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人物簡介

林蘭英（1918年(nian)2月7日—2003年(nian)3月4日），女，福建莆田人，半導體材料科學(xue)(xue)家，中(zhong)國科學(xue)(xue)院學(xue)(xue)部(bu)委員(yuan)，中(zhong)國科學(xue)(xue)院半導體研究(jiu)所研究(jiu)員(yuan)、博士生導師。

林蘭英(ying)于(yu)1940年(nian)(nian)從(cong)福建協和大學(xue)(xue)畢業后(hou)(hou)留(liu)校(xiao)任教；1948年(nian)(nian)赴美留(liu)學(xue)(xue)，進(jin)入賓(bin)夕法尼(ni)亞(ya)州迪(di)金(jin)森學(xue)(xue)院(yuan)(yuan)(yuan)數(shu)學(xue)(xue)系學(xue)(xue)習；1949年(nian)(nian)獲得迪(di)金(jin)森學(xue)(xue)院(yuan)(yuan)(yuan)數(shu)學(xue)(xue)學(xue)(xue)士學(xue)(xue)位(wei)，同年(nian)(nian)進(jin)入賓(bin)夕法尼(ni)亞(ya)大學(xue)(xue)研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)生院(yuan)(yuan)(yuan)進(jin)行固體(ti)物(wu)理的研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)，先后(hou)(hou)獲得碩士、博士學(xue)(xue)位(wei)；1955年(nian)(nian)博士畢業后(hou)(hou)進(jin)入紐約長島的索菲尼(ni)亞(ya)公(gong)司擔(dan)任高級工程師(shi)進(jin)行半導體(ti)研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)；1957年(nian)(nian)1月回到中(zhong)國(guo)，并進(jin)入中(zhong)國(guo)科(ke)(ke)學(xue)(xue)院(yuan)(yuan)(yuan)物(wu)理研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)所工作；1960年(nian)(nian)中(zhong)國(guo)科(ke)(ke)學(xue)(xue)院(yuan)(yuan)(yuan)半導體(ti)研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)所成(cheng)立(li)后(hou)(hou)，林蘭英(ying)擔(dan)任該所研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)員；1977年(nian)(nian)至1983年(nian)(nian)擔(dan)任中(zhong)國(guo)科(ke)(ke)學(xue)(xue)院(yuan)(yuan)(yuan)半導體(ti)研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)所副所長；1980年(nian)(nian)當選(xuan)為(wei)中(zhong)國(guo)科(ke)(ke)學(xue)(xue)院(yuan)(yuan)(yuan)學(xue)(xue)部委員（院(yuan)(yuan)(yuan)士）；2003年(nian)(nian)3月4日在北京逝世，享年(nian)(nian)85歲。

林蘭英主要從事半導體材料制備及(ji)物理的(de)研究。在鍺單(dan)晶、硅單(dan)晶、砷(shen)化鎵單(dan)晶和高純(chun)銻化銦單(dan)晶的(de)制備及(ji)性質等(deng)研究方面獲(huo)得成(cheng)果，其(qi)中砷(shen)化鎵氣相(xiang)和液(ye)相(xiang)外延單(dan)晶的(de)純(chun)度及(ji)電子遷移率，均達到國際先進水(shui)平。

主要經歷

1918年(nian)2月7日（農歷丁巳年(nian)十二月二十六日），林(lin)(lin)(lin)蘭英(ying)出(chu)生(sheng)于福建莆田(tian)縣(xian)。幼年(nian)為了(le)上(shang)學(xue)(xue)，經過一(yi)番絕食斗爭(zheng)，家人(ren)同(tong)意林(lin)(lin)(lin)蘭英(ying)上(shang)了(le)礪(li)青小學(xue)(xue)，林(lin)(lin)(lin)蘭英(ying)在礪(li)青小學(xue)(xue)的(de)(de)成績始終在有著40多(duo)名男(nan)女(nv)學(xue)(xue)生(sheng)的(de)(de)班(ban)中占居前兩名，校(xiao)長彭介之決定保(bao)送她進入礪(li)青中學(xue)(xue)。

