西(xi)安(an)(an)紫(zi)(zi)光國(guo)(guo)芯(xin)(xin)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)股(gu)份(fen)有限(xian)公(gong)(gong)(gong)(gong)司(si)(si)(si)前身為(wei)(wei)成立于(yu)2004年德國(guo)(guo)英飛(fei)凌西(xi)安(an)(an)研(yan)發中(zhong)心的(de)(de)存(cun)儲(chu)事業部,2006年分拆成為(wei)(wei)獨立的(de)(de)奇夢達(da)科技西(xi)安(an)(an)有限(xian)公(gong)(gong)(gong)(gong)司(si)(si)(si),2009年被浪潮集團收購轉制(zhi)成為(wei)(wei)國(guo)(guo)內公(gong)(gong)(gong)(gong)司(si)(si)(si)并更名為(wei)(wei)西(xi)安(an)(an)華(hua)芯(xin)(xin)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)有限(xian)公(gong)(gong)(gong)(gong)司(si)(si)(si)。2015年,紫(zi)(zi)光集團紫(zi)(zi)光國(guo)(guo)芯(xin)(xin)微電子股(gu)份(fen)有限(xian)公(gong)(gong)(gong)(gong)司(si)(si)(si)收購西(xi)安(an)(an)華(hua)芯(xin)(xin)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)有限(xian)公(gong)(gong)(gong)(gong)司(si)(si)(si)并更名為(wei)(wei)西(xi)安(an)(an)紫(zi)(zi)光國(guo)(guo)芯(xin)(xin)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)有限(xian)公(gong)(gong)(gong)(gong)司(si)(si)(si)。2019年12月,經過重組,西(xi)安(an)(an)紫(zi)(zi)光國(guo)(guo)芯(xin)(xin)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)并入(ru)北京紫(zi)(zi)光存(cun)儲(chu)科技有限(xian)公(gong)(gong)(gong)(gong)司(si)(si)(si)。2022年紫(zi)(zi)光集團實控(kong)人變更為(wei)(wei)智廣芯(xin)(xin)控(kong)股(gu),隨(sui)著紫(zi)(zi)光集團重整完畢(bi),西(xi)安(an)(an)紫(zi)(zi)光國(guo)(guo)芯(xin)(xin)踏上發展新征程(cheng)。
公(gong)司(si)(si)是以DRAM(動態隨機(ji)存取存儲(chu)(chu)器)存儲(chu)(chu)技術為核心的產品和服(fu)務(wu)提供(gong)商,核心業(ye)務(wu)包括存儲(chu)(chu)器設(she)計(ji)(ji)開發,存儲(chu)(chu)器產品量(liang)產銷售,以及專(zhuan)(zhuan)用(yong)集成電路設(she)計(ji)(ji)開發服(fu)務(wu),產品包括DRAMKGD、DRAM顆粒(li)、DRAM模組、系(xi)統產品和設(she)計(ji)(ji)服(fu)務(wu)。目前公(gong)司(si)(si)員(yuan)工人數超過600名,其中研(yan)發工程師占比80%以上,70%擁有碩士或(huo)博士學(xue)位。公(gong)司(si)(si)還擁有二十余位外籍專(zhuan)(zhuan)家(jia)和海(hai)外留學(xue)歸(gui)國(guo)人員(yuan)。
公(gong)司(si)多年來一直專注于存儲(chu)器(qi)尤其是DRAM存儲(chu)器(qi)的(de)(de)(de)研發(fa)(fa)和(he)技術積累,擁有從產品(pin)立項(xiang)、指標定義、電(dian)路設計、版圖設計到硅片(pian)、顆(ke)粒、內存條測試及(ji)售(shou)前售(shou)后技術支(zhi)持等全方(fang)面技術積累。二十(shi)(shi)余(yu)(yu)款芯(xin)(xin)片(pian)產品(pin)和(he)四十(shi)(shi)余(yu)(yu)款模組產品(pin)實現全球量產和(he)銷售(shou)。產品(pin)廣泛應用(yong)(yong)于計算(suan)機、服務器(qi)、移動(dong)通(tong)訊、消費電(dian)子及(ji)工(gong)業應用(yong)(yong)等領(ling)域(yu)(yu)。