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專利名稱：一種低壓VDMOS器件
專利類型：實用新型
申請號：CN201621187877.7
公開(公告)號：CN206236675U
申請日：20161028
公開(公告)日：20170609
申請人：佛山市藍箭電子股份有限公司
發明人：張國光,王自鑫,郭建平,邱曉輝,張順,姚劍鋒,嚴向陽
申請人地址：528051 廣東省佛山市禪城區古新路45號
申請人區域代碼：CN440604
專利權人：佛山市藍箭電子股份有限公司
洛迦諾分類：無
IPC：H01L29/78,H01L29/06
優先權：無
專利代理機構：佛山市禾才知識產權代理有限公司 44379
代理人：劉羽波
審查員：無
國際申請：無
國際公開(公告)：無
進入國家日期：無
分案申請：無

關鍵詞

外延層,多晶硅層,襯底,源極金屬,源區,柵氧化層,電阻率,上表面,本實用新型,工藝步驟,連接源,凹部,減小,漏極,凸部,下端,元胞,生產成本

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