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專利名稱：單晶硅位錯腐蝕劑及檢測方法
專利類型：發明
申請號：CN201310576502.4
公開(公告)號：CN103590113B
申請日：20131118
公開(公告)日：20160817
申請人：銀川隆基硅材料有限公司,西安隆基硅材料股份有限公司,寧夏隆基硅材料有限公司,無錫隆基硅材料有限公司
發明人：王新強,鄧浩,馬自成
申請人地址：750021 寧夏回族自治區銀川市（國家級）經濟技術開發區開元東路15號
申請人區域代碼：CN640105
專利權人：銀川隆基硅材料有限公司,西安隆基硅材料股份有限公司,寧夏隆基硅材料有限公司,無錫隆基硅材料有限公司
洛迦諾分類：無
IPC：C30B33/10,C23F1/24,G01N21/00
優先權：無
專利代理機構：西安弘理專利事務所 61214
代理人：羅笛
審查員：史博穎
國際申請：無
國際公開(公告)：無
進入國家日期：無
分案申請：無

關鍵詞

單晶硅,位錯,腐蝕劑,緩釋劑,檢測,腐蝕,刺激性氣味,環境友好,硼酸溶液,浸入,硝酸,氫氟酸

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