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人物簡介

林蘭英（1918年(nian)(nian)2月7日—2003年(nian)(nian)3月4日），女，福建莆田(tian)人，半(ban)導體材(cai)料科學(xue)家，中國科學(xue)院(yuan)(yuan)學(xue)部委員，中國科學(xue)院(yuan)(yuan)半(ban)導體研究所研究員、博士(shi)生(sheng)導師。

林蘭英(ying)于1940年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)從福建協和(he)大學(xue)(xue)(xue)畢業后(hou)留校任(ren)教；1948年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)赴美留學(xue)(xue)(xue)，進(jin)入賓(bin)夕法尼亞州(zhou)迪金(jin)森(sen)學(xue)(xue)(xue)院(yuan)數學(xue)(xue)(xue)系學(xue)(xue)(xue)習；1949年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)獲得(de)迪金(jin)森(sen)學(xue)(xue)(xue)院(yuan)數學(xue)(xue)(xue)學(xue)(xue)(xue)士(shi)學(xue)(xue)(xue)位(wei)，同年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)進(jin)入賓(bin)夕法尼亞大學(xue)(xue)(xue)研(yan)究(jiu)(jiu)生院(yuan)進(jin)行(xing)固(gu)體物理的研(yan)究(jiu)(jiu)，先后(hou)獲得(de)碩士(shi)、博(bo)(bo)士(shi)學(xue)(xue)(xue)位(wei)；1955年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)博(bo)(bo)士(shi)畢業后(hou)進(jin)入紐約(yue)長島(dao)的索菲(fei)尼亞公司擔(dan)任(ren)高級工程師進(jin)行(xing)半(ban)導(dao)體研(yan)究(jiu)(jiu)；1957年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)1月(yue)回到中國(guo)，并(bing)進(jin)入中國(guo)科學(xue)(xue)(xue)院(yuan)物理研(yan)究(jiu)(jiu)所(suo)(suo)(suo)(suo)工作；1960年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)中國(guo)科學(xue)(xue)(xue)院(yuan)半(ban)導(dao)體研(yan)究(jiu)(jiu)所(suo)(suo)(suo)(suo)成立后(hou)，林蘭英(ying)擔(dan)任(ren)該所(suo)(suo)(suo)(suo)研(yan)究(jiu)(jiu)員；1977年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)至(zhi)1983年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)擔(dan)任(ren)中國(guo)科學(xue)(xue)(xue)院(yuan)半(ban)導(dao)體研(yan)究(jiu)(jiu)所(suo)(suo)(suo)(suo)副(fu)所(suo)(suo)(suo)(suo)長；1980年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)當選為中國(guo)科學(xue)(xue)(xue)院(yuan)學(xue)(xue)(xue)部委員（院(yuan)士(shi)）；2003年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)3月(yue)4日在北京逝世，享年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)85歲。

林(lin)蘭(lan)英主(zhu)要從事半導(dao)體材(cai)料制備及(ji)物理的研究(jiu)。在鍺(zang)單(dan)晶(jing)、硅(gui)單(dan)晶(jing)、砷(shen)(shen)化鎵(jia)單(dan)晶(jing)和(he)高(gao)純(chun)銻化銦單(dan)晶(jing)的制備及(ji)性質(zhi)等研究(jiu)方面獲得成(cheng)果，其(qi)中砷(shen)(shen)化鎵(jia)氣相和(he)液相外延單(dan)晶(jing)的純(chun)度及(ji)電(dian)子遷移率，均(jun)達(da)到國際先進(jin)水平(ping)。

主要經歷

1918年(nian)2月(yue)7日(ri)（農(nong)歷(li)丁巳(si)年(nian)十二(er)月(yue)二(er)十六日(ri)），林蘭(lan)英出生于福建莆田縣(xian)。幼年(nian)為了(le)上學(xue)，經過一番絕(jue)食(shi)斗爭(zheng)，家(jia)人(ren)同(tong)意林蘭(lan)英上了(le)礪青小(xiao)學(xue)，林蘭(lan)英在礪青小(xiao)學(xue)的(de)成績始終在有著40多名(ming)男(nan)女學(xue)生的(de)班(ban)中(zhong)占居前兩名(ming)，校長彭介之決定保送她進入(ru)礪青中(zhong)學(xue)。

