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著錄信息

  • 專利名稱：含鈦中高溫太陽能吸收涂層的制備方法
  • 專利類型：發明
  • 申請號：CN201210530623.0
  • 公開(公告)號：CN103866233B
  • 申請日：20121210
  • 公開(公告)日：20160316
  • 申請人：北京市太陽能研究所集團有限公司
  • 發明人：王軒,張敏,尹萬里,孫守建,朱敦智
  • 申請人地址：100012 北京市朝陽區北苑路大羊坊10號桑普大廈
  • 申請人區域代碼：CN110105
  • 專利權人：北京市太陽能研究所集團有限公司
  • 洛迦諾分類：無
  • IPC：C23C14/14,C23C14/34,F24J2/48
  • 優先權：無
  • 專利代理機構：北京路浩知識產權代理有限公司 11002
  • 代理人：韓國勝
  • 審查員：馮冰
  • 國際申請：無
  • 國際公開(公告)：無
  • 進入國家日期：無
  • 分案申請：無

關鍵詞

制備,吸收層,中高溫太陽能,氮氣,紅外反射層,濺射氣體,吸收涂層,靶材,光學減反射層,金屬,簡化,節省,陽極,氬氣,磁控濺射,氮氣流量,反應氣體,混合氣體,濺射電流,來回切換,生產時間,氧化反應,制備方法,靶中毒,鈦原料,純鈦,減小,鋁膜,一層,一種,生產工藝,氧氣,消失,風險,減少,選擇,保持
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