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人物簡介

林蘭英（1918年2月7日—2003年3月4日），女，福建莆田人(ren)，半導(dao)體材(cai)料科(ke)學(xue)家，中(zhong)國科(ke)學(xue)院學(xue)部委員，中(zhong)國科(ke)學(xue)院半導(dao)體研究(jiu)所研究(jiu)員、博士生導(dao)師。

林蘭(lan)英于1940年(nian)(nian)(nian)從福建協和大(da)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)畢(bi)業(ye)后(hou)留校任教；1948年(nian)(nian)(nian)赴美留學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)，進(jin)(jin)入賓(bin)夕(xi)法(fa)尼亞州迪金森(sen)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)院數學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)系學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)習；1949年(nian)(nian)(nian)獲得迪金森(sen)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)院數學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)士學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)位(wei)，同(tong)年(nian)(nian)(nian)進(jin)(jin)入賓(bin)夕(xi)法(fa)尼亞大(da)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)研究(jiu)生院進(jin)(jin)行固體(ti)物(wu)理的研究(jiu)，先后(hou)獲得碩士、博士學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)位(wei)；1955年(nian)(nian)(nian)博士畢(bi)業(ye)后(hou)進(jin)(jin)入紐約長(chang)島(dao)的索菲尼亞公司擔(dan)任高(gao)級工(gong)程師進(jin)(jin)行半導體(ti)研究(jiu)；1957年(nian)(nian)(nian)1月回到中(zhong)(zhong)國(guo)(guo)，并進(jin)(jin)入中(zhong)(zhong)國(guo)(guo)科(ke)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)院物(wu)理研究(jiu)所(suo)工(gong)作；1960年(nian)(nian)(nian)中(zhong)(zhong)國(guo)(guo)科(ke)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)院半導體(ti)研究(jiu)所(suo)成立后(hou)，林蘭(lan)英擔(dan)任該所(suo)研究(jiu)員；1977年(nian)(nian)(nian)至1983年(nian)(nian)(nian)擔(dan)任中(zhong)(zhong)國(guo)(guo)科(ke)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)院半導體(ti)研究(jiu)所(suo)副所(suo)長(chang)；1980年(nian)(nian)(nian)當選(xuan)為中(zhong)(zhong)國(guo)(guo)科(ke)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)院學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)部委員（院士）；2003年(nian)(nian)(nian)3月4日在北京逝(shi)世，享年(nian)(nian)(nian)85歲(sui)。

林蘭英主要從事(shi)半導(dao)體材料制備及(ji)物(wu)理的(de)(de)研(yan)究(jiu)。在鍺單(dan)晶(jing)、硅單(dan)晶(jing)、砷化鎵單(dan)晶(jing)和高純(chun)銻(ti)化銦單(dan)晶(jing)的(de)(de)制備及(ji)性質(zhi)等研(yan)究(jiu)方面獲(huo)得成果，其中砷化鎵氣(qi)相和液相外延(yan)單(dan)晶(jing)的(de)(de)純(chun)度及(ji)電子遷移率，均達到(dao)國際先進水平。

主要經歷

1918年2月7日（農歷丁巳(si)年十二(er)月二(er)十六(liu)日），林蘭英(ying)出生(sheng)于福建莆田縣(xian)。幼年為了上學(xue)，經過一番絕食斗爭(zheng)，家人同意(yi)林蘭英(ying)上了礪青(qing)小學(xue)，林蘭英(ying)在礪青(qing)小學(xue)的成(cheng)績始終在有著40多名男女(nv)學(xue)生(sheng)的班中占(zhan)居前(qian)兩名，校長彭(peng)介之決定保送(song)她進(jin)入礪青(qing)中學(xue)。

1930年(nian)9月，進入礪青中(zhong)(zhong)學初(chu)中(zhong)(zhong)部(bu)一(yi)年(nian)級(ji)(ji)，初(chu)中(zhong)(zhong)六個學期她都保持全年(nian)級(ji)(ji)第一(yi)。

