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著錄信息

  • 專利名稱:化學浴沉積設備和制備ZnS薄膜的方法
  • 專利類型:發明
  • 申請號:CN201510166863.0
  • 公開(公告)號:CN104762611B
  • 申請日:20150409
  • 公開(公告)日:20170531
  • 申請人:深圳先進技術研究院,香港中文大學
  • 發明人:張倩,楊春雷,顧光一,熊治雨,王婷婷,程亞,肖旭東
  • 申請人地址:518055 廣東省深圳市南山區西麗大學城學苑大道1068號
  • 申請人區域代碼:CN440305
  • 專利權人:深圳先進技術研究院,香港中文大學
  • 洛迦諾分類:
  • IPC:C23C18/00
  • 優先權:
  • 專利代理機構:廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
  • 代理人:吳平
  • 審查員:王姍
  • 國際申請:
  • 國際公開(公告):
  • 進入國家日期:
  • 分案申請:

關鍵詞

薄膜太陽能電池,化學浴沉積,反應器皿,反應面,化學浴,液面,沖刷,制備,分部,薄膜材料,厚度可控,均勻致密,快速制備,制造成本,緩沖層,薄膜,應用
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