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著錄信息

  • 專利名稱:半導體激光器用新型氮化鋁陶瓷載體傾斜端面制作方法
  • 專利類型:發明
  • 申請號:CN200910075479.4
  • 公開(公告)號:CN101667713B
  • 申請日:20090923
  • 公開(公告)日:20110720
  • 申請人:中國電子科技集團公司第十三研究所
  • 發明人:常慧增,張世祖
  • 申請人地址:050035 河北省石家莊市新華區合作路113號
  • 申請人區域代碼:CN130105
  • 專利權人:中國電子科技集團公司第十三研究所
  • 洛迦諾分類:
  • IPC:H01S5/024,H01S5/022
  • 優先權:
  • 專利代理機構:石家莊國為知識產權事務所 13120
  • 代理人:李榮文
  • 審查員:高潔
  • 國際申請:
  • 國際公開(公告):
  • 進入國家日期:
  • 分案申請:

關鍵詞

氮化鋁陶瓷,傾斜端面,半導體激光器,高密度封裝,規定深度,技術制作,加工效率,接口實現,微型載體,信息傳輸,電極,電驅動,插拔,底面,金剛,小于,互聯
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