太陽能電池片分類

國內(nei)常用的(de)太陽能晶(jing)硅電池片根據尺(chi)寸和單多晶(jing)可(ke)分為(wei)：

單晶125*125

單晶156*156

多晶156*156

單晶150*150

單晶103*103

多晶125*125

太陽能電池片相關組件

1、125*125單晶

晶體硅太陽電池的優(you)良性能簡介：

·高(gao)效(xiao)率，低衰減(jian)，可(ke)靠(kao)性強(qiang)；

·先進的擴散(san)技術，保證了片間片內(nei)的良好均(jun)勻性，降(jiang)低了電池片之間的匹配(pei)損(sun)失；

·運用先進的管式PECVD成膜技(ji)術，使得(de)覆蓋在電池表面的深藍色(se)氮化硅減反(fan)射膜致(zhi)密、均(jun)勻、美觀(guan)；

·應用高品質的金屬漿料制作電(dian)極(ji)和背場(chang)。確保(bao)了電(dian)極(ji)良好的導(dao)電(dian)性、可焊性以及背場(chang)的平(ping)整性；

·高精度(du)的(de)絲網印刷圖形，使得電池(chi)片易于自動焊接。

2、156*156多晶

晶(jing)體硅太(tai)陽電池的優良性能簡(jian)介：

除了125*125單(dan)晶電池的優良(liang)性能外還有以(yi)下性能：

·高精度的絲網(wang)印刷(shua)圖形，使得電池片(pian)易(yi)于(yu)自動焊接。

3、125單晶

晶體(ti)硅(gui)太陽(yang)能(neng)電池組件的優良性能(neng)簡介(jie)：

·SF-PV的組(zu)件可以滿(man)足(zu)不同的消費(fei)層次(ci)；

·使(shi)用高效(xiao)率(lv)的硅太(tai)陽(yang)能電池；

·組件標稱電壓24/12V DC；

·3.2mm厚的鋼化玻璃；

·為提高(gao)抗風能力和抗積雪壓力，使用(yong)(yong)耐用(yong)(yong)的鋁合金框(kuang)架(jia)以方便裝配；

·組件(jian)邊(bian)框設計有用于排水(shui)的漏水(shui)孔消除了在冬天雨或(huo)雪水(shui)長期積累在框架內(nei)造成結冰甚至使框架變形；

·電纜線使用快速連(lian)接頭(tou)來(lai)裝配(pei)；

·滿足(zu)顧(gu)客要求的包裝；

·保證25年(nian)的使(shi)用年(nian)限。

4、156多晶

晶體硅太陽能電池組件的優良性能簡介：同125單晶(jing)的優良(liang)性能。

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太陽能電池片制造工藝

太陽能電池片的生產工藝(yi)流程分為硅片檢測——表(biao)面制(zhi)絨及酸(suan)洗——擴散制(zhi)結(jie)——去磷硅玻璃——等(deng)離子(zi)刻蝕(shi)及酸(suan)洗——鍍減反射膜——絲網(wang)印刷——快速燒結(jie)等(deng)。具體介(jie)紹(shao)如(ru)下：

