一、電芯k值如何計算

電芯的K值是(shi)一(yi)個(ge)重要的性能指標，它反映了電(dian)池(chi)的老(lao)化速度和容量。具體來說(shuo)，K值是(shi)通(tong)過測量電(dian)池(chi)充滿后(hou)達到的飽(bao)和電(dian)量與其(qi)實際放電(dian)電(dian)流的比值計(ji)算得出的，也被稱為額(e)定充放電(dian)倍率。具體計(ji)算方式如(ru)下：

K=電(dian)池充(chong)(chong)放(fang)電(dian)電(dian)壓或電(dian)流(liu)上、下限值的(de)最大正弦波幅值差與(yu)標稱值的(de)百分(fen)比，即(ji)K=（Umax-Umin）%÷UN×100%。其中，K代表偏差系數(shu)；UN為標準規定(ding)(ding)輸入/輸出直流(liu)母(mu)線額定(ding)(ding)電(dian)壓（V）；Umax為在(zai)(zai)某(mou)工況(kuang)下的(de)最高測(ce)試點對(dui)應的(de)充(chong)(chong)、放(fang)電(dian)壓；Umin為在(zai)(zai)某(mou)工況(kuang)下的(de)最低測(ce)試點對(dui)應的(de)充(chong)(chong)、放(fang)電(dian)壓。這些數(shu)據(ju)需要在(zai)(zai)實際測(ce)量中獲取。

二、影響電芯k值的因素有什么

1、正負極材料、電解液種類、隔膜厚度種類

由于自放電(dian)很大(da)程度上是發生于材料之間，因此材料的性能對(dui)自放電(dian)有很大(da)的影(ying)響。有人曾做實驗得知三元材料比鈷酸(suan)鋰(li)電(dian)池自放電(dian)更(geng)高。

2、存儲的時間

存儲時間(jian)變(bian)(bian)長，一方面是使(shi)壓降的絕對(dui)值(zhi)(zhi)增(zeng)大，另一方面則變(bian)(bian)相(xiang)的減少了“儀(yi)器絕對(dui)誤差/壓降值(zhi)(zhi)”，從(cong)而使(shi)結果更為準確。但(dan)儲存時間(jian)過長也會使(shi)正負極之(zhi)間(jian)容量的平(ping)衡逐漸被打(da)破并深化，電解(jie)液的分解(jie)也會累計一些不可逆容量損失，使(shi)自放(fang)電變(bian)(bian)大。

3、存儲的條件

存儲溫(wen)度(du)和濕度(du)的(de)增加，會增大(da)自放電程(cheng)度(du)。

4、保護板自耗

與(yu)電芯(xin)保護板(ban)自耗電也有一(yi)定(ding)關系。

5、測試的初始電壓

初始電(dian)壓(ya)（或(huo)者說一(yi)(yi)次電(dian)壓(ya)）不同，所得K值差別明(ming)顯。一(yi)(yi)般初始電(dian)壓(ya)過(guo)高(gao)，自放電(dian)率越大。

嚴格的說，自放電用容量的衰減來表示，只是沒有合適的設備在不讓電芯放(fang)電的(de)情(qing)況下直接測(ce)出(chu)其剩余容量，而只能(neng)是通過測(ce)量其電壓來間接的(de)衡量其自(zi)放(fang)電，也就是所說的(de)K值(zhi)，所以如果環(huan)境條件的(de)改變(bian)引起測(ce)試電壓的(de)偏差(cha)可能(neng)導致K值(zhi)的(de)測(ce)量誤差(cha)，我(wo)們在實際測(ce)量時甚至(zhi)得到了K為(wei)負值(zhi)的(de)情(qing)況，這顯然(ran)與(yu)自(zi)放(fang)電本身的(de)意義(yi)相矛盾，因此需要對設備經常進行(xing)校(xiao)驗(yan)，測(ce)量環(huan)境保持(chi)一致。