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著錄(lu)信息

專利名稱：突發式光模塊用淺溝柵狀背光探測器及其制作方法
專利類型：發明
申請號：CN201210573786.7
公開(公告)號：CN103050565B
申請日：20121226
公開(公告)日：20160504
申請人：華工科技產業股份有限公司
發明人：丁國慶,唐琦,胡長飛
申請人地址：430223 湖北省武漢市洪山區珞瑜路243號華工科技產業大廈A座12樓
申請人區域代碼：CN420111
專利權人：華工科技產業股份有限公司
洛迦諾分類：無
IPC：H01L31/109,H01L31/18
優先權：無
專利代理機構：北京匯澤知識產權代理有限公司 11228
代理人：朱振德
審查員：張玉萍
國際申請：無
國際公開(公告)：無
進入國家日期：無
分案申請：無

關鍵詞

淺溝,金屬電極,刻蝕區,背光探測器,電接觸層,光吸收層,覆蓋層,柵狀,氫離子,非故意摻雜,高濃度摻雜,光脈沖信號,金屬擋光層,氫離子注入,開啟延遲,中等濃度,設有,摻雜的,電脈沖,高阻區,隔離區,光敏區,光模塊,過渡層,緩沖層,面積和,突發式,高阻,減小,拖尾,一種,底部,下方,外圍,包圍,減少,有效

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