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專利名稱：低輸入電容功率半導體場效應晶體管
專利類型：實用新型
申請號：CN201420656956.2
公開(公告)號：CN204375754U
申請日：20141103
公開(公告)日：20150603
申請人：吉林華微電子股份有限公司
發明人：左義忠,高宏偉,張海宇,賈國
申請人地址：132013 吉林省吉林市深圳街99號
申請人區域代碼：CN220211
專利權人：吉林華微電子股份有限公司
洛迦諾分類：無
IPC：H01L29/40,H01L29/78,H01L21/336
優先權：無
專利代理機構：長春菁華專利商標代理事務所 22210
代理人：陶尊新
審查員：無
國際申請：無
國際公開(公告)：無
進入國家日期：無
分案申請：無

關(guan)鍵詞(ci)

多晶硅,場板,多晶硅柵,電容,場效應晶體管,多晶硅柵極,功率半導體,兩側,絕緣層,半導體器件技術,半導體場效應,溝道長度,米勒電容,柵氧化層,有源,小于,金屬,芯片,大于

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