超頻內存條怎么選

1、內存顆粒芯片

內存顆粒芯片是(shi)最(zui)重要的(de)核(he)心(xin)元件(jian)，占據整根內存成本的(de)70-80%，因此廠家節省成本最先從內存顆粒芯片著手。而內存芯片的好壞直接影響到內存條的品質和性能。

一線內存(cun)品(pin)牌廠(chang)家建有(you)內存(cun)顆粒芯片的切割、封裝測試(shi)工廠(chang)，它(ta)(ta)們在品(pin)質上有(you)保證，同時有(you)利(li)于(yu)控(kong)制(zhi)成本，但是它(ta)(ta)們的品(pin)質要比內存(cun)原廠(chang)芯片略遜(xun)。

一般(ban)常見的(de)內(nei)存(cun)顆(ke)粒廠商有三星、海力士、美光(guang)等，它們都(dou)(dou)是(shi)經(jing)過完整嚴謹的(de)生產工序，因此(ci)在品質上都(dou)(dou)更(geng)有保(bao)障。而采(cai)用這些頂級大廠內(nei)存(cun)顆(ke)粒的(de)內(nei)存(cun)條品質性能，必然會比其它“自主切(qie)割、封裝(zhuang)測試的(de)內存顆(ke)粒(li)”的(de)產品要高(gao)。

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2、做工用料

大(da)(da)廠(chang)正(zheng)品內(nei)存(cun)的(de)電(dian)(dian)路(lu)線(xian)路(lu)清晰(xi)分明并(bing)且(qie)較為(wei)密集有序，同時走線(xian)所用的(de)銅絲(si)較粗并(bing)且(qie)外(wai)面覆(fu)蓋抗氧化(hua)涂層。而在接(jie)近金手(shou)指的(de)地方整(zheng)齊(qi)有序的(de)焊接(jie)大(da)(da)量(liang)高級陶瓷(ci)電(dian)(dian)容(rong)和(he)排阻。

內存的PCB電路板(ban)下部為(wei)一排(pai)鍍(du)金(jin)(jin)(jin)觸點(dian)，學名叫做“金(jin)(jin)(jin)手指”。千(qian)萬別小看這些金(jin)(jin)(jin)光閃閃的(de)(de)觸點(dian)，如果其中有一根脫落(luo)或者氧化，很可(ke)(ke)能(neng)會(hui)造成一些故(gu)障隱患。厚重的(de)(de)鍍(du)金(jin)(jin)(jin)層(ceng)不(bu)僅可(ke)(ke)以提供穩定(ding)的(de)(de)數(shu)據傳輸通道，同時還(huan)能(neng)達到出色的(de)(de)抗氧化的(de)(de)效果，從而進(jin)一步提升內存的(de)(de)穩定(ding)性。

3、PCB板層數

通(tong)常而言，PCB電路板(ban)層數越(yue)多(duo)，其信(xin)號(hao)抗干擾(rao)能力越(yue)強，對內存穩(wen)定性越(yue)有(you)幫助。內存PCB板分(fen)為6層、8層PCB板。

普條(tiao)(又稱裸條，沒有散熱片）基本采用6層PCB板，大部(bu)分入門(men)級(ji)超頻內(nei)存采用的是6層(ceng)PCB板，絕大部分中端(duan)和高端(duan)的超頻內存采用的是8層PCB板。

