一、igbt和mos管的區別有哪些

1、什么是igbt

IGBT，絕(jue)緣柵(zha)雙極型晶體(ti)(ti)管，是(shi)由晶體(ti)(ti)三極管和MOS管組成的(de)復合型半導體(ti)(ti)器件。

2、mos管是什么

MOS管(guan)(guan)即MOSFET，又叫(jiao)絕緣柵場效應管(guan)(guan)，是場效應管(guan)(guan)的一種類型。MOSFET又可分為N溝(gou)耗盡型、增強(qiang)型、P溝(gou)耗盡型和增強(qiang)型四大(da)類。

3、igbt和mos管的區別

（1）在結(jie)構(gou)上，MOSFET和(he)IGBT看起來非常相似，實則(ze)不同。IGBT由(you)發射極、集電極和(he)柵極端(duan)子組成，而MOSFET由(you)源(yuan)極、漏極和(he)柵極端(duan)子組成。IGBT的結(jie)構(gou)中有PN結(jie)，MOSFET沒有任何PN結(jie)。

（2）在(zai)低電(dian)流(liu)區(qu)，MOSFET的導通電(dian)壓低于IGBT；在(zai)大電(dian)流(liu)區(qu)IGBT的正(zheng)向電(dian)壓特性優(you)于MOSFET。

（3）IGBT的高溫特性更好(hao)，導通電壓比MOSFET低。

（4）IGBT適用(yong)于中到(dao)極高電(dian)流(liu)的(de)傳導和(he)控制，而MOSFET適用(yong)于低(di)到(dao)中等電(dian)流(liu)的(de)傳導和(he)控制。

（5）IGBT不適合(he)(he)高(gao)頻應用，它能(neng)在千Hz頻率(lv)下(xia)運行(xing)良好。MOSFET特(te)別適合(he)(he)非常高(gao)頻的(de)應用，它可以(yi)在兆Hz頻率(lv)下(xia)運行(xing)良好。

（6）IGBT的開(kai)關速(su)度比(bi)較低，MOSFET開(kai)關速(su)度非(fei)常高(gao)。

（7）IGBT可(ke)以(yi)承受非(fei)常高的電壓以(yi)及大功率，MOSFET僅適(shi)用(yong)(yong)于(yu)低至中壓應(ying)用(yong)(yong)。

（8）IGBT具有較大(da)的(de)關斷(duan)時間(jian)，MOSFET的(de)關斷(duan)時間(jian)較小。

（9）IGBT可以處(chu)理任何瞬態電(dian)壓和電(dian)流，但當發生(sheng)瞬態電(dian)壓時(shi)，MOSFET的運行會(hui)受到(dao)干擾。

（10）MOSFET器件成(cheng)本低，價格便宜(yi)，而IGBT至今(jin)仍屬于較高成(cheng)本器件。IGBT適(shi)合(he)高功率(lv)交(jiao)流應用，MOSFET適(shi)合(he)低功率(lv)直(zhi)流應用。?

二、igbt和mos管哪個好

igbt和mos管相比，各有各的優(you)勢和缺點，并不(bu)好說(shuo)哪種更(geng)好，主要是根(gen)據實際應用場合來選擇：

1、IGBT的(de)主(zhu)要優勢是(shi)能夠(gou)處理和(he)傳導中至超高(gao)(gao)電(dian)壓和(he)大電(dian)流(liu)(liu)，擁有(you)非(fei)常高(gao)(gao)的(de)柵極絕緣特(te)性(xing)，且在電(dian)流(liu)(liu)傳導過程中產生(sheng)非(fei)常低的(de)正向(xiang)壓降(jiang)，哪怕浪(lang)涌電(dian)壓出現時，IGBT的(de)運行(xing)也不會受到干擾。與(yu)MOSFET相比(bi)，IGBT開關速度(du)較慢，關斷時間較長，不適(shi)(shi)合高(gao)(gao)頻(pin)應用，比(bi)較適(shi)(shi)合高(gao)(gao)壓大電(dian)流(liu)(liu)應用。

2、MOSFET的優點決定了(le)它(ta)(ta)非常適合高(gao)頻且開關(guan)(guan)(guan)速(su)度要(yao)(yao)求(qiu)高(gao)的應(ying)用(yong)。在開關(guan)(guan)(guan)電(dian)源（SMPS）中，MOSFET的寄生參數至關(guan)(guan)(guan)重要(yao)(yao)，它(ta)(ta)決定了(le)轉換時間、導(dao)通電(dian)阻、振鈴（開關(guan)(guan)(guan)時超調）和背柵(zha)擊穿等性能，這些都與SMPS的效率(lv)密(mi)切(qie)相關(guan)(guan)(guan)。對于門驅動(dong)(dong)器或者逆(ni)變器應(ying)用(yong)，通常需要(yao)(yao)選(xuan)擇低輸入電(dian)容（利于快速(su)切(qie)換）以及(ji)較高(gao)驅動(dong)(dong)能力的MOSFET。?

三、igbt和mos管能互換嗎

不能。

IGBT和MOSFET工作特性不(bu)一(yi)樣，一(yi)般不(bu)能(neng)互(hu)換，在考慮(lv)具體(ti)技(ji)術細節(jie)的情況下，可以用IGBT替代(dai)MOSFET，需要(yao)考慮(lv)的問(wen)題(ti)點有：

1、電路的工作頻率

IGBT工(gong)作頻率(lv)低，一般25Khz是上限。如果(guo)電路工(gong)作頻率(lv)超過IGBT頻率(lv)上限（以具體(ti)管子數據(ju)手冊為準），不能替(ti)換。

2、驅動電路的關斷方式

MOSFET可以用零壓(ya)關(guan)斷(duan)，也可以用負壓(ya)關(guan)斷(duan)。IGBT只能用負壓(ya)關(guan)斷(duan)。如果(guo)電路驅動電路，只是零壓(ya)關(guan)斷(duan)，一般不能替代。

3、功率管并聯

MOSFET是(shi)正溫度(du)特(te)(te)性，可以直接(jie)并聯(lian)擴流，而IGBT是(shi)負溫度(du)特(te)(te)性，不能(neng)直接(jie)并聯(lian)。如果電路(lu)是(shi)多個MOSFET并聯(lian)使用，不能(neng)用IGBT簡單替換。

4、電路是否需要開關器件續流二極管

MOSFET自帶寄生二極(ji)管(guan)，IGBT則是另(ling)外加進去(qu)的。保(bao)險起見，只選(xuan)擇帶續流二極(ji)管(guan)的IGBT。

5、IGBT輸入電容

IGBT輸入電(dian)(dian)容要和原(yuan)電(dian)(dian)路MOSFET的輸入電(dian)(dian)容接(jie)近。這(zhe)只是考(kao)慮驅動電(dian)(dian)路的驅動能力，與MOSFET和IGBT特性無(wu)關。

6、過流保護電路

對過流(liu)保護(hu)電(dian)路，IGBT要求更高(gao)。如果(guo)沒有電(dian)路圖的話(hua)，可以通過短路試驗來(lai)確定能否替換。

對于常見的簡單電路(lu)，考慮(lv)上(shang)述幾(ji)個(ge)因素，就(jiu)可(ke)以(yi)用符(fu)合(he)功率耐壓要求IGBT替代MOSFET。