• 中文名 王占國(guo)
• 性別 男(nan)
• 國籍 中國
• 民族 漢(han)族
• 出(chu)生(sheng)地 河南(nan)(nan)省南(nan)(nan)陽市(shi)
• 出生日期 1938年(nian)12月
• 畢業院校 南開大學
• 職業職位 中國科學(xue)院院士
• 主要成(cheng)就 “國(guo)家科技進步三等(deng)獎(jiang)”、“國(guo)家自然科學二等(deng)獎(jiang)”

1962年(nian)，畢(bi)業(ye)于南開大(da)學物理系，隨(sui)后進入中國科學院半(ban)導體所工(gong)作。

1980年 - 1983年，前往瑞典隆德大學(xue)固體物理(li)系從事深能級(ji)物理(li)和光譜物理(li)研(yan)究。

1986年，擔任中國科學院半導(dao)體(ti)所研究員、材料室主任。

1990年，被批(pi)準為中國(guo)科學院半導體所博士生(sheng)導師。

1990年 - 1994年，擔任中國科學院半導(dao)體所副所長(chang)。

1995年，當選為中國(guo)科學院(yuan)院(yuan)士。

1989年，榮獲“中國(guo)科學院科技進步一等(deng)獎”。

1990年，榮(rong)獲(huo)“國家科(ke)技(ji)(ji)進步(bu)三(san)等獎(jiang)”、“中(zhong)國科(ke)學院科(ke)技(ji)(ji)進步(bu)三(san)等獎(jiang)”。

2001年，榮獲“國家自然科學二等獎”、“何(he)梁(liang)何(he)利科學與技(ji)術進步獎”。