一、igbt工作原理是什么

IGBT是(shi)絕(jue)緣柵(zha)(zha)雙(shuang)極(ji)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)(de)(de)英文簡稱(cheng)，是(shi)一種三端半導體(ti)(ti)開(kai)關的(de)(de)(de)器件(jian)，一般igbt結構相(xiang)當于一個(ge)四層半導體(ti)(ti)的(de)(de)(de)器件(jian)，四層器件(jian)通(tong)過(guo)組(zu)合PNP和(he)NPN晶(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)構成(cheng)了P-N-P-N排列；igbt模塊則(ze)(ze)(ze)由散熱基(ji)板、DBC基(ji)板、IGBT芯片、Diode芯片以及鍵合線組(zu)成(cheng)。IGBT作(zuo)為一種功率晶(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)，主要(yao)用于變(bian)頻(pin)器逆變(bian)和(he)其他逆變(bian)電(dian)(dian)路，將(jiang)直流(liu)電(dian)(dian)壓逆變(bian)成(cheng)頻(pin)率可調的(de)(de)(de)交流(liu)電(dian)(dian)，其工作(zuo)原理是(shi)通(tong)過(guo)不(bu)斷(duan)激活(huo)和(he)停(ting)用其柵(zha)(zha)極(ji)端子來開(kai)啟、關閉：IGBT的(de)(de)(de)開(kai)關作(zuo)用是(shi)通(tong)過(guo)加(jia)正向柵(zha)(zha)極(ji)電(dian)(dian)壓形成(cheng)溝道，給(gei)PNP晶(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)提(ti)供(gong)基(ji)極(ji)電(dian)(dian)流(liu)，使(shi)(shi)IGBT導通(tong)。反(fan)之，加(jia)反(fan)向門(men)極(ji)電(dian)(dian)壓消除溝道，切斷(duan)基(ji)極(ji)電(dian)(dian)，使(shi)(shi)IGBT關斷(duan)。若在IGBT的(de)(de)(de)柵(zha)(zha)極(ji)和(he)發射(she)極(ji)之間加(jia)上驅動正電(dian)(dian)壓，則(ze)(ze)(ze)MOSFET導通(tong)，這樣PNP晶(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)(de)(de)集電(dian)(dian)極(ji)與基(ji)極(ji)之間成(cheng)低阻(zu)狀態而使(shi)(shi)得(de)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)導通(tong);若IGBT的(de)(de)(de)柵(zha)(zha)極(ji)和(he)發射(she)極(ji)之間電(dian)(dian)壓為0V，則(ze)(ze)(ze)MOSFET截止(zhi)，切斷(duan)PNP晶(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)基(ji)極(ji)電(dian)(dian)流(liu)的(de)(de)(de)供(gong)給(gei)，使(shi)(shi)得(de)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)截止(zhi)。

二、igbt的作用和功能

IGBT的主要作用是可以很容易地將輸入的高壓直流電流轉換為高壓交流電，只需通過脈寬調制即可實現變頻控制，它通過十幾伏的門極控制信號，即可實現kV級電壓和kA級電流的控制，開關頻率可達每秒幾萬次，具有高電壓、大電流、高頻率、低導通壓降等特點，廣泛應用于新能源汽車的電動控制系統、車載空調控制系統以及充電樁領域，智能電網的發電端、輸電端、變電端、用電端，軌道交通的交流傳動系統等領域。如果您需要采購igbt芯片或igbt模塊，可以先來看看IGBT十大品牌。

三、igbt芯片和igbt模塊的區別

IGBT芯(xin)片(pian)(pian)(pian)是(shi)(shi)絕緣柵(zha)雙(shuang)(shuang)極(ji)型晶體管芯(xin)片(pian)(pian)(pian)，是(shi)(shi)一(yi)種復(fu)合全控(kong)型電(dian)壓(ya)驅動(dong)式功(gong)率半(ban)導體器件，被稱(cheng)為(wei)“電(dian)力電(dian)子裝(zhuang)(zhuang)置的(de)CPU”，它和igbt模(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)統(tong)稱(cheng)igbt，不(bu)過igbt芯(xin)片(pian)(pian)(pian)和igbt模(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)還是(shi)(shi)有(you)所不(bu)同的(de)，簡單來說(shuo)(shuo)，IGBT芯(xin)片(pian)(pian)(pian)就是(shi)(shi)一(yi)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)封裝(zhuang)(zhuang)好的(de)絕緣柵(zha)雙(shuang)(shuang)極(ji)型晶體管芯(xin)片(pian)(pian)(pian)，而(er)igbt模(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)是(shi)(shi)由多(duo)個(ge)IGBT芯(xin)片(pian)(pian)(pian)、反并(bing)聯二極(ji)管、驅動(dong)電(dian)路、保護電(dian)路等組成的(de)集(ji)成模(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)。一(yi)般(ban)來說(shuo)(shuo)，IGBT芯(xin)片(pian)(pian)(pian)不(bu)會單獨使用，而(er)是(shi)(shi)組裝(zhuang)(zhuang)成igbt模(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)再使用，因為(wei)IGBT模(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)具(ju)有(you)節能、安(an)裝(zhuang)(zhuang)維修方便、散熱穩定等特點，當(dang)前市場上銷售的(de)多(duo)為(wei)模(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)化產品(pin)，一(yi)般(ban)所說(shuo)(shuo)的(de)IGBT也指IGBT模(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)。

