• 中文名 王占國(guo)
• 性別 男(nan)
• 國籍 中(zhong)國
• 民族 漢族
• 出生(sheng)地(di) 河南(nan)省南(nan)陽市
• 出生日(ri)期 1938年12月
• 畢業院校 南開大學
• 職(zhi)業(ye)職(zhi)位 中國(guo)科(ke)學院院士
• 主要成就 “國(guo)家(jia)科技進步三等(deng)獎(jiang)”、“國(guo)家(jia)自然科學二等(deng)獎(jiang)”

1962年，畢業于南開(kai)大(da)學物理系，隨(sui)后進入(ru)中國科(ke)學院半導體所工作。

1980年(nian) - 1983年(nian)，前往瑞典隆(long)德大學固體(ti)物(wu)理(li)系從事深能(neng)級物(wu)理(li)和(he)光譜物(wu)理(li)研(yan)究。

1986年(nian)，擔任(ren)中國(guo)科(ke)學院半導體(ti)所研究員、材料室(shi)主(zhu)任(ren)。

1990年，被批準為中國科(ke)學(xue)院半(ban)導體(ti)所博士生導師。

1990年(nian) - 1994年(nian)，擔(dan)任中國(guo)科(ke)學院半導(dao)體(ti)所(suo)副(fu)所(suo)長。

1995年，當選為(wei)中(zhong)國科學院(yuan)院(yuan)士。

1989年，榮獲“中國科(ke)學院(yuan)科(ke)技進步(bu)一等獎”。

1990年，榮獲(huo)“國家科技(ji)進(jin)步三(san)(san)等(deng)(deng)獎”、“中國科學院科技(ji)進(jin)步三(san)(san)等(deng)(deng)獎”。

2001年，榮獲(huo)“國家自然科學二等獎”、“何梁何利科學與(yu)技(ji)術進步獎”。