著錄信息
- 專利名稱:雙柵MOS結構的功率晶體管
- 專利類型:實用新型
- 申請號:CN201420134117.4
- 公開(公告)號:CN203774335U
- 申請日:20140324
- 公開(公告)日:20140813
- 申請人:江蘇宏微科技股份有限公司
- 發明人:張景超,戚麗娜,劉利峰,王曉寶,趙善麒
- 申請人地址:213022 江蘇省常州市新北區華山中路18號
- 申請人區域代碼:CN320411
- 專利權人:江蘇宏微科技股份有限公司
- 洛迦諾分類:無
- IPC:H01L29/78,H01L29/423,H01L21/336,H01L21/28
- 優先權:無
- 專利代理機構:常州市維益專利事務所 32211
- 代理人:賈海芬
- 審查員:無
- 國際申請:無
- 國際公開(公告):無
- 進入國家日期:無
- 分案申請:無
關鍵詞
多晶硅柵,摻雜,絕緣介質層,柵氧化層,多晶硅,有源,最佳性能狀態,功率晶體管,電流溝道,焊接區域,金屬引線,金屬層,引線孔,連接,雙柵,隔離,分割,延伸
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