怎樣制造一顆芯(xin)片

簡介

又(you)稱(cheng)IC，泛指所(suo)有的(de)(de)電(dian)子(zi)元器件，是在硅(gui)板上集(ji)合多種電(dian)子(zi)元器件實現某種特(te)定功能的(de)(de)電(dian)路(lu)模塊。它是電(dian)子(zi)設備中(zhong)最重(zhong)要的(de)(de)部(bu)分，承擔(dan)著運算和存(cun)儲的(de)(de)功能。集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)的(de)(de)應(ying)用(yong)范圍覆(fu)蓋了軍工(gong)、民用(yong)的(de)(de)幾(ji)乎(hu)所(suo)有的(de)(de)電(dian)子(zi)設備。

工具/原料

晶(jing)(jing)(jing)圓（晶(jing)(jing)(jing)圓的成(cheng)分是(shi)硅，硅是(shi)由(you)石英(ying)沙所精練(lian)出來的，晶(jing)(jing)(jing)圓便是(shi)硅元(yuan)素加以純化（99.999%）。）

步驟/方法

將些純(chun)硅(gui)制成(cheng)硅(gui)晶棒，成(cheng)為(wei)制造集(ji)成(cheng)電(dian)路的(de)(de)(de)(de)(de)石(shi)英半導(dao)體(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)材料，將其(qi)切片(pian)就(jiu)是芯(xin)片(pian)制作具體(ti)(ti)需要的(de)(de)(de)(de)(de)晶圓。 晶圓涂膜。晶圓涂膜能抵抗(kang)氧化(hua)(hua)以及耐溫能力，其(qi)材料為(wei)光阻的(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)種(zhong)。 晶圓光刻顯影、蝕刻。該(gai)過(guo)(guo)程(cheng)使用了(le)對(dui)紫外光敏感的(de)(de)(de)(de)(de)化(hua)(hua)學物(wu)(wu)質(zhi)(zhi)，即遇(yu)紫外光則變軟。通(tong)過(guo)(guo)控制遮(zhe)光物(wu)(wu)的(de)(de)(de)(de)(de)位置可(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)以得到芯(xin)片(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)外形。在硅(gui)晶片(pian)涂上光致抗(kang)蝕劑(ji)(ji)，使得其(qi)遇(yu)紫外光就(jiu)會溶解(jie)。這(zhe)(zhe)是可(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)以用上第一(yi)(yi)份遮(zhe)光物(wu)(wu)，使得紫外光直射的(de)(de)(de)(de)(de)部分(fen)被(bei)溶解(jie)，這(zhe)(zhe)溶解(jie)部分(fen)接著可(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)用溶劑(ji)(ji)將其(qi)沖走。這(zhe)(zhe)樣剩(sheng)下的(de)(de)(de)(de)(de)部分(fen)就(jiu)與遮(zhe)光物(wu)(wu)的(de)(de)(de)(de)(de)形狀一(yi)(yi)樣了(le)，而這(zhe)(zhe)效果正是我(wo)們所要的(de)(de)(de)(de)(de)。這(zhe)(zhe)樣就(jiu)得到我(wo)們所需要的(de)(de)(de)(de)(de)二(er)氧化(hua)(hua)硅(gui)層。 攙加(jia)雜(za)(za)質(zhi)(zhi)。將晶圓中植(zhi)入離子(zi)，生成(cheng)相應的(de)(de)(de)(de)(de)P、N類半導(dao)體(ti)(ti)。具體(ti)(ti)工(gong)(gong)藝是是從硅(gui)片(pian)上暴(bao)露的(de)(de)(de)(de)(de)區(qu)域開(kai)始，放入化(hua)(hua)學離子(zi)混合液(ye)中。這(zhe)(zhe)一(yi)(yi)工(gong)(gong)藝將改變攙雜(za)(za)區(qu)的(de)(de)(de)(de)(de)導(dao)電(dian)方式(shi)，使每個晶體(ti)(ti)管(guan)可(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)以通(tong)、斷(duan)、或攜帶數據。簡單的(de)(de)(de)(de)(de)芯(xin)片(pian)可(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)以只用一(yi)(yi)層，但復(fu)雜(za)(za)的(de)(de)(de)(de)(de)芯(xin)片(pian)通(tong)常有很多層，這(zhe)(zhe)時候(hou)將這(zhe)(zhe)一(yi)(yi)流(liu)程(cheng)不斷(duan)的(de)(de)(de)(de)(de)重復(fu)，不同層可(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)通(tong)過(guo)(guo)開(kai)啟窗口聯接起(qi)來(lai)(lai)。這(zhe)(zhe)一(yi)(yi)點類似(si)所層PCB板(ban)的(de)(de)(de)(de)(de)制作制作原理。 更(geng)為(wei)復(fu)雜(za)(za)的(de)(de)(de)(de)(de)芯(xin)片(pian)可(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)能需要多個二(er)氧化(hua)(hua)硅(gui)層，這(zhe)(zhe)時候(hou)通(tong)過(guo)(guo)重復(fu)光刻以及上面流(liu)程(cheng)來(lai)(lai)實現，形成(cheng)一(yi)(yi)個立體(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)結構。 晶圓測(ce)(ce)試。經過(guo)(guo)上面的(de)(de)(de)(de)(de)幾道工(gong)(gong)藝之(zhi)后(hou)，晶圓上就(jiu)形成(cheng)了(le)一(yi)(yi)個個格狀的(de)(de)(de)(de)(de)晶粒(li)。通(tong)過(guo)(guo)針測(ce)(ce)的(de)(de)(de)(de)(de)方式(shi)對(dui)每個晶粒(li)進(jin)行電(dian)氣特性檢測(ce)(ce)。

