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著錄信息

  • 專利名稱:多晶壓力傳感器芯片及其制備方法
  • 專利類型:發明
  • 申請號:CN201210177498.X
  • 公開(公告)號:CN103454033B
  • 申請日:20120601
  • 公開(公告)日:20160706
  • 申請人:無錫華潤華晶微電子有限公司
  • 發明人:陳思奇,朱琳,王榮華
  • 申請人地址:江蘇省無錫市無錫市國家高新技術產業開發區信息產業科技園C座2樓
  • 申請人區域代碼:CN320211
  • 專利權人:無錫華潤華晶微電子有限公司
  • 洛迦諾分類:
  • IPC:G01L9/06,G01L19/04
  • 優先權:
  • 專利代理機構:中國專利代理(香港)有限公司 72001
  • 代理人:杜娟娟;王忠忠
  • 審查員:管士濤
  • 國際申請:
  • 國際公開(公告):
  • 進入國家日期:
  • 分案申請:

關鍵詞

壓力傳感器芯片,補償元件,電壓漂移,內部設置,多晶,芯片,壓力傳感器電路,傳感器電路,補償能力,電性連接,有壓力,制備
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