1930年(nian)(nian)9月，進入(ru)礪(li)青中(zhong)學初中(zhong)部一年(nian)(nian)級，初中(zhong)六個學期她(ta)都(dou)保持全年(nian)(nian)級第一。

1933年(nian)(nian)9月，進入莆田(tian)中學(xue)高中部(bu)一(yi)(yi)年(nian)(nian)級，成了當(dang)時(shi)高一(yi)(yi)年(nian)(nian)級唯一(yi)(yi)的一(yi)(yi)名女(nv)生(sheng)，后來(lai)由于莆田(tian)中學(xue)搞起了學(xue)生(sheng)運動(dong)，林(lin)蘭英(ying)對運動(dong)本無興趣，轉學(xue)至莆田(tian)縣惟一(yi)(yi)的一(yi)(yi)所教會(hui)女(nv)子(zi)中學(xue)———咸益中學(xue)就讀(du)。

1936年，考入福建協和大學(xue)（現福建師范大學(xue)）物理系(xi)。

1940年(nian)，從福建協和大學畢業(ye)后作為優(you)秀生留校(xiao)任助教。

1944年，擔任福建協和大學講(jiang)師。

1947年5月，福建(jian)協和大學(xue)與美國(guo)賓夕法尼亞州的迪金森(sen)學(xue)院建(jian)立(li)互換(huan)留學(xue)生的關系(xi)。

1948年8月9日，遠涉重洋到美國留(liu)學，進入國賓夕(xi)法尼亞州的迪金(jin)森(sen)學院(yuan)數學系(xi)學習。

1949年，獲得迪(di)金(jin)森學院數(shu)學學士學位，同(tong)時獲得美國大學榮譽(yu)學會(hui)(hui)迪(di)金(jin)森分會(hui)(hui)獎勵(li)她的一枚金(jin)鑰匙；同(tong)年深秋，進入賓夕(xi)法尼亞大學研究生院，開始了(le)固體物理的研究。

1951年，獲得賓(bin)夕法尼亞(ya)大學固體物理學碩(shuo)士(shi)學位，之(zhi)后繼續攻讀博士(shi)學位，師(shi)從(cong)米勒教授。

1955年(nian)6月(yue)，憑借博(bo)(bo)士論文《弱X射線輻(fu)照引起氯化鉀(jia)和氯化鈉晶體(ti)的膨脹》獲得賓夕法尼亞大(da)學(xue)(xue)固體(ti)物理學(xue)(xue)博(bo)(bo)士學(xue)(xue)位，是該校建校215年(nian)以(yi)來(lai)，第一位獲得博(bo)(bo)士學(xue)(xue)位的中國人(ren)，也是該校有(you)史(shi)以(yi)來(lai)的第一位女博(bo)(bo)士。博(bo)(bo)士畢業(ye)后(hou)，導師(shi)推薦她去紐約長島專司(si)(si)(si)(si)半導體(ti)研究的索菲(fei)尼亞公(gong)(gong)司(si)(si)(si)(si)任高級工(gong)(gong)程師(shi)。之后(hou)，她被聘為從事半導體(ti)科研工(gong)(gong)作的索菲(fei)尼亞公(gong)(gong)司(si)(si)(si)(si)（Sylvania公(gong)(gong)司(si)(si)(si)(si)）高級工(gong)(gong)程師(shi)，靠林蘭英(ying)杰出的科學(xue)(xue)分析指導，公(gong)(gong)司(si)(si)(si)(si)成功(gong)地造出了(le)第一根硅單(dan)晶，不久，又為公(gong)(gong)司(si)(si)(si)(si)申報了(le)兩項專利，公(gong)(gong)司(si)(si)(si)(si)三次提(ti)高她的年(nian)薪。林蘭英(ying)回(hui)國時(shi)索菲(fei)尼亞公(gong)(gong)司(si)(si)(si)(si)給她年(nian)薪10000美元(yuan)(yuan)，回(hui)國后(hou)每月(yue)207元(yuan)(yuan)人(ren)民幣。

