)作(zuo)有陣列狀態坦(tan)電(dian)極觸(chu)點(dian)(dian)的(de)(de)(de)封裝。裝配(pei)時插(cha)入(ru)插(cha)座即(ji)可。現(xian)已實用的(de)(de)(de)有227觸(chu)點(dian)(dian)(1.27mm中心距(ju))和447觸(chu)點(dian)(dian)(2.54mm中心距(ju))的(de)(de)(de)陶(tao)瓷(ci)LGA，應用于(yu)高(gao)速(su)邏輯(ji)LSI電(dian)路(lu)。LGA與QFP相比(bi)(bi)，能夠(gou)以比(bi)(bi)較(jiao)小的(de)(de)(de)封裝容納更(geng)多的(de)(de)(de)輸(shu)入(ru)輸(shu)出引(yin)腳。另(ling)外，由(you)于(yu)引(yin)線的(de)(de)(de)阻(zu)抗小，對于(yu)高(gao)速(su)LSI是(shi)很適用的(de)(de)(de)。但由(you)于(yu)插(cha)座制(zhi)作(zuo)復雜，成本(ben)高(gao)，90年代基本(ben)上不怎么使(shi)用。預計(ji)今后(hou)對其需(xu)求會有所增加。

24、LOC

(lead on chip)

芯片(pian)(pian)上引線(xian)封裝(zhuang)。LSI封裝(zhuang)技術之一，引線(xian)框架(jia)的(de)前端(duan)處(chu)于芯片(pian)(pian)上方的(de)一種結(jie)構，芯片(pian)(pian)的(de)中(zhong)心附近制作有凸焊點，用引線(xian)縫合進(jin)行(xing)電氣連接。與(yu)原來把(ba)引線(xian)框架(jia)布置(zhi)在芯片(pian)(pian)側面(mian)附近的(de)結(jie)構相(xiang)比(bi)，在相(xiang)同大小(xiao)的(de)封裝(zhuang)中(zhong)容納的(de)芯片(pian)(pian)達1mm左(zuo)右(you)寬度。

25、LQFP

(low profile quad flat package)

薄型QFP。指封裝本(ben)體厚度(du)為(wei)1.4mm的QFP，是日本(ben)電子機械工(gong)業會(hui)根據(ju)制定的新QFP外形(xing)規格所用的名(ming)稱。

26、L－QUAD

陶(tao)瓷QFP之一。封裝基(ji)板(ban)用氮化(hua)鋁，基(ji)導熱(re)率比(bi)氧化(hua)鋁高7～8倍(bei)，具有(you)較好的(de)散熱(re)性。封裝的(de)框(kuang)架用氧化(hua)鋁，芯片(pian)用灌封法密封，從而抑制了(le)(le)成本。是(shi)為邏輯(ji)(ji)LSI開(kai)發(fa)的(de)一種封裝，在自(zi)然空(kong)冷條件下可容許W3的(de)功率。現已開(kai)發(fa)出了(le)(le)208引腳(0.5mm中心距)和160引腳(0.65mm中心距)的(de)LSI邏輯(ji)(ji)用封裝，并于1993年10月開(kai)始投(tou)入(ru)批量生產。

27、MCM

(multi-chip module)

多(duo)芯(xin)片組(zu)(zu)件。將多(duo)塊(kuai)半導(dao)體(ti)裸芯(xin)片組(zu)(zu)裝(zhuang)在一塊(kuai)布線基(ji)板上的一種封(feng)裝(zhuang)。根據基(ji)板材料可分為MCM－L，MCM－C和MCM－D三大類。MCM－L是使用(yong)通常的玻璃環氧(yang)(yang)樹脂多(duo)層印刷基(ji)板的組(zu)(zu)件。布線密(mi)度不怎(zen)么高，成本較低(di)。MCM－C是用(yong)厚(hou)膜(mo)技術形成多(duo)層布線，以陶瓷(氧(yang)(yang)化鋁或玻璃陶瓷)作為基(ji)板的組(zu)(zu)件，與使用(yong)多(duo)層陶瓷基(ji)板的厚(hou)膜(mo)混合IC類似。兩者無明(ming)顯差別(bie)。布線密(mi)度高于(yu)MCM－L。

MCM－D是用(yong)薄膜技術形成多層布(bu)線，以陶(tao)瓷(氧化鋁(lv)或氮化鋁(lv))或Si、Al作為基板的(de)組(zu)件(jian)(jian)。布(bu)線密謀在三種組(zu)件(jian)(jian)中是最高的(de)，但(dan)成本(ben)也高。

28、MFP

(mini flat package)

小形扁平封裝(zhuang)。塑料SOP或SSOP的(de)別稱(見SOP和(he)SSOP)。部分半導(dao)體廠家(jia)采用的(de)名(ming)稱。

29、MQFP

(metric quad flat package)

按照JEDEC(美(mei)國聯合電子設備委員會)標(biao)準對QFP進行(xing)的一(yi)種分類。指引腳(jiao)中心距(ju)為(wei)0.65mm、本體厚度為(wei)3.8mm～2.0mm的標(biao)準QFP(見QFP)。

30、MQUAD

(metal quad)

美國Olin公司開發的(de)一種(zhong)QFP封(feng)(feng)裝。基板與封(feng)(feng)蓋(gai)均采用(yong)鋁材，用(yong)粘合劑密(mi)封(feng)(feng)。在(zai)自(zi)然(ran)空冷條(tiao)件(jian)下可容許2.5W～2.8W的(de)功(gong)率。日(ri)本新光電氣工業公司于1993年獲得(de)特許開始生(sheng)產。

31、MSP

(mini square package)

QFI 的別稱(見QFI)，在開發初期多稱為MSP。QFI是日(ri)本電子(zi)機械工業會規(gui)定的名(ming)稱。

34、OPMAC(over molded pad array carrier)

模壓樹脂(zhi)密(mi)(mi)封(feng)凸點陳列(lie)載體。美國(guo)Motorola公司對(dui)模壓樹脂(zhi)密(mi)(mi)封(feng)BGA采用的名稱(見BGA)。

32、P－

(plastic)

表示(shi)塑(su)料(liao)封裝的記號。如PDIP表示(shi)塑(su)料(liao)DIP。

33、PAC

(pad array carrier)

凸點陳列載體，BGA的(de)別稱(cheng)(見BGA)。

34、PCLP

(printed circuit board leadless package)

印刷電路板無引線封裝。日本(ben)富(fu)士通(tong)公司對塑(su)料QFN(塑(su)料LCC)采(cai)用(yong)的(de)名稱(見QFN)。引

腳中心距有0.55mm和(he)0.4mm兩(liang)種(zhong)規(gui)格。

35、PFPF

(plastic flat package)

塑料(liao)扁平封裝。塑料(liao)QFP的別稱(見QFP)。部分LSI廠家(jia)采(cai)用的名稱。

36、PGA

(pin grid array)

陳列(lie)引腳(jiao)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)。插(cha)裝(zhuang)(zhuang)型(xing)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)之(zhi)一，其底(di)面的(de)(de)垂直引腳(jiao)呈陳列(lie)狀排(pai)列(lie)。封(feng)裝(zhuang)(zhuang)基材(cai)基本上都采用多層(ceng)陶(tao)(tao)瓷(ci)基板(ban)。在未專(zhuan)門表示出材(cai)料名稱的(de)(de)情況(kuang)下，多數為(wei)(wei)陶(tao)(tao)瓷(ci)PGA，用于高速大規模(mo)邏輯LSI電路。成本較高。引腳(jiao)中心距通(tong)常(chang)為(wei)(wei)2.54mm，引腳(jiao)數從(cong)64 到447左(zuo)右。了為(wei)(wei)降(jiang)低成本，封(feng)裝(zhuang)(zhuang)基材(cai)可用玻璃(li)環氧(yang)樹脂印刷基板(ban)代替。也有64～256引腳(jiao)的(de)(de)塑料PGA。另外，還有一種引腳(jiao)中心距為(wei)(wei)1.27mm的(de)(de)短引腳(jiao)表面貼(tie)裝(zhuang)(zhuang)型(xing)PGA(碰焊PGA)。(見表面貼(tie)裝(zhuang)(zhuang)型(xing)PGA)。

