一、手機芯片是怎么制造出來的

在移動互聯網的普及下，手機(ji)已經成為(wei)我們(men)的標配設備，而手機(ji)性能的好壞，主要取決于手機(ji)芯片。手機(ji)芯片從(cong)需求提出到投(tou)入應用大體分為(wei)兩個階段：

1、手機芯片設計

手機(ji)芯片(pian)的(de)設(she)計(ji)(ji)(ji)(ji)流程往往分(fen)為前端設(she)計(ji)(ji)(ji)(ji)和后(hou)端設(she)計(ji)(ji)(ji)(ji)，前端設(she)計(ji)(ji)(ji)(ji)更側(ce)重于(yu)軟件(jian)的(de)設(she)計(ji)(ji)(ji)(ji)，更加注重邏輯；后(hou)端設(she)計(ji)(ji)(ji)(ji)則要更多地考慮(lv)工藝(yi)手段，設(she)計(ji)(ji)(ji)(ji)人(ren)員(yuan)需要根(gen)據芯片(pian)生(sheng)產方的(de)能力（例如(ru)溝道寬度）來設(she)計(ji)(ji)(ji)(ji)相應的(de)芯片(pian)。

2、手機芯片制造

比起芯(xin)片的設計，芯(xin)片制造的難(nan)度更大，技術壁壘更高(gao)。一(yi)般認為芯(xin)片的生產(chan)與制造可以(yi)大體分為晶圓制造、晶圓光刻、摻(chan)加雜質和封(feng)裝測試四個步驟：

（1）晶(jing)圓制造(zao)：制造(zao)芯(xin)片的物質基礎是晶(jing)元，由石英砂精(jing)煉得來(lai)，將提純后的硅制成硅晶(jing)棒即可得到制造(zao)集成電(dian)路的半導體材料(liao)。

（2）晶圓光(guang)刻(ke)(ke)顯影、蝕刻(ke)(ke)：電路中復雜(za)(za)的(de)邏輯組合與走線(xian)并不(bu)是(shi)通過傳統(tong)意義上的(de)“雕(diao)刻(ke)(ke)”或“拼接”完成(cheng)的(de)，而是(shi)通過光(guang)刻(ke)(ke)機對(dui)指定位置進行蝕刻(ke)(ke)，這一過程極為精(jing)密和復雜(za)(za)。

（3）摻(chan)加(jia)雜(za)質(zhi)：眾所周知，集成電路(lu)的(de)基礎是PN結(jie)，要想形成PN結(jie)，就必須在不同的(de)晶元(yuan)里摻(chan)加(jia)不同的(de)雜(za)質(zhi)（本質(zhi)上而言是加(jia)入(ru)P、N型(xing)雜(za)質(zhi)，改變其(qi)(qi)導電性質(zhi)）。越(yue)是復雜(za)的(de)集成電路(lu)，其(qi)(qi)立(li)體結(jie)構就越(yue)復雜(za)，摻(chan)加(jia)雜(za)質(zhi)的(de)步驟也就越(yue)復雜(za)。

（4）封裝測試：經過(guo)上述流程，芯(xin)片(pian)制(zhi)造商就完成(cheng)了從版圖到芯(xin)片(pian)實體的(de)流程，但(dan)芯(xin)片(pian)能(neng)否具體工作(zuo)，其電氣性能(neng)是否達標，還需(xu)要(yao)完成(cheng)測試才能(neng)確定。因此，芯(xin)片(pian)制(zhi)造廠商均需(xu)要(yao)一批后端測試人員對芯(xin)片(pian)的(de)性能(neng)進行測試。

二、手機芯片中國能生產嗎

國內(nei)半導(dao)體芯(xin)片(pian)制造一(yi)直是比(bi)較受大家(jia)關(guan)注的(de)一(yi)個話題，現(xian)在大家(jia)幾乎(hu)人手(shou)(shou)一(yi)臺(tai)智(zhi)能手(shou)(shou)機，對于手(shou)(shou)機芯(xin)片(pian)的(de)關(guan)注更多(duo)，那(nei)么我國有(you)沒有(you)生產手(shou)(shou)機芯(xin)片(pian)的(de)能力(li)呢？

和電腦芯片一樣，手機芯片實際上也是光刻機制造出來的，我國并不是沒有生產手機芯片的能力，只不過和主流的手機芯片相比，我國生產出的手機芯片在(zai)制程(cheng)工藝、性能(neng)方(fang)面(mian)都(dou)有較大的(de)差(cha)距：主流的(de)智能(neng)手機所使用的(de)芯(xin)(xin)片都(dou)是7nm及以下的(de)高端半導體(ti)芯(xin)(xin)片，而國產(chan)手機芯(xin)(xin)片暫時還只能(neng)做到14nm。

在手機芯(xin)片制造領(ling)域，晶(jing)圓光刻顯(xian)影、蝕刻和摻加雜質的(de)步驟(zou)是我國比(bi)較欠缺的(de)，而晶(jing)圓制造能力(li)基本上可(ke)以實(shi)現國產自用，封裝測試環節技術含量不(bu)高，我國也不(bu)存在明顯(xian)的(de)落后。