一、igbt工作原理是什么
IGBT是(shi)(shi)絕(jue)緣柵雙極(ji)晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)的(de)英文簡(jian)稱,是(shi)(shi)一(yi)(yi)種三端半導體(ti)(ti)開(kai)關的(de)器(qi)件,一(yi)(yi)般igbt結構相(xiang)當于一(yi)(yi)個四層(ceng)半導體(ti)(ti)的(de)器(qi)件,四層(ceng)器(qi)件通(tong)過組(zu)(zu)合(he)PNP和(he)(he)NPN晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)構成了P-N-P-N排列;igbt模塊則(ze)由散熱基(ji)(ji)板、DBC基(ji)(ji)板、IGBT芯片、Diode芯片以(yi)及鍵合(he)線組(zu)(zu)成。IGBT作為一(yi)(yi)種功(gong)率晶(jing)體(ti)(ti)管(guan),主要用于變頻(pin)器(qi)逆(ni)變和(he)(he)其他逆(ni)變電(dian)路,將直流(liu)電(dian)壓(ya)(ya)逆(ni)變成頻(pin)率可調的(de)交流(liu)電(dian),其工作原理是(shi)(shi)通(tong)過不斷(duan)激活(huo)和(he)(he)停用其柵極(ji)端子來開(kai)啟、關閉:IGBT的(de)開(kai)關作用是(shi)(shi)通(tong)過加正向柵極(ji)電(dian)壓(ya)(ya)形成溝道,給PNP晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)提供基(ji)(ji)極(ji)電(dian)流(liu),使IGBT導通(tong)。反(fan)之,加反(fan)向門極(ji)電(dian)壓(ya)(ya)消除溝道,切斷(duan)基(ji)(ji)極(ji)電(dian),使IGBT關斷(duan)。若(ruo)在IGBT的(de)柵極(ji)和(he)(he)發(fa)射極(ji)之間加上(shang)驅動正電(dian)壓(ya)(ya),則(ze)MOSFET導通(tong),這樣PNP晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)的(de)集電(dian)極(ji)與基(ji)(ji)極(ji)之間成低阻狀態而使得晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)導通(tong);若(ruo)IGBT的(de)柵極(ji)和(he)(he)發(fa)射極(ji)之間電(dian)壓(ya)(ya)為0V,則(ze)MOSFET截止(zhi),切斷(duan)PNP晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)基(ji)(ji)極(ji)電(dian)流(liu)的(de)供給,使得晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)截止(zhi)。
二、igbt的作用和功能
IGBT的主要作用是可以很容易地將輸入的高壓直流電流轉換為高壓交流電,只需通過脈寬調制即可實現變頻控制,它通過十幾伏的門極控制信號,即可實現kV級電壓和kA級電流的控制,開關頻率可達每秒幾萬次,具有高電壓、大電流、高頻率、低導通壓降等特點,廣泛應用于新能源汽車的電動控制系統、車載空調控制系統以及充電樁領域,智能電網的發電端、輸電端、變電端、用電端,軌道交通的交流傳動系統等領域。如果您需要采購igbt芯片或igbt模塊,可以先來看看IGBT十大品牌。
三、igbt芯片和igbt模塊的區別
IGBT芯(xin)片(pian)是(shi)絕緣柵(zha)雙(shuang)極型(xing)晶體(ti)(ti)管(guan)芯(xin)片(pian),是(shi)一(yi)種復合全控型(xing)電(dian)壓驅動式功率半導體(ti)(ti)器件(jian),被稱為(wei)“電(dian)力(li)電(dian)子裝(zhuang)置(zhi)的CPU”,它和igbt模塊統稱igbt,不(bu)過igbt芯(xin)片(pian)和igbt模塊還(huan)是(shi)有所不(bu)同的,簡單來說,IGBT芯(xin)片(pian)就(jiu)是(shi)一(yi)塊封裝(zhuang)好(hao)的絕緣柵(zha)雙(shuang)極型(xing)晶體(ti)(ti)管(guan)芯(xin)片(pian),而igbt模塊是(shi)由多個IGBT芯(xin)片(pian)、反并聯二極管(guan)、驅動電(dian)路、保護電(dian)路等(deng)組成的集成模塊。一(yi)般(ban)(ban)來說,IGBT芯(xin)片(pian)不(bu)會單獨使用,而是(shi)組裝(zhuang)成igbt模塊再使用,因為(wei)IGBT模塊具有節能、安裝(zhuang)維修方便、散熱穩定等(deng)特點,當前市場上銷售的多為(wei)模塊化產品,一(yi)般(ban)(ban)所說的IGBT也指IGBT模塊。
四、igbt模塊怎么測量好壞