37、piggy back

馱載封(feng)裝。指(zhi)配有插(cha)座的(de)陶瓷(ci)封(feng)裝，形關與(yu)DIP、QFP、QFN相似(si)。在開發帶有微機的(de)設(she)備時用(yong)于評價程序確認操作(zuo)。例如，將(jiang)EPROM插(cha)入插(cha)座進行(xing)調(diao)試。這種(zhong)封(feng)裝基本(ben)上(shang)都是定制品，市場上(shang)不怎么流通。

38、PLCC

(plastic leaded chip carrier)

帶引線的(de)(de)塑(su)(su)(su)料芯片(pian)載(zai)體(ti)。表面貼裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)型封(feng)(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)之一。引腳(jiao)從(cong)封(feng)(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)的(de)(de)四(si)(si)個側面引出，呈丁(ding)字形(xing)，是塑(su)(su)(su)料制品。美(mei)國德(de)克薩(sa)斯儀器(qi)公司(si)首先(xian)在(zai)64k位DRAM和(he)256kDRAM中采用，90年(nian)代(dai)已(yi)經(jing)普及用于(yu)邏輯(ji)LSI、DLD(或程邏輯(ji)器(qi)件電(dian)路。引腳(jiao)中心距1.27mm，引腳(jiao)數從(cong)18到84。J形(xing)引腳(jiao)不(bu)易變形(xing)，比QFP容易操(cao)作，但焊接后的(de)(de)外觀檢查(cha)較(jiao)為困難(nan)。PLCC與LCC(也(ye)稱(cheng)(cheng)QFN)相似。以(yi)前，兩者的(de)(de)區別(bie)僅在(zai)于(yu)前者用塑(su)(su)(su)料，后者用陶瓷。但現在(zai)已(yi)經(jing)出現用陶瓷制作的(de)(de)J形(xing)引腳(jiao)封(feng)(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)和(he)用塑(su)(su)(su)料制作的(de)(de)無引腳(jiao)封(feng)(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(標記為塑(su)(su)(su)料LCC、PCLP、P－LCC等)，已(yi)經(jing)無法分辨。為此，日本(ben)電(dian)子機械(xie)工業(ye)會于(yu)1988年(nian)決(jue)定，把從(cong)四(si)(si)側引出J形(xing)引腳(jiao)的(de)(de)封(feng)(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)稱(cheng)(cheng)為QFJ，把在(zai)四(si)(si)側帶有電(dian)極(ji)凸點(dian)的(de)(de)封(feng)(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)稱(cheng)(cheng)為QFN(見QFJ和(he)QFN)。

39、P－LCC

(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)

有時候(hou)是(shi)塑料(liao)QFJ的別稱，有時候(hou)是(shi)QFN(塑料(liao)LCC)的別稱(見QFJ和QFN)。部分(fen)

LSI廠家用PLCC表示(shi)(shi)(shi)帶(dai)引(yin)線封(feng)裝，用P－LCC表示(shi)(shi)(shi)無引(yin)線封(feng)裝，以示(shi)(shi)(shi)區別。

40、QFH

(quad flat high package)

四(si)側引腳厚體(ti)扁平封裝(zhuang)。塑料(liao)QFP的一種，為了防止封裝(zhuang)本(ben)體(ti)斷裂，QFP本(ben)體(ti)制作得(de)較(jiao)厚(見QFP)。部(bu)分半導(dao)體(ti)廠家采用的名稱。

41、QFI

(quadflatI-leadedpackgac)

四側I形引(yin)(yin)(yin)腳扁平封(feng)裝。表面(mian)(mian)貼裝型封(feng)裝之一。引(yin)(yin)(yin)腳從封(feng)裝四個側面(mian)(mian)引(yin)(yin)(yin)出(chu)，向下呈I字。也(ye)稱為MSP(見MSP)。貼裝與印刷基板進行碰(peng)焊連接(jie)。由(you)于(yu)引(yin)(yin)(yin)腳無突出(chu)部分，貼裝占有面(mian)(mian)積小(xiao)于(yu)QFP。日(ri)立制作(zuo)所(suo)為視頻模擬IC開發(fa)并使用了這種(zhong)封(feng)裝。此外，日(ri)本的(de)Motorola公司的(de)PLLIC也(ye)采用了此種(zhong)封(feng)裝。引(yin)(yin)(yin)腳中(zhong)心距1.27mm，引(yin)(yin)(yin)腳數從18于(yu)68。

42、QFJ

(quadflatJ-leadedpackage)

四(si)側J形引(yin)腳(jiao)扁平封裝(zhuang)。表面貼(tie)裝(zhuang)封裝(zhuang)之一(yi)。引(yin)腳(jiao)從封裝(zhuang)四(si)個側面引(yin)出(chu)，向下呈J字形。是日本電(dian)子機械(xie)工業會規定的(de)名稱。引(yin)腳(jiao)中心距1.27mm。

材料有塑(su)料和陶瓷兩種。塑(su)料QFJ多數情(qing)況稱為PLCC(見PLCC)，用(yong)于微機、門(men)陳列、DRAM、ASSP、OTP等電(dian)路。引腳數從18至84。

陶瓷QFJ也稱(cheng)為(wei)CLCC、JLCC(見CLCC)。帶窗(chuang)口的封裝(zhuang)用(yong)于紫外線擦除型EPROM以(yi)及帶有EPROM的微(wei)機(ji)芯片(pian)電路。引腳數從32至84。

43、QFN

(quadflatnon-leadedpackage)

集成電路

集成電路

四側無引(yin)腳扁平封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)。表面貼裝(zhuang)型封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)之一(yi)。90年(nian)代(dai)后期(qi)多稱為LCC。QFN是日(ri)本電(dian)子機械工(gong)業(ye)會規定的名稱。封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)四側配置有(you)電(dian)極觸(chu)點(dian)，由于(yu)(yu)無引(yin)腳，貼裝(zhuang)占有(you)面積比QFP小，高(gao)度比QFP低。但是，當印刷(shua)基板(ban)與封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)之間產生應力時(shi)(shi)，在電(dian)極接觸(chu)處(chu)就(jiu)不(bu)能得到(dao)緩解(jie)。因此電(dian)極觸(chu)點(dian)難于(yu)(yu)作到(dao)QFP的引(yin)腳那樣(yang)多，一(yi)般(ban)從14到(dao)100左右(you)。材料(liao)有(you)陶瓷(ci)和塑料(liao)兩(liang)種(zhong)。當有(you)LCC標記時(shi)(shi)基本上都是陶瓷(ci)QFN。電(dian)極觸(chu)點(dian)中心距1.27mm。

塑料QFN是以玻璃(li)環氧樹脂(zhi)印刷(shua)基(ji)板基(ji)材的一種低成本封裝。電極觸點(dian)中心距除1.27mm外，還有0.65mm和0.5mm兩種。這種封裝也稱為塑料LCC、PCLC、P－LCC等。

44、QFP

(quadflatpackage)

四側(ce)引(yin)腳(jiao)(jiao)扁平封(feng)裝(zhuang)(zhuang)。表(biao)面(mian)貼裝(zhuang)(zhuang)型封(feng)裝(zhuang)(zhuang)之一，引(yin)腳(jiao)(jiao)從四個側(ce)面(mian)引(yin)出呈(cheng)海鷗翼(L)型。基材有陶瓷、金屬(shu)和塑料三種。從數(shu)量(liang)上看，塑料封(feng)裝(zhuang)(zhuang)占絕大部(bu)分。當沒有特別(bie)表(biao)示(shi)出材料時，多(duo)(duo)數(shu)情況為塑料QFP。塑料QFP是最(zui)普(pu)及的多(duo)(duo)引(yin)腳(jiao)(jiao)LSI封(feng)裝(zhuang)(zhuang)。不(bu)僅用于(yu)微處(chu)(chu)理(li)器(qi)，門陳(chen)列等數(shu)字邏輯LSI電路，而且(qie)也(ye)用于(yu)VTR信號處(chu)(chu)理(li)、音響信號處(chu)(chu)理(li)等模(mo)擬LSI電路。引(yin)腳(jiao)(jiao)中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm等多(duo)(duo)種規格。0.65mm中心距規格中最(zui)多(duo)(duo)引(yin)腳(jiao)(jiao)數(shu)為304。

