1955年(nian) - 1963年(nian),在北京大學物理(li)系(xi)學習。
1963年,從北京大學畢(bi)業,被分到山東大學任教。
1986年,在中(zhong)國科學(xue)院上海冶金所被破格(ge)提升為研(yan)究(jiu)員(yuan)。
1983年,應邀赴(fu)美工(gong)作,先后被(bei)休(xiu)斯頓大(da)學(xue)(xue)、紐約市(shi)立大(da)學(xue)(xue)、斯梯(ti)文理工(gong)學(xue)(xue)院聘為客(ke)座(zuo)副教(jiao)授、客(ke)座(zuo)教(jiao)授,從事凝聚態物理學(xue)(xue)理論(lun)研究。
1997年,當選(xuan)為中國(guo)科學院院士。
1988年,被評為“國家有(you)突出貢獻的(de)中(zhong)青年專家”。
1995年,榮(rong)獲全國(guo)“五一”勞動獎章。
1997年,當選為中國科(ke)學院院士。
2006年,榮獲“何(he)(he)梁何(he)(he)利科(ke)學與技術進步(bu)獎(jiang)”。
20世紀60年(nian)代(dai),與吳杭生教授一起提出超導(dao)膜的尺寸非局域效應,建立超導(dao)薄膜臨界磁場隨膜厚度變化的-3/2次方規(gui)律。
20世紀80年代初,對超導臨界溫度級數(shu)的收(shou)斂判據以及聲子譜(pu)高頻行(xing)為的效(xiao)應提出獨創(chuang)見解(jie),得到同行(xing)公認。
20世紀80年代中期,與丁秦生教授(shou)合(he)作(zuo),創立“雷-丁理論”。
20世紀90年(nian)代初(chu),發展超晶格子帶輸運(yun)模型(xing),建(jian)立在電場和磁場中任意(yi)能譜材(cai)料的熱(re)載流子輸運(yun)方程。
1991年,提出窄能(neng)帶(dai)材料(liao)中電子輸運(yun)的(de)布(bu)拉格(ge)散射模型,建立半導體超晶格(ge)微(wei)帶(dai)輸運(yun)的(de)解(jie)析理(li)論(lun)。
1994年,《半導體輸(shu)運理論》榮獲“中國科學院自然(ran)科學獎一等獎”。
1995年,提出(chu)用(yong)6個有效質(zhi)量系數和6個非拋物(wu)系數描(miao)述(shu)任意形狀的(de)能帶系統在電場和磁(ci)場同(tong)時(shi)(shi)存在時(shi)(shi)的(de)輸(shu)運性質(zhi)的(de)方(fang)程,為(wei)研究復雜能帶材料在強(qiang)電場下的(de)半導體(ti)磁(ci)輸(shu)運提供(gong)一(yi)個簡(jian)便而系統的(de)方(fang)法。
1995年,《半導體輸運的(de)平衡方程理論(lun)》榮獲(huo)“國家自然(ran)科(ke)學獎(jiang)二(er)等獎(jiang)”。
1998年,提出(chu)研(yan)究強太拉赫茲電磁場(chang)中半導體(ti)非線(xian)性電子輸運(yun)和光學性質(zhi)的(de)新的(de)平衡方程理(li)論(lun)。