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人物簡介

林蘭英（1918年2月7日—2003年3月4日），女，福(fu)建(jian)莆田(tian)人，半導體(ti)材料科學(xue)(xue)(xue)家，中(zhong)國(guo)科學(xue)(xue)(xue)院學(xue)(xue)(xue)部委(wei)員(yuan)(yuan)，中(zhong)國(guo)科學(xue)(xue)(xue)院半導體(ti)研(yan)(yan)究(jiu)所研(yan)(yan)究(jiu)員(yuan)(yuan)、博(bo)士生導師。

林蘭(lan)英(ying)于1940年(nian)從福建協和大學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)畢業后留校任教；1948年(nian)赴美留學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)，進入(ru)(ru)賓夕法(fa)尼(ni)亞(ya)州迪(di)金(jin)森學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)院(yuan)(yuan)(yuan)數學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)系學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)習；1949年(nian)獲得迪(di)金(jin)森學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)院(yuan)(yuan)(yuan)數學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)士(shi)(shi)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)位(wei)，同年(nian)進入(ru)(ru)賓夕法(fa)尼(ni)亞(ya)大學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)研(yan)(yan)(yan)(yan)究生院(yuan)(yuan)(yuan)進行固體物(wu)理的研(yan)(yan)(yan)(yan)究，先后獲得碩士(shi)(shi)、博士(shi)(shi)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)位(wei)；1955年(nian)博士(shi)(shi)畢業后進入(ru)(ru)紐約(yue)長島的索菲尼(ni)亞(ya)公司(si)擔任高(gao)級工(gong)程師進行半(ban)導體研(yan)(yan)(yan)(yan)究；1957年(nian)1月(yue)回到中(zhong)國，并進入(ru)(ru)中(zhong)國科(ke)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)院(yuan)(yuan)(yuan)物(wu)理研(yan)(yan)(yan)(yan)究所(suo)工(gong)作；1960年(nian)中(zhong)國科(ke)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)院(yuan)(yuan)(yuan)半(ban)導體研(yan)(yan)(yan)(yan)究所(suo)成立后，林蘭(lan)英(ying)擔任該所(suo)研(yan)(yan)(yan)(yan)究員；1977年(nian)至(zhi)1983年(nian)擔任中(zhong)國科(ke)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)院(yuan)(yuan)(yuan)半(ban)導體研(yan)(yan)(yan)(yan)究所(suo)副所(suo)長；1980年(nian)當選為中(zhong)國科(ke)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)院(yuan)(yuan)(yuan)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)部委員（院(yuan)(yuan)(yuan)士(shi)(shi)）；2003年(nian)3月(yue)4日(ri)在(zai)北京逝世，享年(nian)85歲(sui)。

林蘭英主要從事半導體材料制備(bei)及(ji)物理的研(yan)究。在鍺單(dan)晶、硅單(dan)晶、砷化(hua)鎵(jia)單(dan)晶和高純銻化(hua)銦單(dan)晶的制備(bei)及(ji)性質等研(yan)究方(fang)面獲得成果，其(qi)中(zhong)砷化(hua)鎵(jia)氣相(xiang)和液相(xiang)外延單(dan)晶的純度及(ji)電子遷移(yi)率，均達(da)到(dao)國際先進(jin)水平(ping)。

主要經歷

1918年(nian)(nian)2月(yue)7日（農歷(li)丁巳(si)年(nian)(nian)十二月(yue)二十六日），林蘭(lan)英(ying)(ying)出生(sheng)于(yu)福建莆田(tian)縣。幼年(nian)(nian)為了(le)上(shang)學(xue)，經過一番絕食斗爭，家(jia)人同意林蘭(lan)英(ying)(ying)上(shang)了(le)礪青(qing)小學(xue)，林蘭(lan)英(ying)(ying)在礪青(qing)小學(xue)的(de)成績(ji)始終(zhong)在有著40多(duo)名男女學(xue)生(sheng)的(de)班中占居前(qian)兩名，校長(chang)彭介(jie)之決定保送她(ta)進(jin)入(ru)礪青(qing)中學(xue)。

