林蘭(lan)英(1918年2月7日—2003年3月4日),女(nv),福建莆田人,半導體材料科(ke)學家,中國科(ke)學院學部委(wei)員,中國科(ke)學院半導體研究(jiu)所研究(jiu)員、博士生導師。
林蘭英于1940年從福建協和大(da)學(xue)畢業(ye)(ye)后(hou)留校任教;1948年赴美(mei)留學(xue),進入(ru)賓夕法尼(ni)亞州迪金(jin)森(sen)(sen)學(xue)院(yuan)數學(xue)系學(xue)習;1949年獲得(de)迪金(jin)森(sen)(sen)學(xue)院(yuan)數學(xue)學(xue)士學(xue)位,同年進入(ru)賓夕法尼(ni)亞大(da)學(xue)研(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)生(sheng)院(yuan)進行固(gu)體物(wu)理的(de)研(yan)究(jiu)(jiu)(jiu),先(xian)后(hou)獲得(de)碩士、博士學(xue)位;1955年博士畢業(ye)(ye)后(hou)進入(ru)紐約長島的(de)索菲尼(ni)亞公司擔任高級(ji)工(gong)程師進行半導體研(yan)究(jiu)(jiu)(jiu);1957年1月回(hui)到中(zhong)國,并(bing)進入(ru)中(zhong)國科(ke)(ke)學(xue)院(yuan)物(wu)理研(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)所工(gong)作(zuo);1960年中(zhong)國科(ke)(ke)學(xue)院(yuan)半導體研(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)所成立后(hou),林蘭英擔任該所研(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)員;1977年至1983年擔任中(zhong)國科(ke)(ke)學(xue)院(yuan)半導體研(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)所副(fu)所長;1980年當選為(wei)中(zhong)國科(ke)(ke)學(xue)院(yuan)學(xue)部委員(院(yuan)士);2003年3月4日在(zai)北京逝(shi)世,享年85歲。
林蘭英主要從事半導體材(cai)料制備(bei)及物理(li)的研究。在(zai)鍺單(dan)晶(jing)、硅單(dan)晶(jing)、砷(shen)化(hua)鎵單(dan)晶(jing)和高(gao)純(chun)銻化(hua)銦單(dan)晶(jing)的制備(bei)及性質(zhi)等研究方(fang)面獲(huo)得(de)成(cheng)果,其(qi)中(zhong)砷(shen)化(hua)鎵氣相和液相外延單(dan)晶(jing)的純(chun)度及電(dian)子遷移率,均達到國(guo)際先進水平(ping)。
1918年(nian)2月7日(ri)(農歷丁巳(si)年(nian)十二(er)月二(er)十六日(ri)),林蘭(lan)英(ying)出生于(yu)福建莆(pu)田縣(xian)。幼年(nian)為了(le)上學(xue),經過一番絕食(shi)斗爭,家(jia)人同意林蘭(lan)英(ying)上了(le)礪(li)青(qing)小學(xue),林蘭(lan)英(ying)在礪(li)青(qing)小學(xue)的成績始(shi)終在有著40多名(ming)男女學(xue)生的班(ban)中占居前(qian)兩名(ming),校(xiao)長(chang)彭(peng)介之(zhi)決定保送她進(jin)入礪(li)青(qing)中學(xue)。
1930年(nian)9月,進(jin)入礪青中(zhong)學初中(zhong)部一年(nian)級,初中(zhong)六個學期(qi)她都保持全年(nian)級第一。
1933年9月,進(jin)入莆(pu)田(tian)(tian)(tian)中(zhong)學高中(zhong)部一(yi)(yi)年級,成(cheng)了當時(shi)高一(yi)(yi)年級唯一(yi)(yi)的(de)一(yi)(yi)名女生,后(hou)來由于莆(pu)田(tian)(tian)(tian)中(zhong)學搞(gao)起了學生運(yun)動,林蘭(lan)英(ying)對運(yun)動本無興趣(qu),轉學至莆(pu)田(tian)(tian)(tian)縣惟一(yi)(yi)的(de)一(yi)(yi)所(suo)教會女子中(zhong)學———咸益中(zhong)學就讀。
1936年,考(kao)入福(fu)建協和(he)大學(現福(fu)建師范大學)物(wu)理(li)系。