1956年6月，林蘭英以“母親重(zhong)病”為由(you)，向印度駐美國大使館提交回國申請(qing)，9月使館通知她填寫有關回國事宜(yi)的(de)表格。

1957年1月29日，幾經(jing)周(zhou)折(zhe)抗爭，林蘭(lan)英乘坐(zuo)的(de)客輪(lun)安(an)抵香港，在國務院(yuan)辦公廳(ting)周(zhou)密(mi)安(an)排(pai)下，她走上了深圳(zhen)羅湖橋頭，回到了中(zhong)國，之后由大(da)弟林文豪送她經(jing)上海(hai)去(qu)北京(jing)，進入中(zhong)國科學院(yuan)物理研(yan)究(jiu)所工作，歷(li)任研(yan)究(jiu)員，副所長。

1960年，擔任中國科(ke)學院半導體研究所研究員。

1966年，“文革”開(kai)始那年，她還與中(zhong)國(guo)第一位女院士林巧(qiao)稚一同(tong)登上天安門城樓，事后便跌于“文革”的沼澤中(zhong)。

1977年—1983年，擔任中國(guo)科學院半導(dao)體研究所副所長。

1980年，當選為中國科學院學部委員（院士）。

2003年(nian)3月4日，在北京(jing)因病醫(yi)治無效(xiao)逝(shi)世(shi)，享(xiang)年(nian)85歲(sui)。

貢獻影響

科研成就

科研綜述

林蘭(lan)英先(xian)后負責研(yan)制成中國(guo)第一根硅、銻化(hua)銦(yin)、砷化(hua)鎵、磷化(hua)鎵等單晶，為中國(guo)微(wei)電子和光電子學的(de)發展奠定了基礎，負責研(yan)制的(de)高(gao)純度汽相(xiang)和液相(xiang)外延材料達到國(guo)際(ji)先(xian)水平。開創了中國(guo)微(wei)重(zhong)力半(ban)導體材料科學研(yan)究新領域，并(bing)在砷化(hua)鎵晶體太空生長和性質研(yan)究方(fang)面取得了一定的(de)成績。

1958年(nian)秋天，林蘭(lan)(lan)英(ying)(ying)研(yan)(yan)(yan)發(fa)(fa)出(chu)中(zhong)(zhong)國(guo)(guo)第(di)(di)一根(gen)硅單(dan)晶(jing)，為制(zhi)造(zao)出(chu)無(wu)位錯(cuo)硅單(dan)晶(jing)，林蘭(lan)(lan)英(ying)(ying)又投入研(yan)(yan)(yan)發(fa)(fa)硅單(dan)晶(jing)爐(lu)(lu)。她仔細考察、分析了(le)蘇聯封閉(bi)式(shi)(shi)硅單(dan)晶(jing)爐(lu)(lu)，發(fa)(fa)現了(le)不足，開(kai)始(shi)研(yan)(yan)(yan)究設(she)計中(zhong)(zhong)國(guo)(guo)式(shi)(shi)硅單(dan)晶(jing)爐(lu)(lu)。1961年(nian)的深(shen)秋，由林蘭(lan)(lan)英(ying)(ying)主持設(she)計加工的中(zhong)(zhong)國(guo)(guo)第(di)(di)一臺(tai)開(kai)門(men)式(shi)(shi)硅單(dan)晶(jing)爐(lu)(lu)制(zhi)造(zao)成(cheng)功(gong)。1962年(nian)春，林蘭(lan)(lan)英(ying)(ying)依(yi)靠國(guo)(guo)產第(di)(di)一臺(tai)開(kai)門(men)式(shi)(shi)硅單(dan)晶(jing)爐(lu)(lu)，正式(shi)(shi)啟動拉制(zhi)工作。中(zhong)(zhong)國(guo)(guo)第(di)(di)一根(gen)無(wu)位錯(cuo)的硅單(dan)晶(jing)拉制(zhi)成(cheng)功(gong)，無(wu)位錯(cuo)達(da)國(guo)(guo)際(ji)先進水(shui)平。