1933年(nian)9月，進入(ru)莆(pu)田中(zhong)學(xue)(xue)(xue)高(gao)(gao)中(zhong)部一(yi)(yi)年(nian)級(ji)，成了當(dang)時高(gao)(gao)一(yi)(yi)年(nian)級(ji)唯一(yi)(yi)的一(yi)(yi)名女生，后來(lai)由于莆(pu)田中(zhong)學(xue)(xue)(xue)搞起了學(xue)(xue)(xue)生運(yun)動，林(lin)蘭英對運(yun)動本無(wu)興(xing)趣，轉學(xue)(xue)(xue)至莆(pu)田縣惟一(yi)(yi)的一(yi)(yi)所教(jiao)會女子中(zhong)學(xue)(xue)(xue)———咸益中(zhong)學(xue)(xue)(xue)就讀。

1936年，考(kao)入福建協和大學（現(xian)福建師范大學）物理(li)系。

1940年，從福建(jian)協和大(da)學畢業(ye)后作為優秀生(sheng)留校任助教。

1944年，擔任(ren)福建協和大學講師。

1947年5月，福(fu)建協(xie)和(he)大學與美(mei)國賓夕法尼(ni)亞州的(de)迪(di)金森學院(yuan)建立互換(huan)留學生的(de)關系。

1948年8月9日，遠涉重洋到美國留學(xue)(xue)(xue)，進入國賓夕法尼亞州的迪金森學(xue)(xue)(xue)院數學(xue)(xue)(xue)系學(xue)(xue)(xue)習。

1949年，獲得迪金森(sen)學(xue)院數學(xue)學(xue)士學(xue)位，同時獲得美(mei)國大學(xue)榮譽學(xue)會迪金森(sen)分會獎勵她的一枚金鑰匙；同年深秋，進入賓(bin)夕法尼亞(ya)大學(xue)研(yan)究(jiu)生(sheng)院，開始(shi)了固體(ti)物理的研(yan)究(jiu)。

1951年，獲得賓夕法尼亞大學(xue)固(gu)體(ti)物理學(xue)碩士(shi)學(xue)位，之后繼續攻(gong)讀博士(shi)學(xue)位，師從米勒教授。

1955年6月(yue)，憑借博(bo)(bo)士(shi)(shi)(shi)論文(wen)《弱X射線輻(fu)照引起氯化鉀和(he)氯化鈉(na)晶(jing)體的(de)(de)(de)膨脹》獲得(de)賓夕(xi)法尼(ni)亞大學固體物理學博(bo)(bo)士(shi)(shi)(shi)學位(wei)，是該(gai)校(xiao)建校(xiao)215年以(yi)(yi)來(lai)，第(di)一(yi)位(wei)獲得(de)博(bo)(bo)士(shi)(shi)(shi)學位(wei)的(de)(de)(de)中國(guo)人，也是該(gai)校(xiao)有史以(yi)(yi)來(lai)的(de)(de)(de)第(di)一(yi)位(wei)女博(bo)(bo)士(shi)(shi)(shi)。博(bo)(bo)士(shi)(shi)(shi)畢業后(hou)(hou)，導(dao)(dao)(dao)師(shi)推薦她(ta)去紐(niu)約長島專司(si)半(ban)導(dao)(dao)(dao)體研(yan)究的(de)(de)(de)索菲尼(ni)亞公(gong)(gong)司(si)任高(gao)級工(gong)程(cheng)師(shi)。之后(hou)(hou)，她(ta)被聘為(wei)(wei)從事半(ban)導(dao)(dao)(dao)體科研(yan)工(gong)作的(de)(de)(de)索菲尼(ni)亞公(gong)(gong)司(si)（Sylvania公(gong)(gong)司(si)）高(gao)級工(gong)程(cheng)師(shi)，靠林蘭英杰出(chu)的(de)(de)(de)科學分析指導(dao)(dao)(dao)，公(gong)(gong)司(si)成功地(di)造出(chu)了第(di)一(yi)根硅單晶(jing)，不久，又為(wei)(wei)公(gong)(gong)司(si)申報(bao)了兩項專利，公(gong)(gong)司(si)三(san)次提高(gao)她(ta)的(de)(de)(de)年薪。林蘭英回國(guo)時索菲尼(ni)亞公(gong)(gong)司(si)給她(ta)年薪10000美元(yuan)，回國(guo)后(hou)(hou)每(mei)月(yue)207元(yuan)人民幣。