1930年9月，進入(ru)礪(li)青(qing)中學(xue)初中部(bu)一(yi)(yi)年級(ji)，初中六(liu)個(ge)學(xue)期她都(dou)保持(chi)全年級(ji)第一(yi)(yi)。

1933年9月，進入莆(pu)田(tian)中學(xue)(xue)高中部一年級(ji)，成(cheng)了當時高一年級(ji)唯(wei)一的一名(ming)女生(sheng)，后來由于莆(pu)田(tian)中學(xue)(xue)搞起了學(xue)(xue)生(sheng)運動，林蘭英對運動本無興趣(qu)，轉學(xue)(xue)至莆(pu)田(tian)縣惟一的一所(suo)教會女子中學(xue)(xue)———咸(xian)益(yi)中學(xue)(xue)就讀(du)。

1936年，考入福(fu)(fu)建協(xie)和大學（現福(fu)(fu)建師范大學）物理系。

1940年，從福建(jian)協和大(da)學畢業后作為(wei)優(you)秀生留校任(ren)助教。

1944年(nian)，擔任福建(jian)協和大學講師。

1947年5月，福(fu)建協和大(da)學與美國賓(bin)夕法尼(ni)亞州的迪金森學院建立互換留(liu)學生的關系。

1948年8月9日，遠(yuan)涉重洋到美國留學(xue)(xue)，進入國賓(bin)夕(xi)法尼亞州的迪金森學(xue)(xue)院數學(xue)(xue)系學(xue)(xue)習。

1949年，獲(huo)得(de)迪金(jin)森學院數學學士學位(wei)，同時獲(huo)得(de)美國大學榮譽學會迪金(jin)森分會獎勵她的一枚金(jin)鑰匙；同年深秋，進入賓夕法尼亞大學研(yan)(yan)究生院，開始了固體物理(li)的研(yan)(yan)究。

1951年，獲得賓夕(xi)法尼亞大學(xue)固(gu)體物理學(xue)碩士(shi)學(xue)位，之后(hou)繼續攻讀博士(shi)學(xue)位，師從米勒教授。

1955年6月(yue)，憑(ping)借博(bo)士(shi)論文《弱(ruo)X射線輻照引起氯化鉀和氯化鈉(na)晶體的(de)(de)膨脹(zhang)》獲得賓夕法尼(ni)亞(ya)大(da)學固(gu)體物(wu)理學博(bo)士(shi)學位，是(shi)該校建校215年以來(lai)，第一(yi)位獲得博(bo)士(shi)學位的(de)(de)中國人，也是(shi)該校有史以來(lai)的(de)(de)第一(yi)位女博(bo)士(shi)。博(bo)士(shi)畢業后(hou)，導師推薦她(ta)去紐約長島(dao)專(zhuan)司(si)(si)(si)半導體研究的(de)(de)索(suo)菲(fei)(fei)尼(ni)亞(ya)公(gong)(gong)司(si)(si)(si)任高(gao)級工程(cheng)(cheng)師。之后(hou)，她(ta)被聘為(wei)從(cong)事(shi)半導體科研工作的(de)(de)索(suo)菲(fei)(fei)尼(ni)亞(ya)公(gong)(gong)司(si)(si)(si)（Sylvania公(gong)(gong)司(si)(si)(si)）高(gao)級工程(cheng)(cheng)師，靠林蘭英杰(jie)出的(de)(de)科學分析指導，公(gong)(gong)司(si)(si)(si)成(cheng)功地造出了第一(yi)根硅單晶，不(bu)久，又為(wei)公(gong)(gong)司(si)(si)(si)申報了兩項(xiang)專(zhuan)利，公(gong)(gong)司(si)(si)(si)三次提高(gao)她(ta)的(de)(de)年薪。林蘭英回國時索(suo)菲(fei)(fei)尼(ni)亞(ya)公(gong)(gong)司(si)(si)(si)給她(ta)年薪10000美元，回國后(hou)每月(yue)207元人民(min)幣。

