西安(an)(an)紫(zi)(zi)光(guang)(guang)國(guo)芯(xin)(xin)半(ban)導(dao)體(ti)股(gu)份(fen)有(you)(you)(you)限(xian)(xian)公(gong)司(si)(si)(si)前身為(wei)成(cheng)立于(yu)2004年(nian)(nian)(nian)德國(guo)英飛凌(ling)西安(an)(an)研發中心的存儲事業(ye)部(bu),2006年(nian)(nian)(nian)分(fen)拆成(cheng)為(wei)獨立的奇夢(meng)達科(ke)技(ji)西安(an)(an)有(you)(you)(you)限(xian)(xian)公(gong)司(si)(si)(si),2009年(nian)(nian)(nian)被浪潮集團收(shou)購(gou)轉制成(cheng)為(wei)國(guo)內(nei)公(gong)司(si)(si)(si)并更名(ming)為(wei)西安(an)(an)華芯(xin)(xin)半(ban)導(dao)體(ti)有(you)(you)(you)限(xian)(xian)公(gong)司(si)(si)(si)。2015年(nian)(nian)(nian),紫(zi)(zi)光(guang)(guang)集團紫(zi)(zi)光(guang)(guang)國(guo)芯(xin)(xin)微電子股(gu)份(fen)有(you)(you)(you)限(xian)(xian)公(gong)司(si)(si)(si)收(shou)購(gou)西安(an)(an)華芯(xin)(xin)半(ban)導(dao)體(ti)有(you)(you)(you)限(xian)(xian)公(gong)司(si)(si)(si)并更名(ming)為(wei)西安(an)(an)紫(zi)(zi)光(guang)(guang)國(guo)芯(xin)(xin)半(ban)導(dao)體(ti)有(you)(you)(you)限(xian)(xian)公(gong)司(si)(si)(si)。2019年(nian)(nian)(nian)12月,經過重組,西安(an)(an)紫(zi)(zi)光(guang)(guang)國(guo)芯(xin)(xin)半(ban)導(dao)體(ti)并入(ru)北京(jing)紫(zi)(zi)光(guang)(guang)存儲科(ke)技(ji)有(you)(you)(you)限(xian)(xian)公(gong)司(si)(si)(si)。2022年(nian)(nian)(nian)紫(zi)(zi)光(guang)(guang)集團實控(kong)人變(bian)更為(wei)智(zhi)廣芯(xin)(xin)控(kong)股(gu),隨(sui)著紫(zi)(zi)光(guang)(guang)集團重整(zheng)完畢,西安(an)(an)紫(zi)(zi)光(guang)(guang)國(guo)芯(xin)(xin)踏上發展新征程。
公司是以(yi)DRAM(動態隨機(ji)存(cun)取(qu)存(cun)儲器)存(cun)儲技術為核心的產品(pin)(pin)和(he)服(fu)務(wu)提(ti)供商,核心業務(wu)包括(kuo)(kuo)存(cun)儲器設計開(kai)發,存(cun)儲器產品(pin)(pin)量產銷售(shou),以(yi)及(ji)專用集成電路設計開(kai)發服(fu)務(wu),產品(pin)(pin)包括(kuo)(kuo)DRAMKGD、DRAM顆粒、DRAM模(mo)組、系統(tong)產品(pin)(pin)和(he)設計服(fu)務(wu)。目前公司員工(gong)人數超過600名,其中研(yan)發工(gong)程師(shi)占(zhan)比80%以(yi)上(shang),70%擁有(you)碩(shuo)士(shi)(shi)或博士(shi)(shi)學位(wei)。公司還(huan)擁有(you)二十余位(wei)外(wai)籍專家和(he)海外(wai)留學歸國(guo)人員。