1930年9月，進入(ru)礪青中學初中部一年級，初中六個學期她(ta)都保持(chi)全年級第一。

1933年9月(yue)，進入莆田(tian)中(zhong)學(xue)(xue)高中(zhong)部一(yi)年級，成了當時(shi)高一(yi)年級唯一(yi)的一(yi)名女生，后(hou)來由于(yu)莆田(tian)中(zhong)學(xue)(xue)搞起(qi)了學(xue)(xue)生運(yun)(yun)動，林蘭英對運(yun)(yun)動本無興(xing)趣，轉(zhuan)學(xue)(xue)至莆田(tian)縣惟一(yi)的一(yi)所教會(hui)女子中(zhong)學(xue)(xue)———咸(xian)益(yi)中(zhong)學(xue)(xue)就讀。

1936年，考入福建(jian)協和大學（現福建(jian)師(shi)范(fan)大學）物理系。

1940年，從福建協和大學畢(bi)業后作為優秀(xiu)生留校(xiao)任助教。

1944年，擔任福建協(xie)和大學講師。

1947年5月，福建(jian)協(xie)和大學(xue)(xue)與美國賓(bin)夕法尼亞州的迪金(jin)森學(xue)(xue)院建(jian)立(li)互換留(liu)學(xue)(xue)生的關系。

1948年8月9日，遠涉重洋到美(mei)國(guo)留學(xue)，進入國(guo)賓(bin)夕法尼亞州的迪金森(sen)學(xue)院(yuan)數學(xue)系(xi)學(xue)習。

1949年，獲得(de)迪金森(sen)學院(yuan)數(shu)學學士(shi)學位，同時獲得(de)美國大(da)學榮(rong)譽學會迪金森(sen)分會獎勵(li)她的一枚金鑰匙；同年深秋，進入賓(bin)夕法尼亞大(da)學研究(jiu)生(sheng)院(yuan)，開(kai)始了(le)固體物理的研究(jiu)。

1951年，獲得賓(bin)夕法尼亞大(da)學固體物理(li)學碩士學位，之后繼(ji)續攻讀博士學位，師從米勒(le)教授。

1955年6月(yue)(yue)，憑借博(bo)士論(lun)文《弱X射線輻照(zhao)引起(qi)氯化(hua)鉀和氯化(hua)鈉晶體的(de)(de)膨脹(zhang)》獲(huo)得(de)賓夕(xi)法尼亞(ya)大學(xue)固(gu)體物(wu)理學(xue)博(bo)士學(xue)位，是該校(xiao)建校(xiao)215年以來，第(di)(di)一(yi)位獲(huo)得(de)博(bo)士學(xue)位的(de)(de)中(zhong)國人(ren)，也(ye)是該校(xiao)有(you)史以來的(de)(de)第(di)(di)一(yi)位女博(bo)士。博(bo)士畢業后(hou)，導(dao)師(shi)推薦她去紐約(yue)長(chang)島專(zhuan)司半導(dao)體研究的(de)(de)索菲尼亞(ya)公(gong)司任高(gao)級工程(cheng)師(shi)。之后(hou)，她被聘為從事半導(dao)體科研工作的(de)(de)索菲尼亞(ya)公(gong)司（Sylvania公(gong)司）高(gao)級工程(cheng)師(shi)，靠林蘭英杰出(chu)的(de)(de)科學(xue)分析指導(dao)，公(gong)司成功地造出(chu)了(le)第(di)(di)一(yi)根硅(gui)單晶，不久(jiu)，又為公(gong)司申報了(le)兩(liang)項專(zhuan)利，公(gong)司三次提(ti)高(gao)她的(de)(de)年薪。林蘭英回國時索菲尼亞(ya)公(gong)司給她年薪10000美元(yuan)，回國后(hou)每月(yue)(yue)207元(yuan)人(ren)民幣。

