【瓷(ci)片電容】瓷(ci)片電容的讀數方法(fa) 瓷(ci)片電容有什么(me)作用

瓷片電容的讀數方法

電容器容量的表示方法

電容器容量的(de)基本單(dan)位是(shi)“法(fa)(fa)拉”（F），1法(fa)(fa)拉的(de) 1/1000000 （百萬分之(zhi)一(yi)）是(shi)1微(wei)法(fa)(fa)（μF），1微(wei)法(fa)(fa)的(de) 1/1000000是(shi)1pF （1微(wei)微(wei)法(fa)(fa)或1皮法(fa)(fa)）。它們之(zhi)間的(de)關(guan)系(xi)是(shi)百萬（或稱(cheng)10的(de)6次方）進位關(guan)系(xi)。

該圖片由注冊用戶"知識君"提供，版權聲明反饋

我們(men)常(chang)用的電容有：

1、電(dian)解電(dian)容：多數(shu)在1μF以上(shang)，直接用(yong)數(shu)字表示(shi)。如：4.7μF、100μF、220μF等等。這(zhe)種電(dian)容的兩極(ji)(ji)有(you)正負之分，長腳(jiao)是正極(ji)(ji)。

2、瓷片電容：多數在1μF以(yi)下，直接(jie)用(yong)數字表示。如：10、22、0.047、0.1等等，這里要注意的(de)是(shi)單(dan)位。凡用(yong)整數表示的(de)，單(dan)位默認pF；凡用(yong)小數表示的(de)，單(dan)位默認μF。如以(yi)上例子中，分(fen)別(bie)是(shi)10P、22P、0.047μF、220μF等。

現在國(guo)際上(shang)流行(xing)另一(yi)種(zhong)類似色環電阻的表示(shi)方法（單位默認pF）：

如：“473”即47000pF=0.047μF，“103”即10000pF=0.01μF等等，“ XXX”第一、二(er)個數(shu)字是有效數(shu)字，第三個數(shu)字代表后面添加0的(de)個數(shu)。這種(zhong)表示法已經相當普遍。

瓷片電容的讀數方法

瓷片(pian)電容(rong)的讀數(shu)方法(fa)(fa)(fa)和(he)電阻的讀數(shu)方法(fa)(fa)(fa)基(ji)(ji)本相同，分色標法(fa)(fa)(fa)、數(shu)標法(fa)(fa)(fa)和(he)直標法(fa)(fa)(fa)3種(zhong)。瓷片(pian)電容(rong)的基(ji)(ji)本單位用法(fa)(fa)(fa)拉(la)（F）表示，其它(ta)單位還有：毫法(fa)(fa)(fa)（mF）、微(wei)法(fa)(fa)(fa)（μF）、納法(fa)(fa)(fa)（nF）、皮(pi)法(fa)(fa)(fa)（pF）。其中(zhong)：1法(fa)(fa)(fa)拉(la)=1000毫法(fa)(fa)(fa)（mF），1毫法(fa)(fa)(fa)=1000微(wei)法(fa)(fa)(fa)（μF），1微(wei)法(fa)(fa)(fa)=1000納法(fa)(fa)(fa) （nF），1納法(fa)(fa)(fa)=1000皮(pi)法(fa)(fa)(fa)（pF）。

容(rong)量大的瓷(ci)片(pian)電(dian)容(rong)其容(rong)量值在電(dian)容(rong)上直接標(biao)明(ming)，如10μF/16V；

容量小的(de)瓷片電容其容量值在電容上(shang)用字(zi)母表示或數字(zi)表示；

字母(mu)表示法：2m=2000μF，1P2=1.2PF，2n=2000PF；

數(shu)(shu)(shu)(shu)字(zi)表示法(fa)：三位(wei)數(shu)(shu)(shu)(shu)字(zi)的(de)表示法(fa)也稱(cheng)電容(rong)量的(de)數(shu)(shu)(shu)(shu)碼(ma)表示法(fa)。三位(wei)數(shu)(shu)(shu)(shu)字(zi)的(de)前兩位(wei)數(shu)(shu)(shu)(shu)字(zi)為標稱(cheng)容(rong)量的(de)有(you)效(xiao)數(shu)(shu)(shu)(shu)字(zi)，第三位(wei)數(shu)(shu)(shu)(shu)字(zi)表示有(you)效(xiao)數(shu)(shu)(shu)(shu)字(zi)后面零的(de)個數(shu)(shu)(shu)(shu)，它們的(de)單位(wei)都是pF。