公司多年(nian)來一直專注于(yu)存(cun)儲(chu)(chu)器(qi)(qi)尤其是(shi)DRAM存(cun)儲(chu)(chu)器(qi)(qi)的研(yan)(yan)發和(he)(he)(he)技(ji)術(shu)(shu)積(ji)累,擁有從產(chan)品立項(xiang)、指標定(ding)義(yi)、電(dian)路設(she)計、版(ban)圖設(she)計到(dao)硅片、顆粒(li)、內存(cun)條測試(shi)及售前(qian)售后(hou)技(ji)術(shu)(shu)支持(chi)等(deng)全(quan)(quan)方面(mian)(mian)技(ji)術(shu)(shu)積(ji)累。二十余款(kuan)芯(xin)片產(chan)品和(he)(he)(he)四(si)十余款(kuan)模組產(chan)品實現全(quan)(quan)球量產(chan)和(he)(he)(he)銷售。產(chan)品廣(guang)泛應用于(yu)計算機(ji)、服務器(qi)(qi)、移動通訊、消費電(dian)子(zi)及工業應用等(deng)領域。在(zai)面(mian)(mian)向大數(shu)據和(he)(he)(he)人工智能(neng)等(deng)新(xin)興(xing)領域,公司采用三維集(ji)(ji)成技(ji)術(shu)(shu),實現將邏輯(ji)晶圓(yuan)和(he)(he)(he)DRAM晶圓(yuan)的異質(zhi)集(ji)(ji)成,開發出高(gao)帶寬(kuan)、大容量的3DDRAM芯(xin)片,及內嵌超(chao)高(gao)帶寬(kuan)超(chao)低功耗DRAM的人工智能(neng)(AI)芯(xin)片。公司還在(zai)NANDFlash、NORFlash和(he)(he)(he)新(xin)型存(cun)儲(chu)(chu)器(qi)(qi)RRAM等(deng)領域開發有產(chan)品,進行了(le)研(yan)(yan)發布(bu)局(ju)。
西安紫光國芯(xin)(xin)同時還擁有數字電(dian)路和(he)混合電(dian)路設(she)(she)計(ji)團隊,提(ti)供基于(yu)世界優秀工藝(yi)的(de)(de)ASIC設(she)(she)計(ji)開發驗證服務(wu)。公司(si)具(ju)備(bei)從設(she)(she)計(ji)規格到(dao)芯(xin)(xin)片(pian)流(liu)片(pian)完整流(liu)程的(de)(de)設(she)(she)計(ji)開發經驗,包括:設(she)(she)計(ji)實現(xian)、功能(neng)驗證、綜(zong)合和(he)DFT、物理實現(xian)、時序(xu)、物理檢查及流(liu)片(pian)。公司(si)在過去幾(ji)年(nian)中成(cheng)功為客(ke)戶完成(cheng)了(le)十余款(kuan)基于(yu)65nm/40nm/28nm/14nm/10nm/7nm/5nm,和(he)目前(qian)精良的(de)(de)4nm工藝(yi)的(de)(de)SoC芯(xin)(xin)片(pian)設(she)(she)計(ji)和(he)流(liu)片(pian),幫助客(ke)戶完成(cheng)芯(xin)(xin)片(pian)設(she)(she)計(ji)和(he)測試。公司(si)也成(cheng)功提(ti)供多款(kuan)從產品定(ding)義(yi)開始完成(cheng)芯(xin)(xin)片(pian)架構設(she)(she)計(ji)、電(dian)路設(she)(she)計(ji)、仿真驗證、后端設(she)(she)計(ji)、流(liu)片(pian)、測試驗證、量產工程全流(liu)程的(de)(de)“交鑰匙”芯(xin)(xin)片(pian)開發服務(wu)。
公司是“國(guo)家高(gao)新技術(shu)企業(ye)”、“國(guo)家企業(ye)技術(shu)中心(xin)”、“國(guo)家知識產(chan)權優(you)勢(shi)企業(ye)”、“西安市存儲(chu)器工(gong)程技術(shu)研究(jiu)中心(xin)”,公司建設(she)有占地面積2000余平米的(de)世界前列水平的(de)存儲(chu)器芯片測(ce)(ce)(ce)試、模組測(ce)(ce)(ce)試、模組應用和(he)ASIC測(ce)(ce)(ce)試實驗(yan)(yan)室4個,大型成套測(ce)(ce)(ce)試設(she)備(bei)30余臺套。可(ke)支(zhi)持各類存儲(chu)器和(he)ASIC產(chan)品(pin)(pin)的(de)功能(neng)和(he)性(xing)能(neng)測(ce)(ce)(ce)試驗(yan)(yan)證分析(xi)、量產(chan)測(ce)(ce)(ce)試工(gong)程開發、應用工(gong)程測(ce)(ce)(ce)試、以(yi)及小批量生產(chan)和(he)工(gong)程樣品(pin)(pin)開發。
標準號 | 標準名稱 | 發布日期 | 實施日期 | 標準詳情 |
GB/T 36474-2018 | 半導體集成電路 第三代雙倍數據速率同步動態隨機存儲器 (DDR3 SDRAM)測試方法 | 2019-06-07 | 2020-01-01 |