科研成果獎勵

根據2021年6月《莆田僑鄉時(shi)報》顯示，林蘭英先(xian)后四次獲得中國科(ke)學(xue)院科(ke)技進步獎(jiang)一等(deng)(deng)獎(jiang)，兩次獲國家(jia)科(ke)技進步二、三等(deng)(deng)獎(jiang)。

時間 項目名稱(cheng) 獎勵名稱(cheng)

1981年 4K和16K硅DRAM及(ji)提高(gao)成品率研究 中(zhong)國科學院科學技術進步獎一(yi)等(deng)獎

1985年(nian) 提高(gao)砷化鎵材料質量的(de)研(yan)究 國家(jia)科學(xue)技術進步(bu)獎二等獎（排(pai)名(ming)第一）

1986年(nian) 高(gao)壓液封法生長熱穩定(ding)不摻雜半絕(jue)緣GaAs 中國科學院科學技術進步獎三等獎（排名第一）

1989年(nian) 微(wei)重力條件下(xia)從溶體生長(chang)GaAs單(dan)晶及(ji)性質研(yan)究 中國科學(xue)院科學(xue)技術進步獎一等獎（排(pai)名第一）

1990年 等(deng)電子(zi)雜質(zhi)In在GaAs中行(xing)為的研(yan)究 中國科(ke)學院科(ke)學技術進步獎(jiang)三等(deng)獎(jiang)（排(pai)名第一）

1991年(nian) 集成電路用半(ban)絕緣砷(shen)化(hua)鎵熱(re)穩定性和均勻性研究 中(zhong)國科(ke)學(xue)院科(ke)學(xue)技術進步獎(jiang)三等獎(jiang)（排名第一）

1995年 高質量GaAs/AlGaAs二(er)(er)維電子氣材(cai)料研(yan)制(zhi)及其器件應用 中國科學院科學技術進步獎二(er)(er)等獎（排名第六）

1996年 ф2”和(he)ф3”非摻Si-GaAs單晶（片）研究 中(zhong)國(guo)科(ke)學院科(ke)學技(ji)術(shu)進步獎二等(deng)獎（排(pai)名(ming)第一）

人才培養

講授課程

1940年，林蘭(lan)英從福建協和大學(xue)(xue)(xue)畢業(ye)后作(zuo)為優秀生(sheng)留校(xiao)任助教，教授《普通物理學(xue)(xue)(xue)》《高等數學(xue)(xue)(xue)》《光學(xue)(xue)(xue)》《物性聲學(xue)(xue)(xue)》《電(dian)磁學(xue)(xue)(xue)》等課程。

獲獎記錄

時間 榮譽表彰 授予(yu)單(dan)位

1980年 中國(guo)科學院學部委員（院士） 中華(hua)人民共和國(guo)國(guo)務院

1996年 何(he)梁何(he)利(li)基金科學(xue)與技術(shu)進步獎 何(he)梁何(he)利(li)基金

1998年 霍英東成就獎

人物評價

林蘭英(ying)是中國(guo)半導(dao)體(ti)科(ke)學事業(ye)開拓者之一。（中國(guo)科(ke)學院(yuan)學部與院(yuan)士評）

林(lin)蘭英從事半導(dao)體材(cai)料(liao)科學(xue)40年，是(shi)中國(guo)半導(dao)體材(cai)料(liao)科學(xue)的奠基(ji)人，對中國(guo)半導(dao)體材(cai)料(liao)科學(xue)的發展(zhan)作出了重大貢獻。（何(he)梁何(he)利基(ji)金評）

林蘭英的(de)工作極(ji)大(da)地推進(jin)了中(zhong)國半(ban)導體材料的(de)研究(jiu)高度(du)，為微(wei)電子和光電子學的(de)發(fa)展奠定(ding)了基礎，為中(zhong)國太空事業做出巨大(da)貢獻。（《莆田僑鄉時報》評）

