如何選擇電子元件

如何選(xuan)擇電子元件(jian)器件(jian)(如何選(xuan)擇保險(xian)管，如何選(xuan)擇保險(xian)絲）

電(dian)子元(yuan)器(qi)(qi)件的選用非常(chang)重要。元(yuan)器(qi)(qi)件的失效主要集中在以下四個方(fang)面：

（1)元器件可靠性問題

元(yuan)(yuan)器件(jian)可靠性(xing)(xing)問(wen)題(ti)即基本失(shi)效(xiao)率(lv)的(de)問(wen)題(ti)，這是一種隨機性(xing)(xing)質的(de)失(shi)效(xiao)，與質量(liang)問(wen)題(ti)的(de)區別是元(yuan)(yuan)器件(jian)的(de)失(shi)效(xiao)率(lv)取(qu)決于工作應(ying)(ying)力水平。在一定(ding)的(de)應(ying)(ying)力水平下(xia)，元(yuan)(yuan)器件(jian)的(de)失(shi)效(xiao)率(lv)會(hui)大大下(xia)降。為剔(ti)除不(bu)符(fu)合使用要(yao)求的(de)元(yuan)(yuan)器件(jian)，包括電(dian)(dian)參數不(bu)合格、密(mi)封性(xing)(xing)能不(bu)合格、外觀不(bu)合格、穩定(ding)性(xing)(xing)差、早(zao)期失(shi)效(xiao)等，應(ying)(ying)進行篩(shai)選(xuan)(xuan)試驗(yan)，電(dian)(dian)子產品(pin)主要(yao)元(yuan)(yuan)器件(jian)的(de)篩(shai)選(xuan)(xuan)試驗(yan)一般要(yao)求：

購(gou)貨商(shang)要提(ti)供(gong)以下(xia)測(ce)試(shi)(shi)(shi)報(bao)告(gao)，高溫測(ce)試(shi)(shi)(shi)一(yi)般要焊(han)(han)(han)接模擬測(ce)試(shi)(shi)(shi)，高溫烤箱測(ce)試(shi)(shi)(shi)一(yi)般達不到實際焊(han)(han)(han)接要求(qiu)，測(ce)試(shi)(shi)(shi)可以通(tong)道式測(ce)試(shi)(shi)(shi)回流焊(han)(han)(han)完成（力鋒推薦：Ｍ系列(lie)測(ce)試(shi)(shi)(shi)型回流焊(han)(han)(han)）完全模擬實際焊(han)(han)(han)接生產曲(qu)線，這樣測(ce)試(shi)(shi)(shi)過的(de)器件品質更(geng)有保證！

①電阻在室(shi)溫(wen)下(xia)按技(ji)術(shu)條(tiao)件進行100％測試，剔除不合格品(pin)。

②普通電(dian)容(rong)器在室(shi)溫下(xia)按技術條(tiao)件進行100％測試，剔除不合格品。

③接(jie)插件按技術條(tiao)件抽樣檢(jian)測各種(zhong)參數。

④半(ban)導體(ti)器件(jian)按(an)以下(xia)程序(xu)進行篩(shai)選：

目檢→初測(ce)→高(gao)溫貯存(cun)→高(gao)低溫沖擊(ji)→電功率老化→高(gao)溫測(ce)試(shi)（模擬焊(han)接測(ce)試(shi)）→低溫測(ce)試(shi)→常溫測(ce)試(shi)

篩(shai)選結(jie)束后應計算剔除(chu)率(lv)Q

Q=(n / N)×100%

式中：N——受試樣品總數(shu)；

n——被剔除(chu)的樣(yang)品數；

如果Q超過標準(zhun)規(gui)定(ding)的(de)上限值，則本批元器件(jian)全部不準(zhun)上機，并按有關規(gui)定(ding)處理。

（2)制造質量問題

質量問(wen)題造成的(de)失效與(yu)工作應(ying)力無關。質量不合格的(de)可以通過嚴格的(de)檢驗加以剔除，在工程應(ying)用時應(ying)選用定點生(sheng)產廠家的(de)成熟產品(pin)，不允許使(shi)用沒有經過認證的(de)產品(pin)。

（3)設計問題

首先是恰(qia)當地選(xuan)用(yong)合適的元器件(jian)：

①盡量選用(yong)硅半(ban)導體器(qi)件，少用(yong)或(huo)不用(yong)鍺半(ban)導體器(qi)件。

②多采(cai)用集成電路，減(jian)少分立器件(jian)的(de)數(shu)目。

③開(kai)關(guan)管選用MOSFET能簡化驅動電路(lu)，減少損耗。

④輸出整流管盡量(liang)采用具有軟恢(hui)復(fu)特性的(de)二極管。

⑤應選(xuan)擇金屬封(feng)裝(zhuang)(zhuang)、陶瓷封(feng)裝(zhuang)(zhuang)、玻(bo)璃封(feng)裝(zhuang)(zhuang)的器(qi)(qi)件。禁止選(xuan)用塑料封(feng)裝(zhuang)(zhuang)的器(qi)(qi)件。