日(ri)本將引腳中心距小于0.65mm的QFP稱為QFP(FP)。但2000年后日(ri)本電子(zi)機械工業會對QFP的外形(xing)規格進行了重新評價。在引腳中心距上不(bu)加區別，而是根據封(feng)裝本體厚度(du)分為QFP(2.0mm～3.6mm厚)、LQFP(1.4mm厚)和(he)TQFP(1.0mm厚)三種。

另外，有(you)的(de)(de)(de)LSI廠(chang)家(jia)把引腳(jiao)(jiao)(jiao)中心距為0.5mm的(de)(de)(de)QFP專門稱為收縮型QFP或(huo)SQFP、VQFP。但(dan)有(you)的(de)(de)(de)廠(chang)家(jia)把引腳(jiao)(jiao)(jiao)中心距為0.65mm及0.4mm的(de)(de)(de)QFP也(ye)稱為SQFP，至使(shi)名稱稍(shao)有(you)一些混亂。QFP的(de)(de)(de)缺(que)點(dian)是，當(dang)引腳(jiao)(jiao)(jiao)中心距小于0.65mm時，引腳(jiao)(jiao)(jiao)容易彎(wan)曲。為了防止引腳(jiao)(jiao)(jiao)變(bian)形，現(xian)已(yi)出現(xian)了幾種改進的(de)(de)(de)QFP品種。如封(feng)裝的(de)(de)(de)四個角帶有(you)樹指緩沖(chong)墊的(de)(de)(de)BQFP(見(jian)BQFP)；帶樹脂(zhi)保護環覆蓋引腳(jiao)(jiao)(jiao)前端的(de)(de)(de)GQFP(見(jian)GQFP)；在封(feng)裝本體里設置(zhi)測試凸點(dian)、放在防止引腳(jiao)(jiao)(jiao)變(bian)形的(de)(de)(de)專用夾具里就(jiu)可(ke)進行測試的(de)(de)(de)TPQFP(見(jian)TPQFP)。在邏輯LSI方面，不(bu)少開發品和高可(ke)靠品都封(feng)裝在多層陶(tao)瓷QFP里。引腳(jiao)(jiao)(jiao)中心距最小為0.4mm、引腳(jiao)(jiao)(jiao)數最多為348的(de)(de)(de)產品也(ye)已(yi)問世。此(ci)外，也(ye)有(you)用玻璃密封(feng)的(de)(de)(de)陶(tao)瓷QFP(見(jian)Gerqad)。

45、QFP

(FP)(QFPfinepitch)

小(xiao)中心(xin)距(ju)QFP。日本電子機械工業會標(biao)準所規定的名稱。指引腳中心(xin)距(ju)為0.55mm、0.4mm、0.3mm等小(xiao)于0.65mm的QFP(見QFP)。

46、QIC

(quadin-lineceramicpackage)

陶瓷QFP的(de)別稱。部分半導體(ti)廠家采(cai)用(yong)的(de)名稱(見QFP、Cerquad)。

47、QIP

(quadin-lineplasticpackage)

塑料QFP的別稱(cheng)。部分(fen)半導體廠家采用的名稱(cheng)(見QFP)。

48、QTCP

(quadtapecarrierpackage)

四側引(yin)腳帶載(zai)封(feng)裝(zhuang)。TCP封(feng)裝(zhuang)之一，在絕緣(yuan)帶上形成引(yin)腳并從封(feng)裝(zhuang)四個側面引(yin)出。是利(li)用TAB技術的薄型封(feng)裝(zhuang)(見TAB、TCP)。

49、QTP

(quadtapecarrierpackage)

四側引腳帶載封裝(zhuang)。日(ri)本電子機械工(gong)業會于1993年(nian)4月對QTCP所制(zhi)定的外形規格(ge)所用的名稱(見TCP)。

50、QUIL

(quadin-line)

QUIP的別(bie)稱(見QUIP)。

51、QUIP

(quadin-linepackage)

四列引(yin)腳(jiao)(jiao)直(zhi)插式(shi)封(feng)裝(zhuang)。引(yin)腳(jiao)(jiao)從封(feng)裝(zhuang)兩(liang)個側面(mian)引(yin)出(chu)，每隔(ge)一根(gen)交錯(cuo)向下彎曲成四列。引(yin)腳(jiao)(jiao)中(zhong)心(xin)距1.27mm，當(dang)插入(ru)印刷基(ji)板時(shi)，插入(ru)中(zhong)心(xin)距就變成2.5mm。因此(ci)可用(yong)于標(biao)準(zhun)印刷線路板。是比標(biao)準(zhun)DIP更小(xiao)的一種(zhong)封(feng)裝(zhuang)。日(ri)本(ben)電氣公司在臺式(shi)計算(suan)機(ji)和家電產(chan)品(pin)等的微機(ji)芯片中(zhong)采用(yong)了些種(zhong)封(feng)裝(zhuang)。材料有陶瓷和塑料兩(liang)種(zhong)。引(yin)腳(jiao)(jiao)數(shu)64。

52、SDIP

(shrinkdualin-linepackage)

收縮型DIP。插裝(zhuang)型封裝(zhuang)之一，形(xing)狀與(yu)DIP相(xiang)同，但引腳中心距(1.778mm)小于DIP(2.54mm)，

因而得此稱呼(hu)。引腳(jiao)數從14到90。也有(you)稱為SH－DIP的(de)。材料有(you)陶瓷和塑料兩種。

53、SH－DIP

(shrinkdualin-linepackage)

同SDIP。部分半導體(ti)廠家采用(yong)的名稱。

54、SIL

(singlein-line)

SIP的(de)別稱(cheng)(見SIP)。歐(ou)洲半導體廠家多采用SIL這個名稱(cheng)。

55、SIMM

(singlein-linememorymodule)

單(dan)列(lie)存貯(zhu)器組(zu)件。只在(zai)印刷(shua)基板的(de)(de)一(yi)個側面附近配有電極(ji)的(de)(de)存貯(zhu)器組(zu)件。通常指插(cha)(cha)入插(cha)(cha)座的(de)(de)組(zu)件。標準SIMM有中(zhong)心距(ju)為2.54mm的(de)(de)30電極(ji)和中(zhong)心距(ju)為1.27mm的(de)(de)72電極(ji)兩種(zhong)規(gui)格。在(zai)印刷(shua)基板的(de)(de)單(dan)面或雙面裝(zhuang)(zhuang)有用(yong)SOJ封(feng)裝(zhuang)(zhuang)的(de)(de)1兆位及4兆位DRAM的(de)(de)SIMM已經在(zai)個人計算機(ji)、工作站等設備中(zhong)獲得廣泛應用(yong)。至少有30～40%的(de)(de)DRAM都(dou)裝(zhuang)(zhuang)配在(zai)SIMM里。

56、SIP

(singlein-linepackage)

單列直插式封(feng)裝。引腳從(cong)封(feng)裝一個側面引出，排列成一條直線(xian)。當裝配到印刷基(ji)板(ban)上時封(feng)裝呈側立狀(zhuang)。引腳中心距通常為(wei)2.54mm，引腳數從(cong)2至23，多(duo)數為(wei)定制產(chan)品。封(feng)裝的(de)形狀(zhuang)各異(yi)。也有的(de)把形狀(zhuang)與ZIP相同的(de)封(feng)裝稱(cheng)為(wei)SIP。

57、SK－DIP

(skinnydualin-linepackage)

DIP的(de)一種。指寬(kuan)度為7.62mm、引腳中(zhong)心(xin)距為2.54mm的(de)窄體DIP。通常統稱為DIP(見DIP)。

58、SL－DIP

(slimdualin-linepackage)

DIP的一種。指(zhi)寬(kuan)度為(wei)10.16mm，引腳中心(xin)距為(wei)2.54mm的窄(zhai)體DIP。通常統稱為(wei)DIP。

59、SMD

(surfacemountdevices)

表面貼(tie)裝器件。偶而，有(you)的半導體廠家(jia)把SOP歸(gui)為SMD(見SOP)。

SOP的別稱。世界上很多半導體(ti)廠家都(dou)采用此(ci)別稱。(見SOP)。

60、SOI

(smallout-lineI-leadedpackage)

