• 中文名 王占國
• 性別 男
• 國(guo)籍 中國
• 民族(zu) 漢族
• 出生地 河(he)南省南陽市(shi)
• 出(chu)生日期 1938年(nian)12月(yue)
• 畢(bi)業院校 南開大學
• 職業(ye)職位(wei) 中國科學院院士
• 主要成(cheng)就 “國家(jia)科(ke)技進步(bu)三(san)等(deng)獎(jiang)”、“國家(jia)自然(ran)科(ke)學二等(deng)獎(jiang)”

1962年(nian)，畢業(ye)于南(nan)開大學物(wu)理系，隨后進入(ru)中(zhong)國科學院半導體(ti)所工(gong)作(zuo)。

1980年(nian) - 1983年(nian)，前往(wang)瑞典隆德大學(xue)固體物(wu)理(li)(li)(li)系從事深能級物(wu)理(li)(li)(li)和光譜物(wu)理(li)(li)(li)研(yan)究。

1986年，擔任(ren)(ren)中國(guo)科學院半導體(ti)所(suo)研究(jiu)員(yuan)、材料室主任(ren)(ren)。

1990年，被(bei)批準(zhun)為中國科學院半導體所博(bo)士生導師。

1990年(nian) - 1994年(nian)，擔任中國科(ke)學(xue)院(yuan)半導體所(suo)副所(suo)長。

1995年(nian)，當選(xuan)為中國科學院院士。

1989年，榮獲“中國科學(xue)院科技進步(bu)一等獎”。

1990年，榮獲(huo)“國(guo)(guo)家科技進步(bu)三等獎”、“中國(guo)(guo)科學(xue)院(yuan)科技進步(bu)三等獎”。

2001年，榮(rong)獲“國(guo)家自然科學(xue)二等獎”、“何梁何利科學(xue)與技術進(jin)步獎”。