1956年(nian)6月，林(lin)蘭英以“母親(qin)重病”為由，向印(yin)度駐美國(guo)大(da)使館(guan)(guan)提交回(hui)(hui)國(guo)申請，9月使館(guan)(guan)通知她填寫(xie)有關回(hui)(hui)國(guo)事宜的表(biao)格。

1957年1月29日，幾經(jing)周折(zhe)抗爭(zheng)，林蘭英乘坐的客輪安抵香港(gang)，在國務院(yuan)(yuan)辦公廳周密安排下，她(ta)走上了(le)深圳羅(luo)湖橋頭，回到了(le)中(zhong)國，之(zhi)后由大弟林文豪送她(ta)經(jing)上海去北京，進入中(zhong)國科(ke)學院(yuan)(yuan)物(wu)理研(yan)究所工作，歷(li)任研(yan)究員，副所長。

1960年(nian)，擔任中國科學院半導體(ti)研究(jiu)所研究(jiu)員。

1966年，“文(wen)革”開始那年，她(ta)還與中國第一位(wei)女院士林巧(qiao)稚一同登上天(tian)安(an)門城樓，事后便跌于(yu)“文(wen)革”的(de)沼(zhao)澤(ze)中。

1977年(nian)—1983年(nian)，擔任(ren)中國科學院半導體研(yan)究所副所長。

1980年，當選為中國科學(xue)院(yuan)學(xue)部委員(yuan)（院(yuan)士）。

2003年3月(yue)4日，在北京因(yin)病醫治無效(xiao)逝世，享年85歲。

貢獻影響

科研成就

科研綜述

林蘭英先后負(fu)責(ze)研(yan)制(zhi)成中國(guo)(guo)第(di)一(yi)根硅、銻化銦、砷化鎵(jia)、磷化鎵(jia)等單晶，為中國(guo)(guo)微電子和光電子學的發(fa)展奠定了(le)基礎，負(fu)責(ze)研(yan)制(zhi)的高純(chun)度汽相和液相外(wai)延材料(liao)達到國(guo)(guo)際先水平。開創(chuang)了(le)中國(guo)(guo)微重力半導體材料(liao)科學研(yan)究新領域，并在砷化鎵(jia)晶體太(tai)空生長和性質研(yan)究方面取(qu)得了(le)一(yi)定的成績(ji)。

1958年秋天，林蘭英(ying)研發(fa)出中國第(di)一根硅單(dan)(dan)(dan)晶(jing)，為制(zhi)造出無(wu)位(wei)錯硅單(dan)(dan)(dan)晶(jing)，林蘭英(ying)又投入研發(fa)硅單(dan)(dan)(dan)晶(jing)爐(lu)。她仔細考察、分析了(le)蘇聯(lian)封閉(bi)式硅單(dan)(dan)(dan)晶(jing)爐(lu)，發(fa)現了(le)不(bu)足，開始(shi)研究設計(ji)(ji)中國式硅單(dan)(dan)(dan)晶(jing)爐(lu)。1961年的(de)深秋，由林蘭英(ying)主持設計(ji)(ji)加工的(de)中國第(di)一臺(tai)開門式硅單(dan)(dan)(dan)晶(jing)爐(lu)制(zhi)造成功。1962年春(chun)，林蘭英(ying)依靠(kao)國產第(di)一臺(tai)開門式硅單(dan)(dan)(dan)晶(jing)爐(lu)，正(zheng)式啟動(dong)拉制(zhi)工作。中國第(di)一根無(wu)位(wei)錯的(de)硅單(dan)(dan)(dan)晶(jing)拉制(zhi)成功，無(wu)位(wei)錯達國際先進(jin)水平。