在面向大(da)數(shu)據和(he)人(ren)(ren)工(gong)智(zhi)能(neng)等新(xin)興領(ling)域(yu)(yu),公(gong)司(si)采用(yong)(yong)三維(wei)集(ji)成技術,實現將邏(luo)輯(ji)晶(jing)圓和(he)DRAM晶(jing)圓的(de)(de)(de)異質集(ji)成,開(kai)發(fa)(fa)出(chu)高(gao)帶寬(kuan)、大(da)容量的(de)(de)(de)3DDRAM芯(xin)(xin)片(pian),及(ji)內嵌超高(gao)帶寬(kuan)超低功耗DRAM的(de)(de)(de)人(ren)(ren)工(gong)智(zhi)能(neng)(AI)芯(xin)(xin)片(pian)。公(gong)司(si)還在NANDFlash、NORFlash和(he)新(xin)型存儲(chu)器(qi)RRAM等領(ling)域(yu)(yu)開(kai)發(fa)(fa)有產品(pin),進行了研發(fa)(fa)布(bu)局(ju)。
西安紫(zi)光國芯(xin)同時(shi)(shi)還(huan)擁(yong)有數字電路和(he)(he)混合電路設(she)(she)(she)計(ji)(ji)團隊(dui),提(ti)供基于世界優秀工藝的ASIC設(she)(she)(she)計(ji)(ji)開(kai)發驗(yan)證服務。公(gong)司(si)具(ju)備從(cong)設(she)(she)(she)計(ji)(ji)規格到芯(xin)片(pian)(pian)(pian)流(liu)(liu)(liu)片(pian)(pian)(pian)完整(zheng)流(liu)(liu)(liu)程的設(she)(she)(she)計(ji)(ji)開(kai)發經驗(yan),包括:設(she)(she)(she)計(ji)(ji)實現、功(gong)能驗(yan)證、綜合和(he)(he)DFT、物理(li)實現、時(shi)(shi)序、物理(li)檢查及流(liu)(liu)(liu)片(pian)(pian)(pian)。公(gong)司(si)在過(guo)去(qu)幾年中成(cheng)(cheng)功(gong)為客戶完成(cheng)(cheng)了十余(yu)款(kuan)基于65nm/40nm/28nm/14nm/10nm/7nm/5nm,和(he)(he)目(mu)前精(jing)良的4nm工藝的SoC芯(xin)片(pian)(pian)(pian)設(she)(she)(she)計(ji)(ji)和(he)(he)流(liu)(liu)(liu)片(pian)(pian)(pian),幫助客戶完成(cheng)(cheng)芯(xin)片(pian)(pian)(pian)設(she)(she)(she)計(ji)(ji)和(he)(he)測(ce)試(shi)。公(gong)司(si)也成(cheng)(cheng)功(gong)提(ti)供多款(kuan)從(cong)產(chan)品定義開(kai)始(shi)完成(cheng)(cheng)芯(xin)片(pian)(pian)(pian)架構設(she)(she)(she)計(ji)(ji)、電路設(she)(she)(she)計(ji)(ji)、仿真驗(yan)證、后端設(she)(she)(she)計(ji)(ji)、流(liu)(liu)(liu)片(pian)(pian)(pian)、測(ce)試(shi)驗(yan)證、量產(chan)工程全流(liu)(liu)(liu)程的“交鑰(yao)匙”芯(xin)片(pian)(pian)(pian)開(kai)發服務。
公(gong)司是(shi)“國家(jia)高新(xin)技術(shu)企業(ye)”、“國家(jia)企業(ye)技術(shu)中(zhong)心(xin)”、“國家(jia)知識產(chan)權優勢(shi)企業(ye)”、“西安市存(cun)儲(chu)器工程(cheng)技術(shu)研究中(zhong)心(xin)”,公(gong)司建設有占地面積2000余平米的(de)世界前(qian)列水平的(de)存(cun)儲(chu)器芯片測試(shi)、模(mo)組測試(shi)、模(mo)組應用和(he)(he)ASIC測試(shi)實驗室4個(ge),大型成(cheng)套測試(shi)設備30余臺套。可支(zhi)持各類存(cun)儲(chu)器和(he)(he)ASIC產(chan)品的(de)功能(neng)和(he)(he)性(xing)能(neng)測試(shi)驗證(zheng)分析、量產(chan)測試(shi)工程(cheng)開發、應用工程(cheng)測試(shi)、以及小(xiao)批量生(sheng)產(chan)和(he)(he)工程(cheng)樣品開發。
標準號 | 標準名稱 | 發布日期 | 實施日期 | 標準詳情 |
GB/T 36474-2018 | 半導體集成電路 第三代雙倍數據速率同步動態隨機存儲器 (DDR3 SDRAM)測試方法 | 2019-06-07 | 2020-01-01 |