一、igbt工作原理是什么

IGBT是(shi)絕緣柵(zha)(zha)雙(shuang)極(ji)(ji)(ji)晶(jing)體管(guan)的(de)英文簡稱，是(shi)一種(zhong)三端半(ban)導體開關的(de)器(qi)件，一般igbt結構相當于一個四(si)層半(ban)導體的(de)器(qi)件，四(si)層器(qi)件通(tong)(tong)(tong)(tong)過組(zu)合PNP和NPN晶(jing)體管(guan)構成了P-N-P-N排列；igbt模(mo)塊則由(you)散熱基(ji)板、DBC基(ji)板、IGBT芯片、Diode芯片以(yi)及鍵合線組(zu)成。IGBT作(zuo)為一種(zhong)功率晶(jing)體管(guan)，主要(yao)用(yong)于變(bian)頻(pin)器(qi)逆變(bian)和其他逆變(bian)電(dian)路，將直流(liu)電(dian)壓(ya)逆變(bian)成頻(pin)率可調的(de)交流(liu)電(dian)，其工(gong)作(zuo)原理(li)是(shi)通(tong)(tong)(tong)(tong)過不斷(duan)(duan)激活和停用(yong)其柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)端子來開啟(qi)、關閉(bi)：IGBT的(de)開關作(zuo)用(yong)是(shi)通(tong)(tong)(tong)(tong)過加(jia)正向柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)電(dian)壓(ya)形成溝道(dao)，給PNP晶(jing)體管(guan)提(ti)供(gong)(gong)基(ji)極(ji)(ji)(ji)電(dian)流(liu)，使(shi)IGBT導通(tong)(tong)(tong)(tong)。反之(zhi)(zhi)，加(jia)反向門極(ji)(ji)(ji)電(dian)壓(ya)消除溝道(dao)，切(qie)斷(duan)(duan)基(ji)極(ji)(ji)(ji)電(dian)，使(shi)IGBT關斷(duan)(duan)。若在IGBT的(de)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)和發射(she)極(ji)(ji)(ji)之(zhi)(zhi)間加(jia)上驅動正電(dian)壓(ya)，則MOSFET導通(tong)(tong)(tong)(tong)，這樣PNP晶(jing)體管(guan)的(de)集電(dian)極(ji)(ji)(ji)與(yu)基(ji)極(ji)(ji)(ji)之(zhi)(zhi)間成低阻狀態而使(shi)得晶(jing)體管(guan)導通(tong)(tong)(tong)(tong);若IGBT的(de)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)和發射(she)極(ji)(ji)(ji)之(zhi)(zhi)間電(dian)壓(ya)為0V，則MOSFET截止，切(qie)斷(duan)(duan)PNP晶(jing)體管(guan)基(ji)極(ji)(ji)(ji)電(dian)流(liu)的(de)供(gong)(gong)給，使(shi)得晶(jing)體管(guan)截止。

二、igbt的作用和功能

IGBT的主要作用是可以很容易地將輸入的高壓直流電流轉換為高壓交流電，只需通過脈寬調制即可實現變頻控制，它通過十幾伏的門極控制信號，即可實現kV級電壓和kA級電流的控制，開關頻率可達每秒幾萬次，具有高電壓、大電流、高頻率、低導通壓降等特點，廣泛應用于新能源汽車的電動控制系統、車載空調控制系統以及充電樁領域，智能電網的發電端、輸電端、變電端、用電端，軌道交通的交流傳動系統等領域。如果您需要采購igbt芯片或igbt模塊，可以先來看看IGBT十大品牌。

三、igbt芯片和igbt模塊的區別

IGBT芯(xin)(xin)片(pian)是(shi)絕(jue)緣(yuan)柵雙(shuang)極型晶(jing)體(ti)(ti)管芯(xin)(xin)片(pian)，是(shi)一(yi)種復合(he)全控型電壓驅動式功率半(ban)導體(ti)(ti)器(qi)件(jian)，被稱(cheng)(cheng)為“電力電子裝(zhuang)(zhuang)置(zhi)的CPU”，它和(he)igbt模(mo)(mo)塊(kuai)統(tong)稱(cheng)(cheng)igbt，不過igbt芯(xin)(xin)片(pian)和(he)igbt模(mo)(mo)塊(kuai)還是(shi)有所不同的，簡單來說，IGBT芯(xin)(xin)片(pian)就(jiu)是(shi)一(yi)塊(kuai)封裝(zhuang)(zhuang)好的絕(jue)緣(yuan)柵雙(shuang)極型晶(jing)體(ti)(ti)管芯(xin)(xin)片(pian)，而igbt模(mo)(mo)塊(kuai)是(shi)由多個IGBT芯(xin)(xin)片(pian)、反并聯二(er)極管、驅動電路(lu)、保護(hu)電路(lu)等組(zu)成(cheng)(cheng)的集成(cheng)(cheng)模(mo)(mo)塊(kuai)。一(yi)般來說，IGBT芯(xin)(xin)片(pian)不會單獨使(shi)用(yong)，而是(shi)組(zu)裝(zhuang)(zhuang)成(cheng)(cheng)igbt模(mo)(mo)塊(kuai)再使(shi)用(yong)，因為IGBT模(mo)(mo)塊(kuai)具有節能、安裝(zhuang)(zhuang)維修方便、散熱穩定等特點，當前市場上銷售的多為模(mo)(mo)塊(kuai)化產品，一(yi)般所說的IGBT也指(zhi)IGBT模(mo)(mo)塊(kuai)。

