一、igbt和mos管的區別有哪些

1、什么是igbt

IGBT，絕緣柵雙極型晶(jing)體(ti)管(guan)，是由晶(jing)體(ti)三極管(guan)和MOS管(guan)組(zu)成(cheng)的(de)復合型半(ban)導體(ti)器件。

2、mos管是什么

MOS管(guan)即(ji)MOSFET，又叫絕緣(yuan)柵(zha)場效應管(guan)，是(shi)場效應管(guan)的(de)一種類型(xing)。MOSFET又可分為(wei)N溝(gou)耗(hao)(hao)盡(jin)型(xing)、增強型(xing)、P溝(gou)耗(hao)(hao)盡(jin)型(xing)和增強型(xing)四大類。

3、igbt和mos管的區別

（1）在(zai)結構(gou)上，MOSFET和(he)IGBT看起來(lai)非常相似，實(shi)則不同。IGBT由(you)(you)發(fa)射(she)極(ji)(ji)(ji)、集電(dian)極(ji)(ji)(ji)和(he)柵極(ji)(ji)(ji)端子組成(cheng)，而MOSFET由(you)(you)源極(ji)(ji)(ji)、漏極(ji)(ji)(ji)和(he)柵極(ji)(ji)(ji)端子組成(cheng)。IGBT的結構(gou)中有(you)PN結，MOSFET沒有(you)任何PN結。

（2）在低電(dian)(dian)流(liu)區，MOSFET的導通(tong)電(dian)(dian)壓低于IGBT；在大(da)電(dian)(dian)流(liu)區IGBT的正向電(dian)(dian)壓特(te)性優于MOSFET。

（3）IGBT的高溫特性更好，導通電壓比MOSFET低(di)。

（4）IGBT適(shi)用于中(zhong)(zhong)到極高電(dian)流(liu)的傳導和控制，而MOSFET適(shi)用于低到中(zhong)(zhong)等電(dian)流(liu)的傳導和控制。

（5）IGBT不(bu)適(shi)合高(gao)頻(pin)應用，它能(neng)在千Hz頻(pin)率下運行(xing)良(liang)好(hao)。MOSFET特別適(shi)合非常高(gao)頻(pin)的(de)應用，它可以在兆(zhao)Hz頻(pin)率下運行(xing)良(liang)好(hao)。

（6）IGBT的開(kai)關(guan)速度(du)比較低，MOSFET開(kai)關(guan)速度(du)非常高。

（7）IGBT可(ke)以(yi)承受非常高的電(dian)壓(ya)以(yi)及大(da)功率，MOSFET僅適用于低至中壓(ya)應用。

（8）IGBT具有較大(da)的關斷時(shi)間(jian)，MOSFET的關斷時(shi)間(jian)較小。

（9）IGBT可以(yi)處理任何瞬態電壓(ya)和電流(liu)，但(dan)當發生(sheng)瞬態電壓(ya)時，MOSFET的運行會受到干(gan)擾。

（10）MOSFET器件成本低(di)(di)，價格便(bian)宜，而IGBT至今仍屬于較高(gao)成本器件。IGBT適合高(gao)功率(lv)交流應(ying)用(yong)，MOSFET適合低(di)(di)功率(lv)直(zhi)流應(ying)用(yong)。?

二、igbt和mos管哪個好

igbt和mos管(guan)相比，各(ge)有各(ge)的(de)優勢和缺點，并不(bu)好說(shuo)哪種更(geng)好，主(zhu)要是根(gen)據(ju)實(shi)際(ji)應用場合(he)來(lai)選擇：

