如何選擇電子元件

如(ru)何(he)選(xuan)(xuan)擇電(dian)子(zi)元件(jian)(jian)器件(jian)(jian)(如(ru)何(he)選(xuan)(xuan)擇保險管，如(ru)何(he)選(xuan)(xuan)擇保險絲）

電子元器件的(de)選(xuan)用非(fei)常重要。元器件的(de)失效(xiao)主要集(ji)中在以下四個方(fang)面：

（1)元器件可靠性問題

元(yuan)器(qi)件(jian)可靠(kao)性(xing)問題(ti)即基本失(shi)(shi)效率的(de)問題(ti)，這是一(yi)種(zhong)隨機性(xing)質(zhi)的(de)失(shi)(shi)效，與質(zhi)量問題(ti)的(de)區別是元(yuan)器(qi)件(jian)的(de)失(shi)(shi)效率取決于工(gong)作應力水平。在(zai)一(yi)定的(de)應力水平下，元(yuan)器(qi)件(jian)的(de)失(shi)(shi)效率會(hui)大(da)大(da)下降。為(wei)剔除不符(fu)合(he)使用要(yao)求的(de)元(yuan)器(qi)件(jian)，包括電(dian)(dian)參數不合(he)格(ge)、密封性(xing)能不合(he)格(ge)、外觀不合(he)格(ge)、穩定性(xing)差、早期(qi)失(shi)(shi)效等，應進行篩選(xuan)試驗，電(dian)(dian)子產(chan)品主要(yao)元(yuan)器(qi)件(jian)的(de)篩選(xuan)試驗一(yi)般(ban)要(yao)求：

購貨(huo)商(shang)要(yao)提供以下測(ce)(ce)試報告，高(gao)溫測(ce)(ce)試一般(ban)要(yao)焊(han)接模擬(ni)測(ce)(ce)試，高(gao)溫烤箱測(ce)(ce)試一般(ban)達不到實(shi)際焊(han)接要(yao)求(qiu)，測(ce)(ce)試可以通道(dao)式(shi)測(ce)(ce)試回(hui)流(liu)焊(han)完成(cheng)（力鋒(feng)推薦：Ｍ系列測(ce)(ce)試型回(hui)流(liu)焊(han)）完全(quan)模擬(ni)實(shi)際焊(han)接生產(chan)曲線，這樣測(ce)(ce)試過(guo)的器件品(pin)質(zhi)更(geng)有保證！

①電阻在室溫下(xia)按技術條(tiao)件進行100％測試，剔(ti)除不合格品。

②普(pu)通電容器在室(shi)溫下(xia)按技術條件進行100％測試，剔除(chu)不合格品(pin)。

③接插件(jian)按技(ji)術條件(jian)抽(chou)樣檢測各種參數。

④半導體器(qi)件按以下程(cheng)序進行篩(shai)選：

目(mu)檢→初測→高(gao)溫(wen)(wen)貯存(cun)→高(gao)低溫(wen)(wen)沖(chong)擊→電(dian)功(gong)率老(lao)化→高(gao)溫(wen)(wen)測試（模擬焊接測試）→低溫(wen)(wen)測試→常溫(wen)(wen)測試

篩選結束后應計(ji)算(suan)剔除率Q

Q=(n / N)×100%

式中(zhong)：N——受試樣品總(zong)數；

n——被(bei)剔除的樣(yang)品數(shu)；

如果(guo)Q超過標準(zhun)規定(ding)的上限值，則本批元器件全部不準(zhun)上機，并按有關規定(ding)處理。

（2)制造質量問題

質量(liang)問題(ti)造(zao)成(cheng)的(de)(de)(de)失效與工作應力(li)無(wu)關。質量(liang)不(bu)合(he)格的(de)(de)(de)可以(yi)通過嚴格的(de)(de)(de)檢驗加以(yi)剔(ti)除(chu)，在工程應用(yong)時應選用(yong)定點(dian)生產廠家的(de)(de)(de)成(cheng)熟(shu)產品(pin)，不(bu)允許使用(yong)沒有(you)經過認(ren)證的(de)(de)(de)產品(pin)。