1940年(nian),從福建協和大學畢(bi)業后作(zuo)為優(you)秀生(sheng)留校任助教。
1944年(nian),擔任(ren)福建協和大學(xue)講師。
1947年5月,福建(jian)(jian)協和大(da)學與(yu)美國(guo)賓(bin)夕法尼亞州的迪金(jin)森學院建(jian)(jian)立(li)互換留學生的關系。
1948年8月9日,遠涉重洋到美國(guo)(guo)留學(xue)(xue)(xue),進入國(guo)(guo)賓夕(xi)法(fa)尼亞州的迪金森學(xue)(xue)(xue)院數學(xue)(xue)(xue)系學(xue)(xue)(xue)習。
1949年(nian),獲得迪(di)金(jin)森學(xue)院(yuan)數學(xue)學(xue)士學(xue)位(wei),同時獲得美國大(da)學(xue)榮譽學(xue)會迪(di)金(jin)森分會獎(jiang)勵她(ta)的一枚金(jin)鑰匙;同年(nian)深秋,進入(ru)賓夕法尼亞大(da)學(xue)研究生院(yuan),開始了固(gu)體物理(li)的研究。
1951年,獲(huo)得賓夕法尼亞大學固體物理(li)學碩士(shi)學位(wei),之后繼續攻讀博士(shi)學位(wei),師(shi)從米勒教授。
1955年(nian)(nian)6月,憑借(jie)博(bo)士(shi)論文《弱X射線(xian)輻照引起氯(lv)化鉀和(he)氯(lv)化鈉(na)晶體的(de)(de)(de)膨脹》獲(huo)得賓夕法(fa)尼(ni)亞大(da)學(xue)固體物理(li)學(xue)博(bo)士(shi)學(xue)位,是該校(xiao)建校(xiao)215年(nian)(nian)以來,第(di)(di)一位獲(huo)得博(bo)士(shi)學(xue)位的(de)(de)(de)中國(guo)人,也是該校(xiao)有史以來的(de)(de)(de)第(di)(di)一位女(nv)博(bo)士(shi)。博(bo)士(shi)畢業后(hou),導師(shi)(shi)(shi)推薦她去紐約(yue)長島專司(si)半導體研(yan)究(jiu)的(de)(de)(de)索菲(fei)(fei)尼(ni)亞公(gong)司(si)任(ren)高(gao)級工程(cheng)(cheng)師(shi)(shi)(shi)。之后(hou),她被聘為(wei)從事半導體科研(yan)工作(zuo)的(de)(de)(de)索菲(fei)(fei)尼(ni)亞公(gong)司(si)(Sylvania公(gong)司(si))高(gao)級工程(cheng)(cheng)師(shi)(shi)(shi),靠林(lin)蘭(lan)英杰出(chu)的(de)(de)(de)科學(xue)分析指導,公(gong)司(si)成功(gong)地(di)造出(chu)了第(di)(di)一根硅單晶,不久,又為(wei)公(gong)司(si)申報(bao)了兩項專利,公(gong)司(si)三(san)次提高(gao)她的(de)(de)(de)年(nian)(nian)薪。林(lin)蘭(lan)英回國(guo)時索菲(fei)(fei)尼(ni)亞公(gong)司(si)給她年(nian)(nian)薪10000美元,回國(guo)后(hou)每(mei)月207元人民(min)幣。
1956年6月,林蘭英以(yi)“母(mu)親重病”為由,向印度駐美國(guo)大使館提(ti)交回(hui)國(guo)申請,9月使館通(tong)知(zhi)她填寫有關回(hui)國(guo)事宜的表格(ge)。
1957年(nian)1月(yue)29日,幾經周折(zhe)抗爭,林蘭英(ying)乘坐(zuo)的客輪安抵香港,在國務院辦公廳周密安排下,她走(zou)上(shang)了深圳羅湖橋頭,回(hui)到了中(zhong)(zhong)國,之后由大弟林文(wen)豪送她經上(shang)海去北京,進入中(zhong)(zhong)國科(ke)學院物理研究所(suo)工作,歷(li)任研究員,副所(suo)長。
1960年,擔任中國科學院半導(dao)體(ti)研(yan)究所研(yan)究員。
1966年(nian),“文革(ge)”開始(shi)那年(nian),她還與中國第一(yi)位女院士林巧稚一(yi)同(tong)登上天(tian)安門(men)城(cheng)樓(lou),事后便跌于“文革(ge)”的沼澤中。
1977年—1983年,擔任中(zhong)國科(ke)學(xue)院半(ban)導體研究所(suo)(suo)副(fu)所(suo)(suo)長。
1980年(nian),當(dang)選為(wei)中國科學(xue)院(yuan)學(xue)部委員(院(yuan)士)。
2003年(nian)3月4日,在北京因病(bing)醫治無效逝世,享年(nian)85歲。
