一、igbt屬于什么器件

IGBT，即Insulate-Gate Bipolar Transistor，翻譯過來是(shi)絕緣(yuan)柵雙(shuang)極晶(jing)體管(guan)，是(shi)半導體領域(yu)里分(fen)立器件中特別重要的一(yi)個(ge)分(fen)支。

IGBT屬于電(dian)(dian)壓(ya)控制器(qi)件(jian)，是由BJT和MOSFET組成的復合功率半導體器(qi)件(jian)，它(ta)能夠根據(ju)工業裝置中的信號(hao)指令來調節(jie)電(dian)(dian)路中的電(dian)(dian)壓(ya)、電(dian)(dian)流、頻率、相位(wei)等(deng)，以(yi)實現精準調控的目的，廣泛(fan)應用于電(dian)(dian)機(ji)節(jie)能、軌道交通(tong)、智能電(dian)(dian)網、航空航天(tian)、家(jia)用電(dian)(dian)器(qi)、汽車電(dian)(dian)子(zi)、新(xin)能源(yuan)發電(dian)(dian)、新(xin)能源(yuan)汽車等(deng)領域。

二、igbt有幾種類型

IGBT是半導體(ti)器件，它的應用(yong)廣泛(fan)，種類也有很多，按照(zhao)不同的分(fen)類方(fang)法可分(fen)為不同類型：

1、在應用層面根據電壓等級劃分

（1）低壓(ya)IGBT：指電壓(ya)等級在(zai)1000V以內的(de)IGBT器件(jian)，例如常見的(de)650V應用于新(xin)能源汽車、家電、工業變(bian)頻等領域。

（2）中(zhong)壓IGBT：指電壓等級在1000-1700V區間的IGBT器件，如1200V應(ying)用(yong)于光(guang)(guang)伏(fu)、電磁(ci)爐、家電、焊機、工業變頻器和(he)新能(neng)源汽車領域，1700V應(ying)用(yong)于光(guang)(guang)伏(fu)和(he)風電領域。

（3）高壓IGBT：指電壓等級3300V及以(yi)(yi)上的IGBT器件，比如(ru)3300V和6500V應用于高鐵、動車(che)、智能電網，以(yi)(yi)及工(gong)業電機等領域。

2、在產品層面根據封裝方式劃分

（1）IGBT單管：封裝規(gui)模較(jiao)小，一般指封裝單顆IGBT芯(xin)片(pian)，電(dian)流通常(chang)在(zai)50A以下，適(shi)用于消(xiao)費、工業家電(dian)領域。

（2）IGBT模塊(kuai)：IGBT最常見的形式(shi)，是將多個IGBT芯片集成封裝在一起(qi)，功(gong)率(lv)更大、散熱(re)能力更強(qiang)，適用于高壓大功(gong)率(lv)平(ping)臺，如(ru)新能源車、光(guang)伏、高鐵等。

（3）功率(lv)集成（IPM）：指(zhi)把IGBT模(mo)塊(kuai)加上散熱器、電容等外圍(wei)組件(jian)，組成一個(ge)功能較為完(wan)整和復雜(za)的智能功率(lv)模(mo)塊(kuai)。

3、根據是否具有N+緩沖層劃分

（1）穿通IGBT：又稱(cheng)PT-IGBT、非(fei)對稱(cheng)IGBT，在發射極接觸(chu)處具有N+區，具有不對稱(cheng)的(de)電(dian)(dian)壓(ya)阻斷能力，即正(zheng)向(xiang)和(he)(he)反向(xiang)擊(ji)(ji)穿電(dian)(dian)壓(ya)不同(tong)。非(fei)對稱(cheng)IGBT的(de)反向(xiang)擊(ji)(ji)穿電(dian)(dian)壓(ya)小(xiao)于其正(zheng)向(xiang)擊(ji)(ji)穿電(dian)(dian)壓(ya)，同(tong)時具有更快的(de)切換速度。穿通IGBT是單向(xiang)的(de)，不能處理反向(xiang)電(dian)(dian)壓(ya)。因此，它們被用(yong)于逆(ni)變器(qi)和(he)(he)斬波器(qi)電(dian)(dian)路等(deng)直流電(dian)(dian)路中。

（2）非穿通IGBT：又稱NPT-IGBT、對稱IGBT，它(ta)沒有由發射極接觸額(e)外的(de)N+區域，結(jie)構的(de)對稱性提(ti)供了對稱的(de)擊穿電壓特性，即正向和(he)反向擊穿電壓相等。由于這個(ge)原因，它(ta)們被用于交流電路(lu)。