芒果视频下载

網站分類
登錄 |    

IGBT行業的發展前景怎么樣 IGBT未來發展趨勢及發展方向分析

本文章由注冊用戶 荊湖酒徒 上傳提供 2024-05-16 評論 0
摘要:igbt在新能源汽車等新興行業領域應用廣泛,隨著這些產業的發展,IGBT的需求量和需求空間也不斷擴大,未來IGBT行業的發展前景還是比較廣闊的。IGBT的發展趨勢主要是降低損耗和降低成本,從結構上來說,有IGBT縱向結構、IGBT縱向結構和硅片加工工藝三個發展方向。下面一起來看看IGBT行業的發展前景怎么樣以及IGBT未來發展趨勢及發展方向分析吧。

一、IGBT行業的發展前景怎么樣

IGBT指(zhi)由晶體管和發(fa)射極構成(cheng)(cheng)的半(ban)導體元件,用于控制電子電路(lu)中的電流和電壓,作為(wei)(wei)新興的高科(ke)技(ji)產業,現已發(fa)展(zhan)成(cheng)(cheng)為(wei)(wei)一個具有(you)重要(yao)經濟意(yi)義(yi)的產業,擁有(you)廣闊的發(fa)展(zhan)前景。

IGBT被(bei)譽為“電力電子裝置的(de)CPU”,應用廣(guang)泛,隨著智能家(jia)居、智能照(zhao)明、新能源汽車等新興(xing)行(xing)業(ye)(ye)的(de)興(xing)起,IGBT的(de)應用需求越(yue)(yue)來越(yue)(yue)大(da);同時,國家(jia)對(dui)IGBT功率器(qi)件(jian)行(xing)業(ye)(ye)也(ye)提(ti)供了大(da)力支(zhi)持,在(zai)IGBT功率器(qi)件(jian)行(xing)業(ye)(ye)的(de)發展中,國產企業(ye)(ye)的(de)發展受到了政(zheng)(zheng)府新政(zheng)(zheng)策(ce)、資金(jin)支(zhi)持和技術支(zhi)持的(de)推(tui)動(dong)。

預計(ji)未(wei)來幾年(nian),我國(guo)的IGBT行業(ye)將(jiang)取得較(jiao)快的發(fa)展(zhan),行業(ye)市場規模將(jiang)繼續擴大(da),市場競(jing)爭也(ye)將(jiang)更加(jia)激烈,未(wei)來發(fa)展(zhan)前(qian)景非常(chang)樂觀。

二、我國IGBT產業的兩大特點

1、IGBT的需求空間大

隨著新(xin)技術(shu)、新(xin)材料(liao)及(ji)新(xin)工藝的(de)出現,CAD設計、離子注(zhu)入、多層(ceng)金屬化(hua)、納(na)米級光刻等先進工藝技術(shu)應用(yong)到功IGBT器件中,IGBT設計技術(shu)將不斷得到推動和提(ti)升。未(wei)來(lai),IGBT器件的(de)應用(yong)將非常廣泛,涉及(ji)生活的(de)方方面(mian)面(mian),這也是中國(guo)看好的(de)原因。

2、IGBT應用支撐了工控、新能源等核心領域

IGBT能得到國家的(de)重(zhong)視,這得益于(yu)它(ta)在工(gong)控和新(xin)能源(yuan)(yuan)等(deng)(deng)領(ling)域的(de)作用。IGBT在國內的(de)主要應用領(ling)域是在工(gong)業、電(dian)(dian)(dian)器和新(xin)能源(yuan)(yuan)等(deng)(deng)。工(gong)業方面(mian)(mian)有(you)用于(yu)電(dian)(dian)(dian)焊機、工(gong)業加熱和電(dian)(dian)(dian)鍍電(dian)(dian)(dian)源(yuan)(yuan);電(dian)(dian)(dian)器方面(mian)(mian)包括電(dian)(dian)(dian)磁爐、商用電(dian)(dian)(dian)磁爐、變頻(pin)空調和變頻(pin)冰箱;新(xin)能源(yuan)(yuan)方面(mian)(mian)主要是風力發電(dian)(dian)(dian)和電(dian)(dian)(dian)動汽車。

三、IGBT未來發展趨勢及發展方向分析

IGBT行業的發展前景比較廣闊,在發展趨勢和發展方向上,從行業整體發展規律而言,IGBT發(fa)展(zhan)趨(qu)勢主要是(shi)降低損(sun)耗和(he)降低成本;從結構上講(jiang),IGBT主要有三個發(fa)展(zhan)方向:

1、IGBT縱向結(jie)構(gou):非透(tou)明集電區(qu)NPT型(xing)、帶緩沖層的PT型(xing)、透(tou)明集電區(qu)NPT型(xing)和(he)FS電場截止型(xing)。

2、IGBT棚(peng)極結構(gou):平面棚(peng)機(ji)構(gou)、Trench溝槽型結構(gou)。

3、硅片加工工藝:外延生(sheng)長技(ji)術、區熔硅單晶(jing)。

網站提醒和聲明
本站(zhan)為注冊(ce)用(yong)戶提供信(xin)(xin)息(xi)存儲空間(jian)服(fu)務,非“MAIGOO編輯上傳提供”的文章(zhang)/文字均是注冊(ce)用(yong)戶自主發布上傳,不代(dai)表本站(zhan)觀點,版(ban)權(quan)歸(gui)原作者所有,如有侵權(quan)、虛(xu)假(jia)信(xin)(xin)息(xi)、錯(cuo)誤信(xin)(xin)息(xi)或任何問題,請及時聯系我們,我們將在第一時間(jian)刪除或更正。 申請刪除>> 糾錯>> 投訴侵權>> 網(wang)頁上相關(guan)信息的知(zhi)識產權歸網(wang)站(zhan)方所有(包括但不(bu)限于文字(zi)、圖片(pian)、圖表、著作(zuo)權、商(shang)標權、為(wei)用(yong)戶提供的商(shang)業信息等(deng)),非經許(xu)可不(bu)得抄(chao)襲(xi)或(huo)使用(yong)。
提交說明: 快速提交發布>> 查看提交幫助>> 注冊登錄>>
發表評論
您還未登錄,依《網絡安全法》相關要求,請您登錄賬戶后再提交發布信息。點擊登錄>>如您還未注冊,可,感謝您的理解及支持!
最新評(ping)論
暫無評論