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場效應管和mos管區別在哪里 場效應管的三個工作區域介紹

本文章由注冊用戶 淺嘗不止— 上傳提供 2024-04-17 評論 0
摘要:場效管(fet)是一種半導體裝置,它利用電場效應控制輸入回路電流,并以此命名。mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導體(semiconductor)場效應晶體管,或稱金屬絕緣體(insulator)半導體。接下來本文將帶來場效應管和mos管區別在哪里以及場效應管的三個工作區域介紹,一起到文中來看看吧!

一、場效應管和mos管區別在哪里

場效應管之所以稱為場效應管,是因為它的工作方式是在柵極與源極之間增加電場來控制漏極與源極之間的電流,最大的特點就是柵極是基本沒有電流流過的。那么場效應管和mos管(guan)區別在哪里呢?

1、主題不同

(1)場效應管:v型槽mos場效應管。它是繼mosfet之后新興的高(gao)效(xiao)功率開關器件(jian)。

(2)mos管:金屬(shu)-氧(yang)化物-半導體(ti)場效應(ying)管屬(shu)絕緣(yuan)柵型。

2、特性不同

(1)場效應管:mos場效應管(guan)不僅(jin)繼承了輸入阻抗高(gao)(gao)(≥108W)、驅動電(dian)(dian)流(liu)(約(yue)為0.1μA),而且還具有耐(nai)壓高(gao)(gao)(最高(gao)(gao)可耐(nai)壓)、工作電(dian)(dian)流(liu)(1.5A~100A)、輸出功率高(gao)(gao)(約(yue)為108W)、驅動電(dian)(dian)流(liu)(約(yue)0.1μA)等優(you)良特性(xing)。

(2)mos管:其主要特征(zheng)是金屬柵極(ji)和溝道之間有(you)一層二氧(yang)化硅絕緣層,因此(ci)有(you)很高的(de)輸入(ru)電阻(最(zui)高可達(da)1015Ω)。

3、規則不同

(1)場效應(ying)管:功(gong)率(lv)晶體管的優點集于一身(shen),因此(ci)在電壓(ya)放(fang)大器(電壓(ya)放(fang)大倍數達到(dao)(dao)數千倍)、功(gong)率(lv)放(fang)大器、開(kai)關電源和(he)逆變器等方面得到(dao)(dao)了(le)廣泛的應(ying)用。

(2)mos管:當vgs=0時是處于(yu)截止(zhi)狀態,再加上正確的vgs,大部分載體會被吸引(yin)到柵極(ji)上,從而“加強(qiang)”這一區(qu)域的載體,形成導(dao)電溝道。

二、場效應管的三個工作區域介紹

前文已(yi)經簡(jian)單了解了場效應(ying)管(guan)和mos管(guan)區(qu)別在哪里,接著咱們就重(zhong)點來了解效應(ying)管(guan),來看看場效應(ying)管(guan)的三個(ge)工作區(qu)域是什么。

場(chang)(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)有三(san)個極(ji)(ji):源(yuan)極(ji)(ji)(s),柵極(ji)(ji)(g),漏極(ji)(ji)(d),對(dui)(dui)應(ying)于晶體(ti)管(guan)的(de)發射極(ji)(ji),基極(ji)(ji),以及集電極(ji)(ji)。場(chang)(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)的(de)三(san)個區(qu)域:截止區(qu),恒流(liu)區(qu),可變電阻區(qu),分別對(dui)(dui)應(ying)于三(san)極(ji)(ji)管(guan)的(de)截止區(qu),放大區(qu)以及飽(bao)和區(qu)。

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