一、igbt工作原理是什么

IGBT是(shi)絕緣柵(zha)雙(shuang)極(ji)晶(jing)體(ti)(ti)管的(de)英(ying)文簡稱，是(shi)一(yi)種(zhong)三端半導(dao)(dao)體(ti)(ti)開關的(de)器件(jian)(jian)，一(yi)般(ban)igbt結構相當于一(yi)個四(si)層半導(dao)(dao)體(ti)(ti)的(de)器件(jian)(jian)，四(si)層器件(jian)(jian)通(tong)過(guo)組合PNP和(he)(he)NPN晶(jing)體(ti)(ti)管構成(cheng)(cheng)了P-N-P-N排列；igbt模(mo)塊則(ze)由散熱基(ji)板、DBC基(ji)板、IGBT芯片、Diode芯片以及(ji)鍵合線組成(cheng)(cheng)。IGBT作(zuo)為(wei)一(yi)種(zhong)功率晶(jing)體(ti)(ti)管，主要用(yong)于變頻(pin)器逆變和(he)(he)其他逆變電(dian)(dian)路，將(jiang)直(zhi)流電(dian)(dian)壓(ya)(ya)逆變成(cheng)(cheng)頻(pin)率可調的(de)交流電(dian)(dian)，其工(gong)作(zuo)原(yuan)理是(shi)通(tong)過(guo)不(bu)斷激活(huo)和(he)(he)停用(yong)其柵(zha)極(ji)端子來開啟、關閉：IGBT的(de)開關作(zuo)用(yong)是(shi)通(tong)過(guo)加正向柵(zha)極(ji)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)形成(cheng)(cheng)溝道，給PNP晶(jing)體(ti)(ti)管提供基(ji)極(ji)電(dian)(dian)流，使(shi)(shi)IGBT導(dao)(dao)通(tong)。反之(zhi)(zhi)，加反向門極(ji)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)消除溝道，切(qie)斷基(ji)極(ji)電(dian)(dian)，使(shi)(shi)IGBT關斷。若(ruo)在IGBT的(de)柵(zha)極(ji)和(he)(he)發射極(ji)之(zhi)(zhi)間加上驅動正電(dian)(dian)壓(ya)(ya)，則(ze)MOSFET導(dao)(dao)通(tong)，這樣PNP晶(jing)體(ti)(ti)管的(de)集電(dian)(dian)極(ji)與基(ji)極(ji)之(zhi)(zhi)間成(cheng)(cheng)低阻(zu)狀態而(er)使(shi)(shi)得晶(jing)體(ti)(ti)管導(dao)(dao)通(tong);若(ruo)IGBT的(de)柵(zha)極(ji)和(he)(he)發射極(ji)之(zhi)(zhi)間電(dian)(dian)壓(ya)(ya)為(wei)0V，則(ze)MOSFET截止(zhi)，切(qie)斷PNP晶(jing)體(ti)(ti)管基(ji)極(ji)電(dian)(dian)流的(de)供給，使(shi)(shi)得晶(jing)體(ti)(ti)管截止(zhi)。

二、igbt的作用和功能

IGBT的主要作用是可以很容易地將輸入的高壓直流電流轉換為高壓交流電，只需通過脈寬調制即可實現變頻控制，它通過十幾伏的門極控制信號，即可實現kV級電壓和kA級電流的控制，開關頻率可達每秒幾萬次，具有高電壓、大電流、高頻率、低導通壓降等特點，廣泛應用于新能源汽車的電動控制系統、車載空調控制系統以及充電樁領域，智能電網的發電端、輸電端、變電端、用電端，軌道交通的交流傳動系統等領域。如果您需要采購igbt芯片或igbt模塊，可以先來看看IGBT十大品牌。

三、igbt芯片和igbt模塊的區別

IGBT芯片(pian)是(shi)絕緣柵雙(shuang)極(ji)型晶(jing)體管芯片(pian)，是(shi)一種復合全(quan)控型電壓驅動(dong)式功率半導體器件(jian)，被稱(cheng)為“電力電子裝(zhuang)置(zhi)的(de)CPU”，它(ta)和igbt模(mo)塊(kuai)統(tong)稱(cheng)igbt，不過igbt芯片(pian)和igbt模(mo)塊(kuai)還是(shi)有(you)所(suo)不同的(de)，簡(jian)單來說(shuo)(shuo)，IGBT芯片(pian)就是(shi)一塊(kuai)封裝(zhuang)好的(de)絕緣柵雙(shuang)極(ji)型晶(jing)體管芯片(pian)，而(er)igbt模(mo)塊(kuai)是(shi)由多(duo)個IGBT芯片(pian)、反并聯(lian)二極(ji)管、驅動(dong)電路、保(bao)護電路等組成(cheng)的(de)集成(cheng)模(mo)塊(kuai)。一般來說(shuo)(shuo)，IGBT芯片(pian)不會單獨使用，而(er)是(shi)組裝(zhuang)成(cheng)igbt模(mo)塊(kuai)再使用，因為IGBT模(mo)塊(kuai)具有(you)節能、安裝(zhuang)維(wei)修(xiu)方便、散(san)熱穩(wen)定等特點(dian)，當(dang)前市場上(shang)銷售的(de)多(duo)為模(mo)塊(kuai)化產品，一般所(suo)說(shuo)(shuo)的(de)IGBT也指(zhi)IGBT模(mo)塊(kuai)。