1、硅片檢測

硅片是太陽能電池片的載體，硅片質量的好壞直接決定了太陽能電池片轉換效率的高低，因此需要對來料硅片進行檢測。該工序主要用來對硅片的一些技術參數進行在線測量，這些參數主要包括硅片表面不平整度、少子壽命、電阻率、P/N型和(he)微(wei)裂紋等。該組設備分自動上下料、硅(gui)片傳輸(shu)、系統整(zheng)合部分和(he)四個(ge)檢測模塊。其中(zhong)，光(guang)伏硅(gui)片檢測儀對(dui)硅(gui)片表(biao)面不平整(zheng)度進行檢測,同時(shi)檢(jian)測硅片(pian)的尺寸和對角線(xian)等外(wai)觀參數;微裂紋檢(jian)測模塊用來(lai)檢(jian)測硅片(pian)的內部微裂紋;另外還有兩個檢(jian)(jian)(jian)測(ce)(ce)模(mo)組，其(qi)中一個在線(xian)測(ce)(ce)試(shi)模(mo)組主要測(ce)(ce)試(shi)硅(gui)(gui)片(pian)(pian)(pian)(pian)(pian)體(ti)電(dian)阻(zu)率和(he)(he)硅(gui)(gui)片(pian)(pian)(pian)(pian)(pian)類(lei)型，另一個模(mo)塊用于檢(jian)(jian)(jian)測(ce)(ce)硅(gui)(gui)片(pian)(pian)(pian)(pian)(pian)的(de)少子壽命(ming)。在進行(xing)少子壽命(ming)和(he)(he)電(dian)阻(zu)率檢(jian)(jian)(jian)測(ce)(ce)之前，需(xu)要先對硅(gui)(gui)片(pian)(pian)(pian)(pian)(pian)的(de)對角線(xian)、微裂(lie)紋(wen)進行(xing)檢(jian)(jian)(jian)測(ce)(ce)，并自(zi)動(dong)剔(ti)除破(po)損(sun)硅(gui)(gui)片(pian)(pian)(pian)(pian)(pian)。硅(gui)(gui)片(pian)(pian)(pian)(pian)(pian)檢(jian)(jian)(jian)測(ce)(ce)設(she)備能夠自(zi)動(dong)裝片(pian)(pian)(pian)(pian)(pian)和(he)(he)卸(xie)片(pian)(pian)(pian)(pian)(pian)，并且能夠將不合格品放到固定位置，從而提高(gao)檢(jian)(jian)(jian)測(ce)(ce)精度和(he)(he)效率。

2、表面制絨

單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕，在每平方厘米硅表面形成幾百萬個四面方錐體也即金字塔結構。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了電池的短路電流和轉換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液，可用的堿有氫氧化鈉，氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。大多使用廉價的濃度約為1%的氫氧化鈉稀溶液來(lai)制備絨面硅，腐蝕溫度為70-85℃。為(wei)了(le)獲(huo)得均勻的(de)絨面，還應在溶液中酌(zhuo)量添加醇類如乙醇和異丙醇等作為(wei)絡合劑(ji)，以加快硅的(de)腐(fu)蝕。制備絨面前，硅片須(xu)先進行初(chu)步表(biao)面腐(fu)蝕，用堿性(xing)或酸性(xing)腐(fu)蝕液蝕去約20～25μm，在腐蝕絨面(mian)(mian)后，進行一般的化學清洗。經過表面(mian)(mian)準備(bei)的硅(gui)片都不宜在水(shui)中久存，以防(fang)沾污，應盡快擴散制結。

3、擴散制結

太陽能電池需要一個大面積的PN結以實現光能(neng)到電能(neng)的轉換，而擴散爐即為制(zhi)造(zao)太陽能(neng)電池PN結的(de)專用(yong)設備。管式擴(kuo)散爐(lu)主要由石(shi)英舟的(de)上下載部分(fen)、廢氣室(shi)、爐(lu)體部分(fen)和氣柜部分(fen)等四大部分(fen)組成(cheng)。擴(kuo)散一般用(yong)三氯氧磷液態源(yuan)作(zuo)為(wei)擴(kuo)散源(yuan)。把P型硅片放(fang)在管式擴散(san)爐的(de)石英容器內(nei)，在850---900攝氏度高溫下使用氮氣(qi)將三(san)氯(lv)氧磷(lin)帶(dai)入(ru)石英容器，通過(guo)三(san)氯(lv)氧磷(lin)和(he)硅(gui)片進(jin)(jin)行反(fan)應(ying)，得到磷(lin)原(yuan)(yuan)子(zi)。經過(guo)一定時間，磷(lin)原(yuan)(yuan)子(zi)從(cong)四(si)周進(jin)(jin)入(ru)硅(gui)片的表面層(ceng)，并且通過(guo)硅(gui)原(yuan)(yuan)子(zi)之(zhi)間的空(kong)隙向硅(gui)片內(nei)部滲(shen)透擴散，形成了N型半導體和P型半(ban)導體的交界面，也就是(shi)PN結。這(zhe)種(zhong)方法制出的PN結均勻性好,方(fang)塊(kuai)電阻(zu)的不均勻性小于百分之十,少子壽命可大于10ms。制造PN結是(shi)太陽(yang)電(dian)池(chi)生產最基本也是(shi)最關鍵的(de)工序。因為正(zheng)是(shi)PN結(jie)的形成，才使電(dian)子和空穴在流(liu)動后不(bu)再回(hui)到原處，這樣就形成了電(dian)流(liu)，用(yong)導(dao)線將電(dian)流(liu)引出，就是直(zhi)流(liu)電(dian)。