igbt模塊(kuai)損(sun)壞一(yi)般常見的(de)(de)(de)原因有過(guo)(guo)電(dian)流損(sun)壞、過(guo)(guo)電(dian)壓損(sun)壞、靜電(dian)損(sun)壞、過(guo)(guo)熱損(sun)壞、機械應(ying)力(li)對(dui)產品(pin)的(de)(de)(de)破壞等(deng),判斷(duan)(duan)IGBT模塊(kuai)是(shi)否損(sun)壞,一(yi)般需要先(xian)對(dui)其(qi)進行檢測(ce),igbt模塊(kuai)的(de)(de)(de)檢測(ce)一(yi)般分(fen)為兩部分(fen):1、判斷(duan)(duan)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)性:首先(xian)將萬(wan)用表(biao)(biao)撥(bo)在(zai)(zai)R×1KΩ擋(dang),用萬(wan)用表(biao)(biao)測(ce)量時(shi)(shi),若(ruo)某一(yi)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)與其(qi)它兩極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)阻(zu)值為無(wu)窮大,調換表(biao)(biao)筆后(hou)(hou)(hou)該(gai)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)與其(qi)它兩極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)阻(zu)值仍(reng)為無(wu)窮大,則(ze)(ze)判斷(duan)(duan)此極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)為柵(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(G),其(qi)余(yu)兩極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)再用萬(wan)用表(biao)(biao)測(ce)量,若(ruo)測(ce)得阻(zu)值為無(wu)窮大,調換表(biao)(biao)筆后(hou)(hou)(hou)測(ce)量阻(zu)值較(jiao)小。在(zai)(zai)測(ce)量阻(zu)值較(jiao)小的(de)(de)(de)一(yi)次中(zhong),則(ze)(ze)判斷(duan)(duan)紅(hong)表(biao)(biao)筆接的(de)(de)(de)為集電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(C);黑表(biao)(biao)筆接地為發(fa)射(she)(she)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(E)。2、判斷(duan)(duan)好壞:將萬(wan)用表(biao)(biao)撥(bo)在(zai)(zai)R×10KΩ擋(dang),用黑表(biao)(biao)筆接IGBT的(de)(de)(de)集電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(C),紅(hong)表(biao)(biao)筆接IGBT 的(de)(de)(de)發(fa)射(she)(she)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(E),此時(shi)(shi)萬(wan)用表(biao)(biao)的(de)(de)(de)指(zhi)針(zhen)在(zai)(zai)零(ling)位。用手(shou)指(zhi)同(tong)時(shi)(shi)觸及一(yi)下柵(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(G)和(he)集電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(C),這時(shi)(shi)IGBT被觸發(fa)導通,萬(wan)用表(biao)(biao)的(de)(de)(de)指(zhi)針(zhen)擺向阻(zu)值較(jiao)小的(de)(de)(de)方向,并能站住指(zhi)示在(zai)(zai)某一(yi)位置。然后(hou)(hou)(hou)再用手(shou)指(zhi)同(tong)時(shi)(shi)觸及一(yi)下柵(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(G)和(he)發(fa)射(she)(she)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(E),這時(shi)(shi)IGBT被阻(zu)斷(duan)(duan),萬(wan)用表(biao)(biao)的(de)(de)(de)指(zhi)針(zhen)回零(ling)。此時(shi)(shi)即可判斷(duan)(duan)IGBT是(shi)好的(de)(de)(de)。