I形引(yin)腳小外型封(feng)裝。表面(mian)貼(tie)裝型封(feng)裝之一。引(yin)腳從封(feng)裝雙側(ce)引(yin)出向下呈I字形，中(zhong)心距1.27mm。貼(tie)裝占有面(mian)積小于SOP。日立(li)公司在(zai)模擬IC(電(dian)機驅(qu)動用IC)中(zhong)采用了此封(feng)裝。引(yin)腳數26。

61、SOIC

(smallout-lineintegratedcircuit)

SOP的(de)別(bie)稱(見SOP)。國(guo)外(wai)有許(xu)多(duo)半導體(ti)廠家采用此名稱。

62、SOJ

(SmallOut-LineJ-LeadedPackage)

J形引(yin)(yin)腳小外型封裝(zhuang)。表面貼裝(zhuang)型封裝(zhuang)之一(yi)。引(yin)(yin)腳從封裝(zhuang)兩側(ce)引(yin)(yin)出向下呈J字形，故此得名(ming)。通常為塑料(liao)制品，多數用(yong)于DRAM和(he)SRAM等存(cun)儲器LSI電路，但絕大部分是DRAM。用(yong)SOJ封裝(zhuang)的DRAM器件很多都(dou)裝(zhuang)配(pei)在SIMM上。引(yin)(yin)腳中心距1.27mm，引(yin)(yin)腳數從20至40(見SIMM)。

63、SQL

(SmallOut-LineL-leadedpackage)

按照JEDEC(美國聯(lian)合電子設備(bei)工程委員會(hui))標準對(dui)SOP所(suo)采用的名稱(見SOP)。

64、SONF

(SmallOut-LineNon-Fin)

無(wu)散熱片的(de)SOP。與(yu)通常(chang)的(de)SOP相同。為(wei)了(le)在功率(lv)IC封裝中表示無(wu)散熱片的(de)區別(bie)，有意增添了(le)NF(non-fin)標(biao)記。部分半(ban)導體廠家采(cai)用的(de)名稱(見SOP)。

65、SOP

(smallOut-Linepackage)

小外形封裝。表面貼(tie)裝型封裝之一，引腳從封裝兩(liang)側引出呈(cheng)海鷗翼狀(L字形)。材料有塑(su)料和陶瓷兩(liang)種。另(ling)外也叫SOL和DFP。

SOP除(chu)了用(yong)(yong)于存儲器LSI外，也廣泛用(yong)(yong)于規模不(bu)太大的ASSP等電路。在輸入(ru)輸出(chu)端(duan)子不(bu)超(chao)過10～40的領域，SOP是普及最廣的表面(mian)貼裝封裝。引(yin)腳(jiao)中心(xin)距1.27mm，引(yin)腳(jiao)數從8～44。

另(ling)外，引腳中心距小于1.27mm的SOP也(ye)稱(cheng)為SSOP；裝配高(gao)度(du)不到1.27mm的SOP也(ye)稱(cheng)為TSOP(見SSOP、TSOP)。還有(you)一種帶有(you)散熱片的SOP。

66、SOW

(SmallOutlinePackage(Wide-Jype))

寬體SOP。部分半導體廠家采用的名稱。

制造

從1930年(nian)(nian)代開始，元(yuan)素(su)周期表(biao)中(zhong)的(de)化(hua)學(xue)元(yuan)素(su)中(zhong)的(de)半(ban)導(dao)體被(bei)研(yan)究者(zhe)如貝爾實(shi)驗室的(de)WilliamShockley認為(wei)是固態真空管的(de)最可能的(de)原(yuan)料(liao)。從氧化(hua)銅到(dao)(dao)鍺(zang)，再到(dao)(dao)硅(gui)，原(yuan)料(liao)在(zai)1940到(dao)(dao)1950年(nian)(nian)代被(bei)系統的(de)研(yan)究。今天，盡管元(yuan)素(su)周期表(biao)的(de)一些III-V價化(hua)合(he)物如砷化(hua)鎵應用于特殊用途如：發光二極管，激光，太陽能電池和(he)最高速集成電路，單晶硅(gui)成為(wei)集成電路主流的(de)基層。創造無缺陷晶體的(de)方法(fa)用去(qu)了(le)數十年(nian)(nian)的(de)時間。

半(ban)導體IC制程，包括以(yi)下步驟，并重復使用：

黃光(微影)

蝕刻

薄膜

擴散

CMP

使用單晶硅(gui)晶圓（或(huo)(huo)III-V族(zu)，如砷化鎵）用作(zuo)基層。然后(hou)使用微影(ying)、擴散(san)、CMP等技術(shu)制(zhi)成(cheng)MOSFET或(huo)(huo)BJT等組件，然后(hou)利用微影(ying)、薄膜、和CMP技術(shu)制(zhi)成(cheng)導(dao)線，如此(ci)便完(wan)成(cheng)芯(xin)片制(zhi)作(zuo)。因(yin)產品性能需求及(ji)成(cheng)本考(kao)量，導(dao)線可分為(wei)鋁制(zhi)程(cheng)(cheng)和銅(tong)制(zhi)程(cheng)(cheng)。

IC由(you)很多重(zhong)疊的(de)(de)層(ceng)組成，每層(ceng)由(you)圖像(xiang)技術定(ding)義，通常用不(bu)(bu)同(tong)的(de)(de)顏色表示。一些層(ceng)標明在哪里不(bu)(bu)同(tong)的(de)(de)摻雜(za)劑擴散進基層(ceng)（成為擴散層(ceng)），一些定(ding)義哪里額外的(de)(de)離子灌輸(shu)（灌輸(shu)層(ceng)），一些定(ding)義導(dao)(dao)體（多晶硅或金屬層(ceng)），一些定(ding)義傳(chuan)導(dao)(dao)層(ceng)之間的(de)(de)連接(jie)（過孔(kong)或接(jie)觸層(ceng)）。所有(you)的(de)(de)組件(jian)由(you)這些層(ceng)的(de)(de)特定(ding)組合構(gou)成。

在一個自排列(lie)（CMOS）過程中，所有門層（多晶硅(gui)或金屬）穿過擴(kuo)散層的地方形成晶體管。

電(dian)阻結(jie)構，電(dian)阻結(jie)構的長(chang)寬比，結(jie)合(he)表面電(dian)阻系數(shu)，決定電(dian)阻。

電容(rong)結構(gou)，由于尺寸限制，在IC上只(zhi)能(neng)產生(sheng)很小的電容(rong)。

更(geng)為少見的電感(gan)結構，可以(yi)制作芯片(pian)載電感(gan)或由回旋器模擬(ni)。

因為CMOS設備只引(yin)導電流(liu)在邏輯門之間轉換，CMOS設備比雙級組件消(xiao)耗的電流(liu)少(shao)很多。

隨機存取(qu)存儲器(qi)（randomaccessmemory）是(shi)最常見類型的(de)(de)(de)集(ji)成電(dian)路，所(suo)以(yi)密度最高的(de)(de)(de)設(she)備(bei)是(shi)存儲器(qi)，但即(ji)使(shi)是(shi)微處理器(qi)上也有存儲器(qi)。盡管(guan)結構非(fei)常復雜(za)－幾十年來(lai)芯片寬(kuan)度一直減(jian)少－但集(ji)成電(dian)路的(de)(de)(de)層(ceng)依然比寬(kuan)度薄很多。組(zu)件層(ceng)的(de)(de)(de)制作非(fei)常像照相(xiang)過(guo)程(cheng)。雖然可見光(guang)譜中的(de)(de)(de)光(guang)波不能用來(lai)曝光(guang)組(zu)件層(ceng)，因為(wei)他們太(tai)大了(le)。高頻光(guang)子（通常是(shi)紫外線）被用來(lai)創造每層(ceng)的(de)(de)(de)圖案。因為(wei)每個(ge)特征都非(fei)常小，對于一個(ge)正(zheng)在(zai)調(diao)試(shi)制造過(guo)程(cheng)的(de)(de)(de)過(guo)程(cheng)工程(cheng)師來(lai)說，電(dian)子顯微鏡是(shi)必要工具。

