一、IGBT功率模塊多少錢一個

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gou)成(cheng)的功率(lv)模塊(kuai)，具有輸入阻抗大、驅動功率(lv)小、控制電路簡單、開關損耗小、通斷速度(du)快、工作頻(pin)率(lv)高等優點，那么IGBT功率(lv)模塊(kuai)的價格(ge)是多少呢？

一般一個IGBT功率模塊，其(qi)價(jia)格主要受到它的(de)生產(chan)廠(chang)家(jia)、電壓電流等參數、設(she)計、性能等因素的(de)影(ying)響(xiang)，市場價(jia)從一兩(liang)百元一個到兩(liang)三(san)千元一個的(de)都有。（以上價(jia)格來源網絡，僅供參考(kao)）

二、igbt模塊怎么選型

igbt模塊在(zai)選型時，主要(yao)考慮以下三個(ge)方面：

1、IGBT額定電壓的選擇

三相380V輸入電壓(ya)經過整流和濾波后，直流母線(xian)電壓(ya)的最大值(zhi)：在開(kai)關工作(zuo)的條件下，IGBT的額(e)定電壓(ya)一般(ban)要求(qiu)高于直流母線(xian)電壓(ya)的兩倍，根據IGBT規格的電壓(ya)等級，選擇1200V電壓(ya)等級的IGBT。

2、IGBT額定電流的選擇

以(yi)30kW變頻器為(wei)例，負(fu)(fu)載電(dian)流約(yue)為(wei)79A，由于負(fu)(fu)載電(dian)氣(qi)啟動(dong)或加速時，電(dian)流過載，一般要(yao)求1分鐘的(de)(de)時間內，承受1.5倍(bei)的(de)(de)過流，擇(ze)最大負(fu)(fu)載電(dian)流約(yue)為(wei)119A，建議選擇(ze)150A電(dian)流等級的(de)(de)IGBT。

3、IGBT開關參數的選擇

變頻(pin)器的(de)開關頻(pin)率一般小于10kHZ，而在實際工作的(de)過程中，IGBT的(de)通(tong)態損耗(hao)所占比重(zhong)比較大，建議選擇(ze)低通(tong)態型IGBT。

三、IGBT選型四個基本要求

igbt選(xuan)型時，還(huan)要考慮是否符(fu)合(he)下面四(si)個基本要求：

1、安全工作區

在安全上面，主要指的(de)(de)(de)(de)(de)(de)就是(shi)(shi)(shi)電的(de)(de)(de)(de)(de)(de)特(te)性(xing)，除了常規的(de)(de)(de)(de)(de)(de)變壓(ya)電流以外，還有RBSOA（反向(xiang)偏(pian)置安全工作(zuo)區）和(he)短路時(shi)候的(de)(de)(de)(de)(de)(de)保護。這(zhe)個(ge)是(shi)(shi)(shi)開通和(he)關(guan)斷時(shi)候的(de)(de)(de)(de)(de)(de)波(bo)形，這(zhe)個(ge)是(shi)(shi)(shi)相關(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)開通和(he)關(guan)斷時(shi)候的(de)(de)(de)(de)(de)(de)定義(yi)。我們(men)做設計(ji)(ji)時(shi)結(jie)(jie)溫(wen)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)要求(qiu)，比如長期工作(zuo)必須保證溫(wen)度在安全結(jie)(jie)溫(wen)之內，做到這(zhe)個(ge)保證的(de)(de)(de)(de)(de)(de)前(qian)提是(shi)(shi)(shi)需(xu)要把(ba)這(zhe)個(ge)模塊(kuai)相關(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)應用參數提供出來(lai)。這(zhe)樣結(jie)(jie)合這(zhe)個(ge)參數以后(hou)，結(jie)(jie)合選擇(ze)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)IGBT的(de)(de)(de)(de)(de)(de)芯片，還有封(feng)裝(zhuang)和(he)電流，來(lai)計(ji)(ji)算產品(pin)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)功耗和(he)結(jie)(jie)溫(wen)，是(shi)(shi)(shi)否滿(man)足(zu)安全結(jie)(jie)溫(wen)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)需(xu)求(qiu)。

2、熱限制

熱限制就是我們脈沖功，時間比較短，它可能不是一個長期的工作點，可能突然增加，這個時候就涉及到另外一個指標，動態熱阻，我們叫做熱阻抗。這個波動量會直接影響到IGBT的可靠性，就是壽命問題。你可以看到50赫茲波(bo)動量非常小(xiao)，這個壽命才(cai)長。

3、封裝要求

封裝(zhuang)要求主要體現在外部封裝(zhuang)材(cai)料(liao)上面，在結(jie)構上面，其實也會(hui)和封裝(zhuang)相關，因為設(she)計(ji)的(de)時候會(hui)布局(ju)和結(jie)構的(de)問(wen)題，不同(tong)的(de)設(she)計(ji)它的(de)差異性很(hen)大。

4、可靠性要求

可靠性問題，前面說到了結溫波動，其中最擔心就(jiu)是(shi)結溫波動以后，會(hui)影(ying)響到這(zhe)個綁定線和硅(gui)片(pian)(pian)之(zhi)(zhi)間的(de)焊接，時間久了，這(zhe)兩種材料本(ben)身(shen)之(zhi)(zhi)間的(de)熱抗系數都(dou)有差異，所(suo)以在結溫波動情況下，長(chang)時間下來，如(ru)果工藝不好的(de)話，就(jiu)會(hui)出現(xian)(xian)裂痕(hen)甚至斷裂，這(zhe)樣就(jiu)會(hui)影(ying)響保護(hu)壓降，進一步導致(zhi)IGBT失效。第二個就(jiu)是(shi)熱循(xun)環，主要體現(xian)(xian)在硅(gui)片(pian)(pian)和DCB這(zhe)個材料之(zhi)(zhi)間，他(ta)們(men)之(zhi)(zhi)間的(de)差異性。