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主要經歷

1935年(nian)元(yuan)旦，王陽元(yuan)出(chu)生于浙江(jiang)寧波(bo)柴橋鎮一(yi)個普通(tong)勞動(dong)者的家庭，由于是在(zai)陽歷(li)年(nian)元(yuan)旦出(chu)生，祖(zu)父(fu)為他起名陽元(yuan)。

1941年(nian)，王陽元在柴橋小學(xue)學(xue)習，從(cong)上小學(xue)起(qi)，就刻(ke)苦用(yong)功(gong)，各科學(xue)習成績年(nian)年(nian)都名列前茅(mao)。

1947年，王(wang)(wang)陽元小(xiao)學(xue)畢業，并(bing)且(qie)以寧波(bo)(bo)市鎮(zhen)海區統考第一(yi)名的(de)成(cheng)績考上(shang)了(le)(le)省立寧波(bo)(bo)中學(xue)，在中學(xue)時期，他不僅養(yang)成(cheng)了(le)(le)健康的(de)生活和學(xue)習(xi)習(xi)慣，還樹立了(le)(le)要(yao)成(cheng)為(wei)(wei)一(yi)個對祖(zu)國(guo)、對人民有貢(gong)獻的(de)科學(xue)家(jia)的(de)堅(jian)定理想。在寧波(bo)(bo)中學(xue)的(de)時候，王(wang)(wang)陽元以其《未來(lai)的(de)科學(xue)家(jia)——宇耕(geng)在成(cheng)長》一(yi)文聞名于全班。“宇耕(geng)”是王(wang)(wang)陽元為(wei)(wei)自己起的(de)筆名，意為(wei)(wei)“宇宙的(de)耕(geng)耘者”。

1953年，考入北京(jing)大學。

1956年(nian)，周(zhou)恩來總理(li)親(qin)自主持制定了(le)12年(nian)科學規劃(hua)后，半導體(ti)作為(wei)(wei)五大(da)門(men)類學科之一(yi)得以重點發(fa)展(zhan)，北大(da)再一(yi)次云集了(le)一(yi)大(da)批(pi)(pi)優秀的半導體(ti)專(zhuan)家(jia)。王(wang)陽(yang)元作為(wei)(wei)第一(yi)批(pi)(pi)學生被重點培養。其間，他(ta)學習了(le)有關(guan)半導體(ti)理(li)論與技術的多(duo)方面知(zhi)識，為(wei)(wei)長期(qi)在微電(dian)子領域開(kai)展(zhan)工(gong)作奠定了(le)扎實的基礎。

1958年，畢業(ye)于北京大學物(wu)理系，之(zhi)后留(liu)校任(ren)教，在北京大學工作。

1982年(nian)，美(mei)國加州大學(xue)伯克(ke)利分校高級訪問學(xue)者（至1983年(nian)）。

1995年，當(dang)選為(wei)中國科(ke)(ke)學(xue)(xue)(xue)院信息(xi)技(ji)(ji)術(shu)科(ke)(ke)學(xue)(xue)(xue)部院士。王(wang)陽元現為(wei)北(bei)京大學(xue)(xue)(xue)信息(xi)科(ke)(ke)學(xue)(xue)(xue)技(ji)(ji)術(shu)學(xue)(xue)(xue)院教(jiao)授（1985年）、微電(dian)子(zi)學(xue)(xue)(xue)研究院首席科(ke)(ke)學(xue)(xue)(xue)家。

王陽(yang)元發表(biao)科(ke)(ke)研(yan)論文230多篇，出版著作(zuo)6部，現(xian)有17項重大(da)科(ke)(ke)技(ji)成果。獲全國(guo)科(ke)(ke)學大(da)會獎、國(guo)家(jia)發明獎、國(guo)家(jia)教(jiao)委科(ke)(ke)技(ji)進步一(yi)等(deng)獎、光華(hua)科(ke)(ke)技(ji)基金一(yi)等(deng)獎等(deng)共16項國(guo)家(jia)級和部委級獎勵。

