1、顯(xian)卡芯(xin)片(pian):顯(xian)卡核(he)心(xin)型號差一檔(dang),性(xing)能(neng)也就差了一檔(dang),所以可根據核(he)心(xin)型號來判斷顯(xian)卡的(de)高(gao)低,例如(ru),N卡型號的(de)前綴(zhui)(zhui)一共有GTX > GTS > GT > GF,其(qi)后(hou)(hou)的(de)兩位(wei)數或一位(wei)數代表代數,再其(qi)后(hou)(hou)兩位(wei)數越大,表示(shi)(shi)同代中的(de)性(xing)能(neng)就越強,后(hou)(hou)綴(zhui)(zhui)有Ti、SE、M、MX,分別表示(shi)(shi)加強版、閹割版、移(yi)動版、移(yi)動加強版。
2、流處(chu)理(li)(li)(li)(li)器:流處(chu)理(li)(li)(li)(li)器是顯卡(ka)(ka)的(de)核(he)心,直(zhi)接影響處(chu)理(li)(li)(li)(li)能(neng)力,對于(yu)N卡(ka)(ka)和A卡(ka)(ka)來(lai)說(shuo),流處(chu)理(li)(li)(li)(li)單(dan)元(yuan)個數越多則處(chu)理(li)(li)(li)(li)能(neng)力越強。N卡(ka)(ka)和A卡(ka)(ka)的(de)流處(chu)理(li)(li)(li)(li)單(dan)元(yuan)可采取近(jin)似比較,N卡(ka)(ka)的(de)1個流處(chu)理(li)(li)(li)(li)單(dan)元(yuan)相當(dang)于(yu)AMD的(de)5個流處(chu)理(li)(li)(li)(li)單(dan)元(yuan)。
3、顯(xian)(xian)存(cun)位(wei)(wei)(wei)(wei)寬(kuan):顯(xian)(xian)存(cun)位(wei)(wei)(wei)(wei)寬(kuan)表示一個時(shi)鐘(zhong)周期內所(suo)能傳(chuan)(chuan)送數(shu)據的(de)位(wei)(wei)(wei)(wei)數(shu),位(wei)(wei)(wei)(wei)數(shu)越(yue)大則傳(chuan)(chuan)輸量越(yue)大,常見的(de)有64位(wei)(wei)(wei)(wei)、128位(wei)(wei)(wei)(wei)和256位(wei)(wei)(wei)(wei)顯(xian)(xian)卡。在顯(xian)(xian)存(cun)頻率相當情況下,顯(xian)(xian)存(cun)位(wei)(wei)(wei)(wei)寬(kuan)決定著帶寬(kuan)的(de)大小。
4、顯存(cun)類(lei)型(xing):顯存(cun)類(lei)型(xing)主要有SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三種,SDRAM顆粒主要應用在低端顯卡(ka)上,頻率一般不超過200MHz;DDR SDRAM是主流(liu);DDR SGRAM適(shi)合(he)繪(hui)圖(tu)專用。
5、散熱設計:散熱系(xi)統(tong)的(de)好壞直接決定(ding)了性(xing)能發揮(hui)的(de)穩定(ding)性(xing),被(bei)動(dong)式噪音低,適(shi)合(he)低頻(pin)率(lv)(lv)顯(xian)(xian)卡(ka);主動(dong)式有散熱片和(he)風(feng)扇,適(shi)合(he)高(gao)頻(pin)率(lv)(lv)顯(xian)(xian)卡(ka);導(dao)流式適(shi)合(he)高(gao)檔游戲顯(xian)(xian)卡(ka)。