• 中文名 雷嘯霖
• 性別 男
• 國(guo)籍 中國(guo)
• 民族 漢族
• 出生地 廣西桂林(lin)
• 出生日期 1938年10月27
• 畢業院(yuan)校 北京大學
• 職業職位 中國科學院院士
• 主要(yao)成(cheng)就 當選中國(guo)科學院院士、與丁(ding)(ding)秦(qin)生教授創立“雷-丁(ding)(ding)理論”

1955年(nian) - 1963年(nian)，在北(bei)京大學(xue)物理系學(xue)習。

1963年，從北京大(da)學畢業，被(bei)分到山東(dong)大(da)學任教。

1986年，在中國(guo)科學院(yuan)上海冶金所(suo)被破格(ge)提升為研究員。

1983年，應邀(yao)赴美工作，先后被休斯頓大學、紐約(yue)市立大學、斯梯文(wen)理(li)工學院聘為客座副教授、客座教授，從事凝聚態物理(li)學理(li)論研(yan)究。

1997年，當選為(wei)中國科學院院士。

1988年，被評為(wei)“國家有突出(chu)貢獻的中青(qing)年專家”。

1995年，榮(rong)獲全國“五一(yi)”勞動(dong)獎章。

1997年，當選為中國科學(xue)院(yuan)院(yuan)士。

2006年，榮獲“何(he)梁(liang)何(he)利科學與技術(shu)進步獎”。

20世紀60年代，與吳杭(hang)生教授一起提出(chu)超導膜的尺寸非局域效應，建立超導薄(bo)膜臨(lin)界磁場隨膜厚度變化的-3/2次方規律。

20世紀80年代初，對超導(dao)臨界溫度級數的收(shou)斂判據(ju)以及聲子(zi)譜高(gao)頻(pin)行為的效應提出獨(du)創見解，得到同行公認(ren)。

20世紀80年代中(zhong)期，與丁秦(qin)生教授合作，創立“雷-丁理論”。

20世紀90年代(dai)初，發(fa)展超晶格子帶(dai)輸(shu)運(yun)模型，建(jian)立在電場和磁場中任意能(neng)譜材料(liao)的(de)熱載流子輸(shu)運(yun)方程(cheng)。

1991年，提(ti)出窄(zhai)能(neng)帶材(cai)料中電子(zi)輸(shu)運的布拉(la)格(ge)散射(she)模型，建立半導體(ti)超晶格(ge)微帶輸(shu)運的解(jie)析理(li)論。

1994年，《半導體(ti)輸(shu)運(yun)理(li)論》榮獲“中國(guo)科(ke)學院自然科(ke)學獎一等(deng)獎”。

1995年，提(ti)出用6個有效質(zhi)量系(xi)(xi)(xi)數(shu)和(he)6個非拋物(wu)系(xi)(xi)(xi)數(shu)描(miao)述任意(yi)形狀的(de)能帶(dai)系(xi)(xi)(xi)統(tong)在(zai)電場和(he)磁場同時(shi)存在(zai)時(shi)的(de)輸運性(xing)質(zhi)的(de)方程，為研究復雜(za)能帶(dai)材料在(zai)強電場下的(de)半導(dao)體磁輸運提(ti)供一個簡(jian)便而系(xi)(xi)(xi)統(tong)的(de)方法(fa)。

1995年，《半導體輸運的平(ping)衡方程理論》榮獲(huo)“國家自然(ran)科學獎二等獎”。

1998年，提(ti)出研究強(qiang)太(tai)拉(la)赫茲電磁場中半導(dao)體非線(xian)性電子輸運和光學性質的新的平衡方程理論。