一、IGBT行業的發展前景怎么樣

IGBT指由晶體(ti)(ti)管和(he)發射極構成的(de)半導體(ti)(ti)元件(jian)，用(yong)于控制(zhi)電子電路中的(de)電流和(he)電壓，作為(wei)新興的(de)高科(ke)技(ji)產(chan)業，現(xian)已發展(zhan)成為(wei)一個具有重要經(jing)濟(ji)意義的(de)產(chan)業，擁有廣(guang)闊的(de)發展(zhan)前景。

IGBT被譽為“電力(li)電子裝置(zhi)的(de)CPU”，應用(yong)廣(guang)泛，隨著智(zhi)能家(jia)居、智(zhi)能照明、新能源汽車等(deng)新興行業的(de)興起，IGBT的(de)應用(yong)需求越來越大；同時，國家(jia)對IGBT功(gong)率器(qi)件行業也提供了大力(li)支(zhi)持，在IGBT功(gong)率器(qi)件行業的(de)發展中，國產(chan)企業的(de)發展受到了政府新政策、資金(jin)支(zhi)持和(he)技術支(zhi)持的(de)推動。

預計未來(lai)幾年，我(wo)國的IGBT行業將取得較快的發(fa)展(zhan)(zhan)，行業市場(chang)規模將繼(ji)續擴大，市場(chang)競爭也將更加激烈，未來(lai)發(fa)展(zhan)(zhan)前景(jing)非常樂觀(guan)。

二、我國IGBT產業的兩大特點

1、IGBT的需求空間大

隨(sui)著新技術(shu)、新材料及(ji)新工(gong)藝的出現，CAD設(she)計、離子(zi)注入、多層金(jin)屬化、納米級光刻等先進(jin)工(gong)藝技術(shu)應用到(dao)功IGBT器件中，IGBT設(she)計技術(shu)將不(bu)斷得到(dao)推動和提升。未來(lai)，IGBT器件的應用將非(fei)常廣泛，涉及(ji)生(sheng)活的方方面(mian)面(mian)，這也(ye)是(shi)中國(guo)看好(hao)的原因。

2、IGBT應用支撐了工控、新能源等核心領域

IGBT能(neng)得(de)到(dao)國(guo)家的(de)重視，這(zhe)得(de)益于它在工控和(he)新能(neng)源(yuan)等領域的(de)作用。IGBT在國(guo)內的(de)主(zhu)要應用領域是在工業、電(dian)(dian)器和(he)新能(neng)源(yuan)等。工業方面(mian)有用于電(dian)(dian)焊機、工業加熱(re)和(he)電(dian)(dian)鍍(du)電(dian)(dian)源(yuan)；電(dian)(dian)器方面(mian)包括(kuo)電(dian)(dian)磁爐(lu)、商用電(dian)(dian)磁爐(lu)、變(bian)頻空調和(he)變(bian)頻冰箱；新能(neng)源(yuan)方面(mian)主(zhu)要是風力發電(dian)(dian)和(he)電(dian)(dian)動汽車。

三、IGBT未來發展趨勢及發展方向分析

IGBT行業的發展前景比較廣闊，在發展趨勢和發展方向上，從行業整體發展規律而言，IGBT發展趨勢(shi)主(zhu)要是降低損耗和降低成本(ben)；從結構上講，IGBT主(zhu)要有(you)三(san)個發展方向：

1、IGBT縱向(xiang)結構：非透明集電區NPT型、帶緩沖層的(de)PT型、透明集電區NPT型和FS電場截止型。

2、IGBT棚極結構：平面棚機構、Trench溝(gou)槽型結構。

3、硅(gui)片加(jia)工工藝：外延生長技術、區熔硅(gui)單(dan)晶(jing)。