芒果视频下载

一、靶材是什么材料

靶材(cai)(cai)是(shi)通過(guo)磁控濺射(she)、多弧離子(zi)鍍或其他類(lei)型(xing)的(de)鍍膜系(xi)統在適當工藝條件下濺射(she)在基板上形(xing)成各種功(gong)能薄膜的(de)濺射(she)源。簡單說(shuo)的(de)話，靶材(cai)(cai)就是(shi)高速荷能粒子(zi)轟擊(ji)的(de)目標材(cai)(cai)料，用(yong)于(yu)高能激光武器(qi)中，不(bu)(bu)同(tong)功(gong)率密度(du)、不(bu)(bu)同(tong)輸出波形(xing)、不(bu)(bu)同(tong)波長的(de)激光與不(bu)(bu)同(tong)的(de)靶材(cai)(cai)相互作用(yong)時，會產生不(bu)(bu)同(tong)的(de)殺傷破(po)壞效應。例如(ru)：蒸發磁控濺射(she)鍍膜是(shi)加熱蒸發鍍膜、鋁膜等(deng)。更(geng)換(huan)不(bu)(bu)同(tong)的(de)靶材(cai)(cai)（如(ru)鋁、銅、不(bu)(bu)銹鋼、鈦、鎳(nie)靶等(deng)），即可得(de)到不(bu)(bu)同(tong)的(de)膜系(xi)（如(ru)超硬、耐磨、防腐的(de)合金膜等(deng)）。

二、靶材的用途

1、用于顯示器上

靶材(cai)目(mu)前被(bei)普遍應用于平(ping)面顯(xian)示(shi)器（FPD)上(shang)。近年(nian)來，平(ping)面顯(xian)示(shi)器在市場(chang)上(shang)的(de)應用率逐年(nian)增高，同(tong)時也帶動了(le)ITO靶材(cai)的(de)技術(shu)與市場(chang)需求。ITO靶材(cai)有(you)兩種，一(yi)種是采用銦錫(xi)合金靶材(cai)，另(ling)外一(yi)種是采用納米狀(zhuang)態的(de)氧化銦和氧化錫(xi)粉(fen)混合后燒結。

2、用于微電子領域

靶材(cai)也被應用于半導(dao)體產業，相(xiang)對來說半導(dao)體產業對于靶材(cai)濺射薄(bo)膜的品(pin)(pin)質要求是比較(jiao)苛(ke)刻的。現(xian)在(zai)12英寸（300衄口）的硅晶片(pian)也被制作出(chu)來，但是互連(lian)線(xian)的寬度卻在(zai)減(jian)小。目前硅片(pian)制造商對于靶材(cai)的要求都是大(da)尺寸、高純度、低偏(pian)析以及細晶粒等，對其品(pin)(pin)質要求比較(jiao)高，這就要求靶材(cai)需要具(ju)有更好的微觀結(jie)構。

3、用于存儲技術上

存儲(chu)(chu)技術行業對于靶材的(de)需(xu)求量(liang)很大(da)，高密度、大(da)容量(liang)硬盤的(de)發(fa)展(zhan)，離不開大(da)量(liang)的(de)巨磁阻薄膜材料，CoF~Cu多(duo)層復合(he)膜是如(ru)今應(ying)用(yong)(yong)比(bi)較廣泛的(de)巨磁阻薄膜結構。磁光盤需(xu)要的(de)TbFeCo合(he)金靶材還在(zai)進(jin)一步發(fa)展(zhan)，用(yong)(yong)它制造出(chu)來(lai)的(de)磁光盤有著使(shi)用(yong)(yong)壽命長、存儲(chu)(chu)容量(liang)大(da)以及可反復無(wu)接觸擦寫的(de)特點。

三、靶材的分類有哪些

1、根據不同材質劃分

（1）金屬靶材

鎳(nie)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ni、鈦(tai)(tai)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ti、鋅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Zn、鉻靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Cr、鎂靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Mg、鈮靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Nb、錫靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Sn、鋁(lv)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Al、銦靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)In、鐵靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Fe、鋯(gao)鋁(lv)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)ZrAl、鈦(tai)(tai)鋁(lv)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)TiAl、鋯(gao)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Zr、鋁(lv)硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)AlSi、硅(gui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Si、銅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Cu、鉭(tan)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ta、鍺靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ge、銀靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ag、鈷靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Co、金(jin)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Au、釓靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Gd、鑭(lan)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)La、釔靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Y、鈰靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Ce、不銹鋼靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鎳(nie)鉻靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)NiCr、鉿(jia)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Hf、鉬靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)Mo、鐵鎳(nie)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)FeNi、鎢靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、W等(deng)。

