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著錄信息

  • 專利名稱:一種單層芯片超高壓半導體整流器
  • 專利類型:實用新型
  • 申請號:CN201020563910.8
  • 公開(公告)號:CN201975396U
  • 申請日:20101018
  • 公開(公告)日:20110914
  • 申請人:重慶平偉實業股份有限公司
  • 發明人:王震
  • 申請人地址:400000 重慶市梁平縣梁山鎮皂角村雙桂工業園區
  • 申請人區域代碼:CN500228
  • 專利權人:重慶平偉實業股份有限公司
  • 洛迦諾分類:
  • IPC:H01L29/861
  • 優先權:
  • 專利代理機構:
  • 代理人:
  • 審查員:
  • 國際申請:
  • 國際公開(公告):
  • 進入國家日期:
  • 分案申請:

關鍵詞

芯片,單層硅,超高壓半導體整流器,引線端面,塑封,環氧樹脂,硅橡膠,焊料,注塑,引線焊接,焊料層,裝填,硅片,層硅,除銅,單層,功耗,環氧,壓降,正向,合格率,擴散
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