林蘭英先(xian)后負(fu)責研制成(cheng)中國第一根硅、銻化銦、砷(shen)化鎵(jia)、磷化鎵(jia)等(deng)單晶,為中國微電子(zi)(zi)和(he)光(guang)電子(zi)(zi)學的(de)發展奠定了基礎(chu),負(fu)責研制的(de)高純度汽相和(he)液相外延材料達到國際先(xian)水平。開創(chuang)了中國微重力半導體材料科學研究新領(ling)域,并(bing)在砷(shen)化鎵(jia)晶體太空(kong)生長和(he)性質研究方面取得了一定的(de)成(cheng)績。
1958年秋(qiu)天,林(lin)蘭(lan)英研(yan)發(fa)出中(zhong)(zhong)(zhong)國(guo)第(di)(di)一根硅(gui)單晶(jing),為制(zhi)造出無位(wei)錯硅(gui)單晶(jing),林(lin)蘭(lan)英又投(tou)入研(yan)發(fa)硅(gui)單晶(jing)爐(lu)。她仔細考察、分析了(le)蘇聯封(feng)閉式(shi)硅(gui)單晶(jing)爐(lu),發(fa)現了(le)不足,開(kai)始研(yan)究(jiu)設計中(zhong)(zhong)(zhong)國(guo)式(shi)硅(gui)單晶(jing)爐(lu)。1961年的深(shen)秋(qiu),由林(lin)蘭(lan)英主持設計加工(gong)的中(zhong)(zhong)(zhong)國(guo)第(di)(di)一臺(tai)開(kai)門式(shi)硅(gui)單晶(jing)爐(lu)制(zhi)造成功(gong)。1962年春,林(lin)蘭(lan)英依靠國(guo)產第(di)(di)一臺(tai)開(kai)門式(shi)硅(gui)單晶(jing)爐(lu),正式(shi)啟動拉制(zhi)工(gong)作。中(zhong)(zhong)(zhong)國(guo)第(di)(di)一根無位(wei)錯的硅(gui)單晶(jing)拉制(zhi)成功(gong),無位(wei)錯達國(guo)際(ji)先進水平(ping)。
根據2021年6月《莆田僑鄉時報》顯示,林蘭英先后四次獲(huo)得中國科(ke)學院科(ke)技進(jin)步獎(jiang)一等獎(jiang),兩次獲(huo)國家科(ke)技進(jin)步二、三等獎(jiang)。
時間 項目名稱 獎勵名稱
1981年 4K和16K硅DRAM及(ji)提高(gao)成品率研究 中國科(ke)學(xue)院(yuan)科(ke)學(xue)技術(shu)進步獎一等獎
1985年(nian) 提高砷化鎵(jia)材料質量(liang)的研究 國家科學技術進(jin)步獎二等獎(排名第一(yi))
1986年(nian) 高壓液封法生長熱穩定不(bu)摻雜(za)半(ban)絕緣GaAs 中(zhong)國科(ke)學(xue)院(yuan)科(ke)學(xue)技術進步獎三等(deng)獎(排名第一)
1989年 微重力(li)條件下從溶(rong)體生長GaAs單晶及性質研(yan)究 中國科(ke)學院科(ke)學技(ji)術(shu)進步獎一等獎(排名第一)
1990年 等(deng)電子雜質In在GaAs中行為的研究 中國科學院科學技術進(jin)步(bu)獎(jiang)(jiang)三等(deng)獎(jiang)(jiang)(排名第一(yi))
1991年 集(ji)成電路(lu)用半絕(jue)緣砷(shen)化鎵熱穩定性和均勻性研究 中國科學(xue)院科學(xue)技術進步獎三等獎(排名第一)
1995年 高質量GaAs/AlGaAs二維電子(zi)氣材料研制及其器(qi)件應(ying)用(yong) 中國科(ke)學院科(ke)學技術進(jin)步獎(jiang)二等獎(jiang)(排名第六)
1996年 ф2”和(he)ф3”非(fei)摻Si-GaAs單晶(片(pian))研(yan)究 中國(guo)科(ke)學(xue)院科(ke)學(xue)技(ji)術進(jin)步獎(jiang)二等(deng)獎(jiang)(排名第(di)一)
1940年,林蘭(lan)英(ying)從福建(jian)協(xie)和大學(xue)畢(bi)業后作為優秀生留校(xiao)任助教(jiao),教(jiao)授《普通(tong)物(wu)理(li)學(xue)》《高等(deng)數學(xue)》《光學(xue)》《物(wu)性聲學(xue)》《電(dian)磁學(xue)》等(deng)課程。
時間(jian) 榮譽表彰 授予單(dan)位
1980年(nian) 中國科學(xue)(xue)院學(xue)(xue)部委(wei)員(院士) 中華人民(min)共和國國務院
1996年 何梁(liang)何利基金科學與技(ji)術(shu)進步獎(jiang) 何梁(liang)何利基金
1998年 霍英(ying)東成就獎