在使(shi)用(yong)自動測(ce)(ce)試設(she)備（ATE）包裝前，每個(ge)設(she)備都(dou)要進行(xing)測(ce)(ce)試。測(ce)(ce)試過程(cheng)稱(cheng)為晶(jing)(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)(yuan)測(ce)(ce)試或晶(jing)(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)(yuan)探通(tong)。晶(jing)(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)(yuan)被切割(ge)成(cheng)矩形塊，每個(ge)被稱(cheng)為“die”。每個(ge)好的die被焊在“pads”上的鋁線或金線，連接(jie)到封(feng)裝內，pads通(tong)常在die的邊上。封(feng)裝之后，設(she)備在晶(jing)(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)(yuan)探通(tong)中使(shi)用(yong)的相(xiang)同或相(xiang)似的ATE上進行(xing)終(zhong)檢。測(ce)(ce)試成(cheng)本(ben)可以(yi)達到低成(cheng)本(ben)產(chan)品的制造成(cheng)本(ben)的25%，但(dan)是對于低產(chan)出，大型和/或高成(cheng)本(ben)的設(she)備，可以(yi)忽略不計。

在2005年(nian)，一個制造廠（通常(chang)稱為半(ban)導體工廠，常(chang)簡稱fab，指fabricationfacility）建設費(fei)用要超過10億(yi)美(mei)金，因為大(da)部分操作(zuo)是自動(dong)化的。

發展趨勢

2001年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)到(dao)(dao)2010年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)這(zhe)10年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)間，我(wo)國(guo)(guo)集(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)產量的(de)年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)均增長率超過(guo)25%，集(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)銷(xiao)售額的(de)年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)均增長率則(ze)達(da)到(dao)(dao)23%。2010年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)國(guo)(guo)內集(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)產量達(da)到(dao)(dao)640億(yi)塊，銷(xiao)售額超過(guo)1430億(yi)元，分(fen)別是2001年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)的(de)10倍(bei)和8倍(bei)。中國(guo)(guo)集(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)產業(ye)規(gui)模(mo)已經由2001年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)不足世界集(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)產業(ye)總規(gui)模(mo)的(de)2%提高到(dao)(dao)2010年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)的(de)近9%。中國(guo)(guo)成(cheng)為過(guo)去10年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)世界集(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)產業(ye)發展最快(kuai)的(de)地區之(zhi)一。

國(guo)(guo)內(nei)(nei)(nei)集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路市(shi)場規(gui)模(mo)也由2001年(nian)的(de)(de)1140億(yi)元擴大(da)到2010年(nian)的(de)(de)7350億(yi)元，擴大(da)了6.5倍。國(guo)(guo)內(nei)(nei)(nei)集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路產(chan)業規(gui)模(mo)與市(shi)場規(gui)模(mo)之比始終未超(chao)過20%。如扣除集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路產(chan)業中接受境外委托代工(gong)的(de)(de)銷(xiao)售額(e)，則中國(guo)(guo)集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路市(shi)場的(de)(de)實際國(guo)(guo)內(nei)(nei)(nei)自(zi)給率還不足10%，國(guo)(guo)內(nei)(nei)(nei)市(shi)場所需(xu)的(de)(de)集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路產(chan)品主要依(yi)靠進口(kou)。近(jin)幾(ji)年(nian)國(guo)(guo)內(nei)(nei)(nei)集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路進口(kou)規(gui)模(mo)迅速(su)擴大(da)，2010年(nian)已經(jing)達到創紀錄的(de)(de)1570億(yi)美元，集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路已連續兩年(nian)超(chao)過原油(you)成(cheng)(cheng)為(wei)國(guo)(guo)內(nei)(nei)(nei)最大(da)宗的(de)(de)進口(kou)商品。與巨大(da)且(qie)快速(su)增長的(de)(de)國(guo)(guo)內(nei)(nei)(nei)市(shi)場相比，中國(guo)(guo)集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路產(chan)業雖發展(zhan)迅速(su)但仍難(nan)以滿足內(nei)(nei)(nei)需(xu)要求。

當(dang)前以移動(dong)互聯網(wang)(wang)、三(san)網(wang)(wang)融合(he)、物聯網(wang)(wang)、云計算、智(zhi)能(neng)電(dian)網(wang)(wang)、新能(neng)源(yuan)汽車為(wei)(wei)代表(biao)的(de)戰(zhan)略性新興(xing)產業(ye)快速發(fa)展(zhan)，將(jiang)成(cheng)為(wei)(wei)繼計算機(ji)、網(wang)(wang)絡通信(xin)、消(xiao)費電(dian)子之后，推(tui)動(dong)集成(cheng)電(dian)路產業(ye)發(fa)展(zhan)的(de)新動(dong)力。工信(xin)部預計，國內集成(cheng)電(dian)路市場(chang)規模到2015年(nian)將(jiang)達(da)到12000億元。

我國(guo)集(ji)成電路(lu)產(chan)業(ye)(ye)發(fa)展的(de)生(sheng)態(tai)環(huan)境(jing)亟待優化(hua)(hua)，設(she)計(ji)、制造、封裝測(ce)試以及專用設(she)備、儀器、材料等產(chan)業(ye)(ye)鏈上下(xia)游(you)協同性(xing)不足，芯片、軟件、整(zheng)機、系統、應用等各環(huan)節互動不緊密。“十二五(wu)”期間，中(zhong)國(guo)將積極探索集(ji)成電路(lu)產(chan)業(ye)(ye)鏈上下(xia)游(you)虛(xu)擬一體化(hua)(hua)模式，充分發(fa)揮市場(chang)機制作用，強化(hua)(hua)產(chan)業(ye)(ye)鏈上下(xia)游(you)的(de)合(he)作與協同，共(gong)建價值鏈。培(pei)育和(he)完(wan)善生(sheng)態(tai)環(huan)境(jing)，加強集(ji)成電路(lu)產(chan)品設(she)計(ji)與軟件、整(zheng)機、系統及服務的(de)有(you)機連接，實現(xian)各環(huan)節企(qi)業(ye)(ye)的(de)群體躍升(sheng)，增強電子信息(xi)大產(chan)業(ye)(ye)鏈的(de)整(zheng)體競爭優勢。

發展對策建議

1.創新性(xing)效率超越傳統的成本性(xing)靜態(tai)效率

從理(li)論上(shang)講(jiang)，商(shang)(shang)務(wu)(wu)成(cheng)本(ben)(ben)(ben)屬于成(cheng)本(ben)(ben)(ben)性的(de)(de)(de)(de)(de)靜態(tai)(tai)效率范疇，在產(chan)(chan)(chan)(chan)業(ye)(ye)(ye)(ye)發展的(de)(de)(de)(de)(de)初級(ji)階段作用(yong)顯著。外部(bu)商(shang)(shang)務(wu)(wu)成(cheng)本(ben)(ben)(ben)的(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)升實(shi)(shi)際上(shang)是產(chan)(chan)(chan)(chan)業(ye)(ye)(ye)(ye)升級(ji)、創(chuang)(chuang)(chuang)新(xin)驅動(dong)的(de)(de)(de)(de)(de)外部(bu)動(dong)力。作為(wei)高(gao)新(xin)技術產(chan)(chan)(chan)(chan)業(ye)(ye)(ye)(ye)的(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)海(hai)集(ji)成(cheng)電路產(chan)(chan)(chan)(chan)業(ye)(ye)(ye)(ye)，需要積極利用(yong)產(chan)(chan)(chan)(chan)業(ye)(ye)(ye)(ye)鏈完備、內(nei)部(bu)結(jie)網(wang)度較高(gao)、與全球生(sheng)(sheng)產(chan)(chan)(chan)(chan)網(wang)絡有機銜接(jie)等集(ji)群優勢，實(shi)(shi)現企業(ye)(ye)(ye)(ye)之間的(de)(de)(de)(de)(de)互動(dong)共生(sheng)(sheng)的(de)(de)(de)(de)(de)高(gao)科(ke)技產(chan)(chan)(chan)(chan)業(ye)(ye)(ye)(ye)機體(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)生(sheng)(sheng)態(tai)(tai)關(guan)(guan)系，有效保障(zhang)并促(cu)進產(chan)(chan)(chan)(chan)業(ye)(ye)(ye)(ye)創(chuang)(chuang)(chuang)業(ye)(ye)(ye)(ye)、創(chuang)(chuang)(chuang)新(xin)的(de)(de)(de)(de)(de)步伐(fa)。事實(shi)(shi)表(biao)明，20世(shi)紀80年代，雖然硅(gui)谷(gu)的(de)(de)(de)(de)(de)土地(di)(di)(di)成(cheng)本(ben)(ben)(ben)要遠高(gao)于128公(gong)路地(di)(di)(di)區(qu)，但在硅(gui)谷(gu)建(jian)立的(de)(de)(de)(de)(de)半導體(ti)公(gong)司比美國其(qi)他地(di)(di)(di)方(fang)的(de)(de)(de)(de)(de)公(gong)司開發新(xin)產(chan)(chan)(chan)(chan)品(pin)的(de)(de)(de)(de)(de)速度快60%，交運產(chan)(chan)(chan)(chan)品(pin)的(de)(de)(de)(de)(de)速度快40%。具體(ti)而(er)言，就是硅(gui)谷(gu)地(di)(di)(di)區(qu)的(de)(de)(de)(de)(de)硬件(jian)和軟件(jian)制(zhi)(zhi)造(zao)商(shang)(shang)結(jie)成(cheng)了(le)(le)緊密的(de)(de)(de)(de)(de)聯(lian)盟，能最大限度地(di)(di)(di)降低從創(chuang)(chuang)(chuang)意到(dao)制(zhi)(zhi)造(zao)出產(chan)(chan)(chan)(chan)品(pin)等相關(guan)(guan)過程的(de)(de)(de)(de)(de)成(cheng)本(ben)(ben)(ben)，即通過技術密集(ji)關(guan)(guan)聯(lian)為(wei)基本(ben)(ben)(ben)的(de)(de)(de)(de)(de)動(dong)態(tai)(tai)創(chuang)(chuang)(chuang)業(ye)(ye)(ye)(ye)聯(lian)盟，降低了(le)(le)創(chuang)(chuang)(chuang)業(ye)(ye)(ye)(ye)成(cheng)本(ben)(ben)(ben)，從而(er)彌補了(le)(le)靜態(tai)(tai)的(de)(de)(de)(de)(de)商(shang)(shang)務(wu)(wu)成(cheng)本(ben)(ben)(ben)劣勢。

