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專利名稱：淺溝槽隔離結構的制作方法和NAND閃存的制作方法
專利類型：發明
申請號：CN201310224056.0
公開(公告)號：CN104217986B
申請日：20130605
公開(公告)日：20170922
申請人：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
發明人：張翼英,王冬江
申請人地址：201203 上海市浦東新區張江路18號
申請人區域代碼：CN310115
專利權人：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
洛迦諾分類：無
IPC：H01L21/762,H01L27/11548
優先權：無
專利代理機構：北京集佳知識產權代理有限公司 11227
代理人：駱蘇華
審查員：周文龍
國際申請：無
國際公開(公告)：無
進入國家日期：無
分案申請：無

關鍵(jian)詞

多晶硅摻雜層,硬掩膜層,保護層,襯底,淺溝槽隔離結構,半導體,淺溝槽,制作,刻蝕,去除,半導體器件,圖案化處理,隔離材料,預先設置,掩模,填充,腐蝕,側面

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