超頻內存條怎么選

1、內存顆粒芯片

內存(cun)(cun)顆粒(li)芯片是最重要的核心元件，占(zhan)據整根內存(cun)(cun)成本的70-80%，因此廠家節省成本最先從內存顆粒芯片著手。而內存芯片的好壞直接影響到內存條的品質和性能。

一線(xian)內(nei)存品牌(pai)廠(chang)家建有內(nei)存顆(ke)粒芯片(pian)的(de)切割、封(feng)裝測試工廠(chang)，它們在品質上有保證(zheng)，同時有利于控制成本，但是它們的(de)品質要(yao)比內(nei)存原廠(chang)芯片(pian)略(lve)遜。

一般常(chang)見(jian)的(de)(de)內(nei)存(cun)顆(ke)(ke)粒(li)廠(chang)商有三星、海力士(shi)、美光等(deng)，它們都是(shi)經過完整嚴謹(jin)的(de)(de)生產工(gong)序，因此在(zai)品質上都更有保(bao)障。而采用這些頂(ding)級(ji)大(da)廠(chang)內(nei)存(cun)顆(ke)(ke)粒(li)的(de)(de)內(nei)存(cun)條品質性能(neng)，必然會比其它“自主(zhu)切(qie)割、封裝(zhuang)測(ce)試的(de)內存顆(ke)粒”的(de)產(chan)品要高。

該圖片由注冊用戶"溫暖·生活家"提供，版權聲明反饋

2、做工用料

大廠正品內存的電路(lu)線路(lu)清(qing)晰分(fen)明并且較為密集有(you)序，同(tong)時走線所用的銅絲較粗并且外面覆蓋抗氧化涂層。而(er)在接(jie)近金手指的地(di)方整齊有(you)序的焊(han)接(jie)大量高級陶瓷電容和排阻。

內存的PCB電路板下部為一(yi)(yi)排鍍金觸點，學名叫做“金手(shou)指”。千萬(wan)別(bie)小看這些(xie)(xie)金光閃(shan)閃(shan)的觸點，如果其中(zhong)有(you)一(yi)(yi)根脫落或者氧化，很可(ke)能會造成一(yi)(yi)些(xie)(xie)故障隱患。厚重的鍍金層不僅可(ke)以提供穩(wen)(wen)定的數據傳輸(shu)通道，同時還能達到(dao)出色(se)的抗氧化的效(xiao)果，從而進一(yi)(yi)步提升內(nei)存的穩(wen)(wen)定性。

3、PCB板層數

通常而言，PCB電路板(ban)層(ceng)數越多(duo)，其信號抗干擾能力越強，對內(nei)存(cun)穩定性越有幫(bang)助。內(nei)存(cun)PCB板分為6層、8層PCB板。

普條(又稱裸條，沒有散(san)熱片(pian)）基(ji)本采用6層(ceng)PCB板，大部分(fen)入門級(ji)超頻內存采用的(de)是(shi)6層PCB板，絕大(da)部分中端和高端的超頻內存采(cai)用的是8層(ceng)PCB板。

選購超頻內存有什么誤區

誤區一：帶散熱片的產品更能超頻

配以散(san)(san)熱(re)片(pian)(pian)的(de)內存(cun)，更(geng)多的(de)是起到(dao)了(le)美化產(chan)品(pin)形象的(de)作用，有(you)的(de)甚至可(ke)能成為(wei)內存(cun)的(de)遮羞布，讓您看不到(dao)它所(suo)使用的(de)芯片(pian)(pian)，要知道內存(cun)芯片(pian)(pian)才(cai)是決(jue)定超頻下限的(de)基(ji)礎。比如一(yi)些名(ming)廠的(de)產(chan)品(pin)，雖(sui)然并沒(mei)有(you)帶上這層散(san)(san)熱(re)片(pian)(pian)，但這樣的(de)低規格(ge)內存(cun)就(jiu)超過了(le)很多帶有(you)散(san)(san)熱(re)片(pian)(pian)的(de)高(gao)規格(ge)產(chan)品(pin)，就(jiu)很能說明(ming)這個問題(ti)。所(suo)以在選購內存(cun)時，有(you)沒(mei)有(you)散(san)(san)熱(re)片(pian)(pian)不是考慮因(yin)素，帶散(san)(san)熱(re)片(pian)(pian)的(de)產(chan)品(pin)不見得更(geng)能超頻。

像金士(shi)頓、金邦(bang)、宇瞻、金泰克(ke)等品牌內存，每(mei)顆(ke)芯片(pian)都是廠家精挑細選后的優(you)秀A級顆粒，發(fa)熱量小不(bu)說(shuo)，同時在頻率方面也留有余地(di)，即(ji)使它們不(bu)使用任何散熱手段，也能有良好的表現，散熱方面更不(bu)需要擔心(xin)。

誤區二：單面內存和雙面內存在超頻方面一樣

單面(mian)內存比雙(shuang)面(mian)內存在超頻方面(mian)更(geng)有先(xian)天(tian)優(you)勢，這主(zhu)要取(qu)決(jue)于芯片組的驅動負載能力。單面(mian)的內存大多為8顆(ke)芯(xin)片，如目前主流的512MB產品，雙面的為16顆芯(xin)片，如目(mu)前(qian)主流的1GB產(chan)品。這(zhe)就意味著后者(zhe)需(xu)要更(geng)大的(de)驅動能力，雖然工作時會通過片選信(xin)號選中一個P-Bank工作，但不(bu)工作的P-Bank仍會增加地址與控制(zhi)信號線的負載。

