1956年,從復(fu)旦(dan)大學畢(bi)業后被直接分配到中國(guo)科學院應用物理研(yan)究所半導體研(yan)究室。
1960年,成為中國(guo)科學院半導體(ti)研究所第一批(pi)成員。
1960年-1978年,擔任(ren)中國科學院半導體(ti)研(yan)(yan)究(jiu)所(suo)助(zhu)理研(yan)(yan)究(jiu)員、課題組長(chang)、研(yan)(yan)究(jiu)室副主任(ren)。
1978年-1985年,擔任中國科學院半導體所副研究(jiu)員(yuan)、研究(jiu)室主任、副所長。
1985年-1994年,擔任中國科學院半導體(ti)所所長 。
1991年(nian),當選(xuan)為中國科學院學部委(wei)員(yuan)(院士)。
1980年,獲“中國科學院重大成果二等獎(jiang)”。
1985年,項目《光纖通信用短波長發射器(qi)件(jian)(jian)和(he)探測器(qi)件(jian)(jian)》獲(huo)“國家(jia)科學技(ji)術進步獎二等獎”。
1986年,項(xiang)目《共腔雙區(qu)CCTS 激光(guang)器的研究》獲“中國通信(xin)學會優秀論文一等獎”。
1986年,項目《1.3μm單模低閾值、長壽(shou)命激光器的(de)研(yan)制(zhi)》獲“中國科(ke)學院科(ke)技進步獎(jiang)二等(deng)獎(jiang)”。
1987年,項(xiang)目《共腔雙區(CCTS)DH雙穩激光器研究(jiu)》獲“中國科(ke)學院科(ke)技(ji)進(jin)步獎二等獎”。
1992年,獲“中(zhong)國科學院科技進步獎一(yi)等獎”。
1995年,項目《低閾值1.3um InGaAs/InP雙區共腔(qiang)雙穩(wen)激光(guang)器(qi)》獲“中(zhong)國科(ke)學院科(ke)技進步獎一等獎”。
1986年(nian),獲“國家級有突出(chu)貢獻中(zhong)青年(nian)專家”稱(cheng)號。
1999年,獲“何梁何利基金(jin)科學(xue)與技術(shu)進步獎”。
2001年,獲“國家光通信(xin)與集成光學(xue)杰出(chu)貢獻獎”。
2005年,獲“‘973’項目先進個人獎”。
2010年,被評(ping)為“優秀共產黨(dang)員”。
2011年,被評為“中國科學(xue)院優秀(xiu)共產黨員”。