• 中(zhong)文(wen)名 雷嘯霖
• 性別 男
• 國(guo)籍 中國
• 民族 漢族(zu)
• 出生地 廣西桂林
• 出生日期(qi) 1938年10月27
• 畢業院校(xiao) 北京大學
• 職業(ye)職位 中國科(ke)學院院士
• 主(zhu)要成就 當(dang)選中(zhong)國(guo)科(ke)學(xue)院院士、與丁秦生教授創立“雷-丁理論”

1955年 - 1963年，在北京大學物(wu)理系學習。

1963年，從(cong)北京大學畢業，被分到山東大學任教。

1986年，在中國科學院上海冶金所被破(po)格(ge)提升為研(yan)究員。

1983年，應(ying)邀赴美工(gong)作，先后被休斯(si)頓(dun)大學(xue)、紐約市立大學(xue)、斯(si)梯(ti)文理(li)工(gong)學(xue)院聘為客座副(fu)教授、客座教授，從事凝聚態(tai)物理(li)學(xue)理(li)論研究。

1997年，當選(xuan)為(wei)中國科學院院士。

1988年，被評為“國家有突出(chu)貢獻(xian)的中青年專家”。

1995年，榮獲全國“五(wu)一”勞動(dong)獎章。

1997年，當選為中(zhong)國科學院院士。

2006年，榮(rong)獲“何(he)梁何(he)利科(ke)學與技術進步(bu)獎”。

20世紀60年代(dai)，與吳杭(hang)生教授(shou)一起提出(chu)超(chao)導(dao)膜的尺寸非局域效應，建立超(chao)導(dao)薄膜臨界磁場隨(sui)膜厚度變化的-3/2次方規律。

20世紀(ji)80年(nian)代初，對超(chao)導臨界溫度級數的收(shou)斂判據以(yi)及聲子譜(pu)高頻(pin)行(xing)為的效應提出獨創見解，得到同行(xing)公認。

20世紀80年代中期，與丁秦生教授合作，創立“雷-丁理論(lun)”。

20世紀90年代初，發(fa)展超(chao)晶格(ge)子帶輸(shu)(shu)運(yun)模(mo)型，建立在電場和磁場中(zhong)任意能譜(pu)材料的熱載流子輸(shu)(shu)運(yun)方程。

1991年，提出窄能帶材料中電(dian)子輸(shu)運的(de)(de)布拉格散射模型，建立(li)半導體(ti)超晶格微(wei)帶輸(shu)運的(de)(de)解(jie)析理(li)論(lun)。

1994年，《半(ban)導體輸運理論(lun)》榮獲“中國科(ke)(ke)學(xue)院自(zi)然科(ke)(ke)學(xue)獎(jiang)一等獎(jiang)”。

1995年，提出(chu)用6個有效質量系(xi)數和6個非拋物系(xi)數描述任意形狀的能帶系(xi)統(tong)在(zai)電(dian)(dian)場(chang)和磁(ci)(ci)場(chang)同時存在(zai)時的輸運性質的方程(cheng)，為研(yan)究復雜能帶材(cai)料(liao)在(zai)強電(dian)(dian)場(chang)下的半(ban)導體磁(ci)(ci)輸運提供一個簡便而系(xi)統(tong)的方法。

1995年，《半導體輸運(yun)的平衡(heng)方程理論》榮(rong)獲“國家自(zi)然科學獎(jiang)二等獎(jiang)”。

1998年，提出(chu)研究(jiu)強(qiang)太拉赫茲(zi)電磁(ci)場(chang)中(zhong)半導體(ti)非線性電子輸運和光學性質的新(xin)的平衡方程理論。