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場效應管和mos管區別在哪里 場效應管的三個工作區域介紹

本文章由注冊用戶 淺嘗不止— 上傳提供 2024-04-17 評論 0
摘要:場效管(fet)是一種半導體裝置,它利用電場效應控制輸入回路電流,并以此命名。mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導體(semiconductor)場效應晶體管,或稱金屬絕緣體(insulator)半導體。接下來本文將帶來場效應管和mos管區別在哪里以及場效應管的三個工作區域介紹,一起到文中來看看吧!

一、場效應管和mos管區別在哪里

場效應管之所以稱為場效應管,是因為它的工作方式是在柵極與源極之間增加電場來控制漏極與源極之間的電流,最大的特點就是柵極是基本沒有電流流過的。那么場效應管和(he)mos管區別在哪里(li)呢?

1、主題不同

(1)場效應管:v型槽mos場效應管。它是繼mosfet之后新(xin)興的高效功率開(kai)關器件。

(2)mos管:金屬(shu)-氧化(hua)物-半導體(ti)場效(xiao)應管屬(shu)絕緣柵型。

2、特性不同

(1)場效應管:mos場(chang)效應管不僅繼承了(le)輸入阻(zu)抗高(gao)(≥108W)、驅(qu)動電(dian)流(約為(wei)0.1μA),而且還具(ju)有耐(nai)壓(ya)高(gao)(最高(gao)可耐(nai)壓(ya))、工作電(dian)流(1.5A~100A)、輸出功率高(gao)(約為(wei)108W)、驅(qu)動電(dian)流(約0.1μA)等優良特性。

(2)mos管:其主要(yao)特征是金屬(shu)柵極和溝道(dao)之間有一層(ceng)二氧化硅(gui)絕(jue)緣層(ceng),因此有很高的(de)輸(shu)入電阻(最高可達1015Ω)。

3、規則不同

(1)場效應(ying)管:功(gong)(gong)率晶體管的(de)(de)優點(dian)集于一身,因此在電(dian)壓放(fang)大(da)器(qi)(電(dian)壓放(fang)大(da)倍數(shu)達到數(shu)千倍)、功(gong)(gong)率放(fang)大(da)器(qi)、開關電(dian)源和(he)逆變器(qi)等方面(mian)得到了(le)廣泛的(de)(de)應(ying)用。

(2)mos管:當vgs=0時(shi)是處于截(jie)止(zhi)狀態,再加上正確的(de)vgs,大部分(fen)載體(ti)會被吸引到(dao)柵極上,從而(er)“加強”這一區域的(de)載體(ti),形成導電溝(gou)道。

二、場效應管的三個工作區域介紹

前文(wen)已經簡單了解了場效(xiao)(xiao)應管和mos管區別在哪里,接著咱們就重點來(lai)了解效(xiao)(xiao)應管,來(lai)看看場效(xiao)(xiao)應管的三個(ge)工(gong)作區域是什么(me)。

場(chang)效應(ying)(ying)管有三個極:源極(s),柵極(g),漏極(d),對應(ying)(ying)于(yu)晶體管的發射極,基極,以及集(ji)電極。場(chang)效應(ying)(ying)管的三個區(qu)(qu)域:截止區(qu)(qu),恒(heng)流區(qu)(qu),可變(bian)電阻區(qu)(qu),分別對應(ying)(ying)于(yu)三極管的截止區(qu)(qu),放大區(qu)(qu)以及飽和(he)區(qu)(qu)。

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