著錄信息
- 專利名稱：一種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器及其調壓方式
- 專利類型：發明
- 申請號：CN201210163854.2
- 公開(公告)號：CN102664094B
- 申請日：20120523
- 公開(公告)日：20150211
- 申請人：天津天能變壓器有限公司
- 發明人：趙忠云,劉培欣,劉利艷,韓輝,周芳,余曉斌,李濤,劉政
- 申請人地址：300402 天津市北辰區北辰科技園宜興埠七街
- 申請人區域代碼：CN120113
- 專利權人：天津天能變壓器有限公司
- 洛迦諾分類：無
- IPC：H01F29/02,H01F27/40,H01F27/36,H02P13/06,H02M5/12
- 優先權：無
- 專利代理機構：天津天麓律師事務所 12212
- 代理人：王里歌
- 審查員：曾言
- 國際申請：無
- 國際公開(公告)：無
- 進入國家日期：無
- 分案申請：無
關鍵詞
低壓繞組,雙向可控硅,輸出電壓,檔位,高壓繞組,輸入單元,多晶硅,變流,變壓器,閉合隔離開關,高壓輸出電壓,靜電屏蔽層,支路,調壓,鐵芯
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