選購超頻內存有什么誤區

誤區一：帶散熱片的產品更能超頻

配(pei)以(yi)散(san)熱(re)片(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)內(nei)存，更(geng)多(duo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)是起到了美化產(chan)品形象的(de)(de)(de)(de)(de)(de)作用，有(you)(you)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)甚(shen)至可能成為內(nei)存的(de)(de)(de)(de)(de)(de)遮羞布，讓您看不(bu)到它所(suo)(suo)使用的(de)(de)(de)(de)(de)(de)芯(xin)片(pian)(pian)，要知道內(nei)存芯(xin)片(pian)(pian)才(cai)是決定超頻下限的(de)(de)(de)(de)(de)(de)基(ji)礎。比如一些(xie)名廠的(de)(de)(de)(de)(de)(de)產(chan)品，雖然并沒有(you)(you)帶(dai)上這(zhe)層散(san)熱(re)片(pian)(pian)，但這(zhe)樣的(de)(de)(de)(de)(de)(de)低(di)規格內(nei)存就(jiu)(jiu)超過了很多(duo)帶(dai)有(you)(you)散(san)熱(re)片(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)高規格產(chan)品，就(jiu)(jiu)很能說明(ming)這(zhe)個(ge)問題。所(suo)(suo)以(yi)在選購(gou)內(nei)存時，有(you)(you)沒有(you)(you)散(san)熱(re)片(pian)(pian)不(bu)是考慮(lv)因素，帶(dai)散(san)熱(re)片(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)產(chan)品不(bu)見(jian)得(de)更(geng)能超頻。

像(xiang)金士頓、金邦、宇瞻、金泰克(ke)等品牌內存，每(mei)顆芯片都是廠(chang)家精挑細選后(hou)的優(you)秀A級顆粒，發熱(re)(re)量小不(bu)說，同時在頻率方面也(ye)留有余地，即(ji)使(shi)它們不(bu)使(shi)用任何(he)散熱(re)(re)手段，也(ye)能(neng)有良好的表現，散熱(re)(re)方面更不(bu)需要擔心。

誤區二：單面內存和雙面內存在超頻方面一樣

單(dan)面內存(cun)比雙面內存(cun)在超頻方面更有先天優勢，這主要取(qu)決于(yu)芯(xin)片(pian)組的驅動負載能力。單(dan)面的內存(cun)大多為8顆芯片，如(ru)目(mu)前主流的512MB產(chan)品，雙面的為(wei)16顆芯片，如目前主流(liu)的(de)1GB產品。這就意味著后者需要更(geng)大的(de)驅(qu)動(dong)能力，雖然工作時(shi)會通過(guo)片選(xuan)信號選(xuan)中一(yi)個P-Bank工作，但不工作的P-Bank仍會增加地址與控制信(xin)號線(xian)的負(fu)載。

所以，很明顯的就可(ke)看出，8顆(ke)芯片總是要(yao)比16顆芯片更容易(yi)驅動。此(ci)外，芯片的增多，也(ye)使PCB上的(de)信號線數量將是前者的(de)一倍(bei)，如(ru)果(guo)設計不良，產(chan)生(sheng)相互(hu)干擾的(de)機率也就大幅(fu)度(du)增加，這(zhe)也可能(neng)會影(ying)響超(chao)頻能(neng)力，不過這(zhe)是相對次要的(de)原因，就模組本身(shen)而言，超(chao)頻能(neng)力更多的(de)取決于芯片。

誤區三：相同芯片的不同品牌意味著超頻能力相同

有人(ren)對(dui)這個誤區可能不理解，選用相同的顆(ke)粒，為(wei)什么超頻能力卻不同？其實(shi)對于不同品牌的(de)(de)兩款內存條雖然(ran)采(cai)用了相同的(de)(de)芯片，但它(ta)們在超頻性能上是存有差異(yi)的(de)(de)，可(ke)主要(yao)取決于產品的(de)(de)PCB設計及選(xuan)用顆(ke)(ke)粒(li)的品質(zhi)。現市面上超(chao)(chao)頻較(jiao)好的顆(ke)(ke)粒(li)多見現代、三(san)星、英飛凌等，但這(zhe)些(xie)顆(ke)(ke)粒(li)即(ji)使是相(xiang)同編號它們也是分等級的，這(zhe)其中品質(zhi)優秀的留給自(zi)己的原(yuan)裝(zhuang)內(nei)存，或者是關(guan)系較(jiao)好的幾(ji)家內(nei)存廠家。對于關(guan)系一般的廠家采(cai)(cai)購(gou)到的顆(ke)(ke)粒(li)，就有可能是品質(zhi)稍(shao)遜一些(xie)了，所以，即(ji)使采(cai)(cai)用相(xiang)同芯片，但品牌不同，那么超(chao)(chao)頻能力也不盡相(xiang)同。