四、igbt模塊怎么測量好壞

igbt模塊損(sun)壞(huai)一(yi)(yi)(yi)(yi)般常見的(de)(de)(de)原因有(you)過(guo)電(dian)流(liu)損(sun)壞(huai)、過(guo)電(dian)壓損(sun)壞(huai)、靜(jing)電(dian)損(sun)壞(huai)、過(guo)熱損(sun)壞(huai)、機械應力對(dui)(dui)產(chan)品的(de)(de)(de)破(po)壞(huai)等，判斷(duan)(duan)IGBT模塊是(shi)否(fou)損(sun)壞(huai)，一(yi)(yi)(yi)(yi)般需要先(xian)對(dui)(dui)其(qi)進行檢測(ce)，igbt模塊的(de)(de)(de)檢測(ce)一(yi)(yi)(yi)(yi)般分(fen)為(wei)(wei)兩(liang)(liang)(liang)(liang)部分(fen)：1、判斷(duan)(duan)極(ji)(ji)(ji)(ji)性：首先(xian)將(jiang)萬(wan)(wan)用(yong)(yong)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)撥(bo)在R×1KΩ擋(dang)，用(yong)(yong)萬(wan)(wan)用(yong)(yong)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)測(ce)量(liang)時，若某一(yi)(yi)(yi)(yi)極(ji)(ji)(ji)(ji)與其(qi)它(ta)兩(liang)(liang)(liang)(liang)極(ji)(ji)(ji)(ji)阻(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)為(wei)(wei)無(wu)窮(qiong)(qiong)(qiong)大，調換表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)筆(bi)(bi)后(hou)該極(ji)(ji)(ji)(ji)與其(qi)它(ta)兩(liang)(liang)(liang)(liang)極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)阻(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)仍為(wei)(wei)無(wu)窮(qiong)(qiong)(qiong)大，則(ze)判斷(duan)(duan)此極(ji)(ji)(ji)(ji)為(wei)(wei)柵極(ji)(ji)(ji)(ji)（G），其(qi)余兩(liang)(liang)(liang)(liang)極(ji)(ji)(ji)(ji)再用(yong)(yong)萬(wan)(wan)用(yong)(yong)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)測(ce)量(liang)，若測(ce)得(de)阻(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)為(wei)(wei)無(wu)窮(qiong)(qiong)(qiong)大，調換表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)筆(bi)(bi)后(hou)測(ce)量(liang)阻(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)較小。在測(ce)量(liang)阻(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)較小的(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)次中，則(ze)判斷(duan)(duan)紅(hong)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)筆(bi)(bi)接的(de)(de)(de)為(wei)(wei)集電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)（C）；黑表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)筆(bi)(bi)接地為(wei)(wei)發(fa)(fa)射(she)極(ji)(ji)(ji)(ji)（E）。2、判斷(duan)(duan)好壞(huai)：將(jiang)萬(wan)(wan)用(yong)(yong)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)撥(bo)在R×10KΩ擋(dang)，用(yong)(yong)黑表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)筆(bi)(bi)接IGBT的(de)(de)(de)集電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)（C），紅(hong)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)筆(bi)(bi)接IGBT 的(de)(de)(de)發(fa)(fa)射(she)極(ji)(ji)(ji)(ji)（E），此時萬(wan)(wan)用(yong)(yong)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)的(de)(de)(de)指(zhi)(zhi)針在零位(wei)。用(yong)(yong)手指(zhi)(zhi)同(tong)時觸及一(yi)(yi)(yi)(yi)下柵極(ji)(ji)(ji)(ji)（G）和集電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)（C），這(zhe)時IGBT被(bei)觸發(fa)(fa)導(dao)通，萬(wan)(wan)用(yong)(yong)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)的(de)(de)(de)指(zhi)(zhi)針擺向(xiang)阻(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)較小的(de)(de)(de)方向(xiang)，并(bing)能站住指(zhi)(zhi)示在某一(yi)(yi)(yi)(yi)位(wei)置。然后(hou)再用(yong)(yong)手指(zhi)(zhi)同(tong)時觸及一(yi)(yi)(yi)(yi)下柵極(ji)(ji)(ji)(ji)（G）和發(fa)(fa)射(she)極(ji)(ji)(ji)(ji)（E），這(zhe)時IGBT被(bei)阻(zu)斷(duan)(duan)，萬(wan)(wan)用(yong)(yong)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)的(de)(de)(de)指(zhi)(zhi)針回零。此時即可(ke)判斷(duan)(duan)IGBT是(shi)好的(de)(de)(de)。