一、IGBT行業的發展前景怎么樣

IGBT指由(you)晶體(ti)管和發(fa)(fa)射極構成(cheng)的(de)半導體(ti)元件，用于控(kong)制電(dian)子(zi)電(dian)路中的(de)電(dian)流(liu)和電(dian)壓，作為(wei)新興的(de)高科技產業，現(xian)已發(fa)(fa)展(zhan)成(cheng)為(wei)一個具(ju)有(you)重要經(jing)濟意義的(de)產業，擁有(you)廣闊的(de)發(fa)(fa)展(zhan)前景。

IGBT被譽為“電(dian)力(li)電(dian)子裝置(zhi)的(de)CPU”，應用廣泛，隨著智能家(jia)居、智能照明(ming)、新能源汽車(che)等新興行(xing)(xing)業的(de)興起，IGBT的(de)應用需求(qiu)越(yue)來越(yue)大(da)；同時，國家(jia)對IGBT功(gong)率器(qi)件(jian)行(xing)(xing)業也提供了大(da)力(li)支持，在IGBT功(gong)率器(qi)件(jian)行(xing)(xing)業的(de)發展中，國產企業的(de)發展受(shou)到(dao)了政府新政策、資金(jin)支持和技術(shu)支持的(de)推動(dong)。

預計未(wei)(wei)來(lai)幾年，我國的(de)(de)IGBT行業將(jiang)(jiang)取得較快的(de)(de)發展，行業市場規(gui)模將(jiang)(jiang)繼續(xu)擴大(da)，市場競爭也將(jiang)(jiang)更(geng)加激烈，未(wei)(wei)來(lai)發展前景非常(chang)樂觀。

二、我國IGBT產業的兩大特點

1、IGBT的需求空間大

隨(sui)著新技(ji)術、新材(cai)料及新工(gong)藝(yi)的(de)(de)出(chu)現(xian)，CAD設(she)計(ji)、離(li)子(zi)注入、多層金屬化、納(na)米級光刻等先進(jin)工(gong)藝(yi)技(ji)術應(ying)用到(dao)(dao)功(gong)IGBT器件中，IGBT設(she)計(ji)技(ji)術將(jiang)不斷得到(dao)(dao)推(tui)動和提(ti)升。未來，IGBT器件的(de)(de)應(ying)用將(jiang)非常廣(guang)泛，涉及生活的(de)(de)方(fang)方(fang)面面，這也(ye)是(shi)中國看好的(de)(de)原(yuan)因。

2、IGBT應用支撐了工控、新能源等核心領域

IGBT能(neng)(neng)得(de)到國家的(de)重視，這得(de)益于它在(zai)工(gong)控和(he)新能(neng)(neng)源(yuan)等(deng)領域(yu)的(de)作用(yong)。IGBT在(zai)國內的(de)主要應用(yong)領域(yu)是在(zai)工(gong)業(ye)、電(dian)器和(he)新能(neng)(neng)源(yuan)等(deng)。工(gong)業(ye)方(fang)面有用(yong)于電(dian)焊機、工(gong)業(ye)加(jia)熱和(he)電(dian)鍍電(dian)源(yuan)；電(dian)器方(fang)面包括(kuo)電(dian)磁爐、商用(yong)電(dian)磁爐、變頻空調和(he)變頻冰箱；新能(neng)(neng)源(yuan)方(fang)面主要是風力發電(dian)和(he)電(dian)動(dong)汽(qi)車(che)。

三、IGBT未來發展趨勢及發展方向分析

IGBT行業的發展前景比較廣闊，在發展趨勢和發展方向上，從行業整體發展規律而言，IGBT發展(zhan)趨勢(shi)主(zhu)要(yao)(yao)是降低(di)損耗和(he)降低(di)成本(ben)；從結構上講，IGBT主(zhu)要(yao)(yao)有三(san)個發展(zhan)方向：

1、IGBT縱向結構：非透明集電區(qu)NPT型(xing)、帶緩沖(chong)層的(de)PT型(xing)、透明集電區(qu)NPT型(xing)和FS電場截(jie)止型(xing)。

2、IGBT棚(peng)極結構(gou)(gou)：平面棚(peng)機構(gou)(gou)、Trench溝(gou)槽(cao)型結構(gou)(gou)。

3、硅(gui)片加工工藝：外(wai)延生長技術、區熔硅(gui)單(dan)晶。