1956年(nian)6月，林蘭(lan)英以(yi)“母親重病”為由，向印(yin)度駐美國大(da)使(shi)館提交回國申請，9月使(shi)館通知她填寫有關回國事宜的表格(ge)。

1957年1月(yue)29日，幾經(jing)周折抗爭，林(lin)(lin)蘭(lan)英(ying)乘坐(zuo)的客輪安(an)抵香(xiang)港(gang)，在國務院辦(ban)公廳(ting)周密安(an)排(pai)下，她走上了深圳(zhen)羅湖(hu)橋頭，回(hui)到了中(zhong)國，之(zhi)后(hou)由(you)大(da)弟林(lin)(lin)文豪(hao)送她經(jing)上海去(qu)北京，進入(ru)中(zhong)國科學院物(wu)理研究所工作，歷任研究員(yuan)，副所長(chang)。

1960年，擔任中國科學院半(ban)導(dao)體研究所研究員。

1966年，“文革”開始那(nei)年，她還與中(zhong)國第一位(wei)女院士林巧稚一同(tong)登上天安門城樓(lou)，事后便(bian)跌于“文革”的沼澤中(zhong)。

1977年—1983年，擔(dan)任中國科(ke)學院半導(dao)體(ti)研究所副(fu)所長。

1980年(nian)，當選為中國科學院學部委(wei)員（院士(shi)）。

2003年(nian)3月4日，在(zai)北京(jing)因病醫(yi)治(zhi)無效逝(shi)世(shi)，享年(nian)85歲(sui)。

貢獻影響

科研成就

科研綜述

林蘭英先后負責研制(zhi)成(cheng)(cheng)中(zhong)國第(di)一(yi)根硅、銻(ti)化(hua)銦、砷化(hua)鎵(jia)、磷化(hua)鎵(jia)等單晶(jing)，為中(zhong)國微(wei)電子和光電子學(xue)的發展奠定(ding)(ding)了基礎(chu)，負責研制(zhi)的高純度(du)汽相(xiang)和液相(xiang)外延(yan)材料達到國際先水平。開創(chuang)了中(zhong)國微(wei)重力半導體(ti)材料科學(xue)研究新領域(yu)，并(bing)在(zai)砷化(hua)鎵(jia)晶(jing)體(ti)太空生長和性質研究方(fang)面取得了一(yi)定(ding)(ding)的成(cheng)(cheng)績。

1958年(nian)秋(qiu)天，林蘭(lan)英研發出中(zhong)(zhong)國第一(yi)根硅單晶(jing)，為制(zhi)造出無位錯(cuo)(cuo)硅單晶(jing)，林蘭(lan)英又投入研發硅單晶(jing)爐(lu)(lu)。她仔(zi)細考察、分析了(le)蘇聯(lian)封(feng)閉式(shi)硅單晶(jing)爐(lu)(lu)，發現了(le)不足，開始(shi)研究設(she)計中(zhong)(zhong)國式(shi)硅單晶(jing)爐(lu)(lu)。1961年(nian)的深秋(qiu)，由林蘭(lan)英主持設(she)計加工(gong)的中(zhong)(zhong)國第一(yi)臺(tai)開門(men)式(shi)硅單晶(jing)爐(lu)(lu)制(zhi)造成功。1962年(nian)春，林蘭(lan)英依靠國產第一(yi)臺(tai)開門(men)式(shi)硅單晶(jing)爐(lu)(lu)，正式(shi)啟(qi)動拉制(zhi)工(gong)作。中(zhong)(zhong)國第一(yi)根無位錯(cuo)(cuo)的硅單晶(jing)拉制(zhi)成功，無位錯(cuo)(cuo)達國際先進水平(ping)。