1956年(nian)6月，林蘭英以“母(mu)親重病(bing)”為由(you)，向(xiang)印度駐美(mei)國(guo)大(da)使(shi)館(guan)提交回國(guo)申請，9月使(shi)館(guan)通知(zhi)她填(tian)寫有關回國(guo)事宜(yi)的表格(ge)。

1957年1月29日，幾(ji)經周折(zhe)抗爭，林(lin)蘭英乘(cheng)坐的客輪安抵香港，在(zai)國務(wu)院辦公廳周密安排下(xia)，她(ta)走上了(le)深圳羅湖橋頭，回到了(le)中(zhong)國，之后由大弟林(lin)文豪送她(ta)經上海去(qu)北京，進(jin)入(ru)中(zhong)國科學院物理研(yan)究所工作，歷任研(yan)究員，副所長。

1960年，擔任中國科學院半導(dao)體(ti)研究所研究員。

1966年，“文(wen)革”開始那(nei)年，她還(huan)與中國(guo)第(di)一位女院士林巧(qiao)稚一同登上天安(an)門城樓，事后便跌于“文(wen)革”的沼澤中。

1977年—1983年，擔任(ren)中國科學院(yuan)半導(dao)體研究所副(fu)所長。

1980年，當選為中國科(ke)學(xue)院學(xue)部(bu)委員（院士）。

2003年3月4日(ri)，在北京(jing)因病醫治無效逝(shi)世，享年85歲。

貢獻影響

科研成就

科研綜述

林蘭英先后(hou)負(fu)責研(yan)制(zhi)成中(zhong)(zhong)國第一根硅、銻化(hua)(hua)銦、砷(shen)化(hua)(hua)鎵、磷(lin)化(hua)(hua)鎵等單晶，為中(zhong)(zhong)國微(wei)電子(zi)和光電子(zi)學(xue)的發展奠定(ding)了基礎，負(fu)責研(yan)制(zhi)的高(gao)純度汽相(xiang)和液相(xiang)外延材(cai)料達到國際先水平。開創了中(zhong)(zhong)國微(wei)重力(li)半導體材(cai)料科學(xue)研(yan)究新(xin)領(ling)域(yu)，并(bing)在砷(shen)化(hua)(hua)鎵晶體太空生長和性質研(yan)究方面取得了一定(ding)的成績(ji)。

1958年秋天，林蘭(lan)英研發(fa)出(chu)中國(guo)第(di)一根硅(gui)(gui)(gui)(gui)單晶，為制造出(chu)無(wu)(wu)位錯(cuo)硅(gui)(gui)(gui)(gui)單晶，林蘭(lan)英又投入(ru)研發(fa)硅(gui)(gui)(gui)(gui)單晶爐。她仔(zi)細考(kao)察、分析了蘇聯封閉(bi)式(shi)硅(gui)(gui)(gui)(gui)單晶爐，發(fa)現了不足，開始研究設(she)計(ji)中國(guo)式(shi)硅(gui)(gui)(gui)(gui)單晶爐。1961年的(de)深秋，由林蘭(lan)英主持設(she)計(ji)加工的(de)中國(guo)第(di)一臺開門式(shi)硅(gui)(gui)(gui)(gui)單晶爐制造成功(gong)。1962年春，林蘭(lan)英依靠(kao)國(guo)產第(di)一臺開門式(shi)硅(gui)(gui)(gui)(gui)單晶爐，正式(shi)啟動(dong)拉制工作(zuo)。中國(guo)第(di)一根無(wu)(wu)位錯(cuo)的(de)硅(gui)(gui)(gui)(gui)單晶拉制成功(gong)，無(wu)(wu)位錯(cuo)達(da)國(guo)際先進水平。

科研成果獎勵

根據2021年6月《莆田僑鄉時報》顯示(shi)，林蘭英先后四次獲(huo)得中國科學院科技進步(bu)獎(jiang)一等獎(jiang)，兩次獲(huo)國家科技進步(bu)二、三等獎(jiang)。

