一、IGBT功率模塊多少錢一個

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構成(cheng)的(de)功(gong)率(lv)模(mo)塊，具有輸入阻抗大、驅動功(gong)率(lv)小、控制(zhi)電路簡(jian)單、開(kai)關損耗小、通斷(duan)速度(du)快、工作頻率(lv)高等優(you)點(dian)，那么IGBT功(gong)率(lv)模(mo)塊的(de)價格是多少(shao)呢？

一(yi)般一(yi)個(ge)IGBT功率模塊，其(qi)價(jia)格主要受到(dao)它的生產廠(chang)家(jia)、電壓電流等(deng)參數、設計、性能(neng)等(deng)因素的影響(xiang)，市場價(jia)從一(yi)兩百元一(yi)個(ge)到(dao)兩三千元一(yi)個(ge)的都(dou)有(you)。（以上(shang)價(jia)格來源網絡，僅供參考）

二、igbt模塊怎么選型

igbt模塊(kuai)在(zai)選型時，主要(yao)考慮以下三個方面：

1、IGBT額定電壓的選擇

三相380V輸入電壓(ya)經過整(zheng)流和濾波后(hou)，直流母(mu)線電壓(ya)的最大值：在開(kai)關(guan)工作的條件下，IGBT的額定電壓(ya)一(yi)般要求高于直流母(mu)線電壓(ya)的兩倍，根據IGBT規格的電壓(ya)等級(ji)，選擇1200V電壓(ya)等級(ji)的IGBT。

2、IGBT額定電流的選擇

以30kW變頻器為例，負載(zai)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)約為79A，由(you)于(yu)負載(zai)電(dian)(dian)(dian)氣啟動(dong)或加(jia)速(su)時，電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)過載(zai)，一般要(yao)求(qiu)1分(fen)鐘的時間內，承受1.5倍的過流(liu)(liu)，擇(ze)最大負載(zai)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)約為119A，建(jian)議(yi)選擇(ze)150A電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)等(deng)級的IGBT。

3、IGBT開關參數的選擇

變頻器的開關頻率一般小于10kHZ，而在實際(ji)工作(zuo)的過(guo)程中，IGBT的通態(tai)損(sun)耗所占比(bi)重比(bi)較大，建議選擇低通態(tai)型IGBT。

三、IGBT選型四個基本要求

igbt選型時，還要考慮是否符合下面(mian)四個(ge)基本(ben)要求(qiu)：

1、安全工作區

在安全(quan)(quan)上面(mian)，主要(yao)(yao)指(zhi)的就是電(dian)的特性，除了(le)常(chang)規的變(bian)壓電(dian)流(liu)以外，還有RBSOA（反向偏(pian)置安全(quan)(quan)工作區）和(he)短路(lu)時候的保(bao)(bao)護。這(zhe)(zhe)(zhe)(zhe)個(ge)是開(kai)通和(he)關(guan)斷時候的波形(xing)，這(zhe)(zhe)(zhe)(zhe)個(ge)是相關(guan)的開(kai)通和(he)關(guan)斷時候的定義。我們做設計時結(jie)溫(wen)的要(yao)(yao)求，比如長期工作必須保(bao)(bao)證(zheng)溫(wen)度在安全(quan)(quan)結(jie)溫(wen)之內，做到(dao)這(zhe)(zhe)(zhe)(zhe)個(ge)保(bao)(bao)證(zheng)的前提是需(xu)要(yao)(yao)把(ba)這(zhe)(zhe)(zhe)(zhe)個(ge)模塊相關(guan)的應用參(can)數提供出來。這(zhe)(zhe)(zhe)(zhe)樣結(jie)合這(zhe)(zhe)(zhe)(zhe)個(ge)參(can)數以后，結(jie)合選擇(ze)的IGBT的芯片(pian)，還有封裝(zhuang)和(he)電(dian)流(liu)，來計算產品的功耗和(he)結(jie)溫(wen)，是否滿足安全(quan)(quan)結(jie)溫(wen)的需(xu)求。

2、熱限制

熱限制就是我們脈沖功，時間比較短，它可能不是一個長期的工作點，可能突然增加，這個時候就涉及到另外一個指標，動態熱阻，我們叫做熱阻抗。這個波動量會直接影響到IGBT的(de)可靠性，就(jiu)是(shi)壽命問題。你可以看到50赫茲波動(dong)量(liang)非(fei)常小，這(zhe)個壽命才長。

3、封裝要求

封裝要求主要體現(xian)在外部封裝材料上(shang)面，在結構上(shang)面，其(qi)實也會和(he)封裝相關，因(yin)為設(she)計(ji)的(de)時候(hou)會布(bu)局(ju)和(he)結構的(de)問題，不同(tong)的(de)設(she)計(ji)它的(de)差異(yi)性很(hen)大。

4、可靠性要求

可靠性問題(ti)，前面說到(dao)了結溫(wen)(wen)波(bo)動，其中最擔心就(jiu)是結溫(wen)(wen)波(bo)動以后，會(hui)影響到(dao)這(zhe)(zhe)個(ge)綁定線(xian)和(he)硅片之(zhi)間(jian)的(de)焊接，時間(jian)久了，這(zhe)(zhe)兩種材料本(ben)身之(zhi)間(jian)的(de)熱(re)抗系數(shu)都有差(cha)異，所以在結溫(wen)(wen)波(bo)動情況下(xia)，長(chang)時間(jian)下(xia)來，如(ru)果(guo)工藝不好(hao)的(de)話，就(jiu)會(hui)出現裂痕甚(shen)至斷裂，這(zhe)(zhe)樣就(jiu)會(hui)影響保護壓降，進一步導(dao)致(zhi)IGBT失效。第(di)二(er)個(ge)就(jiu)是熱(re)循環，主要體現在硅片和(he)DCB這(zhe)(zhe)個(ge)材料之(zhi)間(jian)，他們之(zhi)間(jian)的(de)差(cha)異性。