• 中文(wen)名 雷嘯(xiao)霖
• 性別 男
• 國(guo)籍 中國
• 民族 漢族
• 出生地 廣西桂林
• 出生日期 1938年10月27
• 畢業(ye)院校 北京大學
• 職業職位 中國科學院院士
• 主要成就 當選中(zhong)國科(ke)學院院士(shi)、與丁秦生(sheng)教(jiao)授(shou)創立“雷-丁理論”

1955年(nian) - 1963年(nian)，在北京大(da)學物理系學習。

1963年，從北京大學(xue)(xue)畢業，被(bei)分(fen)到(dao)山東大學(xue)(xue)任教(jiao)。

1986年，在中(zhong)國(guo)科(ke)學(xue)院上海冶(ye)金所(suo)被破格提升為研究員。

1983年，應(ying)邀(yao)赴美工作，先后被(bei)休(xiu)斯(si)頓大學、紐約市立大學、斯(si)梯(ti)文理(li)(li)工學院聘(pin)為客(ke)座(zuo)(zuo)副教(jiao)授、客(ke)座(zuo)(zuo)教(jiao)授，從(cong)事凝聚態(tai)物理(li)(li)學理(li)(li)論研究。

1997年，當選為(wei)中國(guo)科學院院士。

1988年，被評為“國家有(you)突(tu)出貢(gong)獻的(de)中青(qing)年專(zhuan)家”。

1995年(nian)，榮(rong)獲(huo)全國“五一”勞動獎章。

1997年，當(dang)選為中國科學院(yuan)院(yuan)士。

2006年(nian)，榮獲“何(he)梁何(he)利科(ke)學與技術進步獎”。

20世紀60年代，與吳杭生教授一起提出超(chao)導(dao)膜的尺寸(cun)非局域(yu)效(xiao)應，建(jian)立超(chao)導(dao)薄膜臨界磁場(chang)隨膜厚度變化的-3/2次(ci)方規(gui)律。

20世(shi)紀80年代初(chu)，對(dui)超導臨界(jie)溫度級數的收斂(lian)判(pan)據以及聲子譜(pu)高頻行(xing)為的效應提出(chu)獨創(chuang)見(jian)解，得到同行(xing)公認。

20世紀80年代中期(qi)，與丁秦生教授合(he)作(zuo)，創立(li)“雷-丁理論”。

20世紀90年代(dai)初，發(fa)展超晶格子帶輸(shu)運(yun)模型，建立在電場和(he)磁場中任意能譜材料的(de)熱(re)載流子輸(shu)運(yun)方程。

1991年，提出(chu)窄能帶材料(liao)中電子輸運(yun)(yun)的(de)布(bu)拉格散(san)射(she)模(mo)型，建立半(ban)導體超晶格微帶輸運(yun)(yun)的(de)解析(xi)理論。

1994年，《半導體輸運理論》榮獲“中國科學院自然(ran)科學獎(jiang)一等獎(jiang)”。

1995年，提出用6個有(you)效(xiao)質(zhi)量系(xi)(xi)數和6個非拋物系(xi)(xi)數描(miao)述任意(yi)形狀的能帶系(xi)(xi)統(tong)在(zai)電(dian)場和磁場同時存在(zai)時的輸運(yun)性質(zhi)的方程，為研究復雜能帶材料在(zai)強電(dian)場下(xia)的半導體磁輸運(yun)提供一個簡便而系(xi)(xi)統(tong)的方法。

1995年，《半導體輸運(yun)的平衡方程理論》榮獲“國家自然(ran)科學(xue)獎二(er)等(deng)獎”。

1998年，提(ti)出研究(jiu)強太(tai)拉赫茲電磁場中(zhong)半導體非(fei)線(xian)性(xing)(xing)電子輸(shu)運(yun)和光學性(xing)(xing)質的(de)(de)新的(de)(de)平衡方程理(li)論。