• 中文名(ming) 王占國
• 性別 男
• 國(guo)籍 中國
• 民族 漢族
• 出生(sheng)地 河南(nan)省南(nan)陽市
• 出生日期 1938年(nian)12月(yue)
• 畢業院校 南開大學
• 職業(ye)職位 中國(guo)科(ke)學院院士
• 主要成就(jiu) “國家(jia)科(ke)技進步三等(deng)獎(jiang)”、“國家(jia)自然科(ke)學二等(deng)獎(jiang)”

1962年，畢業于南開大學(xue)(xue)物理系，隨后進入(ru)中國科(ke)學(xue)(xue)院半導體所工作(zuo)。

1980年 - 1983年，前往瑞典(dian)隆德大學固體(ti)物理(li)系從事深(shen)能級物理(li)和(he)光譜物理(li)研究。

1986年，擔(dan)任中國科學院半導(dao)體(ti)所研究(jiu)員、材料室(shi)主(zhu)任。

1990年(nian)，被批準為中國(guo)科學院半導體(ti)所博士生導師(shi)。

1990年(nian) - 1994年(nian)，擔任中國科學(xue)院半導(dao)體所(suo)副所(suo)長。

1995年，當選為中國(guo)科(ke)學院(yuan)院(yuan)士。

1989年，榮獲(huo)“中(zhong)國科學(xue)院科技(ji)進步一(yi)等獎(jiang)”。

1990年，榮獲“國家科(ke)技(ji)進步(bu)三(san)等獎”、“中國科(ke)學(xue)院科(ke)技(ji)進步(bu)三(san)等獎”。

2001年，榮(rong)獲“國家(jia)自(zi)然科學二等獎(jiang)”、“何梁何利科學與(yu)技術進步獎(jiang)”。