2.準確的產品與市場定位

許多歸國(guo)創業(ye)的(de)設計人才認(ren)為，中國(guo)的(de)消費者是世界上最好的(de)衣食父母，與(yu)歐美發(fa)達國(guo)家相比，我們的(de)消費者對新產(chan)(chan)品充(chong)滿好奇，一般不退貨(huo)，基(ji)本無賠償。這些特點為設計企(qi)業(ye)的(de)創業(ye)、創新與(yu)發(fa)展提供了良好的(de)市場(chang)機遇。企(qi)業(ye)要善于去發(fa)現產(chan)(chan)品應用，尋(xun)找市場(chang)。

設計公司擴張主要(yao)是(shi)受限于(yu)(yu)(yu)人(ren)(ren)才(cai)(cai)與產(chan)(chan)品定位。由于(yu)(yu)(yu)在(zai)人(ren)(ren)才(cai)(cai)團隊(dui)、市場和產(chan)(chan)品定義方面的不(bu)(bu)足，初創公司不(bu)(bu)可能(neng)做(zuo)(zuo)大(da)項目，不(bu)(bu)適合(he)(he)于(yu)(yu)(yu)做(zuo)(zuo)集(ji)(ji)聚型大(da)項目。現(xian)有的大(da)多數設計企(qi)業(ye)還是(shi)適合(he)(he)于(yu)(yu)(yu)分散型市場，主動去(qu)(qu)支持(chi)系統廠(chang)商，提(ti)供(gong)大(da)量(liang)的服務。人(ren)(ren)力(li)密集(ji)(ji)型業(ye)務項目不(bu)(bu)適合(he)(he)歐(ou)美公司，更適合(he)(he)我(wo)們(men)。例如(ru)，在(zai)國(guo)內市場上，如(ru)果一個產(chan)(chan)品能(neng)出貨300萬(wan)顆，那么公司就會去(qu)(qu)做(zuo)(zuo)，國(guo)外企(qi)業(ye)則不(bu)(bu)可能(neng)去(qu)(qu)做(zuo)(zuo)它。

3.打造國際(ji)精(jing)英(ying)人(ren)才的“新(xin)故鄉”，充分發揮海(hai)歸(gui)人(ren)才優勢

海歸(gui)人才(cai)(cai)在國外做(zuo)了(le)很(hen)多超前的(de)技術開(kai)發(fa)研(yan)究，并且(qie)在全(quan)球一些頂尖(jian)公司內有產(chan)業經驗，回(hui)國后(hou)從事很(hen)有需求的(de)產(chan)品(pin)開(kai)發(fa)應用(yong)，容易成功。集成電路(lu)產(chan)業的(de)研(yan)發(fa)就怕方向性錯誤與低(di)水平(ping)重復(fu)，海歸(gui)人才(cai)(cai)知(zhi)道如何去做(zuo)才(cai)(cai)能夠成功。

“歸(gui)國(guo)人才團隊+海(hai)外工作經驗(yan)+優(you)惠(hui)政(zheng)策(ce)扶(fu)持+風險投資”式上海(hai)集成電路產業發展的(de)典型模(mo)式，這在張(zhang)江(jiang)高(gao)科(ke)技(ji)園區(qu)(qu)(qu)尤為(wei)明顯。然而，由于國(guo)際(ji)社區(qu)(qu)(qu)建設(she)滯后、戶籍政(zheng)策(ce)限制、個人所得稅(shui)政(zheng)策(ce)缺乏國(guo)際(ji)競爭力等(deng)多(duo)方(fang)面原(yuan)因綜合(he)作用，張(zhang)江(jiang)仍(reng)然沒有成為(wei)海(hai)外高(gao)級人才的(de)安(an)家(jia)落戶、長期扎根(gen)的(de)開放(fang)性、國(guo)際(ji)性高(gao)科(ke)技(ji)園區(qu)(qu)(qu)。留學生短期打算(suan)、“做(zuo)做(zuo)看”的(de)“候(hou)鳥”觀(guan)望(wang)氣氛濃厚，不(bu)利于全(quan)球高(gao)級人才的(de)集聚。要充分發揮張(zhang)江(jiang)所處的(de)區(qu)(qu)(qu)位(wei)優(you)勢以(yi)及浦東(dong)綜合(he)

配套改革試點的(de)政策優(you)勢，將(jiang)單純(chun)吸(xi)引留學生變(bian)為(wei)吸(xi)引留學生、國外精英等高(gao)層次人才。通過科學城建(jian)設(she)以及個人所(suo)得稅(shui)率的(de)國際化調整(zheng)、落戶政策的(de)優(you)化，發揮上(shang)海“海派文(wen)化”傳統，將(jiang)張江(jiang)建(jian)設(she)成為(wei)世界各國人才匯集、安居樂(le)業(ye)的(de)新故鄉，大幅(fu)提升張江(jiang)在高(gao)層次人才爭(zheng)奪(duo)中(zhong)的(de)國際競爭(zheng)力[2]。

4.重(zhong)在積累，克(ke)服急功(gong)近利

設計業的(de)(de)復(fu)雜度很高，需要強大的(de)(de)穩定的(de)(de)團隊、深(shen)厚的(de)(de)積(ji)累。積(ji)累是一個不(bu)可逾(yu)越(yue)的(de)(de)發展(zhan)過程。中國集(ji)成電路產業的(de)(de)發展(zhan)如(ru)同下圍棋，不(bu)能只爭一時之短長，要比誰的(de)(de)氣長，而不(bu)是誰的(de)(de)空(kong)多。

集成電(dian)力產(chan)業(ye)人(ren)才尤其是設計(ji)人(ren)才供給問(wen)題長期(qi)以來(lai)是輿論界關注的熱(re)點(dian)，許多(duo)高校在專業(ye)與(yu)設置、人(ren)才培養(yang)方面急功(gong)近(jin)利，片(pian)面追隨所謂(wei)社(she)會熱(re)點(dian)和(he)學業(ye)對口(kou)，導(dao)致(zhi)學生的基本綜(zong)合(he)(he)素質和(he)人(ren)文科學方面的素養(yang)不夠高，知(zhi)識面過窄。事實上，眾多(duo)設計(ji)企業(ye)普遍反映(ying)，他(ta)們(men)招聘人(ren)才的標準并(bing)非是單(dan)純的所謂(wei)專業(ye)對口(kou)，而是更注重基礎知(zhi)識和(he)綜(zong)合(he)(he)素質，他(ta)們(men)普遍反映(ying)高校的教育太(tai)急功(gong)近(jin)利了。

