• 中文(wen)名 王占(zhan)國
• 性別 男
• 國(guo)籍 中國
• 民族 漢族(zu)
• 出(chu)生地 河南(nan)省(sheng)南(nan)陽市(shi)
• 出生(sheng)日期 1938年12月
• 畢業院校 南開大學
• 職業(ye)職位 中國科學院(yuan)院(yuan)士
• 主要成就 “國(guo)家科技進步(bu)三等獎(jiang)”、“國(guo)家自然科學二等獎(jiang)”

1962年，畢業于南開大學(xue)物理系，隨(sui)后進入(ru)中(zhong)國科學(xue)院半導體所工作。

1980年(nian)(nian) - 1983年(nian)(nian)，前往瑞典隆(long)德大(da)學固體物(wu)理系從事深(shen)能級物(wu)理和(he)光譜物(wu)理研究。

1986年(nian)，擔任中國科學院半導體所研究員、材料(liao)室主任。

1990年，被批準為中國科學院半導體所博士(shi)生(sheng)導師。

1990年 - 1994年，擔(dan)任中(zhong)國科學院半導體所(suo)(suo)副(fu)所(suo)(suo)長。

1995年，當(dang)選為中國科學院院士。

1989年，榮(rong)獲“中國科(ke)學院科(ke)技進步一等獎(jiang)”。

1990年(nian)，榮獲“國家科(ke)技(ji)(ji)進步(bu)三(san)等獎(jiang)”、“中國科(ke)學院科(ke)技(ji)(ji)進步(bu)三(san)等獎(jiang)”。

2001年，榮獲“國(guo)家自(zi)然科學二等獎(jiang)(jiang)”、“何(he)梁何(he)利科學與技(ji)術(shu)進(jin)步獎(jiang)(jiang)”。