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IGBT行業的發展前景怎么樣 IGBT未來發展趨勢及發展方向分析

本文章由注冊用戶 荊湖酒徒 上傳提供 2024-05-16 評論 0
摘要:igbt在新能源汽車等新興行業領域應用廣泛,隨著這些產業的發展,IGBT的需求量和需求空間也不斷擴大,未來IGBT行業的發展前景還是比較廣闊的。IGBT的發展趨勢主要是降低損耗和降低成本,從結構上來說,有IGBT縱向結構、IGBT縱向結構和硅片加工工藝三個發展方向。下面一起來看看IGBT行業的發展前景怎么樣以及IGBT未來發展趨勢及發展方向分析吧。

一、IGBT行業的發展前景怎么樣

IGBT指由晶體管和發(fa)射極(ji)構成的(de)半(ban)導體元件,用于控制電子電路中的(de)電流(liu)和電壓(ya),作(zuo)為(wei)新興(xing)的(de)高(gao)科技(ji)產業,現已發(fa)展(zhan)成為(wei)一(yi)個(ge)具有(you)重要經濟意義(yi)的(de)產業,擁(yong)有(you)廣闊的(de)發(fa)展(zhan)前(qian)景。

IGBT被譽為(wei)“電力電子(zi)裝置的(de)(de)CPU”,應用廣泛,隨著智能(neng)(neng)家居、智能(neng)(neng)照明、新能(neng)(neng)源汽車等新興行業的(de)(de)興起,IGBT的(de)(de)應用需(xu)求越(yue)來越(yue)大;同時,國家對IGBT功率(lv)器件(jian)行業也提(ti)供了(le)(le)大力支持(chi),在IGBT功率(lv)器件(jian)行業的(de)(de)發展(zhan)中,國產企業的(de)(de)發展(zhan)受到了(le)(le)政(zheng)(zheng)府新政(zheng)(zheng)策、資金(jin)支持(chi)和技術支持(chi)的(de)(de)推動。

預計未來幾(ji)年,我國的(de)IGBT行業將取得較快的(de)發展(zhan),行業市(shi)(shi)場規模將繼續擴大,市(shi)(shi)場競爭也將更加激(ji)烈,未來發展(zhan)前景非常樂觀(guan)。

二、我國IGBT產業的兩大特點

1、IGBT的需求空間大

隨著(zhu)新技術(shu)、新材料及(ji)新工藝的(de)出現,CAD設(she)計、離子注入、多層金屬化(hua)、納米級光刻等先(xian)進工藝技術(shu)應用到(dao)功IGBT器(qi)件中,IGBT設(she)計技術(shu)將不斷(duan)得(de)到(dao)推動(dong)和提升。未來(lai),IGBT器(qi)件的(de)應用將非(fei)常(chang)廣泛(fan),涉及(ji)生活的(de)方(fang)方(fang)面面,這也是中國看(kan)好的(de)原因(yin)。

2、IGBT應用支撐了工控、新能源等核心領域

IGBT能(neng)得到國家的(de)重視,這(zhe)得益(yi)于(yu)它在(zai)工控和新(xin)能(neng)源等領域的(de)作(zuo)用(yong)。IGBT在(zai)國內的(de)主要應用(yong)領域是在(zai)工業(ye)、電(dian)(dian)器(qi)和新(xin)能(neng)源等。工業(ye)方(fang)面有(you)用(yong)于(yu)電(dian)(dian)焊機、工業(ye)加熱和電(dian)(dian)鍍電(dian)(dian)源;電(dian)(dian)器(qi)方(fang)面包括電(dian)(dian)磁爐(lu)、商用(yong)電(dian)(dian)磁爐(lu)、變頻(pin)空調和變頻(pin)冰箱;新(xin)能(neng)源方(fang)面主要是風(feng)力發電(dian)(dian)和電(dian)(dian)動汽(qi)車。

三、IGBT未來發展趨勢及發展方向分析

IGBT行業的發展前景比較廣闊,在發展趨勢和發展方向上,從行業整體發展規律而言,IGBT發(fa)展趨勢主要是降(jiang)低(di)損耗和降(jiang)低(di)成本;從結構(gou)上講,IGBT主要有三個發(fa)展方向(xiang):

1、IGBT縱向結構:非透明集電(dian)區NPT型(xing)(xing)、帶(dai)緩(huan)沖層(ceng)的PT型(xing)(xing)、透明集電(dian)區NPT型(xing)(xing)和FS電(dian)場截止型(xing)(xing)。

2、IGBT棚(peng)(peng)極結構(gou):平面棚(peng)(peng)機(ji)構(gou)、Trench溝槽型結構(gou)。

3、硅(gui)片(pian)加工(gong)工(gong)藝:外延生(sheng)長技術(shu)、區熔硅(gui)單晶。

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