科研成果獎勵

根據(ju)2021年6月《莆田僑鄉時報(bao)》顯示，林蘭英先后(hou)四次獲得中(zhong)國(guo)科學院科技進(jin)(jin)步獎(jiang)一(yi)等獎(jiang)，兩次獲國(guo)家科技進(jin)(jin)步二(er)、三等獎(jiang)。

時間 項(xiang)目名稱(cheng) 獎勵名稱(cheng)

1981年(nian) 4K和16K硅DRAM及(ji)提(ti)高成品率(lv)研究 中(zhong)國科學(xue)院科學(xue)技術(shu)進步獎一等獎

1985年 提高砷化(hua)鎵材料質量的研究 國家(jia)科學(xue)技(ji)術進步獎二(er)等獎（排名第一）

1986年 高壓液封法生長熱穩(wen)定不摻雜半絕(jue)緣(yuan)GaAs 中國(guo)科(ke)學院科(ke)學技術進步獎(jiang)三等獎(jiang)（排名(ming)第一）

1989年(nian) 微(wei)重(zhong)力(li)條件(jian)下從溶體生長GaAs單晶及性質研究 中國科學(xue)院(yuan)科學(xue)技術進步獎一(yi)等獎（排(pai)名第一(yi)）

1990年 等電子雜質In在GaAs中行為的研究 中國科學院科學技(ji)術(shu)進步獎三等獎（排(pai)名(ming)第一）

1991年 集成電路用半絕(jue)緣砷(shen)化鎵熱穩定性和均勻性研究 中國科學院科學技術進步獎三(san)等獎（排名第(di)一(yi)）

1995年 高質量GaAs/AlGaAs二維電子氣(qi)材料研制及(ji)其器件(jian)應用(yong) 中國科學院科學技術進步獎二等獎（排名第(di)六）

1996年 ф2”和ф3”非摻(chan)Si-GaAs單晶(jing)（片）研(yan)究 中國科學院科學技術進(jin)步獎二等獎（排名第一）

人才培養

講授課程

1940年，林蘭英從福建(jian)協和大學畢業(ye)后作為優秀生留校(xiao)任助(zhu)教，教授《普通(tong)物(wu)理學》《高等數學》《光學》《物(wu)性聲學》《電磁學》等課程。

獲獎記錄

時間 榮譽表彰 授予單位

1980年(nian) 中國(guo)科(ke)學院學部委(wei)員（院士） 中華人民共(gong)和國(guo)國(guo)務院

1996年 何(he)梁(liang)何(he)利(li)基金科(ke)學(xue)與(yu)技(ji)術(shu)進步(bu)獎 何(he)梁(liang)何(he)利(li)基金

1998年(nian) 霍英東成就(jiu)獎

人物評價

林(lin)蘭(lan)英是中(zhong)國半(ban)導體(ti)科(ke)學(xue)事業開(kai)拓者之一。（中(zhong)國科(ke)學(xue)院(yuan)學(xue)部(bu)與院(yuan)士評）

林蘭英從事半(ban)導(dao)體(ti)材(cai)料(liao)(liao)科學(xue)(xue)40年，是(shi)中國(guo)半(ban)導(dao)體(ti)材(cai)料(liao)(liao)科學(xue)(xue)的奠基人(ren)，對(dui)中國(guo)半(ban)導(dao)體(ti)材(cai)料(liao)(liao)科學(xue)(xue)的發(fa)展作出了重大貢獻。（何(he)梁何(he)利基金評）

林蘭英(ying)的工作極大地推進(jin)了中(zhong)國半導體材料(liao)的研究高度，為(wei)(wei)微電子(zi)和光電子(zi)學的發展奠定了基(ji)礎，為(wei)(wei)中(zhong)國太空事(shi)業做出(chu)巨大貢獻(xian)。（《莆(pu)田僑(qiao)鄉時報(bao)》評(ping)）