主要作品

70年代主持研(yan)(yan)制成(cheng)功(gong)我國(guo)第(di)一塊1024位MOS隨機存儲器(qi)，是我國(guo)硅柵N溝道(dao)技(ji)術(shu)開拓(tuo)者(zhe)(zhe)之一，此后在多晶硅薄(bo)膜物理和(he)(he)(he)(he)(he)氧化(hua)動力(li)學研(yan)(yan)究(jiu)方面(mian)(mian)提出(chu)了(le)新(xin)(xin)的(de)(de)(de)(de)多晶硅氧化(hua)模(mo)型和(he)(he)(he)(he)(he)氧化(hua)動力(li)學工程應用方程和(he)(he)(he)(he)(he)特(te)征參(can)數(shu)。被國(guo)際(ji)同(tong)行認為"在微(wei)電(dian)(dian)子領域處理了(le)對許(xu)多工作(zuo)者(zhe)(zhe)都有(you)(you)重要(yao)意義的(de)(de)(de)(de)課題"，“對現(xian)(xian)實工藝過程研(yan)(yan)究(jiu)具(ju)有(you)(you)重要(yao)的(de)(de)(de)(de)指導意義。”在絕(jue)緣(yuan)(yuan)襯底上(shang)生長硅單晶薄(bo)膜（Silicon On Insulator-SOI）和(he)(he)(he)(he)(he)TFSOI/CMOS電(dian)(dian)路研(yan)(yan)究(jiu)中，發現(xian)(xian)了(le)磷(lin)摻雜對固相外延(yan)速率的(de)(de)(de)(de)增(zeng)強效應以及CoSi2柵對器(qi)件(jian)(jian)抗(kang)輻照特(te)性的(de)(de)(de)(de)改(gai)進(jin)作(zuo)用。在SOI/CMOS器(qi)件(jian)(jian)模(mo)型和(he)(he)(he)(he)(he)電(dian)(dian)路模(mo)擬工作(zuo)方面(mian)(mian)，提出(chu)了(le)SOI器(qi)件(jian)(jian)浮(fu)體(ti)效應模(mo)型和(he)(he)(he)(he)(he)通(tong)過改(gai)變器(qi)件(jian)(jian)參(can)量(liang)抑制浮(fu)體(ti)效應的(de)(de)(de)(de)工藝設計技(ji)術(shu)，擴充了(le)SPICE模(mo)擬軟件(jian)(jian)。在SOI/CMOS新(xin)(xin)結構電(dian)(dian)路研(yan)(yan)究(jiu)方面(mian)(mian)，開發了(le)新(xin)(xin)的(de)(de)(de)(de)深(shen)(shen)亞(ya)微(wei)米器(qi)件(jian)(jian)模(mo)型和(he)(he)(he)(he)(he)電(dian)(dian)路模(mo)擬方法，研(yan)(yan)究(jiu)成(cheng)功(gong)了(le)多種(zhong)新(xin)(xin)型器(qi)件(jian)(jian)和(he)(he)(he)(he)(he)電(dian)(dian)路。在MOS絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)物理與小尺寸器(qi)件(jian)(jian)物理研(yan)(yan)究(jiu)，與合作(zuo)者(zhe)(zhe)一起提出(chu)新(xin)(xin)的(de)(de)(de)(de)預測深(shen)(shen)亞(ya)微(wei)米器(qi)件(jian)(jian)可靠性的(de)(de)(de)(de)分析和(he)(he)(he)(he)(he)測試(shi)方法。首次在國(guo)際(ji)上(shang)實現(xian)(xian)了(le)有(you)(you)關陷阱電(dian)(dian)荷三個基本參(can)量(liang)（俘獲截面(mian)(mian)、面(mian)(mian)密度和(he)(he)(he)(he)(he)矩心）的(de)(de)(de)(de)直(zhi)接(jie)測量(liang)和(he)(he)(he)(he)(he)在線檢測。

在80年代(dai)和90年代(dai)分別研(yan)究亞微米(mi)/深亞微米(mi)CMOS復合柵結構和多(duo)晶(jing)硅發射極超(chao)高速電路，與合作(zuo)者(zhe)一(yi)起在理(li)論上提出了一(yi)個(ge)新的(de)、能夠更準確反映多(duo)晶(jing)硅發射極晶(jing)體管物理(li)特(te)性的(de)解析模(mo)型(xing)，被國際同行(xing)列為國際上有(you)(you)代(dai)表性的(de)模(mo)型(xing)之一(yi)。對中(zhong)國獨立(li)自主發展(zhan)超(chao)大規模(mo)集成電路產業和改變(bian)我(wo)國雙極集成電路技術落后面(mian)貌均(jun)有(you)(you)重要意義。

在1986-1993年任(ren)全國ICCAD專家(jia)(jia)委員會主任(ren)和ICCAT專家(jia)(jia)委員會主任(ren)期間，領導(dao)研制成功了我國第一個大型集成化的(de)ICCAD系統，使我國繼(ji)美國、日(ri)本、歐共(gong)體之后進入能自行(xing)開發(fa)大型ICCAD工具(ju)的(de)先進國家(jia)(jia)行(xing)列；在研究(jiu)集成電(dian)路發(fa)展規(gui)律基礎上提出了我國集成電(dian)路產(chan)業(ye)和設計(ji)業(ye)的(de)發(fa)展方向；組織參(can)與(yu)了國家(jia)(jia)微電(dian)子"七·五"，"八·五"國家(jia)(jia)科技攻關(guan)。

現(xian)(xian)從事微(wei)電(dian)子學領域中新器件、新工藝和(he)新結構電(dian)路的研(yan)究，發表科研(yan)論文(wen)160多(duo)篇，出版著(zhu)作6部(bu)，現(xian)(xian)有16項(xiang)重大科技(ji)成果。獲(huo)全國(guo)(guo)科學大會(hui)獎(jiang)(jiang)(jiang)、國(guo)(guo)家(jia)(jia)發明獎(jiang)(jiang)(jiang)、國(guo)(guo)家(jia)(jia)教委(wei)科技(ji)進(jin)步(bu)一等獎(jiang)(jiang)(jiang)、光華科技(ji)基金一等獎(jiang)(jiang)(jiang)等共16項(xiang)國(guo)(guo)家(jia)(jia)級和(he)部(bu)委(wei)級獎(jiang)(jiang)(jiang)勵。

發(fa)表(biao)科研論(lun)文230多篇，出版著(zhu)作6部(bu)，現有17項重大(da)科技(ji)成果。獲全(quan)國(guo)科學大(da)會(hui)獎(jiang)、國(guo)家(jia)發(fa)明獎(jiang)、國(guo)家(jia)教(jiao)委科技(ji)進(jin)步一(yi)等(deng)(deng)獎(jiang)、光(guang)華(hua)科技(ji)基金一(yi)等(deng)(deng)獎(jiang)等(deng)(deng)共(gong)16項國(guo)家(jia)級(ji)和部(bu)委級(ji)獎(jiang)勵。為推動我國(guo)微電(dian)子產(chan)業的發(fa)展，作為發(fa)起人之一(yi)，創建(jian)中芯國(guo)際集成電(dian)路制造有限公司，領(ling)導建(jian)設(she)成功了我國(guo)第一(yi)條12英(ying)寸納米級(ji)集成電(dian)路生產(chan)線，使我國(guo)集成電(dian)路大(da)生產(chan)技(ji)術水(shui)平(ping)處(chu)于國(guo)際先進(jin)水(shui)平(ping)。共(gong)培養百名碩士、博士和博士后。發(fa)表(biao)科研論(lun)文230多篇，出版著(zhu)作6部(bu)。