科研成果獎勵

根據2021年6月(yue)《莆田僑鄉時報》顯示，林蘭英(ying)先后四次獲(huo)得中國(guo)科學院(yuan)科技進步獎(jiang)(jiang)一等(deng)獎(jiang)(jiang)，兩(liang)次獲(huo)國(guo)家科技進步二、三等(deng)獎(jiang)(jiang)。

時間 項目名稱(cheng)(cheng) 獎勵名稱(cheng)(cheng)

1981年 4K和16K硅DRAM及提高成品率研(yan)究 中國科學院科學技術(shu)進步(bu)獎(jiang)(jiang)一(yi)等獎(jiang)(jiang)

1985年 提高砷化鎵材料(liao)質量(liang)的研(yan)究(jiu) 國家科學技(ji)術進(jin)步獎(jiang)二等獎(jiang)（排名第一）

1986年 高壓液(ye)封法生長熱(re)穩(wen)定(ding)不摻雜半絕緣(yuan)GaAs 中(zhong)國科學(xue)院科學(xue)技術進(jin)步獎(jiang)(jiang)三等獎(jiang)(jiang)（排(pai)名第(di)一）

1989年 微重力條件下從(cong)溶體生長GaAs單(dan)晶及性質(zhi)研究 中國科學院(yuan)科學技術進步(bu)獎一等獎（排名(ming)第一）

1990年 等電子雜質(zhi)In在GaAs中行為(wei)的研(yan)究 中國科學院科學技(ji)術進步獎三等獎（排名第(di)一）

1991年 集(ji)成電路用半絕緣砷化(hua)鎵熱穩定(ding)性(xing)和均(jun)勻性(xing)研究(jiu) 中國科學院科學技(ji)術(shu)進(jin)步獎三等獎（排名第一）

1995年 高(gao)質量GaAs/AlGaAs二維(wei)電子(zi)氣材(cai)料研(yan)制及其器件(jian)應(ying)用 中國科學(xue)院科學(xue)技術(shu)進步獎(jiang)二等獎(jiang)（排(pai)名第六）

1996年 ф2”和(he)ф3”非摻(chan)Si-GaAs單晶（片）研(yan)究 中國科(ke)學院科(ke)學技(ji)術(shu)進步(bu)獎二等獎（排名(ming)第一）

人才培養

講授課程

1940年，林蘭英從(cong)福建(jian)協和大(da)學(xue)(xue)畢業后作為優(you)秀(xiu)生留校任助教(jiao)(jiao)，教(jiao)(jiao)授《普通物理學(xue)(xue)》《高等(deng)數學(xue)(xue)》《光(guang)學(xue)(xue)》《物性聲(sheng)學(xue)(xue)》《電磁學(xue)(xue)》等(deng)課程。

獲獎記錄

時間 榮(rong)譽表彰 授予單位

1980年 中(zhong)國科學院學部委(wei)員(yuan)（院士） 中(zhong)華人民共和國國務院

1996年 何梁何利基(ji)金(jin)科學與技術進步獎 何梁何利基(ji)金(jin)

1998年 霍英東成就獎

人物評價

林(lin)蘭英是中(zhong)國半導體科學事業開拓者之一。（中(zhong)國科學院學部與院士評）

林蘭英從事半(ban)導(dao)體材料(liao)科(ke)學(xue)40年，是(shi)中國半(ban)導(dao)體材料(liao)科(ke)學(xue)的奠基人，對中國半(ban)導(dao)體材料(liao)科(ke)學(xue)的發展作出了(le)重大(da)貢獻。（何梁何利(li)基金評(ping)）

林蘭英的工(gong)作極大地推進了中(zhong)國半導體材料的研究高(gao)度，為(wei)微電(dian)子和(he)光電(dian)子學的發展奠定了基礎，為(wei)中(zhong)國太空事業做出(chu)巨大貢獻(xian)。（《莆田僑鄉時報(bao)》評）