5.促(cu)進(jin)企業間(jian)合作，促(cu)進(jin)產業鏈(lian)合作

國內(nei)企(qi)業(ye)之間的(de)(de)橫向聯系少，外(wai)包剛剛起步，基本(ben)上每個設計企(qi)業(ye)都(dou)有自己的(de)(de)芯(xin)片，都(dou)在進行全面發(fa)展(zhan)。這些因素都(dou)限制了企(qi)業(ye)的(de)(de)快速(su)發(fa)展(zhan)。要(yao)充分運(yun)用(yong)華(hua)南一些企(qi)業(ye)為國外(wai)做的(de)(de)解決方(fang)案，這樣終端客戶(hu)就可以直接將公司產(chan)品運(yun)用(yong)到原有解決方(fang)案上去。此外(wai)，設計企(qi)業(ye)要(yao)與方(fang)案商、通路(lu)商、系統廠商形(xing)成緊密的(de)(de)戰略合(he)作伙伴關系[2]。

6.摒棄(qi)理想化的(de)產(chan)學(xue)研模式(shi)

產學研(yan)(yan)一(yi)體化一(yi)直被各界(jie)視為促(cu)進高新技術產業發(fa)(fa)展的(de)良方(fang)，但實地調研(yan)(yan)結(jie)果(guo)暴露(lu)出(chu)人們在(zai)此方(fang)面存在(zai)著(zhu)不(bu)切實際的(de)幻想。筆者(zhe)所調研(yan)(yan)的(de)眾(zhong)多(duo)設計企業對高校幫助(zhu)做產品(pin)不(bu)抱任何指望。公司項目要求的(de)進度快，存在(zai)合作的(de)時(shi)間(jian)問題；高校一(yi)般不(bu)具備(bei)可以使工廠能更有(you)效利用廠房空間(jian)，也適用于(yu)研(yan)(yan)發(fa)(fa)中(zhong)心的(de)使用。新開發(fa)(fa)的(de)空冷(leng)系統減少了對外(wai)部設施的(de)依賴，可在(zai)任意位置安(an)裝設置，同時(shi)繼續支持符合STC標準(zhun)的(de)各種T2000模塊，滿(man)足各種測試的(de)需要[2]。

其他信息

晶(jing)體(ti)管(guan)發明并大量(liang)生產之后(hou)，各式(shi)固態半導體(ti)組(zu)件(jian)(jian)如二極管(guan)、晶(jing)體(ti)管(guan)等大量(liang)使(shi)(shi)用，取代了真空管(guan)在電路中的功能與角色。到了20世紀中后(hou)期半導體(ti)制造技術(shu)進步，使(shi)(shi)得(de)集成(cheng)電路成(cheng)為可能。相對(dui)于(yu)手(shou)工組(zu)裝電路使(shi)(shi)用個(ge)別的分(fen)立電子組(zu)件(jian)(jian)，集成(cheng)電路可以把很大數量(liang)的微晶(jing)體(ti)管(guan)集成(cheng)到一個(ge)小芯片，是(shi)一個(ge)巨大的進步。集成(cheng)電路的規模生產能力(li)，可靠性，電路設計的模塊化方法確(que)保了快速采用標準化IC代替了設計使(shi)(shi)用離(li)散(san)晶(jing)體(ti)管(guan)。

IC對(dui)于(yu)離(li)散(san)晶體(ti)管有兩個主要優勢(shi)：成本和性(xing)能。成本低(di)是(shi)由(you)于(yu)芯(xin)片把所有的(de)組(zu)(zu)件通過照相平版技術，作(zuo)為一(yi)個單位(wei)印刷，而不是(shi)在一(yi)個時間只制作(zuo)一(yi)個晶體(ti)管。性(xing)能高(gao)是(shi)由(you)于(yu)組(zu)(zu)件快(kuai)速開(kai)關，消耗更低(di)能量，因為組(zu)(zu)件很小且彼此靠(kao)近(jin)。2006年，芯(xin)片面積從(cong)幾平方(fang)毫(hao)米到350mm2，每mm2可以達到一(yi)百萬個晶體(ti)管。

第(di)一個(ge)集(ji)成(cheng)電(dian)(dian)路雛形(xing)是由杰克·基爾比于1958年完成(cheng)的，其(qi)中包括一個(ge)雙極性晶體管，三個(ge)電(dian)(dian)阻和一個(ge)電(dian)(dian)容器。

根(gen)據(ju)一(yi)個芯(xin)片上(shang)集成的微(wei)電子器件的數量，集成電路可以分為以下(xia)幾(ji)類：

1.小規(gui)模集成電路

SSI英文全名為SmallScaleIntegration,邏輯門10個以下(xia)或晶體管(guan)100個以下(xia)。

2.中(zhong)規(gui)模集成(cheng)電路

MSI英文全名為MediumScaleIntegration,邏輯門11~100個或晶(jing)體管101~1k個。

3.大規模集成(cheng)電(dian)路

LSI英文全名為LargeScaleIntegration,邏輯門101~1k個或晶體管1,001~10k個。

4.超大規模集成電(dian)路

VLSI英(ying)文全名為Verylargescaleintegration,邏輯門1,001~10k個(ge)或晶體管10,001~100k個(ge)。

5.甚大規模集成電路(lu)

ULSI英文全名為UltraLargeScaleIntegration,邏輯門10,001~1M個(ge)或晶體管100,001~10M個(ge)。

GLSI英文全(quan)名為GigaScaleIntegration,邏輯門(men)1,000,001個以上或晶(jing)體管10,000,001個以上。

而根(gen)據(ju)處(chu)理(li)信號(hao)的不同，可以分(fen)為模擬集(ji)(ji)成(cheng)電路(lu)、數(shu)字集(ji)(ji)成(cheng)電路(lu)、和兼(jian)具模擬與數(shu)字的混合信號(hao)集(ji)(ji)成(cheng)電路(lu)。

集成電路發展

最先(xian)進的(de)(de)(de)集(ji)成(cheng)電(dian)路是微處理器(qi)或多核處理器(qi)的(de)(de)(de)"核心(xin)(cores)",可以控制(zhi)電(dian)腦到手(shou)機到數(shu)字微波爐的(de)(de)(de)一(yi)切(qie)。存儲器(qi)和ASIC是其他集(ji)成(cheng)電(dian)路家族的(de)(de)(de)例子，對于(yu)現代(dai)信(xin)息社(she)會(hui)非常重要。雖然設計(ji)開發(fa)一(yi)個(ge)復(fu)雜集(ji)成(cheng)電(dian)路的(de)(de)(de)成(cheng)本(ben)非常高，但(dan)是當(dang)分散到通常以百(bai)萬計(ji)的(de)(de)(de)產品上，每個(ge)IC的(de)(de)(de)成(cheng)本(ben)最小(xiao)化。IC的(de)(de)(de)性能很高，因(yin)為小(xiao)尺寸帶來短路徑(jing)，使得低功率(lv)邏(luo)輯(ji)電(dian)路可以在快速(su)開關速(su)度應用(yong)。

這些年(nian)(nian)來，IC持續向(xiang)更(geng)(geng)小(xiao)的(de)(de)(de)外型尺(chi)寸發展，使得(de)每(mei)個芯(xin)片(pian)可以封(feng)裝更(geng)(geng)多的(de)(de)(de)電路。這樣增加(jia)了每(mei)單位(wei)面積(ji)容(rong)量，可以降(jiang)低成(cheng)本和(he)(he)增加(jia)功能(neng)－見(jian)摩爾定律，集(ji)成(cheng)電路中的(de)(de)(de)晶體管數(shu)量，每(mei)兩年(nian)(nian)增加(jia)一倍。總(zong)之，隨著外形(xing)尺(chi)寸縮小(xiao)，幾(ji)乎所有(you)的(de)(de)(de)指標改善了－單位(wei)成(cheng)本和(he)(he)開(kai)關功率消(xiao)耗下(xia)降(jiang)，速(su)度提高。但是(shi)，集(ji)成(cheng)納米級別(bie)設備的(de)(de)(de)IC不是(shi)沒(mei)有(you)問題(ti)，主要是(shi)泄漏電流(liu)（leakagecurrent）。因此(ci)，對于最終用戶(hu)的(de)(de)(de)速(su)度和(he)(he)功率消(xiao)耗增加(jia)非常(chang)明顯，制(zhi)造商(shang)面臨使用更(geng)(geng)好幾(ji)何學的(de)(de)(de)尖銳挑戰。這個過程(cheng)和(he)(he)在未來幾(ji)年(nian)(nian)所期(qi)望(wang)的(de)(de)(de)進步，在半導體國際技術路線圖（ITRS）中有(you)很好的(de)(de)(de)描述。

