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著(zhu)錄(lu)信息

專利名稱：一種帶浪涌尖峰吸收的MOS
專利類型：實用新型
申請號：CN201320264197.0
公開(公告)號：CN203243035U
申請日：20130515
公開(公告)日：20131016
申請人：深圳市盛元半導體有限公司
發明人：喬宇波,梁明,張雷
申請人地址：518000 廣東省深圳市寶安區福永鳳凰第三工業區創業園E幢
申請人區域代碼：CN440306
專利權人：深圳市盛元半導體有限公司
洛迦諾分類：無
IPC：H02H9/04,H01L23/62
優先權：無
專利代理機構：北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
代理人：湯東鳳
審查員：無
國際申請：無
國際公開(公告)：無
進入國家日期：無
分案申請：無

關鍵詞

二極管,芯片,電路可靠性,尖峰,節省空間,過壓,浪涌,損壞,連接

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