晶湛半(ban)導體(ti)由業(ye)界(jie)公(gong)認的(de)硅基(ji)氮(dan)(dan)化(hua)鎵(jia)(jia)(jia)（GaN-on-Si）外延(yan)技術(shu)的(de)開拓者(zhe)程凱博士于2012年回國(guo)(guo)創(chuang)辦(ban)，坐落于蘇州市工業(ye)園區，擁(yong)有國(guo)(guo)際先進的(de)氮(dan)(dan)化(hua)鎵(jia)(jia)(jia)外延(yan)材(cai)料研(yan)發和產(chan)業(ye)化(hua)基(ji)地(di)，致力(li)于為電力(li)電子以及微顯示等領(ling)域提供(gong)(gong)高品質氮(dan)(dan)化(hua)鎵(jia)(jia)(jia)外延(yan)材(cai)料解決方案，也是(shi)目前國(guo)(guo)際上(shang)可供(gong)(gong)應(ying)300mm硅基(ji)氮(dan)(dan)化(hua)鎵(jia)(jia)(jia)外延(yan)產(chan)品的(de)廠商(shang)，技術(shu)實力(li)處于國(guo)(guo)際地(di)位。
2014年底，晶(jing)湛半(ban)導(dao)體(ti)就率(lv)先(xian)在全(quan)(quan)球首(shou)次(ci)(ci)發布商用8英寸硅基氮化鎵(jia)外延片(pian)產(chan)(chan)(chan)品，經有關下游(you)客(ke)戶驗證，該材料(liao)具備技術指(zhi)標和卓越(yue)的(de)性能，填(tian)補(bu)了(le)國內氮化鎵(jia)產(chan)(chan)(chan)業的(de)空白。2021年9月，晶(jing)湛半(ban)導(dao)體(ti)又成功全(quan)(quan)球12英寸硅基電力電子(zi)氮化鎵(jia)外延片(pian)，贏得了(le)業內廣泛關注(zhu)。經過(guo)多(duo)年的(de)專注(zhu)發展，晶(jing)湛半(ban)導(dao)體(ti)已(yi)經成為國內GaN材料(liao)研(yan)發和產(chan)(chan)(chan)業化的(de)領軍(jun)企業，通過(guo)與全(quan)(quan)球數百家知名半(ban)導(dao)體(ti)科(ke)技企業、高校科(ke)研(yan)院所客(ke)戶建立廣泛深入的(de)合作，多(duo)次(ci)(ci)在行(xing)業期刊NatureElectronics，IEEEElectronDeviceLetters，及(ji)國際(ji)會(hui)議IEDM等發布相關創新成果，引起國際(ji)半(ban)導(dao)體(ti)界的(de)廣泛關注(zhu)和一致好評。
晶(jing)(jing)湛(zhan)半導(dao)體高度(du)重視自(zi)主研發和核心知(zhi)識產權工作，在(zai)氮(dan)化鎵外延領域已掌握多項(xiang)核心技術，擁有獨(du)立的自(zi)主知(zhi)識產權，晶(jing)(jing)湛(zhan)半導(dao)體目前已在(zai)國(guo)內(nei)外累計申(shen)請超500項(xiang)專利，其中(zhong)已獲(huo)得超140項(xiang)專利授(shou)權。
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