一、IGBT功率模塊多少錢一個

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構成的功(gong)率(lv)模塊(kuai)(kuai)，具有輸入阻抗大(da)、驅動功(gong)率(lv)小、控制電路簡單(dan)、開(kai)關損耗小、通斷速度快、工作頻率(lv)高等優點，那么IGBT功(gong)率(lv)模塊(kuai)(kuai)的價格是(shi)多少呢？

一(yi)(yi)般一(yi)(yi)個IGBT功(gong)率模塊，其價(jia)格主要受(shou)到(dao)它的(de)(de)生產廠家、電壓電流(liu)等參(can)數(shu)、設計、性能等因素(su)的(de)(de)影響，市(shi)場價(jia)從一(yi)(yi)兩百(bai)元一(yi)(yi)個到(dao)兩三千元一(yi)(yi)個的(de)(de)都(dou)有。（以上(shang)價(jia)格來源網絡，僅供(gong)參(can)考(kao)）

二、igbt模塊怎么選型

igbt模塊在選型時，主(zhu)要考(kao)慮以(yi)下三(san)個方面：

1、IGBT額定電壓的選擇

三相380V輸(shu)入電(dian)(dian)壓經過(guo)整流(liu)和(he)濾波(bo)后，直流(liu)母線(xian)電(dian)(dian)壓的(de)最大(da)值：在開(kai)關工作的(de)條(tiao)件下(xia)，IGBT的(de)額定電(dian)(dian)壓一(yi)般(ban)要(yao)求高于直流(liu)母線(xian)電(dian)(dian)壓的(de)兩(liang)倍，根據IGBT規格的(de)電(dian)(dian)壓等級，選(xuan)擇1200V電(dian)(dian)壓等級的(de)IGBT。

2、IGBT額定電流的選擇

以30kW變頻器為例，負(fu)載電(dian)(dian)流(liu)(liu)約(yue)為79A，由于負(fu)載電(dian)(dian)氣啟動或加速時，電(dian)(dian)流(liu)(liu)過(guo)載，一(yi)般要求1分(fen)鐘的(de)時間內，承受1.5倍的(de)過(guo)流(liu)(liu)，擇最大負(fu)載電(dian)(dian)流(liu)(liu)約(yue)為119A，建議選擇150A電(dian)(dian)流(liu)(liu)等級的(de)IGBT。

3、IGBT開關參數的選擇

變頻(pin)器的開(kai)關(guan)頻(pin)率一般小于10kHZ，而在實際工作的過程中，IGBT的通(tong)態損耗所占(zhan)比(bi)重比(bi)較(jiao)大，建議(yi)選(xuan)擇低通(tong)態型IGBT。

三、IGBT選型四個基本要求

igbt選型時，還要(yao)考慮是否符合下面四個(ge)基本(ben)要(yao)求：

1、安全工作區

在安(an)全(quan)(quan)(quan)上面，主要指的(de)(de)(de)就是(shi)電(dian)的(de)(de)(de)特性(xing)，除了(le)常(chang)規的(de)(de)(de)變壓(ya)電(dian)流以(yi)外，還(huan)(huan)有RBSOA（反向(xiang)偏(pian)置安(an)全(quan)(quan)(quan)工作(zuo)區）和短路(lu)時候的(de)(de)(de)保護。這(zhe)個(ge)是(shi)開通和關斷(duan)時候的(de)(de)(de)波形(xing)，這(zhe)個(ge)是(shi)相(xiang)關的(de)(de)(de)開通和關斷(duan)時候的(de)(de)(de)定義。我們(men)做設計(ji)時結(jie)溫(wen)的(de)(de)(de)要求，比如長期工作(zuo)必須保證溫(wen)度(du)在安(an)全(quan)(quan)(quan)結(jie)溫(wen)之內(nei)，做到這(zhe)個(ge)保證的(de)(de)(de)前(qian)提是(shi)需要把(ba)這(zhe)個(ge)模塊(kuai)相(xiang)關的(de)(de)(de)應(ying)用(yong)參數提供出(chu)來。這(zhe)樣(yang)結(jie)合這(zhe)個(ge)參數以(yi)后，結(jie)合選擇(ze)的(de)(de)(de)IGBT的(de)(de)(de)芯片，還(huan)(huan)有封裝和電(dian)流，來計(ji)算產(chan)品的(de)(de)(de)功耗和結(jie)溫(wen)，是(shi)否(fou)滿足安(an)全(quan)(quan)(quan)結(jie)溫(wen)的(de)(de)(de)需求。

2、熱限制

熱限制就是我們脈沖功，時間比較短，它可能不是一個長期的工作點，可能突然增加，這個時候就涉及到另外一個指標，動態熱阻，我們叫做熱阻抗。這個波動量會直接影響到IGBT的(de)可(ke)靠性，就是壽命問(wen)題(ti)。你(ni)可(ke)以(yi)看到50赫茲波動量(liang)非(fei)常小，這個壽命才長。

3、封裝要求

封裝要求主要體現在外(wai)部(bu)封裝材料上面，在結(jie)構上面，其實也(ye)會(hui)和封裝相(xiang)關，因(yin)為設計的(de)(de)時候會(hui)布局和結(jie)構的(de)(de)問題，不(bu)同的(de)(de)設計它的(de)(de)差異性很大。

4、可靠性要求

可靠性問題，前面說到了結(jie)溫(wen)波(bo)動(dong)(dong)，其中最擔心就是(shi)結(jie)溫(wen)波(bo)動(dong)(dong)以后，會影響到這個(ge)綁定線和(he)硅(gui)片(pian)之(zhi)間(jian)的(de)焊(han)接(jie)，時間(jian)久了，這兩種材料本身之(zhi)間(jian)的(de)熱抗系(xi)數都有差異，所以在結(jie)溫(wen)波(bo)動(dong)(dong)情況下(xia)，長時間(jian)下(xia)來，如果工藝不好的(de)話，就會出現裂痕甚至斷裂，這樣就會影響保護壓(ya)降，進一步導致IGBT失效(xiao)。第二個(ge)就是(shi)熱循(xun)環(huan)，主要體現在硅(gui)片(pian)和(he)DCB這個(ge)材料之(zhi)間(jian)，他們(men)之(zhi)間(jian)的(de)差異性。