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晶湛(zhan)半導體由業(ye)界公認的(de)硅基(ji)氮(dan)(dan)化(hua)鎵(jia)（GaN-on-Si）外延技(ji)術的(de)開(kai)拓(tuo)者程凱博士于(yu)2012年(nian)回國(guo)(guo)創(chuang)辦(ban)，坐落于(yu)蘇州市工業(ye)園區，擁有國(guo)(guo)際先進的(de)氮(dan)(dan)化(hua)鎵(jia)外延材(cai)料(liao)研發和產業(ye)化(hua)基(ji)地，致力(li)(li)于(yu)為電力(li)(li)電子(zi)以及微顯示等領域提供高品質氮(dan)(dan)化(hua)鎵(jia)外延材(cai)料(liao)解決方(fang)案(an)，也(ye)是目前國(guo)(guo)際上可(ke)供應300mm硅基(ji)氮(dan)(dan)化(hua)鎵(jia)外延產品的(de)廠商，技(ji)術實力(li)(li)處于(yu)國(guo)(guo)際地位。

2014年底，晶(jing)(jing)湛(zhan)半導(dao)體(ti)就(jiu)率先在全(quan)球首次(ci)發(fa)布商用8英寸硅(gui)基氮(dan)化(hua)鎵(jia)(jia)外延(yan)片(pian)產品，經(jing)有關(guan)下(xia)游客戶驗證，該材(cai)料(liao)具備技術指標和(he)卓越的性能(neng)，填補了國(guo)內氮(dan)化(hua)鎵(jia)(jia)產業的空白。2021年9月，晶(jing)(jing)湛(zhan)半導(dao)體(ti)又成功全(quan)球12英寸硅(gui)基電(dian)力(li)電(dian)子氮(dan)化(hua)鎵(jia)(jia)外延(yan)片(pian)，贏得了業內廣泛(fan)(fan)關(guan)注。經(jing)過多年的專注發(fa)展，晶(jing)(jing)湛(zhan)半導(dao)體(ti)已經(jing)成為國(guo)內GaN材(cai)料(liao)研(yan)發(fa)和(he)產業化(hua)的領軍企(qi)業，通過與全(quan)球數百家(jia)知名半導(dao)體(ti)科(ke)技企(qi)業、高校科(ke)研(yan)院所客戶建(jian)立廣泛(fan)(fan)深入的合作，多次(ci)在行業期刊(kan)NatureElectronics，IEEEElectronDeviceLetters，及國(guo)際會議IEDM等(deng)發(fa)布相關(guan)創新成果(guo)，引起(qi)國(guo)際半導(dao)體(ti)界的廣泛(fan)(fan)關(guan)注和(he)一致好評。

晶(jing)湛(zhan)半導(dao)體(ti)高度重(zhong)視自主研發和(he)核心知(zhi)識(shi)產權(quan)工作，在氮化鎵(jia)外延領(ling)域已掌握多項(xiang)核心技術，擁(yong)有獨立的自主知(zhi)識(shi)產權(quan)，晶(jing)湛(zhan)半導(dao)體(ti)目前已在國內外累計申(shen)請超500項(xiang)專利，其中已獲得(de)超140項(xiang)專利授權(quan)。