所以，很明顯的就可(ke)看出，8顆芯(xin)片總是要比16顆芯片更(geng)容易驅(qu)動。此外，芯片的增(zeng)多，也使(shi)PCB上的(de)信(xin)號線數(shu)量將是前者的(de)一倍(bei)，如果(guo)設(she)計不(bu)良，產生(sheng)相互干擾的(de)機率也就(jiu)大幅度增加，這也可能(neng)(neng)會影響超頻能(neng)(neng)力(li)，不(bu)過這是相對次要的(de)原因，就(jiu)模組本身而言(yan)，超頻能(neng)(neng)力(li)更多的(de)取決(jue)于芯片。

誤區三：相同芯片的不同品牌意味著超頻能力相同

有人對這個(ge)誤區可能不理(li)解，選用相同的顆粒，為什么超頻能力卻不同？其實對于(yu)不(bu)同(tong)品牌的(de)兩款內存條雖然采用了相同(tong)的(de)芯(xin)片，但(dan)它們在(zai)超(chao)頻(pin)性(xing)能上是存有(you)差異的(de)，可主要取決于(yu)產(chan)品的(de)PCB設計及選用顆(ke)(ke)粒的(de)(de)品質(zhi)。現市面上超(chao)頻較好(hao)的(de)(de)顆(ke)(ke)粒多見現代、三星、英飛凌等(deng)，但(dan)這些顆(ke)(ke)粒即使是(shi)相同(tong)(tong)編號它們也是(shi)分等(deng)級的(de)(de)，這其中品質(zhi)優(you)秀的(de)(de)留給自(zi)己的(de)(de)原裝內存，或者是(shi)關系較好(hao)的(de)(de)幾家內存廠(chang)家。對(dui)于關系一般的(de)(de)廠(chang)家采(cai)(cai)購到的(de)(de)顆(ke)(ke)粒，就有可能(neng)是(shi)品質(zhi)稍遜一些了，所以，即使采(cai)(cai)用相同(tong)(tong)芯片(pian)，但(dan)品牌(pai)不同(tong)(tong)，那么(me)超(chao)頻能(neng)力也不盡相同(tong)(tong)。

誤區四：CSP封裝的芯片意味著好超頻

相對(dui)來說，CSP封裝的內(nei)存(cun)，在技術上較TSOP-II更為(wei)先進，但卻與(yu)最(zui)終內存性能(neng)的關系不太大。采用CSP封裝芯片的內(nei)存，在超頻(pin)方面(mian)和內(nei)存優化方面(mian)不一定就比傳統的TSOP-II芯片模組強。所以大家不(bu)要過(guo)分迷信CSP封裝，它本身雖然(ran)可以達(da)到比TSOP-II更(geng)高的(de)頻率，但對(dui)外圍(wei)電(dian)路的(de)要求和電(dian)氣環境的(de)變化(hua)也(ye)比較苛(ke)刻(ke)。采用TSOP-II封(feng)裝的內(nei)存，超頻(pin)能力比CSP封裝更(geng)強的情況更(geng)為普遍，所以CSP封裝的芯片不(bu)意味著(zhu)好超頻。

誤區五：規格高的內存在優化能力上比規格低的內存強

從理論(lun)上講，DDR500要(yao)比DDR400規格(ge)高(gao)速(su)度要快，而實(shi)際上卻(que)并不絕(jue)對。因為有很多高(gao)規格(ge)的內(nei)存都(dou)是靠犧牲時(shi)序優化能力來換(huan)取。像(xiang)DDR500的內存條雖然標稱頻率更高，但并不能表示它在DDR400下具有更好(hao)的優化能力。原因很(hen)簡(jian)單，DDR500所使用(yong)的芯片有可(ke)能和普(pu)通DDR400的芯片是一樣的，在時序優(you)化能(neng)力方面并不占優(you)，而能(neng)達(da)到(dao)DDR500更多的(de)是通過放寬時(shi)序要求來(lai)達到的(de)。所以，規(gui)格高的(de)內(nei)存在(zai)優化能力(li)上不見得比規(gui)格低的(de)內(nei)存強(qiang)。因此，玩家在(zai)選購(gou)內(nei)存時(shi)一定要注意(yi)這(zhe)一點，這(zhe)也體現了兩種不同的(de)選購(gou)傾向，是想得到最佳的(de)DDR500性能還是最高的工作頻率。

誤區六：產品參數設置最大就好超頻

這個問題可以通過事實(shi)說話，以DDR400內(nei)存為例，當用3-4-4超不上去時，就應換用(yong)BySPD的方(fang)法(fa)進行超頻。有(you)些(xie)默認CL=2.5的(de)產(chan)品，BySPD反而會比3-4-4好超，但有些則不是(shi)，默(mo)認CL=3的(de)產品，BySPD與(yu)3-4-4都差(cha)不多，可能會(hui)有1、2MHz的區別。估計(ji)這應該是(shi)芯片所體現出來的差異。

CL是一(yi)個唯一(yi)在內存初始化時(shi)寫(xie)入芯(xin)片內模式寄(ji)存的(de)參(can)數(tRCD、tRP只(zhi)需(xu)北(bei)橋控制即可)，所(suo)以它的(de)值與芯片(pian)本(ben)身固有的(de)可調(diao)整范圍就需要匹配，如果芯片(pian)本(ben)身的(de)局限性(xing)較大，那么(me)調(diao)高CL值反而會造成內存子系(xi)統的不穩(wen)定而導致不能(neng)開機(ji)。所以，3-4-4雖然(ran)是一個超(chao)頻時常用的設置，但如果遇到一點也不能超(chao)時，建議改用BySPD試(shi)一試(shi)，可能會有驚喜(xi)。所以，有些(xie)產品(pin)參數設置(zhi)最大可不見得就(jiu)好超頻。