（2）陶瓷靶材

ITO靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎂靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鐵靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氮(dan)(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、碳(tan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氮(dan)(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鉻靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋅(xin)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、硫(liu)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋅(xin)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二(er)氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、一氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈰靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二(er)氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋯(gao)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、五(wu)氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二(er)鈮(ni)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二(er)氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二(er)氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋯(gao)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，、二(er)氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鉿靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，二(er)硼化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，二(er)硼化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋯(gao)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，三氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎢(wu)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，三氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二(er)鋁(lv)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)五(wu)氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二(er)鉭，五(wu)氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二(er)鈮(ni)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氟化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎂靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氟化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)釔靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、硒(xi)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋅(xin)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氮(dan)(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋁(lv)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，氮(dan)(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，氮(dan)(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硼靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，氮(dan)(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，碳(tan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，鈮(ni)酸(suan)(suan)鋰靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鈦酸(suan)(suan)鐠(pu)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鈦酸(suan)(suan)鋇靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鈦酸(suan)(suan)鑭(lan)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎳靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、濺射靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)材等。

（3）合金靶材

鐵鈷(gu)靶(ba)(ba)FeCo、鋁(lv)硅(gui)靶(ba)(ba)AlSi、鈦(tai)硅(gui)靶(ba)(ba)TiSi、鉻硅(gui)靶(ba)(ba)CrSi、鋅鋁(lv)靶(ba)(ba)ZnAl、鈦(tai)鋅靶(ba)(ba)材TiZn、鈦(tai)鋁(lv)靶(ba)(ba)TiAl、鈦(tai)鋯靶(ba)(ba)TiZr、鈦(tai)硅(gui)靶(ba)(ba)TiSi、鈦(tai)鎳靶(ba)(ba)TiNi、鎳鉻靶(ba)(ba)NiCr、鎳鋁(lv)靶(ba)(ba)NiAl、鎳釩靶(ba)(ba)NiV、鎳鐵靶(ba)(ba)NiFe等(deng)。

2、根據不同應用方向劃分

（1）半導體關聯靶材

電極、布線薄膜：鋁靶(ba)(ba)材(cai)，銅(tong)靶(ba)(ba)材(cai)，金(jin)靶(ba)(ba)材(cai)，銀靶(ba)(ba)材(cai)，鈀靶(ba)(ba)材(cai)，鉑靶(ba)(ba)材(cai)，鋁硅合金(jin)靶(ba)(ba)材(cai)，鋁硅銅(tong)合金(jin)靶(ba)(ba)材(cai)等。

儲存器電極薄膜：鉬靶材，鎢靶材，鈦靶材等。

粘(zhan)附薄膜：鎢靶材(cai)，鈦靶材(cai)等。

電容器絕緣膜薄膜：鋯鈦酸(suan)鉛靶材等。

（2）磁記錄靶材

垂直磁記錄薄膜：鈷鉻合金(jin)靶材等。

硬盤用薄(bo)膜：鈷鉻(ge)鉭(tan)合(he)金(jin)靶材(cai)，鈷鉻(ge)鉑合(he)金(jin)靶材(cai)，鈷鉻(ge)鉭(tan)鉑合(he)金(jin)靶材(cai)等。

薄膜磁(ci)頭：鈷鉭鉻合金(jin)靶材(cai)，鈷鉻鋯合金(jin)靶材(cai)等。

人工晶體薄膜：鈷(gu)鉑合金靶材，鈷(gu)鈀合金靶材等。

（3）光記錄靶材

相變光盤記錄(lu)薄膜(mo)：硒(xi)化(hua)碲(di)靶材，硒(xi)化(hua)銻靶材，鍺銻碲(di)合金(jin)靶材，鍺碲(di)合金(jin)靶材等(deng)。

磁光(guang)盤記(ji)錄薄(bo)膜：鏑鐵鈷合(he)金靶(ba)材(cai)，鋱(te)鏑鐵合(he)金靶(ba)材(cai)，鋱(te)鐵鈷合(he)金靶(ba)材(cai)，氧(yang)化鋁靶(ba)材(cai)，氧(yang)化鎂靶(ba)材(cai)，氮(dan)化硅靶(ba)材(cai)等。

四、靶材的性能和指標

靶材制(zhi)約著濺鍍薄膜的(de)物理，力學性能，影響鍍膜質(zhi)量，因而要(yao)求靶材的(de)制(zhi)備應(ying)滿足(zu)以下要(yao)求：

1、純度：要求雜質含量低純度高，靶材的(de)純(chun)度(du)(du)影響薄膜(mo)的(de)均勻性(xing)，以純(chun)Al靶(ba)為例，純(chun)度(du)(du)越高(gao)，濺射Al膜(mo)的(de)耐蝕性(xing)及(ji)電學(xue)、光(guang)學(xue)性(xing)能越好。不過不同(tong)用(yong)(yong)途的(de)靶(ba)材(cai)(cai)對(dui)純(chun)度(du)(du)要求也不同(tong)，一(yi)般工業用(yong)(yong)靶(ba)材(cai)(cai)純(chun)度(du)(du)要求不高(gao)，但就半導體、顯(xian)示器件等(deng)領域用(yong)(yong)靶(ba)材(cai)(cai)對(dui)純(chun)度(du)(du)要求是十分嚴格的(de)，磁性(xing)薄膜(mo)用(yong)(yong)靶(ba)材(cai)(cai)對(dui)純(chun)度(du)(du)的(de)要求一(yi)般為99.9%以上，ITO中的(de)氧(yang)化銦以及(ji)氧(yang)化錫(xi)的(de)純(chun)度(du)(du)則要求不低于99.99%。