四、igbt模塊怎么測量好壞

igbt模塊(kuai)(kuai)損壞(huai)(huai)一(yi)般(ban)常(chang)見(jian)的(de)(de)原因有過電(dian)(dian)(dian)流損壞(huai)(huai)、過電(dian)(dian)(dian)壓損壞(huai)(huai)、靜(jing)電(dian)(dian)(dian)損壞(huai)(huai)、過熱(re)損壞(huai)(huai)、機械應力對(dui)(dui)產品的(de)(de)破壞(huai)(huai)等，判(pan)斷(duan)(duan)IGBT模塊(kuai)(kuai)是否損壞(huai)(huai)，一(yi)般(ban)需要先(xian)對(dui)(dui)其(qi)進(jin)行檢測，igbt模塊(kuai)(kuai)的(de)(de)檢測一(yi)般(ban)分為(wei)(wei)兩部(bu)分：1、判(pan)斷(duan)(duan)極(ji)(ji)(ji)性：首先(xian)將(jiang)萬(wan)(wan)用(yong)表(biao)(biao)(biao)(biao)撥在(zai)R×1KΩ擋(dang)，用(yong)萬(wan)(wan)用(yong)表(biao)(biao)(biao)(biao)測量時(shi)(shi)，若某一(yi)極(ji)(ji)(ji)與(yu)其(qi)它(ta)兩極(ji)(ji)(ji)阻(zu)(zu)(zu)(zu)值(zhi)為(wei)(wei)無(wu)窮大(da)，調換(huan)表(biao)(biao)(biao)(biao)筆(bi)(bi)(bi)后(hou)該極(ji)(ji)(ji)與(yu)其(qi)它(ta)兩極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)阻(zu)(zu)(zu)(zu)值(zhi)仍為(wei)(wei)無(wu)窮大(da)，則判(pan)斷(duan)(duan)此(ci)(ci)極(ji)(ji)(ji)為(wei)(wei)柵極(ji)(ji)(ji)（G），其(qi)余(yu)兩極(ji)(ji)(ji)再用(yong)萬(wan)(wan)用(yong)表(biao)(biao)(biao)(biao)測量，若測得阻(zu)(zu)(zu)(zu)值(zhi)為(wei)(wei)無(wu)窮大(da)，調換(huan)表(biao)(biao)(biao)(biao)筆(bi)(bi)(bi)后(hou)測量阻(zu)(zu)(zu)(zu)值(zhi)較(jiao)小。在(zai)測量阻(zu)(zu)(zu)(zu)值(zhi)較(jiao)小的(de)(de)一(yi)次中，則判(pan)斷(duan)(duan)紅(hong)(hong)表(biao)(biao)(biao)(biao)筆(bi)(bi)(bi)接(jie)的(de)(de)為(wei)(wei)集(ji)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)（C）；黑表(biao)(biao)(biao)(biao)筆(bi)(bi)(bi)接(jie)地為(wei)(wei)發(fa)射(she)(she)極(ji)(ji)(ji)（E）。2、判(pan)斷(duan)(duan)好壞(huai)(huai)：將(jiang)萬(wan)(wan)用(yong)表(biao)(biao)(biao)(biao)撥在(zai)R×10KΩ擋(dang)，用(yong)黑表(biao)(biao)(biao)(biao)筆(bi)(bi)(bi)接(jie)IGBT的(de)(de)集(ji)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)（C），紅(hong)(hong)表(biao)(biao)(biao)(biao)筆(bi)(bi)(bi)接(jie)IGBT 的(de)(de)發(fa)射(she)(she)極(ji)(ji)(ji)（E），此(ci)(ci)時(shi)(shi)萬(wan)(wan)用(yong)表(biao)(biao)(biao)(biao)的(de)(de)指(zhi)(zhi)針(zhen)在(zai)零(ling)(ling)位(wei)。用(yong)手指(zhi)(zhi)同時(shi)(shi)觸及一(yi)下柵極(ji)(ji)(ji)（G）和集(ji)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)（C），這(zhe)時(shi)(shi)IGBT被觸發(fa)導通(tong)，萬(wan)(wan)用(yong)表(biao)(biao)(biao)(biao)的(de)(de)指(zhi)(zhi)針(zhen)擺(bai)向(xiang)阻(zu)(zu)(zu)(zu)值(zhi)較(jiao)小的(de)(de)方向(xiang)，并能(neng)站住(zhu)指(zhi)(zhi)示(shi)在(zai)某一(yi)位(wei)置(zhi)。然后(hou)再用(yong)手指(zhi)(zhi)同時(shi)(shi)觸及一(yi)下柵極(ji)(ji)(ji)（G）和發(fa)射(she)(she)極(ji)(ji)(ji)（E），這(zhe)時(shi)(shi)IGBT被阻(zu)(zu)(zu)(zu)斷(duan)(duan)，萬(wan)(wan)用(yong)表(biao)(biao)(biao)(biao)的(de)(de)指(zhi)(zhi)針(zhen)回零(ling)(ling)。此(ci)(ci)時(shi)(shi)即可(ke)判(pan)斷(duan)(duan)IGBT是好的(de)(de)。