• 中文(wen)名 雷嘯霖(lin)
• 性別 男(nan)
• 國籍 中國
• 民族 漢族
• 出(chu)生地 廣(guang)西桂林
• 出生日期 1938年10月(yue)27
• 畢(bi)業院校(xiao) 北京大學
• 職業(ye)職位 中國科(ke)學院(yuan)院(yuan)士
• 主要成就(jiu) 當選中國(guo)科學院院士、與丁秦生教授(shou)創立“雷-丁理論”

1955年 - 1963年，在北京大學(xue)物理(li)系學(xue)習。

1963年(nian)，從北京大學畢業，被分到山東(dong)大學任教。

1986年(nian)，在中國科學院上(shang)海冶(ye)金所被破(po)格(ge)提升為研究員。

1983年，應邀赴(fu)美工作，先后被休斯頓大(da)學(xue)(xue)(xue)、紐(niu)約市(shi)立大(da)學(xue)(xue)(xue)、斯梯(ti)文理(li)工學(xue)(xue)(xue)院聘為客(ke)座副教授(shou)、客(ke)座教授(shou)，從(cong)事凝聚態物理(li)學(xue)(xue)(xue)理(li)論(lun)研究。

1997年，當選為(wei)中(zhong)國科學院(yuan)院(yuan)士。

1988年，被評為(wei)“國家有突出貢獻(xian)的中青年專家”。

1995年，榮獲全國“五一”勞動(dong)獎章(zhang)。

1997年，當(dang)選為中國科(ke)學院院士。

2006年，榮獲(huo)“何梁何利科學與技(ji)術進步獎”。

20世紀(ji)60年代，與吳(wu)杭(hang)生教授一(yi)起(qi)提出超導膜(mo)的尺寸非局(ju)域效應(ying)，建(jian)立超導薄膜(mo)臨(lin)界磁場(chang)隨(sui)膜(mo)厚度(du)變化的-3/2次方規律(lv)。

20世(shi)紀80年(nian)代初(chu)，對超導臨界(jie)溫度級(ji)數(shu)的收斂(lian)判(pan)據以(yi)及聲子譜高頻行為的效(xiao)應提出(chu)獨(du)創(chuang)見解，得(de)到同行公認(ren)。

20世(shi)紀80年代中期，與(yu)丁秦生教授合(he)作(zuo)，創立“雷-丁理論”。

20世紀90年代初(chu)，發(fa)展超晶(jing)格子帶輸(shu)運(yun)模型，建立在電場(chang)和磁場(chang)中任意(yi)能譜材(cai)料的(de)熱載(zai)流子輸(shu)運(yun)方(fang)程。

1991年，提(ti)出窄能帶材料中電(dian)子(zi)輸運(yun)(yun)的(de)布拉(la)格(ge)散射模型，建(jian)立半導(dao)體超(chao)晶格(ge)微帶輸運(yun)(yun)的(de)解析(xi)理論。

1994年，《半導體輸運理(li)論(lun)》榮(rong)獲“中國科(ke)學院自然科(ke)學獎一等(deng)獎”。

1995年，提(ti)出用6個(ge)有效質量系數和6個(ge)非拋(pao)物系數描述任意(yi)形狀的(de)能帶(dai)(dai)系統在電(dian)(dian)場和磁場同時存在時的(de)輸(shu)運性(xing)質的(de)方程，為研(yan)究復雜能帶(dai)(dai)材(cai)料在強電(dian)(dian)場下(xia)的(de)半(ban)導體磁輸(shu)運提(ti)供一個(ge)簡(jian)便而系統的(de)方法。

1995年(nian)，《半導體輸(shu)運的平衡(heng)方程理論》榮獲“國家自然科學獎二等獎”。

1998年，提出研究強(qiang)太拉赫茲(zi)電磁場中(zhong)半導體非線(xian)性(xing)電子輸運(yun)和(he)光(guang)學性(xing)質(zhi)的(de)新的(de)平(ping)衡方程(cheng)理論(lun)。