時(shi)間 項目名稱(cheng) 獎勵(li)名稱(cheng)

1981年(nian) 4K和16K硅(gui)DRAM及提(ti)高成品率研究 中國科學院科學技術進步獎(jiang)一(yi)等獎(jiang)

1985年 提高砷化鎵材料質量的(de)研究 國家科學技術進步獎(jiang)二等獎(jiang)（排(pai)名第一）

1986年 高壓(ya)液封法生長熱穩定不(bu)摻雜半絕緣GaAs 中(zhong)國科學(xue)院科學(xue)技(ji)術進步獎三等獎（排名(ming)第(di)一(yi)）

1989年(nian) 微重力條件下從(cong)溶體生長GaAs單晶(jing)及性質(zhi)研(yan)究 中國科學院(yuan)科學技術進步(bu)獎一(yi)等獎（排名(ming)第一(yi)）

1990年(nian) 等(deng)電子雜質In在GaAs中(zhong)行為的研究 中(zhong)國科學院科學技(ji)術進步獎三等(deng)獎（排(pai)名第一）

1991年 集成電路用(yong)半絕緣砷化鎵熱穩定性和均勻性研究 中國(guo)科(ke)學院科(ke)學技(ji)術(shu)進步(bu)獎三等獎（排(pai)名第一）

1995年 高質量GaAs/AlGaAs二維電子氣材(cai)料研制(zhi)及其器件應用 中(zhong)國科(ke)學院科(ke)學技術進步獎(jiang)(jiang)二等獎(jiang)(jiang)（排名(ming)第六）

1996年 ф2”和ф3”非摻Si-GaAs單(dan)晶(jing)（片）研(yan)究(jiu) 中(zhong)國科學院科學技術進步獎二等獎（排(pai)名第一）

人才培養

講授課程

1940年，林蘭(lan)英從福(fu)建協和大(da)學畢業(ye)后作為優秀生留校任(ren)助教(jiao)，教(jiao)授(shou)《普通物理學》《高等(deng)數學》《光(guang)學》《物性(xing)聲學》《電(dian)磁學》等(deng)課程。

獲獎記錄

時間 榮譽表彰 授(shou)予單位

1980年(nian) 中國科學院(yuan)(yuan)(yuan)學部委(wei)員（院(yuan)(yuan)(yuan)士） 中華(hua)人民共(gong)和(he)國國務院(yuan)(yuan)(yuan)

1996年(nian) 何(he)(he)梁何(he)(he)利基(ji)金科(ke)學與技術進步獎 何(he)(he)梁何(he)(he)利基(ji)金

1998年(nian) 霍英(ying)東(dong)成就獎

人物評價

林蘭(lan)英是(shi)中(zhong)國(guo)(guo)半導體(ti)科學(xue)事業(ye)開拓者之一。（中(zhong)國(guo)(guo)科學(xue)院學(xue)部(bu)與(yu)院士(shi)評）

林蘭(lan)英從事半導體材(cai)料科學(xue)(xue)40年，是中(zhong)國(guo)半導體材(cai)料科學(xue)(xue)的奠(dian)基人(ren)，對中(zhong)國(guo)半導體材(cai)料科學(xue)(xue)的發展(zhan)作出了重大貢(gong)獻。（何梁(liang)何利(li)基金評）

林(lin)蘭(lan)英的工作極大(da)地(di)推進了(le)中國半導體材(cai)料的研究(jiu)高度，為(wei)微電(dian)(dian)子和光電(dian)(dian)子學的發(fa)展奠定了(le)基礎，為(wei)中國太(tai)空事業(ye)做出巨大(da)貢獻。（《莆(pu)田僑鄉時報》評）

林蘭英是中國半(ban)導體材料科(ke)技最(zui)著名的(de)開拓者，她帶動同事(shi)一起創造了(le)多個“新中國的(de)第一”，受到全世界科(ke)學家關注，被(bei)譽(yu)為(wei)“中國太空材料之母”。（新浪(lang)新聞評）

