西(xi)(xi)安(an)(an)(an)紫(zi)(zi)光(guang)國(guo)(guo)芯(xin)半(ban)導(dao)(dao)體股(gu)份有限公(gong)(gong)(gong)司(si)前身為(wei)成(cheng)立于2004年德國(guo)(guo)英飛(fei)凌西(xi)(xi)安(an)(an)(an)研發(fa)中心的存儲事(shi)業(ye)部,2006年分拆成(cheng)為(wei)獨立的奇夢達科技西(xi)(xi)安(an)(an)(an)有限公(gong)(gong)(gong)司(si),2009年被浪潮集團收購轉制成(cheng)為(wei)國(guo)(guo)內(nei)公(gong)(gong)(gong)司(si)并(bing)更名(ming)為(wei)西(xi)(xi)安(an)(an)(an)華芯(xin)半(ban)導(dao)(dao)體有限公(gong)(gong)(gong)司(si)。2015年,紫(zi)(zi)光(guang)集團紫(zi)(zi)光(guang)國(guo)(guo)芯(xin)微電子股(gu)份有限公(gong)(gong)(gong)司(si)收購西(xi)(xi)安(an)(an)(an)華芯(xin)半(ban)導(dao)(dao)體有限公(gong)(gong)(gong)司(si)并(bing)更名(ming)為(wei)西(xi)(xi)安(an)(an)(an)紫(zi)(zi)光(guang)國(guo)(guo)芯(xin)半(ban)導(dao)(dao)體有限公(gong)(gong)(gong)司(si)。2019年12月,經(jing)過重組,西(xi)(xi)安(an)(an)(an)紫(zi)(zi)光(guang)國(guo)(guo)芯(xin)半(ban)導(dao)(dao)體并(bing)入北京紫(zi)(zi)光(guang)存儲科技有限公(gong)(gong)(gong)司(si)。2022年紫(zi)(zi)光(guang)集團實控人(ren)變更為(wei)智廣芯(xin)控股(gu),隨(sui)著紫(zi)(zi)光(guang)集團重整完畢,西(xi)(xi)安(an)(an)(an)紫(zi)(zi)光(guang)國(guo)(guo)芯(xin)踏上發(fa)展新征(zheng)程。
公司是以(yi)DRAM(動態隨機存(cun)取存(cun)儲(chu)(chu)器(qi)(qi))存(cun)儲(chu)(chu)技術(shu)為核心(xin)的(de)產(chan)品(pin)和服務提(ti)供(gong)商,核心(xin)業務包括存(cun)儲(chu)(chu)器(qi)(qi)設(she)計(ji)開發,存(cun)儲(chu)(chu)器(qi)(qi)產(chan)品(pin)量產(chan)銷(xiao)售,以(yi)及(ji)專(zhuan)用集成電路設(she)計(ji)開發服務,產(chan)品(pin)包括DRAMKGD、DRAM顆粒、DRAM模組、系統產(chan)品(pin)和設(she)計(ji)服務。目(mu)前公司員工人(ren)數超(chao)過(guo)600名,其(qi)中研發工程(cheng)師占(zhan)比80%以(yi)上(shang),70%擁有碩士(shi)或(huo)博士(shi)學位。公司還擁有二(er)十余位外籍專(zhuan)家(jia)和海外留學歸國人(ren)員。
公司多(duo)年來一直專(zhuan)注于存儲器(qi)尤其是DRAM存儲器(qi)的(de)研發和(he)(he)技術積累,擁(yong)有從產(chan)品(pin)(pin)立項、指標(biao)定義(yi)、電(dian)路設計、版圖設計到硅片(pian)(pian)、顆粒、內(nei)存條(tiao)測(ce)試及(ji)售(shou)前售(shou)后(hou)技術支持(chi)等(deng)(deng)(deng)全方面技術積累。