成都蓉矽(xi)半導(dao)體(ti)有限(xian)公司 (NOVUS SEMICONDUCTORS CO., LTD.) 成立(li)于(yu)2019年,是(shi)專注于(yu)寬禁帶半導(dao)體(ti)碳化(hua)硅(SiC)功(gong)率器件設計與開發的高新技術企(qi)業。
蓉矽擁有一支掌握碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)核心技術的(de)國際化(hua)團隊,整(zheng)合臺灣與(yu)歐洲優秀碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)制造工藝平臺,結合大(da)陸(lu)封測(ce)和應(ying)用(yong)解決方(fang)案,建(jian)立(li)了材料(liao)、外延、晶圓制造與(yu)封裝(zhuang)測(ce)試均符(fu)合IATF16949質(zhi)量(liang)管理標準(zhun)的(de)完整(zheng)供(gong)應(ying)鏈,獨立(li)自主(zhu)開發世界優秀水(shui)平的(de)車規級碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)器件。
蓉矽碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)產(chan)品分為高(gao)性價比的(de)“NovuSiC®”和“DuraSiC®”系列(lie)。產(chan)品涵蓋碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)EJBS? (Enhanced Junction Barrier Schottky)二(er)(er)極(ji)管(guan)與(yu)碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)MOSFET;硅(gui)基(ji)產(chan)品有175?C高(gao)結(jie)溫的(de)理想(xiang)二(er)(er)極(ji)管(guan)MCR®(MOS-Controlled Rectifier)及(ji)FRMOS(Fast Recovery MOSFET)。廣(guang)泛應用于工(gong)控電源(yuan)(yuan)、工(gong)業電機、光(guang)伏逆變、儲能、充電樁(zhuang)及(ji)新能源(yuan)(yuan)汽車等領域。