人物簡介
中文名: 王圩
性 別: 男
國 籍: 中國
出生地: 河北
出生(sheng)日期: 1937年12月25日
職 業: 科學家
畢業院校: 北京大學物(wu)理系半導體專業
主要(yao)成就: 國家科技進步獎二等獎
人物經歷
1960年(nian),畢業于(yu)北京大學物理系半導體專業。
1960年,到中國科學院半導(dao)體(ti)研究所(suo)(suo)工(gong)作至今,現任中科院半導(dao)體(ti)研究所(suo)(suo)研究員。
1987年赴(fu)日本東京工(gong)業大學訪問(wen)研究一(yi)年。
60年代,他(ta)率先在國內研制成功無位(wei)(wei)借硅單晶;參與開拓并負責建立了Ⅲ—V族化合(he)物外延方法,解決了高摻雜和結偏位(wei)(wei)等關鍵問題,為(wei)使我國GaAs激光器的工作溫度從77度K提高到室溫作出了貢獻。
70年代,率先在(zai)(zai)國(guo)內研制成功單異質(zhi)結(jie)(jie)室(shi)溫脈沖大功率激(ji)光(guang)器和面發(fa)射高亮度發(fa)光(guang)管(guan),成功地應用在(zai)(zai)夜(ye)視、引(yin)信、打靶和精密(mi)測(ce)距(ju)儀上,并推廣到工廠(chang)生(sheng)產,為后來室(shi)溫連(lian)續工作(zuo)的短波長雙(shuang)異質(zhi)結(jie)(jie)激(ji)光(guang)器的發(fa)展打下了基礎(chu)。
80年(nian)代,他又率先在(zai)國(guo)內(nei)研制出室溫(wen)連續工作的1.55微米四元激光(guang)器,為(wei)國(guo)內(nei)第三代光(guang)纖通信研究提供了長波(bo)長光(guang)源。
1987年,在(zai)日本東(dong)京工(gong)業大(da)學創新地提出了(le)(le)一種(zhong)內(nei)島條(tiao)形眼流結構(gou)的集束導波分(fen)布反射(BIG-KBR)激光(guang)器,獲得了(le)(le)當時(shi)先(xian)進水平的4兆赫線(xian)寬(kuan)單(dan)縱橫輸出;隨后(hou)回國(guo)(guo)主持(chi)研(yan)制成(cheng)功(gong)國(guo)(guo)內(nei)首批1.55微(wei)米動態單(dan)頻分(fen)布反饋(DFB)激光(guang)器,解決了(le)(le)國(guo)(guo)內(nei)發展第三代長途干線(xian)大(da)容量光(guang)纖通信的急需。
90年(nian)代(dai),在(zai)國(guo)內首先研(yan)(yan)制成(cheng)功(gong)應變(bian)量(liang)子(zi)階(jie)1.55微(wei)米(mi)DFB激(ji)光(guang)器(qi),使(shi)中(zhong)國(guo)光(guang)通(tong)信用激(ji)光(guang)器(qi)的(de)研(yan)(yan)究(jiu)和(he)國(guo)際(ji)新一代(dai)能帶工程研(yan)(yan)究(jiu)接軌;近年(nian)來指導研(yan)(yan)究(jiu)生開展了DFB主振激(ji)光(guang)器(qi)與(yu)扇形結構光(guang)放(fang)大器(qi)的(de)單片集(ji)成(cheng)研(yan)(yan)究(jiu),并與(yu)香(xiang)港中(zhong)文大學合作,創新地提出了含扇形光(guang)柵的(de)雙段DFB激(ji)光(guang)器(qi),在(zai)國(guo)際(ji)上首次獲得(de)峰(feng)值功(gong)率(lv)4瓦的(de)3皮秒超短光(guang)脈(mo)沖。他發表(biao)學術論文30余篇(pian)。先后獲國(guo)家科(ke)技(ji)(ji)成(cheng)果獎。國(guo)家科(ke)技(ji)(ji)進步(bu)獎二等獎,國(guo)家“六五”科(ke)技(ji)(ji)攻(gong)(gong)關獎和(he)863計劃(hua)“七五”攻(gong)(gong)關獎、中(zhong)國(guo)科(ke)學院科(ke)技(ji)(ji)進步(bu)一等獎等。
1997年,當(dang)選中國科(ke)學院(yuan)院(yuan)士。
2001年-2005年,負責在研的項(xiang)目(mu)是:國家“973”項(xiang)目(mu):“新型量子阱功能材料和器件”。
2002年-2004年,國家自然(ran)基金重大(da)項(xiang)目:“光網絡用(yong)光放大(da)器(qi)、電吸收調制器(qi)和模斑(ban)轉換(huan)器(qi)串接(jie)集成材料與(yu)器(qi)件的研究”。
榮譽成就
國家(jia)科技進步獎(jiang)二等獎(jiang)
國家“六五”科技(ji)攻關(guan)獎和863計(ji)劃“七五”攻關(guan)獎
中國科學(xue)院科技進步一(yi)等獎等