王陽元有(you)20項(xiang)重(zhong)大科(ke)(ke)技成果。1978年(nian)獲(huo)全國(guo)科(ke)(ke)學大會獎，1991年(nian)獲(huo)國(guo)家(jia)(jia)教委科(ke)(ke)技進(jin)步一等(deng)獎，2003年(nian)獲(huo)何梁何利(li)科(ke)(ke)技進(jin)步獎，2007年(nian)獲(huo)國(guo)家(jia)(jia)科(ke)(ke)技進(jin)步二等(deng)獎，等(deng)19項(xiang)國(guo)家(jia)(jia)級和部委級獎勵。

王陽元長期擔任中國電(dian)子學會副理(li)事(shi)長，《半導(dao)體學報(bao)》和《電(dian)子學報(bao)》（英文版(ban)）副主編(bian)。信息(xi)產業部(bu)科技委委員(電(dian)子)，美(mei)國IEEE Fellow和英國IEE Fellow等(deng)。

其著作《集成(cheng)電(dian)路(lu)工業全(quan)書》、《集成(cheng)電(dian)路(lu)工藝基礎》、《多晶硅薄膜(mo)及共在(zai)集成(cheng)電(dian)路(lu)中的(de)應用(yong)》、《多晶硅發(fa)射(she)極晶體(ti)管及其集成(cheng)電(dian)路(lu)》、《半導體(ti)器(qi)件》現存于寧波市圖書館“地方文獻·甬籍名(ming)人(ren)名(ming)作庫(ku)”。

貢獻影響

研究課題

從事微(wei)電(dian)(dian)(dian)子(zi)學(xue)領域中新(xin)(xin)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)、新(xin)(xin)工(gong)藝(yi)和(he)新(xin)(xin)結(jie)構電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)的(de)(de)(de)研(yan)(yan)(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)。二(er)十世紀70年代(dai)主持研(yan)(yan)(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)功(gong)我(wo)(wo)國(guo)(guo)(guo)(guo)第一(yi)(yi)(yi)塊3種(zhong)類型(xing)1024位MOS動(dong)態(tai)隨機(ji)存儲器(qi)(qi)(qi),是我(wo)(wo)國(guo)(guo)(guo)(guo)硅柵N溝道MOS技(ji)(ji)術(shu)開拓者之一(yi)(yi)(yi)。80年代(dai)提出了(le)多晶(jing)硅薄(bo)膜"應力(li)增(zeng)強"氧化(hua)模(mo)(mo)(mo)(mo)型(xing)、工(gong)程應用方(fang)程和(he)摻(chan)雜濃度與遷移率的(de)(de)(de)關系(xi)，被國(guo)(guo)(guo)(guo)際同行(xing)(xing)(xing)認為"在微(wei)電(dian)(dian)(dian)子(zi)領域處(chu)理了(le)一(yi)(yi)(yi)個對(dui)許多研(yan)(yan)(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)者都(dou)有(you)(you)重(zhong)要意義的(de)(de)(de)問題"，"對(dui)實踐有(you)(you)重(zhong)要的(de)(de)(de)指導意義"。研(yan)(yan)(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)了(le)亞微(wei)米和(he)深亞微(wei)米CMOS電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)的(de)(de)(de)硅化(hua)物(wu)/多晶(jing)硅復合(he)柵結(jie)構；發(fa)(fa)(fa)現磷摻(chan)雜對(dui)固相外延速(su)率增(zeng)強效應以(yi)及CoSi2柵對(dui)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)抗輻照特性(xing)的(de)(de)(de)改(gai)進作(zuo)用；90年代(dai)在SOI/CMOS器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)模(mo)(mo)(mo)(mo)型(xing)和(he)電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)模(mo)(mo)(mo)(mo)擬工(gong)作(zuo)方(fang)面(mian)(mian)，提出了(le)SOI器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)浮體(ti)效應模(mo)(mo)(mo)(mo)型(xing)和(he)通過改(gai)變(bian)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)參量(liang)抑制浮體(ti)效應的(de)(de)(de)工(gong)藝(yi)設計技(ji)(ji)術(shu)，擴充了(le)SPICE模(mo)(mo)(mo)(mo)擬軟件(jian)(jian)。在SOI/CMOS新(xin)(xin)結(jie)構電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)研(yan)(yan)(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)方(fang)面(mian)(mian)，開發(fa)(fa)(fa)了(le)新(xin)(xin)的(de)(de)(de)深亞微(wei)米器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)模(mo)(mo)(mo)(mo)型(xing)和(he)電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)模(mo)(mo)(mo)(mo)擬方(fang)法，研(yan)(yan)(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)功(gong)了(le)多種(zhong)新(xin)(xin)型(xing)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)和(he)電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)；與合(he)作(zuo)者一(yi)(yi)(yi)起提出了(le)超(chao)高(gao)速(su)多晶(jing)硅發(fa)(fa)(fa)射(she)極晶(jing)體(ti)管的(de)(de)(de)新(xin)(xin)的(de)(de)(de)解析模(mo)(mo)(mo)(mo)型(xing)，開發(fa)(fa)(fa)了(le)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)套的(de)(de)(de)先進雙極集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)工(gong)藝(yi)技(ji)(ji)術(shu)；這對(dui)獨(du)立自(zi)主發(fa)(fa)(fa)展(zhan)(zhan)我(wo)(wo)國(guo)(guo)(guo)(guo)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)產(chan)(chan)業(ye)(ye)具有(you)(you)重(zhong)要意義。90年代(dai)后(hou)期開始研(yan)(yan)(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)微(wei)機(ji)電(dian)(dian)(dian)系(xi)統(tong)（MEMS），任微(wei)米/納米加工(gong)技(ji)(ji)術(shu)國(guo)(guo)(guo)(guo)家(jia)重(zhong)點實驗(yan)室主任，主持開發(fa)(fa)(fa)了(le)五套具有(you)(you)自(zi)主知識產(chan)(chan)權的(de)(de)(de)MEMS工(gong)藝(yi)，開發(fa)(fa)(fa)了(le)多種(zhong)新(xin)(xin)型(xing)MEMS器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)并向產(chan)(chan)業(ye)(ye)轉(zhuan)化(hua)，獲得一(yi)(yi)(yi)批發(fa)(fa)(fa)明專利。近期又致力(li)于研(yan)(yan)(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)亞0.1μm器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)和(he)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)技(ji)(ji)術(shu)。在1986-1993年任全國(guo)(guo)(guo)(guo)ICCAD專家(jia)委員會主任和(he)ICCAT專家(jia)委員會主任期間，領導研(yan)(yan)(yan)制成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)功(gong)了(le)我(wo)(wo)國(guo)(guo)(guo)(guo)第一(yi)(yi)(yi)個大(da)型(xing)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)化(hua)的(de)(de)(de)ICCAD系(xi)統(tong)，使(shi)我(wo)(wo)國(guo)(guo)(guo)(guo)繼美國(guo)(guo)(guo)(guo)、日本、歐共(gong)體(ti)之后(hou)進入能自(zi)行(xing)(xing)(xing)開發(fa)(fa)(fa)大(da)型(xing)ICCAD工(gong)具的(de)(de)(de)先進國(guo)(guo)(guo)(guo)家(jia)行(xing)(xing)(xing)列；在研(yan)(yan)(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)發(fa)(fa)(fa)展(zhan)(zhan)規(gui)律基礎上提出了(le)我(wo)(wo)國(guo)(guo)(guo)(guo)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)產(chan)(chan)業(ye)(ye)和(he)設計業(ye)(ye)的(de)(de)(de)發(fa)(fa)(fa)展(zhan)(zhan)戰略(lve)建議。為推動(dong)我(wo)(wo)國(guo)(guo)(guo)(guo)微(wei)電(dian)(dian)(dian)子(zi)產(chan)(chan)業(ye)(ye)的(de)(de)(de)發(fa)(fa)(fa)展(zhan)(zhan)，作(zuo)為發(fa)(fa)(fa)起人之一(yi)(yi)(yi)，創建了(le)中芯國(guo)(guo)(guo)(guo)際（SMIC-Semiconductor Manufacturing International Corporation）集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)制造（上海）有(you)(you)限公司。

