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著錄信息

  • 專利名稱：用于GaN基半導體LED芯片的絕緣結構
  • 專利類型：實用新型
  • 申請號：CN201320572011.8
  • 公開(公告)號：CN203434159U
  • 申請日：20130914
  • 公開(公告)日：20140212
  • 申請人：江蘇新廣聯科技股份有限公司
  • 發明人：張帆,吳永勝
  • 申請人地址：214192 江蘇省無錫市錫山區錫山經濟開發區團結北路18號
  • 申請人區域代碼：CN320205
  • 專利權人：無
  • 洛迦諾分類：無
  • IPC：H01L27/15,H01L33/44
  • 優先權：無
  • 專利代理機構：無錫市大為專利商標事務所 32104
  • 代理人：曹祖良
  • 審查員：無
  • 國際申請：無
  • 國際公開(公告)：無
  • 進入國家日期：無
  • 分案申請：無

關鍵詞

發光單元,金屬電極,外延片,氮化鎵層,絕緣層,電流擴展,絕緣帶,襯底,相鄰發光單元,半導體LED,襯底表面,導電物質,工藝可靠,工藝實施,金屬導線,絕緣結構,量子阱,上表面,刻蝕,良率,上部,芯片,隔離,露出,連接
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