一、igbt和mos管的區別有哪些

1、什么是igbt

IGBT，絕(jue)緣柵雙極型晶體(ti)管(guan)，是由晶體(ti)三極管(guan)和(he)MOS管(guan)組(zu)成的(de)復合型半導體(ti)器件。

2、mos管是什么

MOS管即(ji)MOSFET，又叫絕緣柵場(chang)效應管，是場(chang)效應管的(de)一種類型(xing)(xing)。MOSFET又可分為N溝耗盡(jin)型(xing)(xing)、增強型(xing)(xing)、P溝耗盡(jin)型(xing)(xing)和(he)增強型(xing)(xing)四大類。

3、igbt和mos管的區別

（1）在結(jie)構上，MOSFET和(he)(he)IGBT看起來(lai)非常相似(si)，實則不(bu)同。IGBT由(you)發射極(ji)、集電極(ji)和(he)(he)柵極(ji)端子組成，而MOSFET由(you)源極(ji)、漏極(ji)和(he)(he)柵極(ji)端子組成。IGBT的結(jie)構中有(you)(you)PN結(jie)，MOSFET沒(mei)有(you)(you)任何PN結(jie)。

（2）在(zai)低電(dian)流區，MOSFET的導通電(dian)壓低于IGBT；在(zai)大電(dian)流區IGBT的正向(xiang)電(dian)壓特性優于MOSFET。

（3）IGBT的(de)高溫特性更好，導(dao)通電壓(ya)比MOSFET低。

（4）IGBT適(shi)用(yong)于中到(dao)極(ji)高電(dian)流的(de)傳(chuan)導和(he)控(kong)制(zhi)，而MOSFET適(shi)用(yong)于低到(dao)中等電(dian)流的(de)傳(chuan)導和(he)控(kong)制(zhi)。

（5）IGBT不適(shi)合高頻(pin)應(ying)用(yong)，它能在千Hz頻(pin)率(lv)下運行(xing)良好(hao)。MOSFET特別(bie)適(shi)合非常高頻(pin)的應(ying)用(yong)，它可(ke)以在兆(zhao)Hz頻(pin)率(lv)下運行(xing)良好(hao)。

（6）IGBT的開關速度比(bi)較低，MOSFET開關速度非(fei)常高。

（7）IGBT可以承受非常高的電壓(ya)以及大功率(lv)，MOSFET僅(jin)適用于(yu)低(di)至中壓(ya)應用。

（8）IGBT具有較(jiao)大的關(guan)(guan)斷時間(jian)，MOSFET的關(guan)(guan)斷時間(jian)較(jiao)小。

（9）IGBT可以處理任何瞬態電(dian)(dian)壓(ya)和電(dian)(dian)流(liu)，但(dan)當發生瞬態電(dian)(dian)壓(ya)時，MOSFET的運(yun)行(xing)會(hui)受(shou)到干(gan)擾。

（10）MOSFET器(qi)件(jian)成本低，價格便(bian)宜，而IGBT至今仍屬(shu)于較高(gao)成本器(qi)件(jian)。IGBT適合高(gao)功率交流應用(yong)，MOSFET適合低功率直流應用(yong)。?

二、igbt和mos管哪個好

igbt和mos管(guan)相比(bi)，各(ge)有各(ge)的優勢和缺點，并不好說哪種更好，主要是根據實(shi)際應(ying)用場合(he)來選(xuan)擇：

1、IGBT的(de)主要優(you)勢是能夠處理(li)和傳導(dao)中(zhong)至(zhi)超高電(dian)(dian)壓(ya)和大電(dian)(dian)流，擁有非常(chang)高的(de)柵極絕緣特(te)性(xing)，且在電(dian)(dian)流傳導(dao)過(guo)程(cheng)中(zhong)產生非常(chang)低的(de)正向壓(ya)降(jiang)，哪怕(pa)浪涌電(dian)(dian)壓(ya)出現時(shi)(shi)，IGBT的(de)運行也不(bu)會受到干(gan)擾(rao)。與MOSFET相比，IGBT開(kai)關速度較(jiao)(jiao)慢，關斷時(shi)(shi)間較(jiao)(jiao)長，不(bu)適(shi)合高頻應用，比較(jiao)(jiao)適(shi)合高壓(ya)大電(dian)(dian)流應用。

2、MOSFET的(de)優(you)點決定(ding)了它非常(chang)(chang)適合(he)高頻(pin)且開關速度要求高的(de)應(ying)用。在開關電源（SMPS）中，MOSFET的(de)寄(ji)生參數至(zhi)關重要，它決定(ding)了轉換(huan)時(shi)間、導(dao)通(tong)電阻、振(zhen)鈴（開關時(shi)超調(diao)）和背柵擊穿(chuan)等性能(neng)，這些都與SMPS的(de)效率密切相關。對于門(men)驅動器或者逆變器應(ying)用，通(tong)常(chang)(chang)需要選擇(ze)低輸入(ru)電容（利于快速切換(huan)）以及較高驅動能(neng)力(li)的(de)MOSFET。?

三、igbt和mos管能互換嗎

不能。

IGBT和MOSFET工作特性不(bu)一樣(yang)，一般不(bu)能互換，在考慮(lv)具(ju)體(ti)技術細節的情況下，可以用IGBT替代MOSFET，需(xu)要考慮(lv)的問題點(dian)有：

1、電路的工作頻率

IGBT工作頻率(lv)低，一般(ban)25Khz是上限。如果(guo)電路工作頻率(lv)超過IGBT頻率(lv)上限（以具體管子(zi)數據手冊(ce)為準(zhun)），不能替換。

2、驅動電路的關斷方式

MOSFET可(ke)以(yi)用零壓關(guan)斷(duan)(duan)，也可(ke)以(yi)用負(fu)壓關(guan)斷(duan)(duan)。IGBT只能用負(fu)壓關(guan)斷(duan)(duan)。如果電路(lu)驅動(dong)電路(lu)，只是零壓關(guan)斷(duan)(duan)，一(yi)般不能替代。

3、功率管并聯

MOSFET是正(zheng)溫度特性(xing)(xing)，可以直(zhi)接并聯(lian)擴流(liu)，而(er)IGBT是負溫度特性(xing)(xing)，不(bu)(bu)能(neng)直(zhi)接并聯(lian)。如果電路是多(duo)個MOSFET并聯(lian)使用，不(bu)(bu)能(neng)用IGBT簡(jian)單替換。

4、電路是否需要開關器件續流二極管

MOSFET自帶寄(ji)生(sheng)二(er)極(ji)管(guan)，IGBT則是另外加進去(qu)的(de)。保(bao)險起(qi)見，只選擇帶續流二(er)極(ji)管(guan)的(de)IGBT。

5、IGBT輸入電容

IGBT輸(shu)(shu)入電(dian)容要和原電(dian)路MOSFET的(de)輸(shu)(shu)入電(dian)容接近。這只是考慮驅動電(dian)路的(de)驅動能力，與(yu)MOSFET和IGBT特性(xing)無關(guan)。

6、過流保護電路

對過流保(bao)護電(dian)路(lu)，IGBT要求更高。如果(guo)沒有電(dian)路(lu)圖的話，可以通(tong)過短路(lu)試驗來(lai)確定(ding)能否替換。

對(dui)于常(chang)見的簡單(dan)電路，考慮(lv)上述幾個因素(su)，就可以(yi)用符合功率耐壓要求IGBT替代MOSFET。