人物轉折

1958年，是王(wang)陽元人生的(de)(de)一(yi)個關(guan)鍵轉折點，因(yin)為在這(zhe)(zhe)一(yi)年他畢業(ye)(ye)留(liu)校(xiao)，再一(yi)次選(xuan)擇了(le)(le)微電(dian)子事業(ye)(ye)。這(zhe)(zhe)也印證了(le)(le)王(wang)陽元“傳家有道(dao)唯存厚(hou)，處(chu)事無奇(qi)但執真”的(de)(de)家訓。留(liu)校(xiao)的(de)(de)王(wang)陽元把工作重(zhong)心(xin)放在了(le)(le)如(ru)何促進國家微電(dian)子產(chan)業(ye)(ye)發展(zhan)上(shang)，經過深入的(de)(de)調查研究，他和(he)同(tong)事們確定了(le)(le)“硅(gui)柵N溝道(dao)技術”的(de)(de)研究方向(xiang)。經過近7年堅韌不拔的(de)(de)奮斗，1975年，我國第(di)一(yi)塊1024位MOS動態隨機(ji)存儲(chu)器問世(shi)，這(zhe)(zhe)被(bei)稱為是我國MOS集成(cheng)(cheng)電(dian)路技術和(he)產(chan)業(ye)(ye)發展(zhan)過程中具有里程碑意義的(de)(de)事件(jian)，它比Intel公司(si)研制的(de)(de)硅(gui)柵N溝道(dao)MOSDRAM只晚(wan)了(le)(le)4年，因(yin)此獲得(de)了(le)(le)1978年全國科學(xue)大會(hui)獎。從此，王(wang)陽元更加認定了(le)(le)集成(cheng)(cheng)電(dian)路技術對信息社會(hui)的(de)(de)重(zhong)要(yao)作用。

微電子學和(he)集(ji)成(cheng)(cheng)電路技(ji)術(shu)(shu)在(zai)上世紀(ji)80年代得到了較大(da)的(de)發展(zhan)，集(ji)成(cheng)(cheng)電路的(de)計(ji)(ji)算機輔助(zhu)設計(ji)(ji)技(ji)術(shu)(shu)（ICCAD）與軟(ruan)件工具成(cheng)(cheng)為制(zhi)約其發展(zhan)的(de)障礙。鑒于中(zhong)(zhong)國(guo)(guo)(guo)(guo)當(dang)時的(de)技(ji)術(shu)(shu)水平(ping)和(he)科(ke)研(yan)條件，中(zhong)(zhong)國(guo)(guo)(guo)(guo)政府(fu)試圖(tu)通(tong)過技(ji)術(shu)(shu)引進(jin)(jin)解決這個問題，但是為了不(bu)讓我(wo)國(guo)(guo)(guo)(guo)發展(zhan)戰略高技(ji)術(shu)(shu),西方(fang)國(guo)(guo)(guo)(guo)家(jia)在(zai)技(ji)術(shu)(shu)和(he)設備上對(dui)我(wo)國(guo)(guo)(guo)(guo)實(shi)行封鎖禁運(yun)，技(ji)術(shu)(shu)引進(jin)(jin)的(de)問題經過多方(fang)面的(de)努力與談判都沒能成(cheng)(cheng)功，中(zhong)(zhong)國(guo)(guo)(guo)(guo)決心自己開發這項技(ji)術(shu)(shu)。在(zai)這一關鍵時刻，王陽(yang)元當(dang)時作(zuo)為訪問學者從(cong)美國(guo)(guo)(guo)(guo)回(hui)國(guo)(guo)(guo)(guo)不(bu)久，即擔(dan)任(ren)起(qi)北(bei)大(da)微電子研(yan)究所(suo)所(suo)長的(de)職務，并被聘請擔(dan)任(ren)全國(guo)(guo)(guo)(guo)ICCAD委員會主(zhu)任(ren)，主(zhu)持組織(zhi)集(ji)成(cheng)(cheng)化ICCAD三級系(xi)統的(de)研(yan)發工作(zuo)，開始了我(wo)國(guo)(guo)(guo)(guo)集(ji)成(cheng)(cheng)電路設計(ji)(ji)自主(zhu)創新的(de)新階段。