越來(lai)越多的(de)電(dian)(dian)路(lu)(lu)以集成芯片(pian)的(de)方式(shi)出現(xian)在(zai)設計師手(shou)里，使電(dian)(dian)子電(dian)(dian)路(lu)(lu)的(de)開發趨向于小型(xing)化、高速化。越來(lai)越多的(de)應用已經由復雜的(de)模(mo)擬電(dian)(dian)路(lu)(lu)轉化為簡單的(de)數字(zi)邏輯集成電(dian)(dian)路(lu)(lu)。

2022年(nian)，關于促進我(wo)(wo)國(guo)(guo)(guo)集(ji)(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)路全產(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)業(ye)(ye)(ye)鏈可持(chi)續(xu)發(fa)(fa)展(zhan)(zhan)(zhan)的(de)(de)(de)(de)提(ti)案:集(ji)(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)路產(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)業(ye)(ye)(ye)是(shi)國(guo)(guo)(guo)民經濟和社會發(fa)(fa)展(zhan)(zhan)(zhan)的(de)(de)(de)(de)戰(zhan)略性、基(ji)礎性、先(xian)導性產(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)業(ye)(ye)(ye)，其全產(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)業(ye)(ye)(ye)鏈中的(de)(de)(de)(de)短板(ban)缺(que)(que)項(xiang)成為制約(yue)我(wo)(wo)國(guo)(guo)(guo)數(shu)字經濟高質量(liang)發(fa)(fa)展(zhan)(zhan)(zhan)、影響綜合國(guo)(guo)(guo)力(li)(li)提(ti)升的(de)(de)(de)(de)關鍵因素(su)之一。現(xian)階段我(wo)(wo)國(guo)(guo)(guo)集(ji)(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)路產(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)業(ye)(ye)(ye)高端(duan)受封鎖(suo)壓制、中低(di)端(duan)產(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)能緊缺(que)(que)情況愈演愈烈，仍存在一些(xie)亟需解決的(de)(de)(de)(de)問題。一是(shi)國(guo)(guo)(guo)內芯(xin)片企業(ye)(ye)(ye)能力(li)(li)不強與市場不足并存。二是(shi)美(mei)西方對我(wo)(wo)國(guo)(guo)(guo)集(ji)(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)路產(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)業(ye)(ye)(ye)先(xian)進工藝(yi)的(de)(de)(de)(de)高端(duan)裝(zhuang)備全面封堵(du)，形成新(xin)的(de)(de)(de)(de)產(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)業(ye)(ye)(ye)壁壘。三是(shi)目(mu)前我(wo)(wo)國(guo)(guo)(guo)集(ji)(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)路產(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)業(ye)(ye)(ye)人(ren)(ren)才處于缺(que)(que)乏(fa)狀態，同時工藝(yi)研發(fa)(fa)人(ren)(ren)員的(de)(de)(de)(de)培養缺(que)(que)乏(fa)“產(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)線”的(de)(de)(de)(de)支撐。為此，建(jian)議：一是(shi)發(fa)(fa)揮新(xin)型(xing)舉國(guo)(guo)(guo)體制優勢，持(chi)續(xu)支持(chi)集(ji)(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)路產(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)業(ye)(ye)(ye)發(fa)(fa)展(zhan)(zhan)(zhan)。延(yan)續(xu)和拓展(zhan)(zhan)(zhan)國(guo)(guo)(guo)家科技(ji)重(zhong)大專項(xiang)，集(ji)(ji)(ji)中力(li)(li)量(liang)重(zhong)點攻克核(he)心難點。支持(chi)首臺套應用，逐步實現(xian)國(guo)(guo)(guo)產(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)替代。拓展(zhan)(zhan)(zhan)新(xin)的(de)(de)(de)(de)應用領域。加大產(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)業(ye)(ye)(ye)基(ji)金規模和延(yan)長投入周期。二是(shi)堅持(chi)產(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)業(ye)(ye)(ye)長遠布局，深(shen)化人(ren)(ren)才培養改革。既要“補短板(ban)”也要“加長板(ban)”。持(chi)續(xu)加大科研人(ren)(ren)員培養力(li)(li)度和對從事(shi)基(ji)礎研究人(ren)(ren)員的(de)(de)(de)(de)投入保障力(li)(li)度，夯實人(ren)(ren)才基(ji)礎。三是(shi)堅持(chi)高水平對外開放(fang)，拓展(zhan)(zhan)(zhan)和營造新(xin)興市場。積極探索(suo)未來和集(ji)(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)路有關的(de)(de)(de)(de)新(xin)興市場，支持(chi)我(wo)(wo)國(guo)(guo)(guo)集(ji)(ji)(ji)成電(dian)(dian)(dian)路企業(ye)(ye)(ye)走出去。

IC的普及

僅僅在(zai)其開發后半(ban)個世紀，集(ji)成(cheng)電路(lu)變(bian)得(de)無處不(bu)在(zai)，電腦，手(shou)機和其他數字電器成(cheng)為(wei)現代社會結構不(bu)可缺少的一部分。這是因為(wei)，現代計(ji)算，交(jiao)流(liu)，制造和交(jiao)通系統，包括互聯網，全都(dou)依賴于集(ji)成(cheng)電路(lu)的存(cun)在(zai)。甚至很多學者認(ren)為(wei)有集(ji)成(cheng)電路(lu)帶(dai)來的數字革命是人類(lei)歷史中(zhong)最重要的事件。

IC的分類

集成(cheng)電路的分類(lei)方(fang)法很多，依照電路屬(shu)模(mo)(mo)擬或(huo)數(shu)字，可以分為：模(mo)(mo)擬集成(cheng)電路、數(shu)字集成(cheng)電路和混(hun)合(he)信號集成(cheng)電路（模(mo)(mo)擬和數(shu)字在(zai)一(yi)個芯片上）。

數字(zi)集成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)可以包(bao)含任何東(dong)西，在幾平(ping)方毫米上(shang)有從(cong)幾千(qian)到(dao)百萬(wan)的(de)邏輯門，觸發器，多任務器和其他(ta)電(dian)路(lu)。這些(xie)電(dian)路(lu)的(de)小尺(chi)寸(cun)使得(de)與板級集成(cheng)(cheng)相比，有更高速度(du)，更低功耗并降(jiang)低了制造成(cheng)(cheng)本(ben)。這些(xie)數字(zi)IC,以微(wei)處理器，數字(zi)信號(hao)(hao)處理器（DSP）和單片機(ji)為代(dai)表，工作中使用二進制，處理1和0信號(hao)(hao)。

模擬集成電(dian)(dian)路(lu)有(you),例(li)如(ru)傳感器，電(dian)(dian)源控制電(dian)(dian)路(lu)和運放，處理模擬信號。完(wan)成放大，濾波，解調，混頻(pin)的(de)功能等。通過使用專(zhuan)家所(suo)設計、具有(you)良好特性的(de)模擬集成電(dian)(dian)路(lu)，減輕了(le)電(dian)(dian)路(lu)設計師的(de)重擔(dan)，不需(xu)凡(fan)事再由基(ji)礎的(de)一個個晶體(ti)管處設計起。

IC可以把模(mo)擬(ni)和數字(zi)電路(lu)集成在(zai)一(yi)個單芯片上，以做出如模(mo)擬(ni)數字(zi)轉換器(qi)（A/Dconverter）和數字(zi)模(mo)擬(ni)轉換器(qi)（D/Aconverter）等器(qi)件。這(zhe)種電路(lu)提供更小(xiao)的尺寸和更低的成本，但是(shi)對于信號沖(chong)突必須小(xiao)心。

產量

《中華(hua)人民共(gong)和國(guo)2021年國(guo)民經(jing)濟和社會發展統計公報》顯示：2021年，集成電路產量3594.3億(yi)塊，增長37.5%。