林蘭(lan)英是中(zhong)(zhong)國(guo)半導體材料科技最著名的(de)開拓者，她帶動同事(shi)一起創造了多個“新(xin)中(zhong)(zhong)國(guo)的(de)第一”，受到全世界科學(xue)家關注(zhu)，被譽為“中(zhong)(zhong)國(guo)太空材料之(zhi)母”。（新(xin)浪(lang)新(xin)聞評）

其他信息

社會任職

時間 擔任職務

1975年—1993年 中華人(ren)民共和國第四、五(wu)、六、七屆全國人(ren)民代(dai)表大會(hui)代(dai)表

1978年—1985年 中(zhong)國(guo)電子材料行業協會主任(ren)委(wei)員(yuan)

1980年(nian)—1996年(nian) 中(zhong)國科學技術協會副主(zhu)席（第二(er)至四屆）

1986年 國家自然科學基金(jin)委員會(hui)委員

個人生活

家世背景

林蘭英(ying)的(de)(de)祖(zu)先林潤（1530-1569）是明朝嘉靖(jing)年間的(de)(de)御史大夫。因扳倒當朝丞(cheng)相奸臣嚴嵩父(fu)子而名震(zhen)朝野。林蘭英(ying)的(de)(de)祖(zu)父(fu)經商有成(cheng)，父(fu)親大學畢業(ye)后在外地工作，母親在家主持家政。

后世紀念

林蘭英故居

2002年，因莆田舊城改造，林(lin)(lin)(lin)(lin)潤(run)(run)故(gu)居(ju)原樣遷移到(dao)莆田城南鄉溝頭村的(de)莆田一中新校(xiao)區內(nei)，內(nei)含林(lin)(lin)(lin)(lin)潤(run)(run)的(de)后裔、林(lin)(lin)(lin)(lin)蘭英院士故(gu)居(ju)。林(lin)(lin)(lin)(lin)蘭英去世(shi)后，骨(gu)灰從北京運至林(lin)(lin)(lin)(lin)潤(run)(run)故(gu)居(ju)內(nei)埋葬(zang)并(bing)建立林(lin)(lin)(lin)(lin)蘭英陵(ling)園。故(gu)居(ju)的(de)廳堂豎立林(lin)(lin)(lin)(lin)蘭英塑(su)像。林(lin)(lin)(lin)(lin)蘭英在北京的(de)住宅和(he)辦公室(shi)中的(de)所有書籍和(he)家具也運回(hui)莆田故(gu)居(ju)，陳(chen)列在林(lin)(lin)(lin)(lin)潤(run)(run)故(gu)居(ju)內(nei)。

林蘭英院士塑像

2004年12月，林蘭英院(yuan)士塑像揭幕(mu)儀式在莆田(tian)第一中學(xue)舉行，中國科(ke)(ke)學(xue)院(yuan)半(ban)導體研究所(suo)所(suo)長(chang)李晉(jin)閩及莆田(tian)市有關(guan)領導、部分科(ke)(ke)技專(zhuan)家、教(jiao)師和學(xue)生共數千人參加了(le)揭幕(mu)儀式。

林蘭英院士紀念文集

2013年，在林(lin)蘭英院(yuan)士逝世十周(zhou)年之際，為表達對她的(de)思念之情和(he)敬(jing)仰之意，學習老一輩科(ke)學家的(de)高尚品德和(he)創新精神(shen)，中國科(ke)學院(yuan)半導體研究所(suo)特編輯(ji)制作(zuo)了(le)《林(lin)蘭英院(yuan)士紀念文集(ji)》。

紀念林(lin)蘭英院士逝世十周年座談會(hui)

2013年3月4日(ri)，在林蘭英院(yuan)士逝(shi)世10周年之際，為了弘揚(yang)她(ta)的(de)愛國精神、回顧她(ta)的(de)杰出成就、秉(bing)承她(ta)的(de)科(ke)學思(si)想(xiang)，在中(zhong)國科(ke)學院(yuan)半導體(ti)研(yan)究(jiu)所學術會議中(zhong)心召開(kai)紀念林蘭英院(yuan)士逝(shi)世十(shi)周年座談(tan)會。