經(jing)過(guo)6年奮(fen)戰，中國(guo)第一個按軟件(jian)工程方(fang)法(fa)開(kai)發的、集(ji)成化的超(chao)大規模(mo)集(ji)成電路計(ji)(ji)算(suan)機輔助設(she)計(ji)(ji)系(xi)統研制成功(gong)(gong)了(le)。它(ta)的研制成功(gong)(gong)使(shi)中國(guo)繼美國(guo)、日(ri)本、西歐之后進(jin)入到能(neng)自行開(kai)發大型集(ji)成電路計(ji)(ji)算(suan)機輔助設(she)計(ji)(ji)系(xi)統的先(xian)進(jin)行列，具有完全的自主知識產權。

對于自(zi)主知(zhi)識產(chan)權，王陽元還是(shi)十(shi)分重(zhong)視(shi)，他說，知(zhi)識產(chan)權是(shi)原(yuan)始創新的(de)具體體現，一(yi)個產(chan)業的(de)持續發(fa)展必須(xu)有足夠的(de)知(zhi)識產(chan)權作(zuo)為其堅強(qiang)后盾。在(zai)針對客(ke)觀需(xu)求開展系(xi)統研究工作(zuo)的(de)時(shi)候(hou)，我們決不能(neng)亦步亦趨地沿(yan)著(zhu)已有的(de)技術路線走(zou)下去，必須(xu)立足于創新，有所(suo)發(fa)明、有所(suo)創造。

王陽(yang)元曾任國家級微米/納米加(jia)(jia)工(gong)技(ji)(ji)術重點實(shi)(shi)驗室的(de)(de)主任。在實(shi)(shi)驗室建設(she)之初，王陽(yang)元就強調：“真正的(de)(de)關鍵技(ji)(ji)術是(shi)買不來(lai)的(de)(de)，我(wo)們(men)必(bi)須自(zi)主研發(fa)，從基礎層(ceng)面上提升我(wo)國微機電系統(tong)的(de)(de)研制和開(kai)發(fa)水平(ping)。”經(jing)過近(jin)十(shi)年的(de)(de)努力，這個(ge)實(shi)(shi)驗室建立了中國第一個(ge)與(yu)集(ji)成電路加(jia)(jia)工(gong)工(gong)藝(yi)兼容(rong)的(de)(de)微機電系統(tong)加(jia)(jia)工(gong)平(ping)臺(tai)和設(she)計技(ji)(ji)術平(ping)臺(tai)。已(yi)(yi)經(jing)自(zi)主開(kai)發(fa)了3套加(jia)(jia)工(gong)工(gong)藝(yi)，有6項技(ji)(ji)術創(chuang)新，已(yi)(yi)獲11項發(fa)明專利(li)的(de)(de)授(shou)權，還正在申請29項發(fa)明專利(li)。

院士文集

匯集(ji)了王陽元院士在1998年到2004年期間(jian)發(fa)表(biao)(biao)的(de)(de)(de)重要(yao)論(lun)文(wen)和(he)(he)(he)論(lun)述，內容涉及微(wei)電(dian)子(zi)學(xue)(xue)科的(de)(de)(de)發(fa)展(zhan)(zhan)戰(zhan)略(lve)研(yan)究、發(fa)展(zhan)(zhan)前沿綜述、學(xue)(xue)術(shu)(shu)論(lun)文(wen)、科學(xue)(xue)研(yan)究方法論(lun)、產(chan)業(ye)建設和(he)(he)(he)人才培養等(deng)(deng)多個方面。在此期間(jian)里，他與合作(zuo)者(zhe)以及研(yan)究生共同發(fa)表(biao)(biao)了70余篇(pian)學(xue)(xue)術(shu)(shu)論(lun)文(wen)。本(ben)書(shu)從中精選了發(fa)表(biao)(biao)在國內外(wai)(wai)重要(yao)學(xue)(xue)術(shu)(shu)刊物上的(de)(de)(de)有(you)關SOI/CMOS器件與電(dian)路、超深亞微(wei)米器件研(yan)究、MEMS研(yan)究和(he)(he)(he)電(dian)路研(yan)究等(deng)(deng)方面的(de)(de)(de)36篇(pian)有(you)代表(biao)(biao)性的(de)(de)(de)學(xue)(xue)術(shu)(shu)論(lun)文(wen)。這(zhe)些論(lun)文(wen)和(he)(he)(he)論(lun)述在國內外(wai)(wai)微(wei)電(dian)子(zi)領域(yu)的(de)(de)(de)學(xue)(xue)術(shu)(shu)界、教育界和(he)(he)(he)工業(ye)界產(chan)生了深刻(ke)影響，推動(dong)了我國微(wei)電(dian)子(zi)科學(xue)(xue)技(ji)術(shu)(shu)和(he)(he)(he)產(chan)業(ye)的(de)(de)(de)發(fa)展(zhan)(zhan)，反映了王陽元院士作(zuo)為(wei)一位“仁智(zhi)雙馨”的(de)(de)(de)戰(zhan)略(lve)科學(xue)(xue)家的(de)(de)(de)風(feng)貌。本(ben)書(shu)可作(zuo)為(wei)高等(deng)(deng)學(xue)(xue)校信息技(ji)術(shu)(shu)及微(wei)電(dian)子(zi)專(zhuan)業(ye)師生的(de)(de)(de)參考(kao)書(shu)，也可供相關領域(yu)的(de)(de)(de)技(ji)術(shu)(shu)人員(yuan)(yuan)、科研(yan)人員(yuan)(yuan)及科技(ji)管理人員(yuan)(yuan)學(xue)(xue)習參考(kao)。