二(er)十(shi)余款芯(xin)(xin)片(pian)(pian)產(chan)品(pin)(pin)和(he)(he)四十(shi)余款模組產(chan)品(pin)(pin)實現全球量(liang)產(chan)和(he)(he)銷售(shou)。產(chan)品(pin)(pin)廣泛應(ying)用(yong)于計算機、服務器(qi)、移動通訊、消費電(dian)子及(ji)工業(ye)應(ying)用(yong)等(deng)(deng)(deng)領域(yu)。在(zai)面向大數據和(he)(he)人工智能等(deng)(deng)(deng)新興領域(yu),公司采(cai)用(yong)三(san)維集成技術,實現將邏輯晶(jing)圓(yuan)和(he)(he)DRAM晶(jing)圓(yuan)的(de)異質集成,開(kai)發出高(gao)帶寬、大容量(liang)的(de)3DDRAM芯(xin)(xin)片(pian)(pian),及(ji)內(nei)嵌(qian)超(chao)高(gao)帶寬超(chao)低功耗DRAM的(de)人工智能(AI)芯(xin)(xin)片(pian)(pian)。公司還在(zai)NANDFlash、NORFlash和(he)(he)新型存儲器(qi)RRAM等(deng)(deng)(deng)領域(yu)開(kai)發有產(chan)品(pin)(pin),進(jin)行了(le)研發布局。
西安(an)紫光國芯(xin)同時還(huan)擁(yong)有數字電路和(he)(he)混合電路設計團隊,提(ti)供基于世界優秀(xiu)工藝的(de)(de)ASIC設計開發驗證服務。公(gong)司具備(bei)從設計規格(ge)到芯(xin)片(pian)流片(pian)完(wan)整流程的(de)(de)設計開發經驗,包(bao)括:設計實(shi)(shi)現(xian)、功(gong)能(neng)驗證、綜(zong)合和(he)(he)DFT、物理實(shi)(shi)現(xian)、時序(xu)、物理檢查(cha)及(ji)流片(pian)。公(gong)司在過(guo)去幾年中(zhong)成(cheng)功(gong)為客戶(hu)(hu)完(wan)成(cheng)了十余款基于65nm/40nm/28nm/14nm/10nm/7nm/5nm,和(he)(he)目前精良的(de)(de)4nm工藝的(de)(de)SoC芯(xin)片(pian)設計和(he)(he)流片(pian),幫助客戶(hu)(hu)完(wan)成(cheng)芯(xin)片(pian)設計和(he)(he)測試(shi)(shi)。公(gong)司也成(cheng)功(gong)提(ti)供多款從產品定義開始完(wan)成(cheng)芯(xin)片(pian)架(jia)構設計、電路設計、仿(fang)真驗證、后(hou)端(duan)設計、流片(pian)、測試(shi)(shi)驗證、量產工程全流程的(de)(de)“交鑰匙”芯(xin)片(pian)開發服務。
公司是“國家(jia)高(gao)新技術企業(ye)”、“國家(jia)企業(ye)技術中(zhong)心”、“國家(jia)知識產(chan)(chan)權優勢企業(ye)”、“西安市存儲器工程技術研究中(zhong)心”,公司建設有占地面積(ji)2000余(yu)平米的世界前列水(shui)平的存儲器芯(xin)片測試、模組測試、模組應用(yong)(yong)和(he)ASIC測試實驗室4個,大型成套測試設備30余(yu)臺套。可支持各類存儲器和(he)ASIC產(chan)(chan)品的功能(neng)和(he)性能(neng)測試驗證分析、量(liang)產(chan)(chan)測試工程開(kai)發、應用(yong)(yong)工程測試、以及小批量(liang)生產(chan)(chan)和(he)工程樣品開(kai)發。
標準號 | 標準名稱 | 發布日期 | 實施日期 | 標準詳情 |
GB/T 36474-2018 | 半導體集成電路 第三代雙倍數據速率同步動態隨機存儲器 (DDR3 SDRAM)測試方法 | 2019-06-07 | 2020-01-01 |