四、igbt模塊怎么測量好壞

igbt模(mo)塊損(sun)(sun)(sun)壞(huai)(huai)一(yi)(yi)般常見的(de)(de)(de)(de)原因(yin)有(you)過(guo)電流損(sun)(sun)(sun)壞(huai)(huai)、過(guo)電壓損(sun)(sun)(sun)壞(huai)(huai)、靜電損(sun)(sun)(sun)壞(huai)(huai)、過(guo)熱損(sun)(sun)(sun)壞(huai)(huai)、機械應力(li)對產(chan)品的(de)(de)(de)(de)破壞(huai)(huai)等(deng)，判(pan)(pan)斷IGBT模(mo)塊是(shi)否損(sun)(sun)(sun)壞(huai)(huai)，一(yi)(yi)般需要先(xian)對其(qi)進行檢測，igbt模(mo)塊的(de)(de)(de)(de)檢測一(yi)(yi)般分為(wei)(wei)兩(liang)(liang)部分：1、判(pan)(pan)斷極(ji)性(xing)：首先(xian)將(jiang)萬用(yong)(yong)(yong)(yong)(yong)表(biao)(biao)(biao)(biao)撥在R×1KΩ擋，用(yong)(yong)(yong)(yong)(yong)萬用(yong)(yong)(yong)(yong)(yong)表(biao)(biao)(biao)(biao)測量(liang)時(shi)(shi)(shi)，若某一(yi)(yi)極(ji)與其(qi)它(ta)兩(liang)(liang)極(ji)阻(zu)值(zhi)(zhi)為(wei)(wei)無窮(qiong)大，調(diao)換表(biao)(biao)(biao)(biao)筆后該極(ji)與其(qi)它(ta)兩(liang)(liang)極(ji)的(de)(de)(de)(de)阻(zu)值(zhi)(zhi)仍為(wei)(wei)無窮(qiong)大，則(ze)判(pan)(pan)斷此(ci)極(ji)為(wei)(wei)柵極(ji)（G），其(qi)余兩(liang)(liang)極(ji)再用(yong)(yong)(yong)(yong)(yong)萬用(yong)(yong)(yong)(yong)(yong)表(biao)(biao)(biao)(biao)測量(liang)，若測得阻(zu)值(zhi)(zhi)為(wei)(wei)無窮(qiong)大，調(diao)換表(biao)(biao)(biao)(biao)筆后測量(liang)阻(zu)值(zhi)(zhi)較(jiao)小(xiao)。在測量(liang)阻(zu)值(zhi)(zhi)較(jiao)小(xiao)的(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)次中，則(ze)判(pan)(pan)斷紅表(biao)(biao)(biao)(biao)筆接(jie)的(de)(de)(de)(de)為(wei)(wei)集電極(ji)（C）；黑表(biao)(biao)(biao)(biao)筆接(jie)地(di)為(wei)(wei)發(fa)(fa)射極(ji)（E）。2、判(pan)(pan)斷好(hao)壞(huai)(huai)：將(jiang)萬用(yong)(yong)(yong)(yong)(yong)表(biao)(biao)(biao)(biao)撥在R×10KΩ擋，用(yong)(yong)(yong)(yong)(yong)黑表(biao)(biao)(biao)(biao)筆接(jie)IGBT的(de)(de)(de)(de)集電極(ji)（C），紅表(biao)(biao)(biao)(biao)筆接(jie)IGBT 的(de)(de)(de)(de)發(fa)(fa)射極(ji)（E），此(ci)時(shi)(shi)(shi)萬用(yong)(yong)(yong)(yong)(yong)表(biao)(biao)(biao)(biao)的(de)(de)(de)(de)指針在零(ling)位(wei)。用(yong)(yong)(yong)(yong)(yong)手(shou)指同時(shi)(shi)(shi)觸(chu)(chu)及(ji)一(yi)(yi)下柵極(ji)（G）和(he)集電極(ji)（C），這時(shi)(shi)(shi)IGBT被觸(chu)(chu)發(fa)(fa)導通，萬用(yong)(yong)(yong)(yong)(yong)表(biao)(biao)(biao)(biao)的(de)(de)(de)(de)指針擺向(xiang)阻(zu)值(zhi)(zhi)較(jiao)小(xiao)的(de)(de)(de)(de)方(fang)向(xiang)，并能站住指示在某一(yi)(yi)位(wei)置。然后再用(yong)(yong)(yong)(yong)(yong)手(shou)指同時(shi)(shi)(shi)觸(chu)(chu)及(ji)一(yi)(yi)下柵極(ji)（G）和(he)發(fa)(fa)射極(ji)（E），這時(shi)(shi)(shi)IGBT被阻(zu)斷，萬用(yong)(yong)(yong)(yong)(yong)表(biao)(biao)(biao)(biao)的(de)(de)(de)(de)指針回零(ling)。此(ci)時(shi)(shi)(shi)即可判(pan)(pan)斷IGBT是(shi)好(hao)的(de)(de)(de)(de)。