（3)設計問題

首先是恰當地選(xuan)用(yong)合(he)適的元(yuan)器(qi)件：

①盡量(liang)選用(yong)硅(gui)半導體(ti)(ti)器件，少用(yong)或不用(yong)鍺半導體(ti)(ti)器件。

②多采用集成電路(lu)，減少分立器件的數目。

③開(kai)關管(guan)選用MOSFET能簡化(hua)驅動電路，減少損(sun)耗(hao)。

④輸出整流管盡量采用具有軟恢復特(te)性的二極(ji)管。

⑤應選(xuan)擇金屬封(feng)裝(zhuang)、陶瓷封(feng)裝(zhuang)、玻(bo)璃(li)封(feng)裝(zhuang)的(de)器件。禁(jin)止選(xuan)用塑料封(feng)裝(zhuang)的(de)器件。

⑥集成電路必須(xu)是一(yi)類品或者是符合MIL－M－38510、MIL－S－19500標準(zhun)B－1以上質(zhi)量(liang)等級的軍品。

⑦設計時盡量少用(yong)繼電器，確有必要(yao)時應選用(yong)接觸(chu)良好的密(mi)封(feng)繼電器。

⑧原則上不選用電位器，必須(xu)保留(liu)的(de)應進行固封(feng)處理。

⑨吸收電容器與開關管和輸出(chu)整(zheng)流管的距(ju)離(li)應當很近，因(yin)流過高頻電流，故(gu)易升溫，所(suo)以要求這些電容器具有高頻低損耗和耐高溫的特性(xing)。

在潮濕和鹽霧(wu)環境(jing)下，鋁(lv)電(dian)(dian)解(jie)(jie)電(dian)(dian)容(rong)會發生外殼腐蝕、容(rong)量(liang)漂移、漏電(dian)(dian)流增大等情(qing)況，所以在艦船和潮濕環境(jing)，最(zui)好(hao)不(bu)要用(yong)鋁(lv)電(dian)(dian)解(jie)(jie)電(dian)(dian)容(rong)。由于受空間粒子(zi)轟擊時，電(dian)(dian)解(jie)(jie)質會分解(jie)(jie)，所以鋁(lv)電(dian)(dian)解(jie)(jie)電(dian)(dian)容(rong)也(ye)不(bu)適用(yong)于航天(tian)電(dian)(dian)子(zi)設備的電(dian)(dian)源(yuan)中。

鉭(tan)電解電容溫(wen)度和頻率(lv)特性較(jiao)好，耐高低溫(wen)，儲存時間長，性能穩定(ding)可靠(kao)，但(dan)鉭(tan)電解電容較(jiao)重、容積比(bi)低、不耐反壓、高壓品種(>125V)較(jiao)少、價格昂貴。

關于降額設計：電(dian)(dian)子(zi)元器(qi)件(jian)(jian)的(de)(de)基本失(shi)效(xiao)(xiao)率(lv)取決于工(gong)作應(ying)(ying)力(li)(li)(包括電(dian)(dian)、溫度、振動、沖擊、頻(pin)率(lv)、速度、碰撞(zhuang)等)。除個(ge)別低應(ying)(ying)力(li)(li)失(shi)效(xiao)(xiao)的(de)(de)元器(qi)件(jian)(jian)外(wai)，其(qi)它均表(biao)現為(wei)工(gong)作應(ying)(ying)力(li)(li)越(yue)(yue)高(gao)，失(shi)效(xiao)(xiao)率(lv)越(yue)(yue)高(gao)的(de)(de)特性(xing)。為(wei)了使元器(qi)件(jian)(jian)的(de)(de)失(shi)效(xiao)(xiao)率(lv)降(jiang)低，所以在電(dian)(dian)路設計時要進行降(jiang)額(e)設計。降(jiang)額(e)程度，除可靠性(xing)外(wai)還需考慮體(ti)積、重量、成本等因(yin)素。不同的(de)(de)元器(qi)件(jian)(jian)降(jiang)額(e)標(biao)準亦不同，實(shi)踐表(biao)明，大部分電(dian)(dian)子(zi)元器(qi)件(jian)(jian)的(de)(de)基本失(shi)效(xiao)(xiao)率(lv)取決于電(dian)(dian)應(ying)(ying)力(li)(li)和溫度，因(yin)而降(jiang)額(e)也(ye)主要是控制(zhi)這兩種應(ying)(ying)力(li)(li)，以下為(wei)電(dian)(dian)子(zi)產品常用元器(qi)件(jian)(jian)的(de)(de)降(jiang)額(e)系數：

①電(dian)阻的功率降額(e)系數在0.1～0.5之間。

②二極管的功率降額系數在(zai)0.4以下(xia)，反向(xiang)耐壓(ya)在(zai)0.5以下(xia)。

③發光二極管．