1、顯(xian)卡(ka)芯(xin)片：顯(xian)卡(ka)核心型號(hao)差(cha)一(yi)(yi)檔，性(xing)能(neng)也就(jiu)差(cha)了一(yi)(yi)檔，所以可根據核心型號(hao)來(lai)判斷(duan)顯(xian)卡(ka)的(de)高低，例如，N卡(ka)型號(hao)的(de)前綴一(yi)(yi)共有(you)GTX > GTS > GT > GF，其后(hou)的(de)兩位(wei)(wei)數或(huo)一(yi)(yi)位(wei)(wei)數代(dai)(dai)表(biao)(biao)代(dai)(dai)數，再其后(hou)兩位(wei)(wei)數越大(da)，表(biao)(biao)示(shi)同代(dai)(dai)中(zhong)的(de)性(xing)能(neng)就(jiu)越強，后(hou)綴有(you)Ti、SE、M、MX，分(fen)別表(biao)(biao)示(shi)加強版(ban)、閹(yan)割(ge)版(ban)、移動(dong)版(ban)、移動(dong)加強版(ban)。

2、流(liu)(liu)處(chu)理(li)器：流(liu)(liu)處(chu)理(li)器是(shi)顯(xian)卡(ka)(ka)的(de)(de)(de)核心，直接影響處(chu)理(li)能力(li)，對于(yu)N卡(ka)(ka)和A卡(ka)(ka)來說，流(liu)(liu)處(chu)理(li)單(dan)元個(ge)數(shu)越(yue)(yue)多則處(chu)理(li)能力(li)越(yue)(yue)強。N卡(ka)(ka)和A卡(ka)(ka)的(de)(de)(de)流(liu)(liu)處(chu)理(li)單(dan)元可采取近似比較(jiao)，N卡(ka)(ka)的(de)(de)(de)1個(ge)流(liu)(liu)處(chu)理(li)單(dan)元相當于(yu)AMD的(de)(de)(de)5個(ge)流(liu)(liu)處(chu)理(li)單(dan)元。

3、顯(xian)存(cun)位寬：顯(xian)存(cun)位寬表示一個時鐘(zhong)周期內(nei)所能傳送數據的位數，位數越大(da)(da)則(ze)傳輸量越大(da)(da)，常(chang)見(jian)的有64位、128位和256位顯(xian)卡(ka)。在(zai)顯(xian)存(cun)頻率(lv)相當(dang)情況下，顯(xian)存(cun)位寬決定著帶寬的大(da)(da)小(xiao)。

4、顯存(cun)(cun)類型(xing)：顯存(cun)(cun)類型(xing)主(zhu)要(yao)有SDRAM，DDR SDRAM，DDR SGRAM三種，SDRAM顆(ke)粒主(zhu)要(yao)應用在低端(duan)顯卡上，頻率一般不超(chao)過200MHz；DDR SDRAM是主(zhu)流(liu)；DDR SGRAM適合繪(hui)圖專用。

5、散熱(re)設計：散熱(re)系統的好壞(huai)直接決定了性能發揮的穩(wen)定性，被(bei)動(dong)式(shi)噪(zao)音低，適合(he)(he)低頻(pin)率顯(xian)卡(ka)；主動(dong)式(shi)有散熱(re)片和風扇，適合(he)(he)高(gao)頻(pin)率顯(xian)卡(ka)；導流式(shi)適合(he)(he)高(gao)檔游戲顯(xian)卡(ka)。