一、IGBT行業的發展前景怎么樣

IGBT指(zhi)由晶體(ti)(ti)管和(he)發射極(ji)構(gou)成的(de)半導體(ti)(ti)元件，用于控制電(dian)子電(dian)路中的(de)電(dian)流和(he)電(dian)壓，作為新興的(de)高科技產業(ye)，現已發展成為一(yi)個具有(you)重要(yao)經(jing)濟意義(yi)的(de)產業(ye)，擁有(you)廣闊(kuo)的(de)發展前景。

IGBT被譽為(wei)“電(dian)力電(dian)子裝置的CPU”，應用(yong)廣(guang)泛，隨著智(zhi)能家居、智(zhi)能照明、新能源(yuan)汽(qi)車等新興行業的興起(qi)，IGBT的應用(yong)需(xu)求越(yue)(yue)來越(yue)(yue)大(da)；同時，國家對(dui)IGBT功率器件行業也提供了(le)大(da)力支持(chi)，在(zai)IGBT功率器件行業的發展(zhan)中，國產(chan)企業的發展(zhan)受到了(le)政府新政策、資金支持(chi)和技術支持(chi)的推(tui)動(dong)。

預(yu)計未(wei)來(lai)幾年，我(wo)國的(de)IGBT行業(ye)將(jiang)(jiang)取得較快的(de)發展，行業(ye)市場規模將(jiang)(jiang)繼(ji)續(xu)擴(kuo)大，市場競(jing)爭也(ye)將(jiang)(jiang)更加激烈，未(wei)來(lai)發展前景非(fei)常樂(le)觀。

二、我國IGBT產業的兩大特點

1、IGBT的需求空間大

隨(sui)著新技術、新材料及新工藝(yi)(yi)的出現，CAD設計、離子(zi)注(zhu)入、多(duo)層金屬化、納米級光刻(ke)等先進(jin)工藝(yi)(yi)技術應用到(dao)功IGBT器(qi)件中，IGBT設計技術將(jiang)(jiang)不斷得(de)到(dao)推(tui)動和提(ti)升。未來，IGBT器(qi)件的應用將(jiang)(jiang)非常廣泛，涉及生活的方(fang)方(fang)面(mian)面(mian)，這也(ye)是中國(guo)看好的原因。

2、IGBT應用支撐了工控、新能源等核心領域

IGBT能(neng)得到國(guo)家的重視，這得益于(yu)它在(zai)工(gong)控(kong)和(he)(he)新能(neng)源等領(ling)域的作(zuo)用(yong)。IGBT在(zai)國(guo)內的主(zhu)要應用(yong)領(ling)域是在(zai)工(gong)業(ye)、電(dian)器和(he)(he)新能(neng)源等。工(gong)業(ye)方(fang)面有(you)用(yong)于(yu)電(dian)焊機(ji)、工(gong)業(ye)加熱和(he)(he)電(dian)鍍電(dian)源；電(dian)器方(fang)面包括(kuo)電(dian)磁爐(lu)、商用(yong)電(dian)磁爐(lu)、變頻空調和(he)(he)變頻冰箱(xiang)；新能(neng)源方(fang)面主(zhu)要是風力發電(dian)和(he)(he)電(dian)動汽車。

三、IGBT未來發展趨勢及發展方向分析

IGBT行業的發展前景比較廣闊，在發展趨勢和發展方向上，從行業整體發展規律而言，IGBT發展(zhan)趨勢主要是降(jiang)低損耗和降(jiang)低成本；從結構(gou)上講，IGBT主要有三個(ge)發展(zhan)方向：

1、IGBT縱向(xiang)結構：非透明集(ji)電區(qu)NPT型(xing)、帶緩沖層(ceng)的PT型(xing)、透明集(ji)電區(qu)NPT型(xing)和FS電場截止(zhi)型(xing)。

2、IGBT棚(peng)極(ji)結構(gou)：平面棚(peng)機(ji)構(gou)、Trench溝(gou)槽型結構(gou)。

3、硅片加工工藝：外(wai)延生長技術(shu)、區(qu)熔硅單晶。