中芯國際

幾(ji)十年如一日的(de)研究、實(shi)踐(jian)，使王陽(yang)元深刻地體會到微電子(zi)學(xue)最終還(huan)要(yao)服務于(yu)實(shi)踐(jian)。于(yu)是，中(zhong)(zhong)芯(xin)國(guo)(guo)(guo)際(ji)應時而生。中(zhong)(zhong)芯(xin)國(guo)(guo)(guo)際(ji)成(cheng)立于(yu)2000年，擁有(you)3座芯(xin)片(pian)代工(gong)廠(chang)，包括一座具有(you)后端銅互連工(gong)藝的(de)代工(gong)廠(chang)。2003年，中(zhong)(zhong)芯(xin)國(guo)(guo)(guo)際(ji)被世(shi)界知名的(de)《半導體國(guo)(guo)(guo)際(ji)》（Semiconductor International）雜志評為(wei)全球“2003年度最佳半導體廠(chang)”之一，并在2004年建(jian)成(cheng)了(le)我(wo)國(guo)(guo)(guo)第一條大型(xing)12英寸納米級集(ji)(ji)成(cheng)電路(lu)大生產(chan)線。對于(yu)中(zhong)(zhong)芯(xin)國(guo)(guo)(guo)際(ji)，王陽(yang)元有(you)自(zi)己的(de)評價：“中(zhong)(zhong)芯(xin)國(guo)(guo)(guo)際(ji)既是中(zhong)(zhong)國(guo)(guo)(guo)芯(xin)片(pian)制造業的(de)又(you)一個里(li)程(cheng)碑，也不(bu)全是中(zhong)(zhong)國(guo)(guo)(guo)集(ji)(ji)成(cheng)電路(lu)芯(xin)片(pian)制造業的(de)里(li)程(cheng)碑。”

他(ta)解釋說(shuo)，說(shuo)它(ta)是(shi)里(li)(li)程(cheng)碑(bei)(bei)是(shi)因(yin)為它(ta)把中國(guo)集成電路技術水(shui)(shui)(shui)平與(yu)全球先進水(shui)(shui)(shui)平的(de)差距由原來的(de)4~5個(ge)(ge)技術節點縮小到(dao)1~2個(ge)(ge)，實現了中國(guo)芯片制造(zao)業的(de)歷史性突破；說(shuo)它(ta)不是(shi)里(li)(li)程(cheng)碑(bei)(bei)，則是(shi)因(yin)為中芯國(guo)際(ji)還沒(mei)有(you)真正(zheng)能夠掌握一(yi)(yi)大批(pi)具有(you)世界(jie)前(qian)沿水(shui)(shui)(shui)平的(de)自主(zhu)知(zhi)識產權。但是(shi)，我們希望將來的(de)中芯國(guo)際(ji)能夠掌握國(guo)際(ji)前(qian)端(duan)技術，能在某些領(ling)域引領(ling)世界(jie)潮流(liu)，成為又(you)一(yi)(yi)個(ge)(ge)真正(zheng)的(de)里(li)(li)程(cheng)碑(bei)(bei)。

在(zai)談到(dao)這個話題的(de)(de)時候，王陽(yang)元認為(wei)中國(guo)的(de)(de)風(feng)(feng)險(xian)投(tou)資(zi)機制(zhi)尚(shang)不(bu)完善。因(yin)為(wei)科(ke)研(yan)院(yuan)所的(de)(de)科(ke)技(ji)成(cheng)果(guo)并不(bu)等(deng)于產(chan)品(pin)(pin)，而(er)產(chan)品(pin)(pin)又(you)不(bu)等(deng)于商品(pin)(pin)，其中要有一個中間環(huan)節，即風(feng)(feng)險(xian)投(tou)資(zi)。他(ta)引用馬(ma)克思《資(zi)本(ben)論》中的(de)(de)一句話“產(chan)品(pin)(pin)變為(wei)商品(pin)(pin)是(shi)驚(jing)險(xian)的(de)(de)一躍，其結果(guo)要么是(shi)產(chan)生利(li)潤，要么是(shi)摔死資(zi)本(ben)家(jia)”。這也是(shi)風(feng)(feng)險(xian)投(tou)資(zi)的(de)(de)真(zhen)實寫照，所以，風(feng)(feng)險(xian)投(tou)資(zi)必須建立退出(chu)機制(zhi)。同(tong)時國(guo)家(jia)應相應地降低企(qi)業上市的(de)(de)門檻(jian)，尤其是(shi)高新技(ji)術(shu)企(qi)業，讓更多的(de)(de)企(qi)業可以得(de)到(dao)融資(zi)。我國(guo)高新技(ji)術(shu)企(qi)業的(de)(de)平均壽(shou)命是(shi)兩(liang)年左右，其中很重要的(de)(de)因(yin)素是(shi)沒(mei)有資(zi)金的(de)(de)支(zhi)持(chi)。

