汽車芯片是怎么制造的

1、沉積

沉積(ji)步(bu)驟(zou)從(cong)晶圓開始(shi)，晶圓是從(cong)99.99%的純硅(gui)圓柱(zhu)體(ti)上(shang)切(qie)下來(lai)的，并被(bei)打磨得(de)極為光滑，再根(gen)據結構需求(qiu)將導體(ti)、絕緣(yuan)體(ti)或半導體(ti)材料薄(bo)膜沉積(ji)到晶圓上(shang)，以便能在(zai)上(shang)面印制第(di)一層。

2、光刻膠涂覆

晶圓隨后會被涂(tu)覆光敏材料“光刻(ke)(ke)(ke)膠”。光刻(ke)(ke)(ke)膠也(ye)分為(wei)兩種——“正性(xing)光刻(ke)(ke)(ke)膠”和“負性(xing)光刻(ke)(ke)(ke)膠”。正性(xing)和負性(xing)光刻(ke)(ke)(ke)膠的主(zhu)要區別(bie)在(zai)于材料的化(hua)學(xue)結構和光刻(ke)(ke)(ke)膠對光的反應方式。

3、光刻

光刻決定芯片上(shang)的(de)晶(jing)體管可以做到多小(xiao)。晶(jing)圓會被放入光(guang)(guang)(guang)刻機中，暴露在深紫外光(guang)(guang)(guang)下。光(guang)(guang)(guang)線會通過“掩模版”投射到晶(jing)圓上(shang)，光(guang)(guang)(guang)刻機的(de)光(guang)(guang)(guang)學系(xi)統（DUV系(xi)統的(de)透鏡）將掩模版上(shang)設計好(hao)的(de)電路圖案縮小(xiao)并(bing)聚焦(jiao)到晶(jing)圓上(shang)的(de)光(guang)(guang)(guang)刻膠(jiao)。

4、刻蝕

在"刻蝕"過程中，晶圓(yuan)被(bei)烘烤(kao)和(he)顯影(ying)，一些光(guang)刻膠被(bei)洗(xi)掉(diao)，從(cong)而顯示出一個(ge)開(kai)放通道的3D圖(tu)案(an)。刻蝕也(ye)分為(wei)“干式(shi)(shi)”和(he)“濕式(shi)(shi)”兩種。干式(shi)(shi)刻蝕使用氣體來(lai)(lai)確定晶圓(yuan)上(shang)的暴露圖(tu)案(an)。濕式(shi)(shi)刻蝕通過化學(xue)方(fang)法(fa)來(lai)(lai)清洗(xi)晶圓(yuan)

5、離子注入

一旦圖案被刻蝕在晶(jing)(jing)圓上，晶(jing)(jing)圓會(hui)受到正離子或負離子的轟擊(ji)，以調整(zheng)部(bu)分圖案的導電(dian)特性(xing)。將帶電(dian)離子引導到硅(gui)晶(jing)(jing)體中，讓電(dian)的流動可以被控(kong)制，從而創造出芯片基本構件的電(dian)子開關——晶(jing)(jing)體管。

6、封裝

為了(le)把芯片從晶(jing)圓上(shang)取(qu)出(chu)來，要用(yong)金(jin)(jin)剛石鋸將(jiang)其切成單個(ge)芯片，稱為“裸(luo)晶(jing)”，這(zhe)些裸(luo)晶(jing)隨后會被(bei)放置(zhi)在“基(ji)板”上(shang)——這(zhe)種基(ji)板使用(yong)金(jin)(jin)屬箔將(jiang)裸(luo)晶(jing)的輸入和(he)輸出(chu)信號引導到系統的其他部分。

汽車芯片的主要材料是什么

汽車(che)芯片的(de)主要材料是硅。硅是最常(chang)用(yong)(yong)的(de)芯片材料之一，價(jia)格(ge)低廉、成(cheng)熟(shu)，適用(yong)(yong)于(yu)大(da)規模(mo)生產。硅芯片的(de)功率密度低，特別適用(yong)(yong)于(yu)低功耗(hao)和低成(cheng)本的(de)應用(yong)(yong)場景。硅材質(zhi)也易(yi)于(yu)加工(gong)和集成(cheng)，可以輕松(song)實現超大(da)規模(mo)的(de)集成(cheng)電路。

汽車芯片很難制造嗎

造(zao)汽(qi)車芯片的難(nan)度(du)較大。

1、汽車對芯片(pian)和元器件的(de)工作溫度(du)要(yao)(yao)求(qiu)(qiu)比較寬，根(gen)據不(bu)同的(de)安(an)裝位置等有不(bu)同的(de)需(xu)求(qiu)(qiu)，但一般都要(yao)(yao)高于民用產(chan)品(pin)的(de)要(yao)(yao)求(qiu)(qiu)，比如發動機艙要(yao)(yao)求(qiu)(qiu)-40℃-150℃；車身控制要(yao)(yao)求(qiu)(qiu)-40℃-125℃。

2、汽車在(zai)(zai)行進過(guo)程(cheng)中(zhong)會遭遇更多(duo)的(de)振動和沖擊，車(che)(che)規級半導體必須(xu)滿足在(zai)(zai)高(gao)低溫交變、震動風(feng)擊、防(fang)水防(fang)曬(shai)、高(gao)速移動等(deng)各類變化中(zhong)持續(xu)保證(zheng)穩定工作(zuo)(zuo)。另外汽車(che)(che)對(dui)器(qi)件的(de)抗(kang)(kang)干擾(rao)性能要(yao)求(qiu)極高(gao)，包括(kuo)抗(kang)(kang)ESD靜電，EFT群脈沖，RS傳(chuan)(chuan)導輻射、EMC，EMI等(deng)分析，芯片在(zai)(zai)這些干擾(rao)下(xia)既(ji)不能不可控的(de)影響(xiang)(xiang)工作(zuo)(zuo)，也(ye)不能干擾(rao)車(che)(che)內(nei)別的(de)設備（控制總線，MCU，傳(chuan)(chuan)感(gan)器(qi)，音響(xiang)(xiang)，等(deng)等(deng)）等(deng)。