著錄信息
- 專利名稱：多晶壓力傳感器芯片及其制備方法
- 專利類型：發明
- 申請號：CN201210177498.X
- 公開(公告)號：CN103454033B
- 申請日：20120601
- 公開(公告)日：20160706
- 申請人：無錫華潤華晶微電子有限公司
- 發明人：陳思奇,朱琳,王榮華
- 申請人地址：江蘇省無錫市無錫市國家高新技術產業開發區信息產業科技園C座2樓
- 申請人區域代碼：CN320211
- 專利權人：無錫華潤華晶微電子有限公司
- 洛迦諾分類：無
- IPC：G01L9/06,G01L19/04
- 優先權：無
- 專利代理機構：中國專利代理(香港)有限公司 72001
- 代理人：杜娟娟;王忠忠
- 審查員：管士濤
- 國際申請：無
- 國際公開(公告)：無
- 進入國家日期：無
- 分案申請：無
關鍵詞
壓力傳感器芯片,補償元件,電壓漂移,內部設置,多晶,芯片,壓力傳感器電路,傳感器電路,補償能力,電性連接,有壓力,制備
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