4、去磷硅玻璃

該工藝用于太陽能電池片生產制造過程中，通過化學腐蝕法也即把硅片放在氫氟酸溶液中浸泡，使其產生化學反應生成可溶性的絡和物六氟硅酸，以去除擴散制結后在硅片表面形成的一層磷硅玻璃。在擴散過程中，POCL3與(yu)O2反應生成P2O5淀(dian)積在硅片表(biao)面。P2O5與Si反應又生(sheng)成SiO2和(he)磷原(yuan)子，

這樣就在硅片表面形成一層含有磷元素的SiO2，稱之為(wei)(wei)磷硅玻璃。去磷硅玻璃的(de)(de)設備(bei)一般由本體、清洗槽、伺服(fu)驅動系統(tong)、機械臂、電氣控制系統(tong)和(he)自動配酸(suan)(suan)(suan)系統(tong)等部分組成，主要動力源有氫(qing)氟(fu)(fu)(fu)(fu)(fu)酸(suan)(suan)(suan)、氮氣、壓縮空氣、純水(shui)，熱排風(feng)和(he)廢水(shui)。氫(qing)氟(fu)(fu)(fu)(fu)(fu)酸(suan)(suan)(suan)能夠溶解二氧(yang)(yang)化(hua)硅是(shi)因為(wei)(wei)氫(qing)氟(fu)(fu)(fu)(fu)(fu)酸(suan)(suan)(suan)與(yu)二氧(yang)(yang)化(hua)硅反應生成易揮發的(de)(de)四氟(fu)(fu)(fu)(fu)(fu)化(hua)硅氣體。若氫(qing)氟(fu)(fu)(fu)(fu)(fu)酸(suan)(suan)(suan)過(guo)量(liang)，反應生成的(de)(de)四氟(fu)(fu)(fu)(fu)(fu)化(hua)硅會進一步與(yu)氫(qing)氟(fu)(fu)(fu)(fu)(fu)酸(suan)(suan)(suan)反應生成可(ke)溶性的(de)(de)絡(luo)和(he)物六(liu)氟(fu)(fu)(fu)(fu)(fu)硅酸(suan)(suan)(suan)。

5、等離子刻蝕

由于在擴散過程中，即使采用背靠背擴散，硅片的所有表面包括邊緣都將不可避免地擴散上磷。PN結的(de)正面所收集(ji)到的(de)光生(sheng)電(dian)子會沿著邊緣擴散有磷的(de)區域流到PN結(jie)的背(bei)面，而造成短路。因(yin)此，必須對太陽(yang)能電池周(zhou)邊的摻(chan)雜硅進行(xing)刻(ke)蝕，以去除(chu)電池邊緣的PN結。通常采用(yong)等離子(zi)刻(ke)蝕技術完成這一工藝。等離子(zi)刻(ke)蝕是在低壓狀態下，反應氣體CF4的(de)母體(ti)分子(zi)(zi)(zi)在(zai)射頻功率的(de)激發下(xia)(xia)，產生電(dian)離(li)(li)并(bing)形(xing)成(cheng)等離(li)(li)子(zi)(zi)(zi)體(ti)。等離(li)(li)子(zi)(zi)(zi)體(ti)是由(you)帶電(dian)的(de)電(dian)子(zi)(zi)(zi)和離(li)(li)子(zi)(zi)(zi)組成(cheng)，反應(ying)腔體(ti)中的(de)氣(qi)體(ti)在(zai)電(dian)子(zi)(zi)(zi)的(de)撞擊下(xia)(xia)，除了轉變成(cheng)離(li)(li)子(zi)(zi)(zi)外，還(huan)能(neng)吸收能(neng)量并(bing)形(xing)成(cheng)大(da)量的(de)活(huo)性(xing)(xing)基團(tuan)。活(huo)性(xing)(xing)反應(ying)基團(tuan)由(you)于擴散(san)或者在(zai)電(dian)場作用下(xia)(xia)到達(da)SiO2表(biao)面(mian)(mian)，在那(nei)里與(yu)被(bei)刻(ke)蝕材料表(biao)面(mian)(mian)發生化學反(fan)應(ying)，并形成(cheng)揮發性的反(fan)應(ying)生成(cheng)物脫離被(bei)刻(ke)蝕物質表(biao)面(mian)(mian)，被(bei)真(zhen)空系(xi)統抽出(chu)腔體。