林蘭英是中(zhong)(zhong)國半導體材(cai)料科(ke)技最(zui)著名的開拓者，她帶(dai)動同事一起創造了多個“新中(zhong)(zhong)國的第一”，受到全世界科(ke)學(xue)家關注，被譽為“中(zhong)(zhong)國太空材(cai)料之母”。（新浪(lang)新聞評）

其他信息

社會任職

時間 擔任職務

1975年—1993年 中華人民共和(he)國第四、五、六、七屆全國人民代表大會代表

1978年—1985年 中國電子材料行業協會主任委員(yuan)

1980年—1996年 中國科學技術協(xie)會副(fu)主席（第二至(zhi)四屆）

1986年 國家(jia)自然(ran)科學基金委員(yuan)(yuan)會委員(yuan)(yuan)

個人生活

家世背景

林蘭英(ying)的祖先林潤（1530-1569）是明朝嘉靖年間的御史大(da)夫。因扳(ban)倒當(dang)朝丞相(xiang)奸臣(chen)嚴嵩父子而(er)名震朝野。林蘭英(ying)的祖父經商有成，父親大(da)學畢業(ye)后在外地(di)工作，母親在家主(zhu)持(chi)家政。

后世紀念

林蘭英故居

2002年，因(yin)莆田(tian)舊城改(gai)造，林(lin)(lin)潤故(gu)居原樣遷移到莆田(tian)城南鄉溝頭村的(de)莆田(tian)一中(zhong)新校區內(nei)，內(nei)含林(lin)(lin)潤的(de)后裔、林(lin)(lin)蘭(lan)(lan)(lan)英院士故(gu)居。林(lin)(lin)蘭(lan)(lan)(lan)英去世后，骨(gu)灰從北京運至林(lin)(lin)潤故(gu)居內(nei)埋(mai)葬并建立林(lin)(lin)蘭(lan)(lan)(lan)英陵園。故(gu)居的(de)廳(ting)堂豎立林(lin)(lin)蘭(lan)(lan)(lan)英塑像(xiang)。林(lin)(lin)蘭(lan)(lan)(lan)英在北京的(de)住宅和(he)辦公室中(zhong)的(de)所有書籍(ji)和(he)家具也運回莆田(tian)故(gu)居，陳(chen)列在林(lin)(lin)潤故(gu)居內(nei)。

林蘭英院士塑像

2004年12月(yue)，林蘭英院(yuan)士塑像揭幕儀(yi)式在莆田第一中(zhong)學(xue)舉行(xing)，中(zhong)國科(ke)(ke)學(xue)院(yuan)半導(dao)(dao)體研究(jiu)所所長李晉(jin)閩(min)及莆田市有關領(ling)導(dao)(dao)、部分科(ke)(ke)技專家、教師和學(xue)生共(gong)數千人參加了揭幕儀(yi)式。

林蘭英院士紀念文集

2013年(nian)，在(zai)林蘭(lan)英院(yuan)士逝世十周年(nian)之(zhi)際，為表達對她的思念(nian)之(zhi)情和敬仰之(zhi)意(yi)，學(xue)(xue)習老一輩科(ke)學(xue)(xue)家的高(gao)尚品德(de)和創新精神，中國科(ke)學(xue)(xue)院(yuan)半導(dao)體研究(jiu)所特編輯制(zhi)作了《林蘭(lan)英院(yuan)士紀念(nian)文集》。

紀念林蘭英院士逝世十周(zhou)年座(zuo)談會(hui)

2013年(nian)(nian)3月4日，在(zai)林蘭英(ying)院士逝世10周年(nian)(nian)之際(ji)，為了弘揚她的愛(ai)國(guo)精神、回顧她的杰出成就、秉承她的科學(xue)(xue)思(si)想，在(zai)中(zhong)國(guo)科學(xue)(xue)院半導體研究(jiu)所學(xue)(xue)術(shu)會議中(zhong)心召開紀念林蘭英(ying)院士逝世十周年(nian)(nian)座談會。