1、所謂焙燒是指將溫(wen)度(du)嚴(yan)格控制在500攝氏度(du)左右(you),將硅藻(zao)(zao)土緩慢升溫(wen),勻(yun)速焙燒2小(xiao)時(shi)以上,可以保留硅藻(zao)(zao)土的(de)絕大部分(fen)孔隙的(de)完整性和(he)良好的(de)吸(xi)附性,并(bing)且是緩慢升溫(wen)、恒溫(wen)加熱,對有機雜質(zhi)的(de)去除(chu)比較徹底,白度(du)高(gao)顆粒均勻(yun)。
2、煅燒(shao)(shao)是(shi)指(zhi)將硅(gui)(gui)藻(zao)土(tu)加(jia)入助溶劑在爐內(nei)經過(guo)(guo)900到(dao)1150度(du)的(de)高溫加(jia)熱10分(fen)(fen)鐘(zhong)到(dao)30分(fen)(fen)鐘(zhong),助溶劑迅速融化(hua)(hua)并和硅(gui)(gui)藻(zao)土(tu)粘(zhan)結在一(yi)起(qi)。煅燒(shao)(shao)可以做(zuo)到(dao)時間少(shao)、費(fei)用低,但是(shi)由于(yu)溫度(du)過(guo)(guo)高不易控(kong)制,易使硅(gui)(gui)藻(zao)土(tu)燒(shao)(shao)結、成(cheng)(cheng)球,需(xu)要再(zai)次研(yan)磨破碎成(cheng)(cheng)需(xu)要的(de)細度(du),對(dui)硅(gui)(gui)藻(zao)土(tu)表(biao)面(mian)(mian)孔(kong)隙造成(cheng)(cheng)二次破壞。由于(yu)助溶劑融化(hua)(hua)附著在硅(gui)(gui)藻(zao)土(tu)的(de)表(biao)面(mian)(mian)將硅(gui)(gui)藻(zao)土(tu)的(de)孔(kong)隙堵(du)塞,降低了硅(gui)(gui)藻(zao)土(tu)的(de)比(bi)表(biao)面(mian)(mian)積。并且高達1100的(de)高溫容(rong)易將硅(gui)(gui)藻(zao)土(tu)的(de)微孔(kong)熔(rong)化(hua)(hua)消失(shi),硅(gui)(gui)藻(zao)體微孔(kong)結構(gou)(gou)完全破壞,部分(fen)(fen)孔(kong)壁結晶、融化(hua)(hua),硅(gui)(gui)藻(zao)土(tu)的(de)多空結構(gou)(gou)被打穿造成(cheng)(cheng)吸(xi)附性降低。
實驗顯示(shi):將100g的硅藻土分別經(jing)過(guo)500攝(she)氏度焙燒2h(圖(tu)一)和加入5%的助(zhu)溶劑分別經(jing)過(guo)900°(圖(tu)二(er))和1100°(圖(tu)三)的煅燒后(hou)在掃描電(dian)鏡(jing)下觀(guan)察其(qi)表面。
圖(tu)一(yi):500°焙燒后硅藻土(tu)表面非常(chang)完整,孔隙(xi)沒有塌陷、融合的跡象說明其吸(xi)附性高。
圖二:900 ℃煅(duan)燒后,硅(gui)藻土(tu)露(lu)出硅(gui)質圓篩盤,其(qi)四周邊緣已經熔(rong)化,圓篩體(ti)中(zhong)微(wei)孔因逐(zhu)漸熔(rong)化而發生堵塞,部分原篩體(ti)裂成(cheng)碎片。
圖三(san):1 150 ℃煅燒后,硅(gui)藻土表面微(wei)孔(kong)熔化消(xiao)失(shi),硅(gui)藻體微(wei)孔(kong)結構完全破壞,吸附(fu)性完全喪(sang)失(shi)。
可見即使是相同產地的(de)硅(gui)藻(zao)土(tu)其加工工藝的(de)不(bu)同也(ye)會造成硅(gui)藻(zao)土(tu)吸(xi)附(fu)效果的(de)差異巨大,因此,優質的(de)焙(bei)燒硅(gui)藻(zao)土(tu)作(zuo)為硅(gui)藻(zao)泥的(de)主(zhu)要原料(liao),保障(zhang)了硅(gui)藻(zao)土(tu)獨(du)特的(de)晶體吸(xi)附(fu)結構不(bu)被破壞,最(zui)大限度的(de)保證了硅(gui)藻(zao)泥的(de)吸(xi)附(fu)能力,為硅(gui)藻(zao)泥凈化空(kong)氣的(de)功能性奠定基礎。
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