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專利名稱：一種用于刻蝕二氧化硅掩膜的漿料的清洗工藝
專利類型：發明
申請號：CN200810207489.4
公開(公告)號：CN101447530B
申請日：20081222
公開(公告)日：20100609
申請人：上海晶澳太陽能光伏科技有限公司
發明人：李靜,樸松源,郭育林,王鵬
申請人地址：200436 上海市閘北區江場三路36號
申請人區域代碼：CN310108
專利權人：上海晶澳太陽能光伏科技有限公司
洛迦諾分類：無
IPC：H01L31/18,H01L21/00,H01L21/02
優先權：無
專利代理機構：廣州知友專利商標代理有限公司 44104
代理人：李海波
審查員：羅慧晶
國際申請：無
國際公開(公告)：無
進入國家日期：無
分案申請：無

關鍵詞

刻蝕二氧化硅,清洗工藝,漿料,噴淋,掩膜,選擇性發射極,浸漬,超聲波清洗,性能的影響,硅片表面,太陽電池,循環純水,電池片

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