SSD固態硬盤的優點

1、SSD不需(xu)要機械結構，完(wan)全的半(ban)導體化，不存在數(shu)據(ju)查找時(shi)間(jian)、延遲時(shi)間(jian)和磁盤(pan)尋道時(shi)間(jian)，數(shu)據(ju)存取(qu)速度快，讀取(qu)數(shu)據(ju)的能力在400M/s以上，最(zui)高的目前可(ke)達500M/s以上。

2、SSD全部(bu)采用閃存芯(xin)片，經久耐用，防震(zhen)抗(kang)摔，即(ji)使發生(sheng)與硬物碰撞，數據丟失的可能性也(ye)能夠降到最小。

3、得益(yi)于無(wu)機械部件及FLASH閃存芯(xin)片，SSD沒有(you)任何噪音，功(gong)耗低(di)。

4、質量輕(qing)，比常規1.8英寸硬(ying)盤重量輕(qing)20-30克，使(shi)得便攜設備搭載多塊SSD成(cheng)為可(ke)能。同時因(yin)其完全半導(dao)體(ti)化，無結構限制，可(ke)根據實際情況設計成(cheng)各種不同接口、形狀的特(te)殊電子硬(ying)盤。

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SSD固態硬盤的缺點

1、固態硬盤成本高

目前(qian)SSD成本(ben)已(yi)經(jing)大(da)幅(fu)下降。128G SSD已(yi)經(jing)在1000元(yuan)(yuan)級別(bie)。但(dan)是相對機(ji)械硬盤，價格還是很高的~而(er)作(zuo)為筆(bi)記(ji)本(ben)廠(chang)商，在將固態硬盤當作(zuo)可(ke)選配(pei)(pei)件后，升(sheng)級的費用更(geng)是要(yao)遠高于實際(ji)成本(ben)，這也就導致了配(pei)(pei)備(bei)傳統硬盤筆(bi)記(ji)本(ben)和固態硬盤筆(bi)記(ji)本(ben)之(zhi)間千元(yuan)(yuan)的價差。

2、存儲容量有待提高

如今傳(chuan)統機械式硬(ying)盤(pan)憑(ping)借(jie)最(zui)(zui)(zui)新的(de)(de)垂直(zhi)記錄技術已經(jing)向(xiang)2TB級別邁(mai)進，而固態硬(ying)盤(pan)的(de)(de)最(zui)(zui)(zui)高紀(ji)錄仍停(ting)留幾百GB(PQI推(tui)出的(de)(de)2.5英寸SSD產(chan)(chan)品)左右，由于(yu)閃存(cun)成本一直(zhi)居高不下，很少有廠商涉及這(zhe)種高容量的(de)(de)SSD產(chan)(chan)品的(de)(de)研(yan)發，即使有相關的(de)(de)產(chan)(chan)品出現，離量產(chan)(chan)還有很長(chang)(chang)很長(chang)(chang)的(de)(de)路，現階段可以買到(dao)的(de)(de)固態硬(ying)盤(pan)最(zui)(zui)(zui)實際的(de)(de)存(cun)儲容量只有最(zui)(zui)(zui)高幾百GB。但是價格高昂。

如何選購SSD固態硬盤

1 、看主控芯片

目前(qian)市面(mian)上占有(you)率最高的(de)(de)SandForce二代主(zhu)控，由于(yu)它提供了一套(tao)成熟的(de)(de)主(zhu)控方案。硬(ying)盤(pan)廠商只需(xu)買來方案，在加(jia)入自己的(de)(de)PCB設計、閃存搭(da)配、固件(jian)算法就能制造出固態硬(ying)盤(pan)。有(you)點類似于(yu)谷(gu)歌的(de)(de)Android開(kai)源模式，不(bu)過其(qi)弊病也是相同(tong)的(de)(de)，那(nei)就是同(tong)樣的(de)(de)主(zhu)控要兼容各種不(bu)同(tong)的(de)(de)芯片、固件(jian)，所以各大(da)SandForce主(zhu)控的(de)(de)硬(ying)盤(pan)產品(pin)(pin)性能也是參(can)差不(bu)齊的(de)(de)。另外還有(you)Marvell主(zhu)控和Intel主(zhu)控，只是產品(pin)(pin)較少，但性能都相當給力。

2 、看閃存顆粒

前固態硬盤采用的閃(shan)(shan)存顆(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)粒(li)有(you)著25/34nm制程、MLC/SLC、同(tong)(tong)步/異(yi)步、ONFI/Toggle Mode等等不同(tong)(tong)。不同(tong)(tong)閃(shan)(shan)存顆(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)粒(li)數據(ju)傳(chuan)輸率有(you)著很大的差異(yi)，異(yi)步ONFI顆(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)粒(li)只有(you)50MT/s（Intel或者Micron早期顆(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)粒(li)），同(tong)(tong)步ONFI 2.x顆(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)粒(li)則可以達到133MT/s ~ 200MT/s （Intel或者Micron顆(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)粒(li)），異(yi)步Toggly DDR 1.0顆(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)粒(li)也可以達到133MT/s ~ 200MT/s （TOSHIBA或者Samsung顆(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)粒(li)）。