1、IGBT的(de)主要優勢是能(neng)夠(gou)處理(li)和(he)傳(chuan)導中(zhong)至(zhi)超高(gao)電壓(ya)和(he)大(da)電流，擁有非常(chang)高(gao)的(de)柵(zha)極絕緣特性，且(qie)在(zai)電流傳(chuan)導過程(cheng)中(zhong)產生(sheng)非常(chang)低的(de)正向壓(ya)降，哪怕浪(lang)涌電壓(ya)出現時，IGBT的(de)運行也不會受到干擾(rao)。與MOSFET相(xiang)比，IGBT開關(guan)速度較(jiao)慢，關(guan)斷時間(jian)較(jiao)長，不適合(he)(he)高(gao)頻應用(yong)，比較(jiao)適合(he)(he)高(gao)壓(ya)大(da)電流應用(yong)。

2、MOSFET的優點(dian)決定了它(ta)(ta)非常適合高頻(pin)且(qie)開關(guan)速(su)度要求高的應用。在開關(guan)電(dian)源(yuan)（SMPS）中，MOSFET的寄生參數至關(guan)重要，它(ta)(ta)決定了轉換(huan)時間、導通電(dian)阻、振鈴（開關(guan)時超調）和背柵擊穿等性能，這些(xie)都與SMPS的效率密切相關(guan)。對于門驅(qu)動器或者逆(ni)變器應用，通常需要選擇低輸入電(dian)容（利于快速(su)切換(huan)）以(yi)及較高驅(qu)動能力的MOSFET。?

三、igbt和mos管能互換嗎

不能。

IGBT和MOSFET工作特性(xing)不一(yi)(yi)樣，一(yi)(yi)般不能互換，在考慮具體技術細節(jie)的情(qing)況下，可以(yi)用IGBT替代MOSFET，需要考慮的問題(ti)點(dian)有：

1、電路的工作頻率

IGBT工(gong)作頻(pin)(pin)率低，一般25Khz是(shi)上(shang)限。如果電路工(gong)作頻(pin)(pin)率超過IGBT頻(pin)(pin)率上(shang)限（以具(ju)體管子數據手(shou)冊(ce)為(wei)準），不能(neng)替換。

2、驅動電路的關斷方式

MOSFET可(ke)(ke)以(yi)用(yong)零(ling)(ling)壓(ya)關(guan)(guan)斷(duan)(duan)，也可(ke)(ke)以(yi)用(yong)負(fu)壓(ya)關(guan)(guan)斷(duan)(duan)。IGBT只能用(yong)負(fu)壓(ya)關(guan)(guan)斷(duan)(duan)。如果電(dian)路(lu)驅動電(dian)路(lu)，只是零(ling)(ling)壓(ya)關(guan)(guan)斷(duan)(duan)，一般不能替代。

3、功率管并聯

MOSFET是正溫(wen)度(du)特(te)性(xing)，可(ke)以直接并聯(lian)擴流，而IGBT是負(fu)溫(wen)度(du)特(te)性(xing)，不(bu)能直接并聯(lian)。如果電路是多個MOSFET并聯(lian)使用(yong)(yong)，不(bu)能用(yong)(yong)IGBT簡單替(ti)換。

4、電路是否需要開關器件續流二極管

MOSFET自(zi)帶寄生二(er)極(ji)管(guan)，IGBT則是另外(wai)加(jia)進去的(de)。保險起見，只選擇帶續流(liu)二(er)極(ji)管(guan)的(de)IGBT。

5、IGBT輸入電容

IGBT輸入電(dian)(dian)容要和原電(dian)(dian)路(lu)MOSFET的(de)輸入電(dian)(dian)容接近。這只是考慮驅動(dong)電(dian)(dian)路(lu)的(de)驅動(dong)能(neng)力，與MOSFET和IGBT特性無關。

6、過流保護電路

對過(guo)流保(bao)護電(dian)路，IGBT要求更高。如果沒有電(dian)路圖(tu)的話，可(ke)以通(tong)過(guo)短路試驗來(lai)確定(ding)能否(fou)替(ti)換(huan)。

對于常見的簡單(dan)電路(lu)，考慮上述(shu)幾(ji)個因(yin)素，就可以用(yong)符(fu)合(he)功率耐(nai)壓要求IGBT替代(dai)MOSFET。