⑥集成(cheng)電(dian)路(lu)必須是(shi)一類品或者是(shi)符合(he)MIL－M－38510、MIL－S－19500標準B－1以上質(zhi)量等級的軍品。

⑦設(she)計(ji)時(shi)盡量(liang)少(shao)用繼電(dian)器(qi)，確有必要時(shi)應(ying)選用接觸良好的(de)密封繼電(dian)器(qi)。

⑧原則(ze)上不選用電位器，必(bi)須保留的應進行(xing)固封(feng)處(chu)理。

⑨吸收電(dian)(dian)(dian)容器(qi)與開關(guan)管和輸出整流(liu)管的距離應當很近，因流(liu)過(guo)高頻電(dian)(dian)(dian)流(liu)，故易升溫(wen)，所(suo)以要(yao)求這些(xie)電(dian)(dian)(dian)容器(qi)具有高頻低(di)損耗和耐高溫(wen)的特性。

在潮濕和鹽霧(wu)環境(jing)下，鋁(lv)電(dian)(dian)(dian)解(jie)電(dian)(dian)(dian)容(rong)會發生外殼腐蝕、容(rong)量漂移、漏電(dian)(dian)(dian)流增大等情況，所以在艦(jian)船和潮濕環境(jing)，最好不要用(yong)鋁(lv)電(dian)(dian)(dian)解(jie)電(dian)(dian)(dian)容(rong)。由(you)于受空間(jian)粒子(zi)轟(hong)擊(ji)時，電(dian)(dian)(dian)解(jie)質會分(fen)解(jie)，所以鋁(lv)電(dian)(dian)(dian)解(jie)電(dian)(dian)(dian)容(rong)也不適用(yong)于航天電(dian)(dian)(dian)子(zi)設備的電(dian)(dian)(dian)源(yuan)中。

鉭電(dian)解電(dian)容溫度和頻率特性(xing)較好，耐高低(di)溫，儲(chu)存(cun)時間長，性(xing)能穩(wen)定可(ke)靠，但(dan)鉭電(dian)解電(dian)容較重、容積(ji)比(bi)低(di)、不(bu)耐反(fan)壓、高壓品(pin)種(>125V)較少、價格(ge)昂(ang)貴。

關于降額設計：電(dian)(dian)子元(yuan)器(qi)件(jian)的(de)(de)基本(ben)失效(xiao)(xiao)率取(qu)決(jue)于(yu)工(gong)(gong)作應力(li)(包括電(dian)(dian)、溫度(du)、振動(dong)、沖擊、頻率、速度(du)、碰撞等(deng))。除(chu)個別低應力(li)失效(xiao)(xiao)的(de)(de)元(yuan)器(qi)件(jian)外(wai)，其(qi)它均表現為(wei)工(gong)(gong)作應力(li)越高，失效(xiao)(xiao)率越高的(de)(de)特性。為(wei)了使元(yuan)器(qi)件(jian)的(de)(de)失效(xiao)(xiao)率降(jiang)(jiang)低，所以在電(dian)(dian)路設(she)計時要進行降(jiang)(jiang)額(e)(e)(e)設(she)計。降(jiang)(jiang)額(e)(e)(e)程度(du)，除(chu)可靠性外(wai)還需(xu)考(kao)慮體積、重量(liang)、成本(ben)等(deng)因素。不(bu)同的(de)(de)元(yuan)器(qi)件(jian)降(jiang)(jiang)額(e)(e)(e)標(biao)準(zhun)亦(yi)不(bu)同，實踐(jian)表明(ming)，大部分(fen)電(dian)(dian)子元(yuan)器(qi)件(jian)的(de)(de)基本(ben)失效(xiao)(xiao)率取(qu)決(jue)于(yu)電(dian)(dian)應力(li)和溫度(du)，因而降(jiang)(jiang)額(e)(e)(e)也主要是控制這兩種應力(li)，以下(xia)為(wei)電(dian)(dian)子產品常(chang)用元(yuan)器(qi)件(jian)的(de)(de)降(jiang)(jiang)額(e)(e)(e)系數：

①電阻的功率降額(e)系(xi)數在0.1～0.5之間。

②二極管的功率降額系數在(zai)0.4以(yi)下，反向耐壓(ya)在(zai)0.5以(yi)下。

③發光二極管．