SSD固態硬盤的優點

1、SSD不需要機械(xie)結構，完全的(de)半(ban)導體化，不存在數據查(cha)找時(shi)間(jian)、延遲時(shi)間(jian)和磁盤尋(xun)道(dao)時(shi)間(jian)，數據存取速度快，讀取數據的(de)能力在400M/s以上(shang)，最高的(de)目前(qian)可達500M/s以上(shang)。

2、SSD全(quan)部采用閃存芯(xin)片，經久耐用，防震(zhen)抗摔，即使發生(sheng)與硬(ying)物碰撞(zhuang)，數(shu)據丟(diu)失的可能性也能夠(gou)降到最小。

3、得(de)益于無(wu)機械部(bu)件及(ji)FLASH閃(shan)存芯片，SSD沒有任(ren)何(he)噪音，功耗低。

4、質量(liang)輕(qing)，比(bi)常規1.8英寸硬盤重(zhong)量(liang)輕(qing)20-30克(ke)，使得便攜設備搭載多塊SSD成(cheng)為可(ke)能。同(tong)時因其完(wan)全(quan)半導體化，無結構限制，可(ke)根據實際情況設計成(cheng)各種不同(tong)接口、形狀的特(te)殊電子硬盤。

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SSD固態硬盤的缺點

1、固態硬盤成本高

目前SSD成本已(yi)經大幅(fu)下降。128G SSD已(yi)經在1000元級(ji)別。但是(shi)相對機(ji)械硬盤，價格還是(shi)很高(gao)的(de)~而(er)作為筆記本廠商，在將固(gu)態硬盤當作可選配件后(hou)，升級(ji)的(de)費(fei)用更是(shi)要遠高(gao)于實際(ji)成本，這也就導致了配備傳統硬盤筆記本和固(gu)態硬盤筆記本之(zhi)間千元的(de)價差。

2、存儲容量有待提高

如今傳(chuan)統機械式(shi)硬盤憑借最新的(de)垂直記錄技術已經向2TB級(ji)別邁進，而固態硬盤的(de)最高(gao)紀錄仍停留幾百(bai)GB(PQI推出(chu)(chu)的(de)2.5英寸SSD產品(pin))左右，由于閃存成本一直居高(gao)不下，很(hen)少有廠商涉及這種高(gao)容(rong)量的(de)SSD產品(pin)的(de)研發(fa)，即使有相關(guan)的(de)產品(pin)出(chu)(chu)現，離量產還有很(hen)長(chang)(chang)很(hen)長(chang)(chang)的(de)路，現階段可(ke)以(yi)買到的(de)固態硬盤最實(shi)際的(de)存儲容(rong)量只有最高(gao)幾百(bai)GB。但是價(jia)格高(gao)昂。

如何選購SSD固態硬盤

1 、看主控芯片

目(mu)前(qian)市面上占有(you)(you)率最高的(de)(de)SandForce二代(dai)主控(kong)(kong)，由(you)于它提供了一套成熟的(de)(de)主控(kong)(kong)方案(an)。硬盤(pan)廠(chang)商只需買來(lai)方案(an)，在加入自(zi)己的(de)(de)PCB設計、閃存搭配、固(gu)件(jian)(jian)算(suan)法就能(neng)(neng)制(zhi)造出固(gu)態硬盤(pan)。有(you)(you)點類似于谷歌的(de)(de)Android開源模(mo)式，不過(guo)其(qi)弊病也是(shi)相同的(de)(de)，那(nei)就是(shi)同樣的(de)(de)主控(kong)(kong)要兼容各(ge)種不同的(de)(de)芯片、固(gu)件(jian)(jian)，所以各(ge)大SandForce主控(kong)(kong)的(de)(de)硬盤(pan)產品性(xing)能(neng)(neng)也是(shi)參差不齊的(de)(de)。另外還有(you)(you)Marvell主控(kong)(kong)和Intel主控(kong)(kong)，只是(shi)產品較少，但性(xing)能(neng)(neng)都相當(dang)給力(li)。

2 、看閃存顆粒

前固態硬盤采(cai)用的閃(shan)存(cun)(cun)顆(ke)粒(li)有(you)著(zhu)25/34nm制程、MLC/SLC、同步(bu)(bu)/異(yi)(yi)步(bu)(bu)、ONFI/Toggle Mode等等不(bu)同。不(bu)同閃(shan)存(cun)(cun)顆(ke)粒(li)數據(ju)傳(chuan)輸(shu)率有(you)著(zhu)很大的差異(yi)(yi)，異(yi)(yi)步(bu)(bu)ONFI顆(ke)粒(li)只有(you)50MT/s（Intel或(huo)者Micron早期顆(ke)粒(li)），同步(bu)(bu)ONFI 2.x顆(ke)粒(li)則可以達到(dao)133MT/s ~ 200MT/s （Intel或(huo)者Micron顆(ke)粒(li)），異(yi)(yi)步(bu)(bu)Toggly DDR 1.0顆(ke)粒(li)也可以達到(dao)133MT/s ~ 200MT/s （TOSHIBA或(huo)者Samsung顆(ke)粒(li)）。