林蘭英是中國(guo)(guo)半導體科(ke)學(xue)(xue)事業(ye)開拓者之一。(中國(guo)(guo)科(ke)學(xue)(xue)院(yuan)學(xue)(xue)部(bu)與院(yuan)士評)
林蘭(lan)英從事半導體(ti)(ti)材料(liao)(liao)科(ke)學40年,是中(zhong)國(guo)半導體(ti)(ti)材料(liao)(liao)科(ke)學的(de)奠基人,對中(zhong)國(guo)半導體(ti)(ti)材料(liao)(liao)科(ke)學的(de)發展作出了重(zhong)大貢獻(xian)。(何梁何利基金(jin)評)
林蘭(lan)英的(de)工作極大地推進了中(zhong)國(guo)半導體材料(liao)的(de)研(yan)究高度,為微(wei)電子和光電子學的(de)發展奠定了基礎,為中(zhong)國(guo)太(tai)空事(shi)業做出巨大貢獻。(《莆田(tian)僑鄉時報(bao)》評(ping))
林(lin)蘭英是中國(guo)半導體材料科(ke)(ke)技最(zui)著名的(de)開拓(tuo)者(zhe),她帶動同事一起創造了多個“新(xin)中國(guo)的(de)第一”,受到全(quan)世(shi)界科(ke)(ke)學家關注(zhu),被譽為“中國(guo)太(tai)空材料之(zhi)母”。(新(xin)浪新(xin)聞評(ping))
時間 擔任職務
1975年(nian)(nian)—1993年(nian)(nian) 中華人民共和國(guo)第四、五(wu)、六、七屆全國(guo)人民代表大會代表
1978年(nian)—1985年(nian) 中國電子(zi)材(cai)料行業(ye)協會(hui)主任委員
1980年—1996年 中國科學技(ji)術協會副主(zhu)席(第二(er)至四屆(jie))
1986年 國(guo)家自然(ran)科學基金委(wei)員會委(wei)員
林(lin)蘭英的祖(zu)先林(lin)潤(1530-1569)是明朝(chao)嘉靖(jing)年間的御(yu)史大夫。因扳倒(dao)當朝(chao)丞相奸臣嚴嵩父子而(er)名震朝(chao)野。林(lin)蘭英的祖(zu)父經商有成,父親大學畢業后在外地工作,母親在家主持家政(zheng)。
2002年,因莆田(tian)舊城(cheng)(cheng)改造,林(lin)(lin)潤故(gu)居原樣遷(qian)移到(dao)莆田(tian)城(cheng)(cheng)南鄉溝頭(tou)村(cun)的莆田(tian)一中新校區內,內含林(lin)(lin)潤的后裔、林(lin)(lin)蘭(lan)英(ying)院士故(gu)居。林(lin)(lin)蘭(lan)英(ying)去(qu)世后,骨灰從北(bei)京運至林(lin)(lin)潤故(gu)居內埋葬并建立林(lin)(lin)蘭(lan)英(ying)陵(ling)園。故(gu)居的廳(ting)堂(tang)豎(shu)立林(lin)(lin)蘭(lan)英(ying)塑像。林(lin)(lin)蘭(lan)英(ying)在北(bei)京的住宅(zhai)和辦公室中的所(suo)有書籍和家具(ju)也運回莆田(tian)故(gu)居,陳(chen)列(lie)在林(lin)(lin)潤故(gu)居內。
2004年(nian)12月,林(lin)蘭(lan)英院(yuan)士塑像揭幕儀(yi)式在莆田第一(yi)中學舉(ju)行,中國科學院(yuan)半導(dao)體研究所所長李晉閩及莆田市有關領導(dao)、部(bu)分科技專家、教師(shi)和學生(sheng)共數千(qian)人(ren)參(can)加了揭幕儀(yi)式。
2013年(nian),在林蘭英(ying)院士(shi)逝世十周年(nian)之(zhi)(zhi)際,為(wei)表達對她的(de)(de)思念之(zhi)(zhi)情(qing)和(he)敬仰之(zhi)(zhi)意,學習老一(yi)輩科(ke)學家的(de)(de)高尚品(pin)德(de)和(he)創新精神,中國科(ke)學院半導(dao)體研究所特編輯(ji)制(zhi)作了《林蘭英(ying)院士(shi)紀念文(wen)集》。
紀念(nian)林蘭英院士逝世(shi)十(shi)周年(nian)座談會
2013年(nian)3月(yue)4日(ri),在(zai)林(lin)蘭(lan)英院(yuan)士逝世10周年(nian)之際,為了弘(hong)揚她(ta)(ta)的(de)愛國精神、回顧她(ta)(ta)的(de)杰出成就、秉(bing)承她(ta)(ta)的(de)科學(xue)思想,在(zai)中國科學(xue)院(yuan)半導體研究所學(xue)術會(hui)議中心召開(kai)紀念(nian)林(lin)蘭(lan)英院(yuan)士逝世十周年(nian)座談會(hui)。