晶湛半(ban)導體由業(ye)界公認的(de)硅(gui)基氮(dan)(dan)化(hua)鎵（GaN-on-Si）外(wai)延(yan)(yan)技術的(de)開拓者程凱博(bo)士于(yu)2012年回國(guo)(guo)創辦(ban)，坐落(luo)于(yu)蘇州(zhou)市(shi)工業(ye)園區，擁有(you)國(guo)(guo)際先(xian)進(jin)的(de)氮(dan)(dan)化(hua)鎵外(wai)延(yan)(yan)材(cai)料研發和產業(ye)化(hua)基地，致力(li)于(yu)為電(dian)力(li)電(dian)子以及微顯(xian)示等領域提供(gong)高品(pin)質氮(dan)(dan)化(hua)鎵外(wai)延(yan)(yan)材(cai)料解決方案，也是目前國(guo)(guo)際上可(ke)供(gong)應300mm硅(gui)基氮(dan)(dan)化(hua)鎵外(wai)延(yan)(yan)產品(pin)的(de)廠商(shang)，技術實力(li)處于(yu)國(guo)(guo)際地位。
2014年底，晶湛(zhan)半導體(ti)(ti)就(jiu)率先在全(quan)(quan)球首次(ci)發(fa)(fa)布(bu)商用8英(ying)寸(cun)硅基氮化(hua)(hua)鎵(jia)外(wai)延片產(chan)品，經有關下游客戶驗證，該(gai)材(cai)料具備技(ji)術指標和卓越(yue)的(de)性能，填補了國內(nei)氮化(hua)(hua)鎵(jia)產(chan)業(ye)(ye)的(de)空(kong)白。2021年9月，晶湛(zhan)半導體(ti)(ti)又成功全(quan)(quan)球12英(ying)寸(cun)硅基電力電子氮化(hua)(hua)鎵(jia)外(wai)延片，贏得了業(ye)(ye)內(nei)廣(guang)泛(fan)關注。經過多年的(de)專注發(fa)(fa)展，晶湛(zhan)半導體(ti)(ti)已經成為國內(nei)GaN材(cai)料研發(fa)(fa)和產(chan)業(ye)(ye)化(hua)(hua)的(de)領軍企業(ye)(ye)，通過與全(quan)(quan)球數百家知名半導體(ti)(ti)科技(ji)企業(ye)(ye)、高(gao)校科研院(yuan)所客戶建(jian)立(li)廣(guang)泛(fan)深入的(de)合作，多次(ci)在行業(ye)(ye)期(qi)刊(kan)NatureElectronics，IEEEElectronDeviceLetters，及國際(ji)會議IEDM等發(fa)(fa)布(bu)相關創新成果(guo)，引起國際(ji)半導體(ti)(ti)界的(de)廣(guang)泛(fan)關注和一致好(hao)評。
晶(jing)湛(zhan)半(ban)導體高度重視自主(zhu)研發和核(he)心知識(shi)產權工作，在(zai)(zai)氮化(hua)鎵外(wai)延(yan)領域(yu)已(yi)掌(zhang)握多(duo)項核(he)心技術，擁有(you)獨立(li)的自主(zhu)知識(shi)產權，晶(jing)湛(zhan)半(ban)導體目前已(yi)在(zai)(zai)國內外(wai)累計申請超500項專利(li)，其(qi)中(zhong)已(yi)獲得超140項專利(li)授權。
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