6、鍍減反射膜

拋光硅表面的反射率為35%,為了減少表面(mian)反射,提高(gao)電池的轉換效率,需要(yao)沉積一層氮化硅(gui)減反射膜(mo)。工業(ye)生產中(zhong)常采用PECVD設備(bei)制備(bei)減反射膜。PECVD即等離子增強型(xing)化學(xue)氣(qi)相沉積。它的(de)技(ji)術原理是(shi)利用低溫等離子體作能量源，樣品(pin)置于(yu)低氣(qi)壓下輝(hui)光(guang)放(fang)電的(de)陰(yin)極上，利用輝(hui)光(guang)放(fang)電使樣品(pin)升溫到預(yu)定的(de)溫度，然后通入適(shi)量的(de)反應氣(qi)體SiH4和NH3，氣體經一系(xi)列化(hua)學(xue)反應和等(deng)離子體反應，在(zai)樣品表面形成(cheng)固(gu)態薄(bo)膜即(ji)氮化(hua)硅薄(bo)膜。一般情(qing)況下(xia)，使(shi)用這種等(deng)離子增強型化(hua)學(xue)氣相沉(chen)積的方(fang)法沉(chen)積的薄(bo)膜厚度在(zai)70nm左右。這樣厚度(du)的(de)薄(bo)膜(mo)具有(you)光學的(de)功能性。利用薄(bo)膜(mo)干涉原理，可以使光的(de)反射大為(wei)減少，電池的(de)短路(lu)電流和(he)輸出就(jiu)有(you)很大增(zeng)加，效率也有(you)相當的(de)提高。

7、絲網印刷

太陽電池經過制絨、擴散及PECVD等(deng)工序(xu)后，已經(jing)制成PN結，可以在光照(zhao)下產生電(dian)(dian)(dian)流(liu)，為了(le)將(jiang)(jiang)產生的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)流(liu)導出，需要在電(dian)(dian)(dian)池(chi)表(biao)面上(shang)制(zhi)作正(zheng)、負兩(liang)個電(dian)(dian)(dian)極(ji)。制(zhi)造電(dian)(dian)(dian)極(ji)的(de)(de)方法很(hen)多，而絲網(wang)印(yin)(yin)(yin)(yin)刷(shua)(shua)是目(mu)前制(zhi)作太陽電(dian)(dian)(dian)池(chi)電(dian)(dian)(dian)極(ji)最(zui)普(pu)遍的(de)(de)一(yi)種(zhong)生產工藝。絲網(wang)印(yin)(yin)(yin)(yin)刷(shua)(shua)是采用(yong)壓(ya)印(yin)(yin)(yin)(yin)的(de)(de)方式將(jiang)(jiang)預定(ding)的(de)(de)圖(tu)形印(yin)(yin)(yin)(yin)刷(shua)(shua)在基(ji)(ji)板上(shang)，該(gai)設備由(you)電(dian)(dian)(dian)池(chi)背(bei)面銀(yin)鋁漿(jiang)印(yin)(yin)(yin)(yin)刷(shua)(shua)、電(dian)(dian)(dian)池(chi)背(bei)面鋁漿(jiang)印(yin)(yin)(yin)(yin)刷(shua)(shua)和(he)電(dian)(dian)(dian)池(chi)正(zheng)面銀(yin)漿(jiang)印(yin)(yin)(yin)(yin)刷(shua)(shua)三部(bu)分(fen)組成。其工作原理(li)為：利用(yong)絲網(wang)圖(tu)形部(bu)分(fen)網(wang)孔透過漿(jiang)料，用(yong)刮(gua)(gua)刀(dao)在絲網(wang)的(de)(de)漿(jiang)料部(bu)位施加一(yi)定(ding)壓(ya)力，同時(shi)朝(chao)絲網(wang)另一(yi)端移(yi)動(dong)。油墨在移(yi)動(dong)中(zhong)(zhong)被刮(gua)(gua)刀(dao)從(cong)圖(tu)形部(bu)分(fen)的(de)(de)網(wang)孔中(zhong)(zhong)擠(ji)壓(ya)到基(ji)(ji)片上(shang)。由(you)于漿(jiang)料的(de)(de)粘性作用(yong)使印(yin)(yin)(yin)(yin)跡固著(zhu)在一(yi)定(ding)范圍內，印(yin)(yin)(yin)(yin)刷(shua)(shua)中(zhong)(zhong)刮(gua)(gua)板始終與絲網(wang)印(yin)(yin)(yin)(yin)版和(he)基(ji)(ji)片呈(cheng)線性接觸，接觸線隨刮(gua)(gua)刀(dao)移(yi)動(dong)而移(yi)動(dong)，從(cong)而完成印(yin)(yin)(yin)(yin)刷(shua)(shua)行程。

