晶(jing)湛半(ban)導體由(you)業界公認的(de)硅基氮(dan)(dan)化(hua)鎵（GaN-on-Si）外(wai)延技(ji)(ji)術的(de)開拓者程凱博(bo)士于(yu)(yu)2012年(nian)回國(guo)(guo)創辦，坐落于(yu)(yu)蘇州(zhou)市工(gong)業園區，擁(yong)有(you)國(guo)(guo)際先進的(de)氮(dan)(dan)化(hua)鎵外(wai)延材料研發和(he)產業化(hua)基地，致力于(yu)(yu)為(wei)電力電子以及(ji)微顯(xian)示等領域提供(gong)高品質氮(dan)(dan)化(hua)鎵外(wai)延材料解(jie)決方案，也是目前國(guo)(guo)際上可供(gong)應(ying)300mm硅基氮(dan)(dan)化(hua)鎵外(wai)延產品的(de)廠商，技(ji)(ji)術實(shi)力處于(yu)(yu)國(guo)(guo)際地位。
2014年(nian)底，晶湛(zhan)(zhan)半(ban)導(dao)體就率(lv)先在全(quan)球首次(ci)發(fa)(fa)布(bu)(bu)商用8英寸(cun)(cun)硅基(ji)氮化鎵(jia)外延(yan)片(pian)產品，經(jing)有關(guan)(guan)(guan)(guan)下游客戶驗證，該材(cai)料具備技術指(zhi)標和卓越的(de)性能，填(tian)補了(le)(le)國(guo)內氮化鎵(jia)產業(ye)的(de)空白。2021年(nian)9月，晶湛(zhan)(zhan)半(ban)導(dao)體又成功全(quan)球12英寸(cun)(cun)硅基(ji)電力電子氮化鎵(jia)外延(yan)片(pian)，贏得了(le)(le)業(ye)內廣泛關(guan)(guan)(guan)(guan)注。經(jing)過多年(nian)的(de)專注發(fa)(fa)展，晶湛(zhan)(zhan)半(ban)導(dao)體已經(jing)成為國(guo)內GaN材(cai)料研(yan)發(fa)(fa)和產業(ye)化的(de)領軍企業(ye)，通過與全(quan)球數百(bai)家知名半(ban)導(dao)體科(ke)技企業(ye)、高校科(ke)研(yan)院所客戶建立(li)廣泛深入(ru)的(de)合作，多次(ci)在行業(ye)期刊NatureElectronics，IEEEElectronDeviceLetters，及國(guo)際會(hui)議IEDM等(deng)發(fa)(fa)布(bu)(bu)相關(guan)(guan)(guan)(guan)創(chuang)新(xin)成果(guo)，引起國(guo)際半(ban)導(dao)體界(jie)的(de)廣泛關(guan)(guan)(guan)(guan)注和一致好評。
晶湛半(ban)導體高度重視自主(zhu)研發和核心知識產(chan)權(quan)工作，在氮化(hua)鎵外延(yan)領域已掌握多(duo)項(xiang)核心技(ji)術，擁有獨立的(de)自主(zhu)知識產(chan)權(quan)，晶湛半(ban)導體目前已在國內外累計申請(qing)超500項(xiang)專(zhuan)利，其中已獲得超140項(xiang)專(zhuan)利授(shou)權(quan)。
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