誤區四：CSP封裝的芯片意味著好超頻

相對來說，CSP封(feng)裝的內存(cun)，在技術上較TSOP-II更為先進，但(dan)卻(que)與最終內存性能(neng)的關系不太(tai)大(da)。采(cai)用(yong)CSP封裝芯片的內存，在超頻方面(mian)和內存優化(hua)方面(mian)不一定就(jiu)比(bi)傳統的TSOP-II芯(xin)片模組強。所以(yi)大家(jia)不要過(guo)分迷信CSP封裝，它本(ben)身雖然可以達到比TSOP-II更高的(de)頻(pin)率，但對外(wai)圍電路的(de)要(yao)求和電氣環(huan)境的(de)變化(hua)也(ye)比(bi)較苛刻。采用(yong)TSOP-II封裝的(de)內存(cun)，超頻能力(li)比(bi)CSP封裝(zhuang)更(geng)強的情況更(geng)為普遍，所以CSP封裝的芯(xin)片不(bu)意味(wei)著好超頻。

誤區五：規格高的內存在優化能力上比規格低的內存強

從理論上講，DDR500要比DDR400規格(ge)(ge)高(gao)速度要快，而實際上卻并不(bu)絕(jue)對。因為有很多高(gao)規格(ge)(ge)的內存都是靠犧(xi)牲時序優(you)化能力(li)來(lai)換取(qu)。像DDR500的內存條雖然標稱頻率更高，但并不能表示它在DDR400下(xia)具有更(geng)好的優(you)化能力。原因很(hen)簡(jian)單(dan)，DDR500所使用的(de)芯片有可能和普(pu)通(tong)DDR400的(de)芯(xin)片是(shi)一樣(yang)的(de)，在(zai)時序優(you)化能(neng)力方(fang)面并不占優(you)，而能(neng)達到(dao)DDR500更多的是通過放寬(kuan)時(shi)序要求來達到的。所(suo)以，規格(ge)高的內(nei)(nei)存在優化能(neng)力上(shang)不(bu)(bu)見得(de)比規格(ge)低的內(nei)(nei)存強(qiang)。因此(ci)，玩家(jia)在選購內(nei)(nei)存時(shi)一(yi)定要注意這(zhe)一(yi)點，這(zhe)也體現了兩種不(bu)(bu)同的選購傾向，是想得(de)到最佳的DDR500性能還(huan)是最高(gao)的工作頻率(lv)。

誤區六：產品參數設置最大就好超頻

這(zhe)個(ge)問題可以(yi)(yi)通過事實說話，以(yi)(yi)DDR400內存為(wei)例(li)，當用3-4-4超不上去時，就(jiu)應換用BySPD的方法進行(xing)超頻(pin)。有(you)些默認CL=2.5的產(chan)品(pin)，BySPD反而會比3-4-4好超，但(dan)有些則不(bu)是，默認CL=3的(de)產品，BySPD與3-4-4都差不(bu)多(duo)，可能會有1、2MHz的(de)(de)區別。估計這應該(gai)是芯片所體現出來的(de)(de)差(cha)異(yi)。

CL是(shi)一個唯(wei)一在內(nei)存初始(shi)化時寫入芯片內(nei)模式寄存的(de)參數(tRCD、tRP只需(xu)北橋控制即可(ke))，所以(yi)它的值與芯片本(ben)身固(gu)有的可調(diao)整范圍(wei)就需要匹(pi)配，如(ru)果芯片本(ben)身的局限性較大，那么(me)調(diao)高(gao)CL值(zhi)反而會造成內存(cun)子系統(tong)的不(bu)穩定(ding)而導(dao)致不(bu)能開機(ji)。所以，3-4-4雖然是(shi)一個超頻時常用的設置，但如果(guo)遇(yu)到一點(dian)也不能超時，建議改用BySPD試一(yi)試，可能會有驚喜。所以(yi)，有些產品(pin)參數設置(zhi)最大可不(bu)見得就(jiu)好超(chao)頻。