8、快速燒結

經(jing)過絲網(wang)印刷后的(de)硅(gui)片，不能直接(jie)使用，需經(jing)燒(shao)結(jie)爐快速(su)燒(shao)結(jie)，將有(you)機樹脂粘合劑燃燒(shao)掉，剩下(xia)幾乎純粹的(de)、由于玻璃(li)質作用而密合在硅(gui)片上的(de)銀(yin)電(dian)(dian)(dian)極。當銀(yin)電(dian)(dian)(dian)極和晶(jing)(jing)體硅(gui)在溫度達到共晶(jing)(jing)溫度時，晶(jing)(jing)體硅(gui)原(yuan)子以一(yi)定的(de)比(bi)例融(rong)入到熔(rong)融(rong)的(de)銀(yin)電(dian)(dian)(dian)極材(cai)料中去，從而形成上下(xia)電(dian)(dian)(dian)極的(de)歐姆接(jie)觸，提高電(dian)(dian)(dian)池片的(de)開路(lu)電(dian)(dian)(dian)壓和填充因(yin)子兩個關鍵參數，使其具有(you)電(dian)(dian)(dian)阻特性，以提高電(dian)(dian)(dian)池片的(de)轉(zhuan)換效率。

燒結爐分為預燒結、燒結、降溫冷卻三個階段。預燒結階段目的是使漿料中的高分子粘合劑分解、燃燒掉，此階段溫度慢慢上升;燒(shao)結(jie)階段(duan)中燒(shao)結(jie)體內(nei)完成(cheng)各種物(wu)理化學反應，形(xing)成(cheng)電阻膜結(jie)構，使其(qi)真正(zheng)具有電阻特性，該階段(duan)溫度達到峰值;降溫冷(leng)卻階段，玻璃冷(leng)卻硬(ying)化并凝固，使電(dian)阻膜(mo)結(jie)構固定地(di)粘附于基片上。

9、外圍設備

在電池片生產過程中，還需要供電、動力、給水、排水、暖通、真空、特汽等外圍設施。消防和環保設備對于保證安全和持續發展也顯得尤為重要。一條年產50MW能力的(de)太(tai)陽能電池片生產線(xian)，僅工藝和動力設備用電功率就(jiu)在1800KW左右(you)。工藝純(chun)水的(de)用量在每小時15噸左右，水質要求(qiu)達到中國電子級水GB/T11446.1-1997中EW-1級技術標準。工藝冷卻水(shui)用量也在(zai)每小時15噸左右，水質(zhi)中微(wei)粒粒徑不宜大于10微米，供水溫(wen)度宜在15-20℃。真(zhen)空(kong)排氣量在300M3/H左右。同時，還需要大(da)約氮(dan)氣儲罐20立方米，氧氣儲罐10立方(fang)米(mi)。考慮到特殊氣體如(ru)硅烷的安全因素，還需要單獨(du)設置一個特氣間，以絕對保證生(sheng)產安全。另(ling)外，硅烷燃(ran)燒塔、污(wu)水處(chu)理站等(deng)也是電池片生(sheng)產的必備設施。

注意問題

太陽電池片采用只需一次燒結的共燒工藝，同時形成上下電極的歐姆接觸。銀漿、銀鋁漿、鋁漿印刷過的硅片，經過烘干使有機溶劑完全揮發，膜層收縮成為固狀物緊密粘附在硅片上，這時可視為金屬電極材料層和硅片接觸在一起。當電極金屬材料和半導體單晶硅加熱達到共晶溫度時，單晶硅原子以一定的比例溶入到熔融的合金電極材料中。單晶硅原子溶入到電極金屬中的整個過程是相當快的，一般只需幾秒鐘時間。溶入的單晶硅原子數目取決于合金溫度和電極材料的體積，燒結合金溫度越高，電極金屬材料體積越大，則溶入的硅原子數目也越多，這時的狀態被稱為晶體電極金屬的合金系統。如果此時溫度降低，系統開始冷卻形成再結晶層，這時原先溶入到電極金屬材料中的硅原子重新以固態形式結晶出來，也就是在金屬和晶體接觸界面上生長出一層外延層。如果外延層內含有足夠量的與原先晶體材料導電類型相同的雜質成份，這就獲得了用合金法工藝形成歐姆接觸;如果在結晶(jing)層內(nei)含(han)有足夠量(liang)的與(yu)原先(xian)晶(jing)體材料導(dao)電(dian)類型異型的雜質成(cheng)份，這就獲得了用合金法工藝形成(cheng)P.N結。

