著錄信息
- 專利名稱：采用PSG摻雜技術的VDMOS、IGBT功率器件及其制造工藝
- 專利類型：發明
- 申請號：CN200710037559.1
- 公開(公告)號：CN100477270C
- 申請日：20070214
- 公開(公告)日：20090408
- 申請人：上海富華微電子有限公司,吉林華微電子股份有限公司
- 發明人：邵光平
- 申請人地址：200122上海市浦東新區東方路971號錢江大廈14樓H座
- 申請人區域代碼：CN310115
- 專利權人：上海富華微電子有限公司,吉林華微電子股份有限公司
- 洛迦諾分類：無
- IPC：H01L29/78,H01L29/739,H01L21/336,H01L21/331
- 優先權：無
- 專利代理機構：上海京滬專利代理事務所
- 代理人：沈美英
- 審查員：季茂源
- 國際申請：無
- 國際公開(公告)：無
- 進入國家日期：無
- 分案申請：無
關鍵詞
磷硅玻璃,隔離層,摻雜,微電子技術領域,多晶硅柵層,工作可靠性,金屬表層,金屬底層,熱氧化,外延層,單層,光刻,氧層,生產成本,擴散
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