一、igbt和mos管的區別有哪些

1、什么是igbt

IGBT，絕緣柵(zha)雙極(ji)型晶(jing)體(ti)管，是由晶(jing)體(ti)三極(ji)管和MOS管組成的復合型半(ban)導體(ti)器件。

2、mos管是什么

MOS管即MOSFET，又(you)叫絕緣(yuan)柵場效應管，是(shi)場效應管的一種類型(xing)(xing)(xing)(xing)。MOSFET又(you)可分(fen)為(wei)N溝耗盡型(xing)(xing)(xing)(xing)、增強型(xing)(xing)(xing)(xing)、P溝耗盡型(xing)(xing)(xing)(xing)和增強型(xing)(xing)(xing)(xing)四(si)大類。

3、igbt和mos管的區別

（1）在(zai)結構上，MOSFET和IGBT看(kan)起來非常相似，實則不同。IGBT由發射極(ji)、集電極(ji)和柵極(ji)端子組(zu)成(cheng)，而MOSFET由源極(ji)、漏極(ji)和柵極(ji)端子組(zu)成(cheng)。IGBT的結構中有PN結，MOSFET沒(mei)有任何PN結。

（2）在(zai)低電流區(qu)，MOSFET的(de)導通(tong)電壓低于(yu)IGBT；在(zai)大電流區(qu)IGBT的(de)正向(xiang)電壓特性優于(yu)MOSFET。

（3）IGBT的(de)高溫(wen)特性更好，導(dao)通電壓比(bi)MOSFET低(di)。

（4）IGBT適用(yong)于(yu)中(zhong)到極高電流的(de)傳(chuan)導和控(kong)制，而MOSFET適用(yong)于(yu)低到中(zhong)等(deng)電流的(de)傳(chuan)導和控(kong)制。

（5）IGBT不適合高頻(pin)應用，它能在千Hz頻(pin)率下運行良好(hao)。MOSFET特別適合非常高頻(pin)的應用，它可(ke)以(yi)在兆(zhao)Hz頻(pin)率下運行良好(hao)。

（6）IGBT的開(kai)關速(su)度(du)比(bi)較低，MOSFET開(kai)關速(su)度(du)非常(chang)高。

（7）IGBT可以(yi)承受非常高的(de)電壓以(yi)及大(da)功率，MOSFET僅適用于低至中壓應(ying)用。

（8）IGBT具有較大的關(guan)斷時間(jian)，MOSFET的關(guan)斷時間(jian)較小。

（9）IGBT可以處理(li)任何瞬態(tai)電(dian)壓和電(dian)流，但當發(fa)生瞬態(tai)電(dian)壓時(shi)，MOSFET的運行會受到(dao)干擾。

（10）MOSFET器件(jian)成本低，價(jia)格便宜，而(er)IGBT至今仍屬(shu)于較高(gao)成本器件(jian)。IGBT適合高(gao)功率交(jiao)流(liu)應用，MOSFET適合低功率直流(liu)應用。?

二、igbt和mos管哪個好

igbt和mos管相比，各有各的優勢和缺點，并不好(hao)說哪種更(geng)好(hao)，主要是根據實際應用(yong)場合來選擇：

1、IGBT的(de)主要(yao)優勢是能夠處理和傳導(dao)中至(zhi)超高電壓(ya)和大電流(liu)，擁(yong)有(you)非(fei)(fei)常高的(de)柵(zha)極絕緣特性(xing)，且在電流(liu)傳導(dao)過程(cheng)中產生非(fei)(fei)常低的(de)正向(xiang)壓(ya)降，哪怕浪涌電壓(ya)出現時，IGBT的(de)運行也(ye)不會(hui)受到干擾。與MOSFET相比(bi)，IGBT開(kai)關(guan)速度較慢，關(guan)斷(duan)時間較長(chang)，不適合(he)高頻(pin)應(ying)用，比(bi)較適合(he)高壓(ya)大電流(liu)應(ying)用。

2、MOSFET的(de)(de)優(you)點(dian)決定了它非常(chang)適(shi)合高頻且開關(guan)(guan)速(su)度要(yao)求高的(de)(de)應用(yong)(yong)。在開關(guan)(guan)電(dian)源（SMPS）中，MOSFET的(de)(de)寄生(sheng)參數(shu)至關(guan)(guan)重要(yao)，它決定了轉換(huan)時(shi)(shi)間(jian)、導通(tong)(tong)電(dian)阻、振鈴（開關(guan)(guan)時(shi)(shi)超調）和背柵擊穿等性能(neng)，這些(xie)都與SMPS的(de)(de)效率(lv)密(mi)切相關(guan)(guan)。對于(yu)(yu)門驅動器或者(zhe)逆變(bian)器應用(yong)(yong)，通(tong)(tong)常(chang)需要(yao)選(xuan)擇低輸(shu)入電(dian)容（利(li)于(yu)(yu)快速(su)切換(huan)）以及較高驅動能(neng)力的(de)(de)MOSFET。?

三、igbt和mos管能互換嗎

不能。

IGBT和MOSFET工作特性(xing)不(bu)一樣，一般不(bu)能(neng)互換，在考慮(lv)具(ju)體技術細節(jie)的情況下(xia)，可(ke)以用IGBT替代MOSFET，需要考慮(lv)的問(wen)題點有：

1、電路的工作頻率

IGBT工作頻(pin)(pin)率低，一般25Khz是上限。如果電(dian)路工作頻(pin)(pin)率超過(guo)IGBT頻(pin)(pin)率上限（以具(ju)體管(guan)子數(shu)據手(shou)冊為準(zhun)），不(bu)能替(ti)換(huan)。

2、驅動電路的關斷方式

MOSFET可以用(yong)零壓關斷，也可以用(yong)負壓關斷。IGBT只能(neng)用(yong)負壓關斷。如果電路驅動電路，只是零壓關斷，一般不(bu)能(neng)替代。

3、功率管并聯

MOSFET是正溫度特性，可(ke)以(yi)直(zhi)(zhi)接并(bing)聯擴流，而IGBT是負溫度特性，不(bu)能(neng)直(zhi)(zhi)接并(bing)聯。如果(guo)電(dian)路是多個(ge)MOSFET并(bing)聯使用，不(bu)能(neng)用IGBT簡單替換(huan)。

4、電路是否需要開關器件續流二極管

MOSFET自帶(dai)寄(ji)生二極管，IGBT則是另外加進去的。保險起見，只選擇帶(dai)續流二極管的IGBT。

5、IGBT輸入電容

IGBT輸入電容要(yao)和(he)原電路MOSFET的輸入電容接近。這(zhe)只是考慮驅(qu)動電路的驅(qu)動能力，與MOSFET和(he)IGBT特性(xing)無(wu)關。

6、過流保護電路

對過流保護電(dian)路，IGBT要求更高。如果沒(mei)有電(dian)路圖的話，可以通過短(duan)路試(shi)驗來確(que)定能否替換。

對于常見的簡單電路，考慮上述幾個(ge)因素，就(jiu)可以用(yong)符合功率(lv)耐(nai)壓要求IGBT替代MOSFET。