其他信息

社會任職

時間 擔任職務

1975年—1993年 中華人民共和國(guo)(guo)第四、五、六、七屆全(quan)國(guo)(guo)人民代(dai)(dai)表(biao)大會(hui)代(dai)(dai)表(biao)

1978年—1985年 中(zhong)國電子材(cai)料行(xing)業協會主任(ren)委(wei)員

1980年—1996年 中國科學技術協會副(fu)主席（第二至四屆）

1986年 國家自(zi)然科學基金委(wei)員會委(wei)員

個人生活

家世背景

林(lin)蘭英的(de)(de)祖(zu)先(xian)林(lin)潤（1530-1569）是明朝(chao)嘉(jia)靖年間的(de)(de)御史大(da)夫。因(yin)扳倒當朝(chao)丞相奸臣(chen)嚴嵩父(fu)子而(er)名震朝(chao)野。林(lin)蘭英的(de)(de)祖(zu)父(fu)經(jing)商(shang)有成，父(fu)親大(da)學畢業(ye)后在外(wai)地(di)工作(zuo)，母親在家主(zhu)持家政。

后世紀念

林蘭英故居

2002年，因(yin)莆(pu)(pu)(pu)田(tian)舊城改(gai)造(zao)，林(lin)(lin)潤(run)故居(ju)(ju)原樣遷移到莆(pu)(pu)(pu)田(tian)城南鄉溝頭(tou)村(cun)的(de)莆(pu)(pu)(pu)田(tian)一中新校區內，內含林(lin)(lin)潤(run)的(de)后裔(yi)、林(lin)(lin)蘭(lan)(lan)(lan)英院士故居(ju)(ju)。林(lin)(lin)蘭(lan)(lan)(lan)英去(qu)世后，骨(gu)灰從北京(jing)運至林(lin)(lin)潤(run)故居(ju)(ju)內埋葬并(bing)建立(li)(li)林(lin)(lin)蘭(lan)(lan)(lan)英陵園。故居(ju)(ju)的(de)廳堂豎立(li)(li)林(lin)(lin)蘭(lan)(lan)(lan)英塑像(xiang)。林(lin)(lin)蘭(lan)(lan)(lan)英在北京(jing)的(de)住宅(zhai)和辦公室中的(de)所有書籍和家(jia)具也運回莆(pu)(pu)(pu)田(tian)故居(ju)(ju)，陳列在林(lin)(lin)潤(run)故居(ju)(ju)內。

林蘭英院士塑像

2004年12月，林蘭英院士塑像揭(jie)幕(mu)儀式在莆(pu)田第一(yi)中(zhong)學舉行(xing)，中(zhong)國科學院半導體研究所所長李晉閩及莆(pu)田市有關領導、部分(fen)科技(ji)專家、教師和學生共(gong)數(shu)千人參加了(le)揭(jie)幕(mu)儀式。

林蘭英院士紀念文集

2013年，在林(lin)蘭英(ying)院(yuan)士逝世十周年之(zhi)(zhi)際，為表(biao)達對她的(de)思念之(zhi)(zhi)情和(he)敬仰之(zhi)(zhi)意，學(xue)習老一輩科(ke)學(xue)家的(de)高尚品(pin)德(de)和(he)創新(xin)精神，中(zhong)國科(ke)學(xue)院(yuan)半導體研究所特編輯制作了(le)《林(lin)蘭英(ying)院(yuan)士紀念文(wen)集(ji)》。

紀(ji)念林蘭英院士逝世十周年座談會

2013年(nian)3月4日，在(zai)林蘭英院士(shi)逝(shi)世(shi)10周年(nian)之際，為了弘(hong)揚她的(de)愛國精神、回顧她的(de)杰出成就、秉(bing)承她的(de)科學思想，在(zai)中國科學院半導體研(yan)究所(suo)學術會議中心(xin)召開紀念林蘭英院士(shi)逝(shi)世(shi)十周年(nian)座(zuo)談會。