2、雜質(zhi)含(han)量：靶(ba)(ba)(ba)材作(zuo)為濺射中(zhong)的(de)陰極源(yuan)，固體(ti)中(zhong)的(de)雜質(zhi)和氣(qi)孔中(zhong)的(de)O2和H2O是(shi)沉積薄膜(mo)的(de)主(zhu)要(yao)污染(ran)源(yuan)，不同用途的(de)靶(ba)(ba)(ba)材對單個雜質(zhi)含(han)量的(de)要(yao)求也不同，如：半(ban)導體(ti)電極布線用的(de)W，Mo，Ti等(deng)靶(ba)(ba)(ba)材對U，Th等(deng)放射性元素的(de)含(han)量要(yao)求低于3*10-9，光盤(pan)反射膜(mo)用的(de)Al合金靶(ba)(ba)(ba)材則要(yao)求O2的(de)含(han)量低于2*10-4。

3、高(gao)致密(mi)度(du)(du)：為(wei)了減少靶(ba)(ba)(ba)材(cai)中的(de)(de)(de)氣(qi)孔，提(ti)高(gao)薄膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)性能(neng)一(yi)般要(yao)求靶(ba)(ba)(ba)材(cai)具有(you)較高(gao)的(de)(de)(de)致密(mi)度(du)(du)，靶(ba)(ba)(ba)材(cai)的(de)(de)(de)致密(mi)度(du)(du)不(bu)僅(jin)影響(xiang)濺(jian)射(she)(she)時(shi)的(de)(de)(de)沉積(ji)速率(lv)、濺(jian)射(she)(she)膜(mo)(mo)粒(li)子(zi)的(de)(de)(de)密(mi)度(du)(du)和(he)放電(dian)(dian)現象等，還影響(xiang)濺(jian)射(she)(she)薄膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)學(xue)和(he)光學(xue)性能(neng)。致密(mi)性越(yue)(yue)好，濺(jian)射(she)(she)膜(mo)(mo)粒(li)子(zi)的(de)(de)(de)密(mi)度(du)(du)越(yue)(yue)低(di)(di)，放電(dian)(dian)現象越(yue)(yue)弱。高(gao)致密(mi)度(du)(du)靶(ba)(ba)(ba)材(cai)具有(you)導電(dian)(dian)、導熱性好，強度(du)(du)高(gao)等優點(dian)，使(shi)用這種靶(ba)(ba)(ba)材(cai)鍍膜(mo)(mo)，濺(jian)射(she)(she)功率(lv)小，成(cheng)膜(mo)(mo)速率(lv)高(gao)，薄膜(mo)(mo)不(bu)易開裂，靶(ba)(ba)(ba)材(cai)的(de)(de)(de)使(shi)用壽命長，且濺(jian)鍍薄膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)阻率(lv)低(di)(di)，透(tou)光率(lv)高(gao)。靶(ba)(ba)(ba)材(cai)的(de)(de)(de)致密(mi)度(du)(du)主要(yao)取決于(yu)制備工(gong)藝(yi)。一(yi)般而言，鑄造靶(ba)(ba)(ba)材(cai)的(de)(de)(de)致密(mi)度(du)(du)高(gao)而燒結(jie)靶(ba)(ba)(ba)材(cai)的(de)(de)(de)致密(mi)度(du)(du)相對較低(di)(di)，因此提(ti)高(gao)靶(ba)(ba)(ba)材(cai)的(de)(de)(de)致密(mi)度(du)(du)是燒結(jie)制備靶(ba)(ba)(ba)材(cai)的(de)(de)(de)技(ji)術關鍵之(zhi)一(yi)。

4、成分(fen)與組織結(jie)構均(jun)(jun)勻(yun)，靶(ba)材(cai)成分(fen)均(jun)(jun)勻(yun)是鍍(du)膜質(zhi)量穩定的(de)(de)重(zhong)要(yao)保證，尤(you)其是對于復(fu)相結(jie)構的(de)(de)合金靶(ba)材(cai)和混合靶(ba)材(cai)。如ITO，為了保證膜質(zhi)量，要(yao)求(qiu)靶(ba)中In2O3-SnO2組成均(jun)(jun)勻(yun)，都為93：7或91：9（分(fen)子(zi)比(bi)）。

5、晶粒尺(chi)寸細(xi)小(xiao)，靶材(cai)的(de)晶粒尺(chi)寸越細(xi)小(xiao)，濺鍍薄膜的(de)厚度分布越均(jun)勻，濺射速率(lv)越快(kuai)。