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我國首臺半導體激光隱形晶圓切割機研制成功

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我(wo)國(guo)(guo)首臺半導體(ti)激光(guang)隱形晶(jing)圓切(qie)割(ge)機研(yan)制(zhi)成功,開啟了我(wo)國(guo)(guo)激光(guang)晶(jing)圓切(qie)割(ge)行業發展的(de)序(xu)幕。該裝備具有加工精度高、加工效(xiao)率(lv)高等特點(dian),可(ke)以大幅提升芯片生產制(zhi)造(zao)的(de)質量、效(xiao)率(lv)、效(xiao)益還(huan)可(ke)以避免對晶(jing)體(ti)硅表面造(zao)成損(sun)傷。


  • 2020年5月17日中國長城科技集團股份有(you)限公(gong)司旗下(xia)鄭(zheng)(zheng)州(zhou)軌道交(jiao)通信(xin)息(xi)技術研究院(yuan)(下(xia)稱“鄭(zheng)(zheng)州(zhou)軌交(jiao)院(yuan)”)和河南通用智(zhi)能裝備有(you)限公(gong)司成功研制我國首臺半導體激光(guang)隱形晶圓(yuan)切割機,開啟了我國激光(guang)晶圓(yuan)切割行業發展(zhan)的(de)序幕,填(tian)補了國內空(kong)白。

    晶(jing)圓切(qie)(qie)割(ge)(ge)是(shi)半導體封(feng)測工(gong)藝中(zhong)不可(ke)或缺的關鍵工(gong)序,與傳統的切(qie)(qie)割(ge)(ge)方式(shi)相比,激光切(qie)(qie)割(ge)(ge)屬于非接觸(chu)式(shi)加(jia)工(gong),可(ke)以(yi)避免對(dui)晶(jing)體硅表(biao)面(mian)造(zao)成損傷,并且具(ju)有加(jia)工(gong)精度高(gao)、加(jia)工(gong)效(xiao)率(lv)高(gao)等(deng)特點,可(ke)以(yi)大幅提升(sheng)芯(xin)片生產制造(zao)的質量、效(xiao)率(lv)、效(xiao)益。

    該裝(zhuang)備采用特(te)殊(shu)材料、特(te)殊(shu)結構設(she)計、特(te)殊(shu)運(yun)動(dong)平臺(tai),可(ke)(ke)以實現加工平臺(tai)在(zai)高(gao)速運(yun)動(dong)時保持高(gao)穩定性、高(gao)精度,運(yun)動(dong)速度可(ke)(ke)達500mm/S。

    在光學(xue)方面,根據單晶硅的光譜(pu)特(te)性,結合工(gong)業激光的應(ying)用水平,采(cai)用了合適的波長、總功率、脈寬和重(zhong)頻的激光器,最終實現了隱形切割(ge)。

    在影像方(fang)面,采用不同(tong)像素尺(chi)寸(cun)、不同(tong)感光芯片(pian)的相機,配以(yi)不同(tong)功效(xiao)的鏡(jing)頭,實現(xian)了(le)產品輪廓(kuo)識別(bie)及低(di)倍(bei)、中倍(bei)和高倍(bei)的水平調整。該(gai)裝備還搭載了(le)同(tong)軸影像系統,可以(yi)確(que)(que)保切(qie)(qie)割中效(xiao)果(guo)(guo)的實時確(que)(que)認和優(you)化,實現(xian)最(zui)佳切(qie)(qie)割效(xiao)果(guo)(guo)。

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