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專利名稱:
一種雙向穩壓二極管DB3芯片的生產工藝
專利類型:
發明
申請號:
CN201010581241.1
公開(公告)號:
CN102082093B
申請日:
20101210
公開(公告)日:
20140305
申請人:
天津中環半導體股份有限公司
發明人:
劉長蔚,王軍明,初亞東,宋進虎,徐長坡,崔俊發,范玉豐,邢立勛
申請人地址:
300384 天津市南開區新技術產業園區華苑產業區海泰東路12號
申請人區域代碼:
CN120104
專利權人:
天津中環半導體股份有限公司
洛迦諾分類:
無
IPC:
H01L21/329,H01L29/861,G03F7/00,H01L21/311
優先權:
無
專利代理機構:
天津中環專利商標代理有限公司 12105
代理人:
莫琪
審查員:
車曉璐
國際申請:
無
國際公開(公告):
無
進入國家日期:
無
分案申請:
無
關(guan)鍵詞
雙向穩壓二極管,二極管,觸發,生產工藝,芯片,工藝玻璃,擊穿電壓,臺面溝槽,電泳,碎片率,耗電,次光,鈍化,回彈,電壓,對稱,合格率,腐蝕
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