一般網(wang)帶式燒結爐采用電熱(re)(re)絲作為加(jia)熱(re)(re)元件(jian)，主(zhu)要通過熱(re)(re)傳導對工件(jian)進(jin)行加(jia)熱(re)(re)，無法實(shi)現急速(su)升溫。只有輻(fu)射(she)或微波能夠迅速(su)加(jia)熱(re)(re)物體，而輻(fu)射(she)加(jia)熱(re)(re)具有使用經濟(ji)、安全可靠、更換方便等(deng)優(you)點。所以太陽電池片燒結爐基本都采用紅(hong)外石(shi)英燈(deng)管作為主(zhu)要加(jia)熱(re)(re)元件(jian)。它的設計需注意以下(xia)三個問(wen)題：

1、加熱管的結構形式

為實現燒結段的溫度尖峰，需在很短的爐膛空間內布置足夠的加熱功率。有短波孿管和短波單管兩種結構可以選擇，其線性功率密度均達到60kW/m2。雖然(ran)短波孿管擁(yong)有更高的(de)單根功率(相當于兩根單管(guan)并聯)，但(dan)由(you)于其(qi)制造(zao)工藝復雜，對石英玻璃管的(de)質量要求更高，制造(zao)成本約(yue)是(shi)單管的(de)2.5倍。因此(ci)，在實際(ji)使(shi)用中，大多采(cai)用單管。

2、紅外輻射吸收光譜

當紅外輻射能量被工件吸收時，該物質所特有的吸收光譜需與發射光譜相匹配，才能在最短時間內最大效率地吸收輻射能。因此，在燒結的不同階段，所選用的紅外石英燈管也是不同的。在烘干段，要讓有機溶劑和水分迅速揮發，采用中波管輔助熱風加熱是正確的;在預燒段，要(yao)讓基片獲得充分均勻的預熱，中波管良好(hao)的紅(hong)外(wai)輻射、均衡(heng)的吸收及穿透能力，正(zheng)好(hao)符合要(yao)求;在燒結(jie)段，必須在極短(duan)時間內(nei)使(shi)基(ji)片達到(dao)共(gong)晶溫度，只(zhi)有短(duan)波管能做到(dao)這(zhe)一點。

3、加熱管的固定方式

燒結段的溫度峰值在850℃左右，此時燈(deng)管(guan)的表面溫(wen)度將達到(dao)1100℃，接近石英(ying)管(guan)的(de)使(shi)用極限，稍微過(guo)熱產生氣孔(kong)就(jiu)會(hui)立刻燒毀燈(deng)管(guan)。而在(zai)燈(deng)管(guan)的(de)引出導(dao)線部位，由(you)于焊接導(dao)線的(de)金屬(shu)片和石英(ying)玻璃密封在(zai)一(yi)起(qi)，二(er)者熱膨脹(zhang)系數不一(yi)致，如(ru)果此(ci)(ci)處(chu)溫度過(guo)高就(jiu)會(hui)產生應(ying)力裂紋，造成燈(deng)管(guan)漏氣。因(yin)此(ci)(ci)燈(deng)管(guan)在(zai)爐膛中的(de)安裝固定方式十分重要。圖(tu)2為紅外燈(deng)管在爐膛中(zhong)的(de)一(yi)種(zhong)固(gu)定方式。這種(zhong)固(gu)定方式要求燈(deng)管的(de)冷端距離爐壁至少80mm以上，保證引出導(dao)線(xian)部位的溫度不會過高;而(er)且爐壁上安裝孔的直徑要比燈管大2～3mm，通過兩(liang)側的固定(ding)夾具將燈(deng)管懸(xuan)空夾持在爐膛中。