汽車芯片是怎么制造的
1、沉積
沉積(ji)步驟(zou)從晶圓(yuan)開始,晶圓(yuan)是從99.99%的(de)(de)純硅圓(yuan)柱體上切下來的(de)(de),并被打磨得極為(wei)光滑,再根據結構需求(qiu)將導(dao)體、絕緣(yuan)體或半導(dao)體材(cai)料薄膜沉積(ji)到晶圓(yuan)上,以便能(neng)在上面(mian)印制第一層。
2、光刻膠涂覆
晶(jing)圓隨后會被涂覆(fu)光(guang)(guang)(guang)敏材料“光(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠(jiao)”。光(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠(jiao)也分(fen)為兩種(zhong)——“正性光(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠(jiao)”和(he)“負(fu)性光(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠(jiao)”。正性和(he)負(fu)性光(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠(jiao)的(de)(de)主要(yao)區(qu)別在于材料的(de)(de)化學結構和(he)光(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠(jiao)對(dui)光(guang)(guang)(guang)的(de)(de)反應方(fang)式。
3、光刻
光刻決定芯片上(shang)的(de)晶體管(guan)可以(yi)做到多小(xiao)。晶圓(yuan)會(hui)被放(fang)入光(guang)(guang)刻(ke)機中(zhong),暴露在(zai)深(shen)紫外(wai)光(guang)(guang)下。光(guang)(guang)線會(hui)通過“掩模版”投射到晶圓(yuan)上(shang),光(guang)(guang)刻(ke)機的(de)光(guang)(guang)學系統(DUV系統的(de)透鏡)將掩模版上(shang)設計好的(de)電路圖案(an)縮小(xiao)并聚焦到晶圓(yuan)上(shang)的(de)光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)。
4、刻蝕
在"刻(ke)蝕"過(guo)程中,晶圓(yuan)被烘烤(kao)和顯影,一些(xie)光刻(ke)膠被洗掉,從而顯示出一個開放(fang)通道(dao)的3D圖案。刻(ke)蝕也分為“干(gan)式(shi)”和“濕式(shi)”兩種(zhong)。干(gan)式(shi)刻(ke)蝕使用氣(qi)體(ti)來確定晶圓(yuan)上的暴露圖案。濕式(shi)刻(ke)蝕通過(guo)化學方(fang)法來清洗晶圓(yuan)
5、離子注入
一旦圖案被(bei)刻蝕在晶圓上,晶圓會(hui)受到正離子或負(fu)離子的轟擊,以調整部分圖案的導電特性。將(jiang)帶電離子引導到硅(gui)晶體中,讓電的流動可以被(bei)控制,從而創造出芯片基本構件的電子開關——晶體管。
6、封裝
為了把芯(xin)片(pian)從晶(jing)圓上取出來,要用(yong)金剛石鋸(ju)將其(qi)切成單個芯(xin)片(pian),稱為“裸(luo)晶(jing)”,這(zhe)些裸(luo)晶(jing)隨后會(hui)被放置在“基板”上——這(zhe)種(zhong)基板使(shi)用(yong)金屬箔將裸(luo)晶(jing)的輸入和輸出信號引導到系統的其(qi)他部分。
汽車芯片的主要材料是什么
汽車(che)芯片(pian)的(de)主要材料是硅(gui)。硅(gui)是最常用(yong)的(de)芯片(pian)材料之一,價格(ge)低廉、成熟,適用(yong)于大規模生(sheng)產。硅(gui)芯片(pian)的(de)功(gong)率密度(du)低,特別(bie)適用(yong)于低功(gong)耗和低成本(ben)的(de)應用(yong)場景。硅(gui)材質也易于加工和集(ji)成,可以輕(qing)松實現超(chao)大規模的(de)集(ji)成電路。
汽車芯片很難制造嗎
造汽車芯片的難度較大。
1、汽車對芯片和(he)元器(qi)件的(de)工作溫度要(yao)(yao)求比(bi)較寬,根據不同的(de)安(an)裝位置(zhi)等有(you)不同的(de)需求,但一般(ban)都要(yao)(yao)高于民用產品的(de)要(yao)(yao)求,比(bi)如(ru)發動機(ji)艙要(yao)(yao)求-40℃-150℃;車身(shen)控(kong)制(zhi)要(yao)(yao)求-40℃-125℃。
2、汽車在行(xing)進過程中會遭遇(yu)更多的振動(dong)和(he)沖(chong)擊,車(che)規級半(ban)導體必須滿足(zu)在高低(di)溫交變、震動(dong)風擊、防水防曬、高速(su)移(yi)動(dong)等(deng)各類(lei)變化中持(chi)續保證穩定工(gong)作。另外汽車(che)對(dui)器(qi)件(jian)的抗(kang)干(gan)擾性能(neng)要求極(ji)高,包括抗(kang)ESD靜電,EFT群(qun)脈沖(chong),RS傳導輻(fu)射(she)、EMC,EMI等(deng)分析(xi),芯片在這些干(gan)擾下既(ji)不能(neng)不可(ke)控(kong)的影響(xiang)(xiang)工(gong)作,也不能(neng)干(gan)擾車(che)內別的設備(控(kong)制總(zong)線,MCU,傳感器(qi),音響(xiang)(xiang),等(deng)等(deng))等(deng)。