作為微電(dian)(dian)子學(xue)界(jie)的一位領(ling)軍人(ren)物，王(wang)陽元對中國(guo)(guo)微電(dian)(dian)子技(ji)(ji)(ji)術的發展充(chong)滿信(xin)心(xin)，他(ta)說，未來我國(guo)(guo)微電(dian)(dian)子技(ji)(ji)(ji)術將通(tong)過與(yu)(yu)其(qi)他(ta)學(xue)科(ke)更(geng)密切(qie)的結(jie)合(he)(he)產(chan)生(sheng)(sheng)新的產(chan)業。微電(dian)(dian)子技(ji)(ji)(ji)術的強大生(sheng)(sheng)命力(li)在于它可(ke)以低(di)成本、大批量(liang)地(di)生(sheng)(sheng)產(chan)出具有高可(ke)靠性和(he)高精度的微電(dian)(dian)子芯片(pian)。這種技(ji)(ji)(ji)術一旦與(yu)(yu)其(qi)他(ta)學(xue)科(ke)相(xiang)結(jie)合(he)(he)，便會誕生(sheng)(sheng)出一系(xi)列(lie)嶄新的學(xue)科(ke)和(he)重(zhong)大的經濟增長點，作為與(yu)(yu)微電(dian)(dian)子技(ji)(ji)(ji)術成功結(jie)合(he)(he)的典型例子便是(shi)(shi)MEMS（微機電(dian)(dian)系(xi)統）技(ji)(ji)(ji)術或稱微系(xi)統技(ji)(ji)(ji)術和(he)生(sheng)(sheng)物芯片(pian)等。前者(zhe)是(shi)(shi)微電(dian)(dian)子技(ji)(ji)(ji)術與(yu)(yu)機械、光學(xue)等領(ling)域結(jie)合(he)(he)而誕生(sheng)(sheng)的，后者(zhe)則是(shi)(shi)與(yu)(yu)生(sheng)(sheng)物工程技(ji)(ji)(ji)術結(jie)合(he)(he)的產(chan)物。

微(wei)(wei)電(dian)(dian)子(zi)機(ji)(ji)械(xie)(xie)系(xi)(xi)統(tong)(tong)就(jiu)是微(wei)(wei)電(dian)(dian)子(zi)技(ji)術的(de)(de)拓寬和(he)延伸，它將(jiang)微(wei)(wei)電(dian)(dian)子(zi)技(ji)術和(he)精(jing)密機(ji)(ji)械(xie)(xie)加工(gong)技(ji)術相(xiang)互融(rong)合，實(shi)現了微(wei)(wei)電(dian)(dian)子(zi)與機(ji)(ji)械(xie)(xie)融(rong)為一(yi)體的(de)(de)系(xi)(xi)統(tong)(tong)。MEMS將(jiang)電(dian)(dian)子(zi)系(xi)(xi)統(tong)(tong)和(he)外部世(shi)界聯系(xi)(xi)起來，它不僅可以感受運動、光、聲、熱、磁等自然界的(de)(de)外部信(xin)號，把這些信(xin)號轉換(huan)成電(dian)(dian)子(zi)系(xi)(xi)統(tong)(tong)可以認識的(de)(de)電(dian)(dian)信(xin)號，而且還可以通過(guo)電(dian)(dian)子(zi)系(xi)(xi)統(tong)(tong)控制這些信(xin)號，發(fa)出指(zhi)令并(bing)完成該指(zhi)令。從廣義(yi)上(shang)講，MEMS是指(zhi)集微(wei)(wei)型傳感器、微(wei)(wei)型執行(xing)器、信(xin)號處理(li)和(he)控制電(dian)(dian)路、接口電(dian)(dian)路、通信(xin)系(xi)(xi)統(tong)(tong)以及電(dian)(dian)源于一(yi)體的(de)(de)微(wei)(wei)型機(ji)(ji)電(dian)(dian)系(xi)(xi)統(tong)(tong)。MEMS技(ji)術是一(yi)種典型的(de)(de)多學(xue)(xue)科(ke)交(jiao)叉的(de)(de)前沿性研究領域，它幾乎涉及到自然及工(gong)程科(ke)學(xue)(xue)的(de)(de)所有(you)領域，如(ru)電(dian)(dian)子(zi)技(ji)術、機(ji)(ji)械(xie)(xie)技(ji)術、光學(xue)(xue)、物理(li)學(xue)(xue)、化學(xue)(xue)、生物醫(yi)學(xue)(xue)、材料(liao)科(ke)學(xue)(xue)、能(neng)源科(ke)學(xue)(xue)等。

集成電(dian)路作為一(yi)項技術(shu)發(fa)明，極大(da)地改變了人類的生(sheng)活方(fang)式和生(sheng)產方(fang)式，對(dui)社會的進步起(qi)到了重大(da)作用(yong)。我國(guo)集成電(dian)路的市場規(gui)模世界第(di)一(yi)、市場增長(chang)速度世界第(di)一(yi)，但是外貿(mao)逆(ni)差(cha)也(ye)是國(guo)內第(di)一(yi)。

開拓者

中(zhong)(zhong)(zhong)國(guo)(guo)集(ji)成電路技(ji)(ji)術(shu)和產業(ye)(ye)從20世紀(ji)五六(liu)十年(nian)代剛(gang)(gang)剛(gang)(gang)起步(bu)的(de)(de)半導(dao)體(ti)研(yan)究，到“文革”時期與(yu)國(guo)(guo)際學術(shu)界(jie)基本隔離，再到八九十年(nian)代艱辛地(di)挑戰國(guo)(guo)際前沿，終于(yu)開始(shi)了(le)飛躍式地(di)發展，引起了(le)世界(jie)的(de)(de)關注(zhu)。面(mian)對(dui)中(zhong)(zhong)(zhong)國(guo)(guo)集(ji)成電路令人(ren)興奮(fen)的(de)(de)成績，作為中(zhong)(zhong)(zhong)國(guo)(guo)集(ji)成電路產業(ye)(ye)的(de)(de)開拓者(zhe)之一，中(zhong)(zhong)(zhong)國(guo)(guo)科學院(yuan)院(yuan)士王陽元有(you)自己的(de)(de)看法：“中(zhong)(zhong)(zhong)國(guo)(guo)集(ji)成電路能取得(de)這(zhe)樣的(de)(de)成績固(gu)然令人(ren)興奮(fen)，但是我們(men)(men)也(ye)面(mian)臨著(zhu)前所未有(you)的(de)(de)挑戰。自主知識產權缺少、科技(ji)(ji)成果產業(ye)(ye)化率(lv)低(di)、研(yan)究人(ren)員(yuan)缺乏(fa)等都是我們(men)(men)亟須解決的(de)(de)問題。”

