• 中文名(ming) 王占國
• 性別 男
• 國籍 中國
• 民族 漢族
• 出生地(di) 河南(nan)省南(nan)陽(yang)市(shi)
• 出(chu)生日(ri)期(qi) 1938年12月
• 畢業院校 南開大學
• 職(zhi)業(ye)職(zhi)位 中國科(ke)學院(yuan)院(yuan)士
• 主要成就(jiu) “國家科技進步三(san)等獎(jiang)”、“國家自然(ran)科學二等獎(jiang)”

1962年，畢業于南(nan)開大(da)學物理系，隨后進入中國科學院半導體所工作。

1980年 - 1983年，前往瑞典隆德大學(xue)固體物(wu)理系從(cong)事深能級物(wu)理和光譜物(wu)理研究。

1986年，擔(dan)任中國科學院(yuan)半(ban)導體所研究員、材料(liao)室主(zhu)任。

1990年，被批準(zhun)為中國科學(xue)院半導(dao)體所博士生導(dao)師。

1990年 - 1994年，擔(dan)任中國科學院半(ban)導體所(suo)副所(suo)長。

1995年，當(dang)選為中國科(ke)學院院士。

1989年，榮獲“中國科學院(yuan)科技進步一等獎(jiang)”。

1990年(nian)，榮獲“國家(jia)科技進步三(san)等獎”、“中國科學院科技進步三(san)等獎”。

2001年，榮獲(huo)“國(guo)家自然科(ke)學(xue)二等(deng)獎”、“何梁何利科(ke)學(xue)與技術進(jin)步(bu)獎”。