林蘭英是中(zhong)國半導體材料科(ke)技(ji)最(zui)著名的(de)開(kai)拓者(zhe)，她帶(dai)動同事(shi)一起創造了多個(ge)“新(xin)中(zhong)國的(de)第(di)一”，受到全世界科(ke)學(xue)家關注，被譽為(wei)“中(zhong)國太空材料之母”。（新(xin)浪新(xin)聞評）

其他信息

社會任職

時間 擔任職務

1975年—1993年 中(zhong)華(hua)人民共和國(guo)第四、五(wu)、六、七屆全國(guo)人民代表大會代表

1978年(nian)—1985年(nian) 中國電子材料行業(ye)協會主(zhu)任(ren)委員(yuan)

1980年—1996年 中(zhong)國(guo)科學(xue)技(ji)術協(xie)會副(fu)主席(xi)（第(di)二至四(si)屆）

1986年 國家自(zi)然科學基金委員會委員

個人生活

家世背景

林(lin)(lin)蘭英(ying)的祖先林(lin)(lin)潤（1530-1569）是(shi)明(ming)朝嘉靖年間的御史(shi)大夫。因扳(ban)倒當朝丞(cheng)相奸(jian)臣嚴嵩(song)父子而名震朝野。林(lin)(lin)蘭英(ying)的祖父經商有成，父親(qin)大學畢(bi)業后在外地工作，母親(qin)在家主持(chi)家政(zheng)。

后世紀念

林蘭英故居

2002年，因莆田舊城改造，林(lin)(lin)潤(run)故(gu)(gu)居(ju)原樣遷移到莆田城南鄉溝頭村的莆田一中新校區內，內含林(lin)(lin)潤(run)的后裔(yi)、林(lin)(lin)蘭英(ying)院士故(gu)(gu)居(ju)。林(lin)(lin)蘭英(ying)去世后，骨灰從(cong)北(bei)京運至林(lin)(lin)潤(run)故(gu)(gu)居(ju)內埋葬并建立林(lin)(lin)蘭英(ying)陵(ling)園。故(gu)(gu)居(ju)的廳堂豎立林(lin)(lin)蘭英(ying)塑像(xiang)。林(lin)(lin)蘭英(ying)在北(bei)京的住宅和(he)辦公室中的所(suo)有(you)書(shu)籍(ji)和(he)家具也運回莆田故(gu)(gu)居(ju)，陳列在林(lin)(lin)潤(run)故(gu)(gu)居(ju)內。

林蘭英院士塑像

2004年12月，林蘭英院(yuan)士塑像(xiang)揭(jie)幕儀式在莆(pu)田第一中學舉(ju)行(xing)，中國科學院(yuan)半導(dao)體研(yan)究所所長李晉閩(min)及莆(pu)田市有關領導(dao)、部分(fen)科技專(zhuan)家、教師和學生共數千人參加了(le)揭(jie)幕儀式。

林蘭英院士紀念文集

2013年(nian)，在(zai)林(lin)蘭英院士(shi)(shi)逝(shi)世十周年(nian)之際(ji)，為表達對她的思(si)念(nian)之情和(he)敬仰之意，學習老一輩科學家的高尚品德和(he)創新精神，中國(guo)科學院半導體研(yan)究所(suo)特編輯(ji)制作(zuo)了《林(lin)蘭英院士(shi)(shi)紀念(nian)文(wen)集》。

紀念(nian)林蘭(lan)英院士逝(shi)世十(shi)周年座談會

2013年3月4日，在林蘭英(ying)(ying)院士逝(shi)世10周年之(zhi)際，為了弘揚她的愛(ai)國(guo)精神、回顧她的杰出成就、秉承(cheng)她的科學(xue)思想，在中國(guo)科學(xue)院半(ban)導(dao)體研究所(suo)學(xue)術會議中心(xin)召開紀念林蘭英(ying)(ying)院士逝(shi)世十周年座談會。