1、顯卡(ka)(ka)芯片：顯卡(ka)(ka)核(he)心型(xing)號(hao)差一(yi)檔，性(xing)(xing)能也就差了一(yi)檔，所以可根據核(he)心型(xing)號(hao)來判斷顯卡(ka)(ka)的(de)高低，例如，N卡(ka)(ka)型(xing)號(hao)的(de)前綴一(yi)共有GTX > GTS > GT > GF，其(qi)后(hou)(hou)的(de)兩位(wei)數(shu)或一(yi)位(wei)數(shu)代(dai)表代(dai)數(shu)，再其(qi)后(hou)(hou)兩位(wei)數(shu)越(yue)大(da)，表示同(tong)代(dai)中(zhong)的(de)性(xing)(xing)能就越(yue)強，后(hou)(hou)綴有Ti、SE、M、MX，分別表示加強版(ban)、閹(yan)割版(ban)、移動版(ban)、移動加強版(ban)。

2、流處(chu)(chu)理(li)(li)器：流處(chu)(chu)理(li)(li)器是顯卡(ka)的(de)核心，直(zhi)接影響處(chu)(chu)理(li)(li)能力，對于(yu)N卡(ka)和A卡(ka)來說，流處(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)(dan)(dan)元個(ge)(ge)數越多則(ze)處(chu)(chu)理(li)(li)能力越強。N卡(ka)和A卡(ka)的(de)流處(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)(dan)(dan)元可采(cai)取(qu)近(jin)似比較，N卡(ka)的(de)1個(ge)(ge)流處(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)(dan)(dan)元相當于(yu)AMD的(de)5個(ge)(ge)流處(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)(dan)(dan)元。

3、顯(xian)(xian)存位寬(kuan)：顯(xian)(xian)存位寬(kuan)表示一個(ge)時鐘(zhong)周期內所能(neng)傳(chuan)送數(shu)(shu)據的(de)位數(shu)(shu)，位數(shu)(shu)越大則傳(chuan)輸(shu)量越大，常(chang)見的(de)有64位、128位和256位顯(xian)(xian)卡。在顯(xian)(xian)存頻(pin)率相當(dang)情況下，顯(xian)(xian)存位寬(kuan)決定(ding)著(zhu)帶寬(kuan)的(de)大小。

4、顯(xian)(xian)(xian)存類型(xing)：顯(xian)(xian)(xian)存類型(xing)主要(yao)有SDRAM，DDR SDRAM，DDR SGRAM三(san)種，SDRAM顆粒(li)主要(yao)應用在低端顯(xian)(xian)(xian)卡上，頻率(lv)一般不超過200MHz；DDR SDRAM是主流(liu)；DDR SGRAM適合繪圖專用。

5、散熱設計：散熱系統的好壞直(zhi)接決定(ding)了性能發揮的穩定(ding)性，被動式(shi)噪音(yin)低，適合(he)低頻率(lv)顯卡；主動式(shi)有散熱片和風扇(shan)，適合(he)高(gao)頻率(lv)顯卡；導流式(shi)適合(he)高(gao)檔游(you)戲顯卡。