自主(zhu)知識產(chan)權(quan)是形成集(ji)(ji)成電路產(chan)業核心競爭力的(de)關鍵。集(ji)(ji)成電路產(chan)業是資金高(gao)(gao)(gao)投入(ru)、技(ji)術(shu)高(gao)(gao)(gao)密集(ji)(ji)、高(gao)(gao)(gao)度國(guo)際(ji)化的(de)產(chan)業，但(dan)真(zhen)正阻礙(ai)后發(fa)(fa)國(guo)家進入(ru)國(guo)際(ji)集(ji)(ji)成電路產(chan)業領域(yu)的(de)是技(ji)術(shu)。不能在產(chan)品設計(ji)和制造工藝技(ji)術(shu)上(shang)擁有一批自主(zhu)知識產(chan)權(quan)，就永遠難(nan)以在國(guo)際(ji)市場中生存(cun)與發(fa)(fa)展。

在(zai)(zai)我(wo)國建設創新型(xing)國家的(de)(de)(de)背景下，自(zi)主知(zhi)識產(chan)(chan)權、技術(shu)產(chan)(chan)業(ye)化尤為重要(yao)，在(zai)(zai)微電子(zi)領域(yu)，王陽元提出了“產(chan)(chan)前(qian)研發聯盟”的(de)(de)(de)設想。產(chan)(chan)前(qian)研發聯盟，將(jiang)實行“官、產(chan)(chan)、學(xue)、研、用”相結合(he)，背靠高校與科(ke)研機構的(de)(de)(de)基(ji)礎(chu)和應(ying)用基(ji)礎(chu)研究，面向產(chan)(chan)業(ye)發展(zhan)大生產(chan)(chan)的(de)(de)(de)關鍵技術(shu)需要(yao)，能提高自(zi)主創新的(de)(de)(de)核心競爭力，開發為下一代集成電路發展(zhan)(當前(qian)可定(ding)位在(zai)(zai)45~22納米)提供企(qi)業(ye)所需要(yao)的(de)(de)(de)產(chan)(chan)前(qian)核心技術(shu)、專(zhuan)利，并培養相應(ying)的(de)(de)(de)人才(cai)。

王陽元認為(wei)，科(ke)技創(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)新的(de)(de)背后是(shi)體(ti)制(zhi)(zhi)、機(ji)制(zhi)(zhi)創(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)新的(de)(de)問(wen)題，科(ke)技創(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)新與(yu)機(ji)制(zhi)(zhi)創(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)新互為(wei)動(dong)力、互為(wei)因(yin)果，新的(de)(de)科(ke)技創(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)新會(hui)催生與(yu)之相適應的(de)(de)新型(xing)機(ji)制(zhi)(zhi)，同(tong)時也(ye)要依賴于機(ji)制(zhi)(zhi)的(de)(de)不斷進步；而新的(de)(de)機(ji)制(zhi)(zhi)創(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)新所形成的(de)(de)有利因(yin)素也(ye)可(ke)以促使更(geng)多的(de)(de)科(ke)技創(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)新成果不斷涌(yong)現(xian)。所以，產前研發聯盟要想(xiang)做好，首先要在體(ti)制(zhi)(zhi)與(yu)運作模式(shi)上下功夫。

產(chan)前研(yan)發聯(lian)盟會采取不以盈利為(wei)主(zhu)(zhu)要(yao)目(mu)的(de)(de)(de)公司(si)運作機制。以政(zheng)府(fu)為(wei)主(zhu)(zhu)導(包括中央政(zheng)府(fu)和(he)地方政(zheng)府(fu))，實行企(qi)業、大學(xue)、研(yan)究所及主(zhu)(zhu)要(yao)應用部門(men)等(deng)共同組建(jian)的(de)(de)(de)股(gu)份制獨立法人(ren)單(dan)位(wei)。產(chan)前研(yan)發聯(lian)盟采用開(kai)放(fang)模式，不僅向(xiang)國內(nei)企(qi)業、研(yan)究單(dan)位(wei)開(kai)放(fang)，而且向(xiang)國際(ji)開(kai)放(fang)，以提高國際(ji)間合(he)(he)作。它能(neng)夠激發原始創(chuang)新(xin)(xin)能(neng)力(li)、能(neng)夠通過整合(he)(he)資源(yuan)形(xing)成(cheng)集成(cheng)創(chuang)新(xin)(xin)能(neng)力(li)和(he)通過引進(jin)消化吸收形(xing)成(cheng)再創(chuang)新(xin)(xin)能(neng)力(li)的(de)(de)(de)較(jiao)好組織形(xing)式；是符合(he)(he)自主(zhu)(zhu)創(chuang)新(xin)(xin)戰略(lve)目(mu)標的(de)(de)(de)，企(qi)業為(wei)主(zhu)(zhu)體、產(chan)學(xue)研(yan)結合(he)(he)的(de)(de)(de)集約化技(ji)術(shu)創(chuang)新(xin)(xin)體系；是能(neng)夠在較(jiao)短(duan)的(de)(de)(de)時(shi)間內(nei)實現關(guan)鍵技(ji)術(shu)和(he)核心技(ji)術(shu)突(tu)破(po)的(de)(de)(de)、控制和(he)降低(di)對國外資源(yuan)依賴程度的(de)(de)(de)有效戰略(lve)舉措(cuo)；是加速科技(ji)成(cheng)果(guo)向(xiang)現實生產(chan)力(li)轉化的(de)(de)(de)新(xin)(xin)型(xing)紐(niu)帶和(he)橋梁。