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1、所謂焙(bei)燒是(shi)指(zhi)將溫度嚴格控(kong)制在(zai)500攝(she)氏度左(zuo)右，將硅藻(zao)土緩慢(man)升溫，勻(yun)速焙(bei)燒2小時以上，可以保留硅藻(zao)土的(de)(de)絕大部分孔隙的(de)(de)完整性和良好(hao)的(de)(de)吸(xi)附性，并(bing)且是(shi)緩慢(man)升溫、恒(heng)溫加熱，對有機雜質的(de)(de)去除(chu)比較(jiao)徹底，白度高顆粒均(jun)勻(yun)。

2、煅燒(shao)是(shi)指(zhi)將(jiang)硅(gui)(gui)(gui)藻(zao)土(tu)(tu)加入助溶劑(ji)(ji)在(zai)爐(lu)內經過900到1150度(du)(du)的高(gao)(gao)溫加熱(re)10分(fen)鐘到30分(fen)鐘，助溶劑(ji)(ji)迅(xun)速融化并(bing)和(he)硅(gui)(gui)(gui)藻(zao)土(tu)(tu)粘結在(zai)一起。煅燒(shao)可以做到時間(jian)少、費用低(di)，但是(shi)由于(yu)溫度(du)(du)過高(gao)(gao)不易控制，易使(shi)硅(gui)(gui)(gui)藻(zao)土(tu)(tu)燒(shao)結、成(cheng)(cheng)(cheng)球，需要再次研磨破碎(sui)成(cheng)(cheng)(cheng)需要的細度(du)(du)，對硅(gui)(gui)(gui)藻(zao)土(tu)(tu)表(biao)面(mian)孔(kong)隙(xi)造(zao)成(cheng)(cheng)(cheng)二次破壞(huai)。由于(yu)助溶劑(ji)(ji)融化附著在(zai)硅(gui)(gui)(gui)藻(zao)土(tu)(tu)的表(biao)面(mian)將(jiang)硅(gui)(gui)(gui)藻(zao)土(tu)(tu)的孔(kong)隙(xi)堵塞，降低(di)了硅(gui)(gui)(gui)藻(zao)土(tu)(tu)的比表(biao)面(mian)積。并(bing)且高(gao)(gao)達1100的高(gao)(gao)溫容易將(jiang)硅(gui)(gui)(gui)藻(zao)土(tu)(tu)的微孔(kong)熔化消失(shi)，硅(gui)(gui)(gui)藻(zao)體微孔(kong)結構完全破壞(huai)，部分(fen)孔(kong)壁結晶(jing)、融化，硅(gui)(gui)(gui)藻(zao)土(tu)(tu)的多空結構被(bei)打穿造(zao)成(cheng)(cheng)(cheng)吸附性降低(di)。

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實驗顯(xian)示：將(jiang)100g的硅藻土分(fen)(fen)別(bie)經過(guo)500攝氏度焙燒2h（圖一）和加(jia)入(ru)5％的助溶劑分(fen)(fen)別(bie)經過(guo)900°（圖二）和1100°（圖三）的煅燒后在掃描電(dian)鏡下觀察其(qi)表面。

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圖一：500°焙(bei)燒后硅藻土表面非常完整，孔隙沒有塌陷、融(rong)合的跡象說明(ming)其吸附性高。

圖二：900 ℃煅燒后，硅(gui)藻(zao)土露(lu)出硅(gui)質圓篩盤，其四周邊(bian)緣已經熔化(hua)，圓篩體(ti)中微孔(kong)因(yin)逐漸熔化(hua)而(er)發生堵塞，部分原篩體(ti)裂(lie)成碎片。

圖三：1 150 ℃煅燒后，硅藻(zao)土表面微孔熔化消(xiao)失，硅藻(zao)體微孔結構(gou)完(wan)全(quan)破(po)壞(huai)，吸附性(xing)完(wan)全(quan)喪失。

可見即使是(shi)相同產地的硅(gui)藻(zao)土(tu)其(qi)加工工藝(yi)的不同也會造成硅(gui)藻(zao)土(tu)吸附效果的差異巨大，因(yin)此(ci)，優(you)質(zhi)的焙(bei)燒硅(gui)藻(zao)土(tu)作(zuo)為硅(gui)藻(zao)泥(ni)的主要原(yuan)料，保障了硅(gui)藻(zao)土(tu)獨特的晶體(ti)吸附結構(gou)不被破(po)壞，最大限度的保證(zheng)了硅(gui)藻(zao)泥(ni)的吸附能力，為硅(gui)藻(zao)泥(ni)凈(jing)化空氣的功能性奠定基(ji)礎。

本文由硅藻泥專家-泥博士硅藻泥（www.nbsni.com）原創提供