一(yi)般每個(ge)(ge)芯片(pian)的(de)(de)擁有的(de)(de)晶(jing)粒數(shu)量(liang)是(shi)(shi)龐大(da)的(de)(de)，組織一(yi)次針(zhen)測(ce)試模式(shi)(shi)是(shi)(shi)非(fei)常復(fu)雜的(de)(de)過程(cheng)，這要求了在生產(chan)的(de)(de)時候盡量(liang)是(shi)(shi)同等芯片(pian)規格(ge)構(gou)造(zao)(zao)的(de)(de)型(xing)號的(de)(de)大(da)批量(liang)的(de)(de)生產(chan)。數(shu)量(liang)越(yue)(yue)大(da)相對(dui)成(cheng)本(ben)就(jiu)(jiu)會(hui)越(yue)(yue)低，這也是(shi)(shi)為(wei)什么主流芯片(pian)器件造(zao)(zao)價低的(de)(de)一(yi)個(ge)(ge)因素(su)。 封裝(zhuang)。將制造(zao)(zao)完成(cheng)晶(jing)圓固(gu)定(ding)，綁定(ding)引腳，按照需求去制作成(cheng)各種(zhong)(zhong)不同的(de)(de)封裝(zhuang)形式(shi)(shi)，這就(jiu)(jiu)是(shi)(shi)同種(zhong)(zhong)芯片(pian)內(nei)核(he)可以有不同的(de)(de)封裝(zhuang)形式(shi)(shi)的(de)(de)原因。比如：DIP、QFP、PLCC、QFN 等等。這里主要是(shi)(shi)由用戶的(de)(de)應(ying)用習慣、應(ying)用環境、市場形式(shi)(shi)等外圍因素(su)來決(jue)定(ding)的(de)(de)。 測(ce)試、包裝(zhuang)。經過上述工藝(yi)流程(cheng)以后，芯片(pian)制作就(jiu)(jiu)已(yi)經全部完成(cheng)了，這一(yi)步驟(zou)是(shi)(shi)將芯片(pian)進行測(ce)試、剔(ti)除不良品(pin)，以及包裝(zhuang)。 注(zhu)意事項 晶(jing)圓越(yue)(yue)薄(bo)，成(cheng)產(chan)的(de)(de)成(cheng)本(ben)越(yue)(yue)低，但對(dui)工藝(yi)就(jiu)(jiu)要求的(de)(de)越(yue)(yue)高。