例如(ru)：102表示標(biao)稱容量(liang)為1000pF。

211表示標稱容量為(wei)210pF。

214表(biao)示(shi)標稱(cheng)容量(liang)為21x10（4）pF。

在這(zhe)種表(biao)(biao)示(shi)法(fa)中有(you)一個特(te)殊情況(kuang)，就是當第三位數字用"9"表(biao)(biao)示(shi)時，是用有(you)效數字乘上(shang)10的-1次方來(lai)表(biao)(biao)示(shi)容(rong)量大小。例如：219表(biao)(biao)示(shi)標稱容(rong)量為21x（10-1）pF=2.2pF。

瓷片電容規格有哪些

瓷片電容用高介電常數的電容(rong)器陶(tao)(tao)瓷〈鈦酸鋇一(yi)氧化鈦〉擠壓成圓(yuan)管(guan)、圓(yuan)片或圓(yuan)盤作為介質，在陶(tao)(tao)瓷表面涂覆一(yi)層金屬(shu)薄膜,并用燒滲法將銀鍍(du)在陶(tao)(tao)瓷上作為電極制成的電容(rong)器。

瓷片電容有什么作用

1、容量損耗(hao)隨溫度頻率具高穩定性；

2、特殊(shu)的串(chuan)聯(lian)結構適(shi)合于高電壓(ya)極(ji)長期工作可靠性；

3、高(gao)電流爬升速率并適用(yong)于大電流回路無感型結構。通(tong)常(chang)用(yong)于高(gao)穩定振蕩回路中，作為回路、旁路電容器及墊整電容器如消(xiao)除高(gao)頻(pin)干擾(rao)。

瓷片電容器不宜(yi)使用在脈沖電路中，因為它們(men)易于被(bei)脈沖電壓擊穿。

陶瓷(ci)有I類瓷(ci)，II類瓷(ci)，III類瓷(ci)之(zhi)分，I類瓷(ci)，NP0，溫度(du)特性，頻率特性和電(dian)(dian)壓(ya)特性佳，因介(jie)(jie)電(dian)(dian)常數不(bu)高(gao)(gao)，所以容(rong)量做(zuo)不(bu)大；II類瓷(ci)，X7R次之(zhi)，溫度(du)特性和電(dian)(dian)壓(ya)特性較好；III類瓷(ci)，介(jie)(jie)電(dian)(dian)常數高(gao)(gao)，所以容(rong)量可以做(zuo)很大，但溫度(du)特性和電(dian)(dian)壓(ya)特性不(bu)太(tai)好。瓷(ci)片電(dian)(dian)容(rong)器(qi)一(yi)般體積不(bu)大。另外(wai)，再(zai)強(qiang)調一(yi)個重要(yao)特點：瓷(ci)介(jie)(jie)電(dian)(dian)容(rong)器(qi)擊穿(chuan)后，往(wang)往(wang)呈(cheng)短路(lu)狀態。（這(zhe)是它的弱點）而薄膜(mo)電(dian)(dian)容(rong)器(qi)失(shi)效后，一(yi)般呈(cheng)開路(lu)狀態

瓷(ci)片電(dian)容規格Ⅱ類瓷(ci)也叫做高介(jie)(jie)電(dian)常(chang)數型（High Dielectric Constant Type），是適用於作旁路、耦合或用在(zai)(zai)對損耗(hao)和電(dian)容量穩定(ding)性(xing)要求不高的電(dian)路中的具有高介(jie)(jie)電(dian)常(chang)數的一種電(dian)容器。該類陶瓷(ci)介(jie)(jie)質是以在(zai)(zai)類別溫(wen)度范圍內(nei)電(dian)容量非線(xian)性(xing)變化(hua)來表徵。其特性(xing)符合以下標準：

用(yong)途：1）旁路(lu)和耦合；2）對(dui)Q值和容(rong)量穩定性要(yao)求一般的分(fen)步電路(lu)。