一、igbt屬于什么器件

IGBT，即Insulate-Gate Bipolar Transistor，翻譯過來是絕(jue)緣柵雙(shuang)極晶體管，是半導(dao)體領域里分立(li)器件中特別重要(yao)的一(yi)個分支。

IGBT屬于(yu)電壓(ya)控(kong)制器件，是由BJT和(he)MOSFET組(zu)成(cheng)的復合功率半導體器件，它能(neng)(neng)(neng)夠(gou)根據(ju)工業裝置中的信號指令來調(diao)節電路中的電壓(ya)、電流、頻率、相位等，以實現精準(zhun)調(diao)控(kong)的目(mu)的，廣泛應(ying)用于(yu)電機(ji)節能(neng)(neng)(neng)、軌道(dao)交通、智能(neng)(neng)(neng)電網、航空航天、家用電器、汽車電子、新能(neng)(neng)(neng)源發電、新能(neng)(neng)(neng)源汽車等領域。

二、igbt有幾種類型

IGBT是半導體器件，它的應用(yong)廣泛，種類(lei)也有很多，按照不(bu)同(tong)(tong)的分(fen)類(lei)方法(fa)可分(fen)為不(bu)同(tong)(tong)類(lei)型：

1、在應用層面根據電壓等級劃分

（1）低壓IGBT：指電(dian)壓等級在1000V以內的IGBT器件，例(li)如常見的650V應用于(yu)新能源汽車、家電(dian)、工業變(bian)頻等領域。

（2）中壓(ya)IGBT：指電(dian)壓(ya)等級在1000-1700V區間的IGBT器件(jian)，如1200V應(ying)(ying)用于光伏(fu)、電(dian)磁爐、家電(dian)、焊機、工(gong)業變頻器和新能源汽車領(ling)域，1700V應(ying)(ying)用于光伏(fu)和風電(dian)領(ling)域。

（3）高(gao)壓IGBT：指電(dian)壓等級3300V及以(yi)上的IGBT器件，比如(ru)3300V和6500V應(ying)用于(yu)高(gao)鐵、動車、智能(neng)電(dian)網，以(yi)及工業電(dian)機等領域。

2、在產品層面根據封裝方式劃分

（1）IGBT單管：封裝規模較小，一般指(zhi)封裝單顆IGBT芯片，電(dian)流(liu)通(tong)常(chang)在50A以(yi)下，適用于消費、工業家電(dian)領域。

（2）IGBT模塊：IGBT最常見的(de)形式，是將(jiang)多個IGBT芯片集成(cheng)封裝在一起(qi)，功(gong)率(lv)更大(da)、散(san)熱能(neng)力更強，適用于高(gao)壓大(da)功(gong)率(lv)平(ping)臺(tai)，如新能(neng)源車、光伏、高(gao)鐵等。

（3）功率(lv)集成（IPM）：指把IGBT模(mo)塊加上散熱器、電容等外圍(wei)組件(jian)，組成一個功能較為完整和復(fu)雜(za)的智能功率(lv)模(mo)塊。

3、根據是否具有N+緩沖層劃分

（1）穿通IGBT：又稱(cheng)PT-IGBT、非(fei)對(dui)稱(cheng)IGBT，在發射極接觸處具(ju)有N+區，具(ju)有不對(dui)稱(cheng)的(de)電(dian)壓(ya)(ya)阻(zu)斷能(neng)力(li)，即(ji)正(zheng)向(xiang)(xiang)和反向(xiang)(xiang)擊穿電(dian)壓(ya)(ya)不同(tong)。非(fei)對(dui)稱(cheng)IGBT的(de)反向(xiang)(xiang)擊穿電(dian)壓(ya)(ya)小于其(qi)正(zheng)向(xiang)(xiang)擊穿電(dian)壓(ya)(ya)，同(tong)時具(ju)有更快的(de)切換(huan)速度。穿通IGBT是單(dan)向(xiang)(xiang)的(de)，不能(neng)處理(li)反向(xiang)(xiang)電(dian)壓(ya)(ya)。因此(ci)，它們(men)被用于逆變(bian)器和斬波器電(dian)路等(deng)直流(liu)電(dian)路中。

（2）非穿通(tong)IGBT：又稱NPT-IGBT、對(dui)稱IGBT，它沒有由(you)發射(she)極接觸額外(wai)的N+區域，結(jie)構的對(dui)稱性(xing)提供(gong)了對(dui)稱的擊(ji)穿電壓(ya)特性(xing)，即正向和反向擊(ji)穿電壓(ya)相等。由(you)于(yu)(yu)這個原因，它們被(bei)用于(yu)(yu)交流電路。