一、IGBT功率模塊多少錢一個

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構成的(de)功(gong)率(lv)模塊，具有輸(shu)入阻抗(kang)大(da)、驅動功(gong)率(lv)小、控(kong)制(zhi)電路簡單、開關(guan)損耗(hao)小、通斷(duan)速度快、工作頻率(lv)高等優點，那么IGBT功(gong)率(lv)模塊的(de)價格是多少呢(ni)？

一(yi)(yi)般一(yi)(yi)個IGBT功率模塊，其價(jia)格主要受(shou)到(dao)它的(de)(de)生產廠家、電壓電流(liu)等參數、設計(ji)、性能等因(yin)素的(de)(de)影響，市(shi)場價(jia)從一(yi)(yi)兩(liang)(liang)百元(yuan)一(yi)(yi)個到(dao)兩(liang)(liang)三千元(yuan)一(yi)(yi)個的(de)(de)都有。（以上價(jia)格來(lai)源(yuan)網(wang)絡(luo)，僅供參考(kao)）

二、igbt模塊怎么選型

igbt模塊在選(xuan)型時，主要考慮(lv)以下三個方面：

1、IGBT額定電壓的選擇

三相380V輸(shu)入(ru)電壓(ya)經(jing)過整流(liu)和濾波(bo)后，直(zhi)流(liu)母線(xian)電壓(ya)的(de)最大(da)值(zhi)：在(zai)開關(guan)工作的(de)條件下，IGBT的(de)額定電壓(ya)一般要求(qiu)高(gao)于直(zhi)流(liu)母線(xian)電壓(ya)的(de)兩倍，根據(ju)IGBT規格的(de)電壓(ya)等(deng)(deng)級(ji)，選擇1200V電壓(ya)等(deng)(deng)級(ji)的(de)IGBT。

2、IGBT額定電流的選擇

以30kW變頻器為(wei)例，負載(zai)電(dian)(dian)流(liu)約(yue)為(wei)79A，由于負載(zai)電(dian)(dian)氣(qi)啟動或加(jia)速時(shi)，電(dian)(dian)流(liu)過載(zai)，一般要求(qiu)1分鐘的(de)時(shi)間內，承受1.5倍的(de)過流(liu)，擇最大負載(zai)電(dian)(dian)流(liu)約(yue)為(wei)119A，建(jian)議選擇150A電(dian)(dian)流(liu)等級的(de)IGBT。

3、IGBT開關參數的選擇

變頻器的(de)(de)開關頻率一般(ban)小于(yu)10kHZ，而在實際工(gong)作的(de)(de)過程中(zhong)，IGBT的(de)(de)通態損耗(hao)所占比(bi)重比(bi)較(jiao)大，建議選擇低(di)通態型(xing)IGBT。

三、IGBT選型四個基本要求

igbt選型時(shi)，還要(yao)考慮是(shi)否符合下面(mian)四個基本要(yao)求：

1、安全工作區

在(zai)安全(quan)(quan)上面，主(zhu)要指的(de)(de)(de)就(jiu)是電(dian)的(de)(de)(de)特性，除了(le)常規的(de)(de)(de)變壓電(dian)流(liu)以外，還有(you)RBSOA（反向偏置(zhi)安全(quan)(quan)工(gong)(gong)作區）和短路時(shi)候(hou)的(de)(de)(de)保(bao)(bao)(bao)護。這個(ge)(ge)是開通(tong)和關(guan)(guan)斷時(shi)候(hou)的(de)(de)(de)波形，這個(ge)(ge)是相關(guan)(guan)的(de)(de)(de)開通(tong)和關(guan)(guan)斷時(shi)候(hou)的(de)(de)(de)定(ding)義。我們做設(she)計(ji)時(shi)結溫(wen)的(de)(de)(de)要求，比如長期(qi)工(gong)(gong)作必須保(bao)(bao)(bao)證(zheng)溫(wen)度在(zai)安全(quan)(quan)結溫(wen)之內(nei)，做到這個(ge)(ge)保(bao)(bao)(bao)證(zheng)的(de)(de)(de)前(qian)提(ti)是需要把這個(ge)(ge)模塊相關(guan)(guan)的(de)(de)(de)應用參(can)數提(ti)供出(chu)來。這樣結合(he)這個(ge)(ge)參(can)數以后，結合(he)選擇(ze)的(de)(de)(de)IGBT的(de)(de)(de)芯片，還有(you)封裝(zhuang)和電(dian)流(liu)，來計(ji)算產品的(de)(de)(de)功耗和結溫(wen)，是否滿足安全(quan)(quan)結溫(wen)的(de)(de)(de)需求。

2、熱限制

熱限制就是我們脈沖功，時間比較短，它可能不是一個長期的工作點，可能突然增加，這個時候就涉及到另外一個指標，動態熱阻，我們叫做熱阻抗。這個波動量會直接影響到IGBT的可靠性，就是壽命問題。你可以看到50赫茲波動量非常小(xiao)，這(zhe)個壽命才(cai)長。

3、封裝要求

封(feng)裝要求主要體現(xian)在外(wai)部封(feng)裝材料上(shang)面(mian)，在結(jie)構(gou)上(shang)面(mian)，其實也會和封(feng)裝相關(guan)，因為設計的(de)時候會布局(ju)和結(jie)構(gou)的(de)問題，不(bu)同的(de)設計它的(de)差異性(xing)很大(da)。

4、可靠性要求

可靠性(xing)問題，前(qian)面(mian)說到(dao)了(le)結(jie)溫波(bo)動(dong)，其中最擔心就是結(jie)溫波(bo)動(dong)以(yi)后，會(hui)影響到(dao)這個綁定線(xian)和硅(gui)片(pian)之間(jian)(jian)的(de)焊接(jie)，時間(jian)(jian)久了(le)，這兩種材料(liao)本(ben)身(shen)之間(jian)(jian)的(de)熱抗系數(shu)都有(you)差異，所以(yi)在結(jie)溫波(bo)動(dong)情況下，長時間(jian)(jian)下來，如果(guo)工藝不好的(de)話，就會(hui)出現(xian)裂(lie)痕(hen)甚至(zhi)斷裂(lie)，這樣就會(hui)影響保(bao)護壓降，進一步導致IGBT失效。第(di)二個就是熱循環，主要體現(xian)在硅(gui)片(pian)和DCB這個材料(liao)之間(jian)(jian)，他們之間(jian)(jian)的(de)差異性(xing)。